【課題】基板の付け替えに際して基板を適切に分離することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上方に、第１のバンドギャップのＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ＜１）を含む第１の化合物半導体層を形成する。前記第１の化合物半導体層上に、前記第１のバンドギャップよりも広い第２のバンドギャップのＡｌ_yＩｎ_zＧａ_1-y-zＮ（０＜ｙ＜１、０＜ｙ＋ｚ≦１）を含む第２の化合物半導体層を形成する。前記第２の化合物半導体層の上方に、化合物半導体積層構造を形成する。前記第１のバンドギャップと前記第２のバンドギャップとの間のエネルギを有する光を前記第１の化合物半導体層に照射しながら前記第１の化合物半導体層を除去して、前記基板を前記化合物半導体積層構造から分離する。 （もっと読む）

【課題】異なる酸化度の酸化銅が混在している状態において、一方のみを選択的に溶解させることのできる酸化銅用エッチング液及びそれを用いた酸化銅用エッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明の酸化銅用エッチング液は、α，ω−ジアミン酢酸、α，ω−ジアミンコハク酸、α，ω−ジアミンプロピオン酸、１，２−ジアミノプロパン四酢酸、クエン酸、イソクエン酸、フマル酸、アジピン酸、コハク酸、グルタミン酸、リンゴ酸、酒石酸、及びこれらの塩からなる群より選ばれた少なくとも一種以上のキレート剤を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属薄膜パターンの端部におけるバリ発生を確実に防止できる金属薄膜の製造方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、所定パターンの金属薄膜パターン８を形成するための方法であって、下地の上に、前記パターンのエッジに対応する位置近傍に壁面を有する段差パターン３を形成する工程と、段差パターン３を含む下地全体にレジスト４を塗布する工程と、塗布したレジスト４に対して、前記パターンの反転パターンとなるようにパターニングを施す工程と、レジスト４および段差パターン３を含む下地全体に金属薄膜５を形成する工程と、溶剤を塗布して、レジスト４および該レジスト４上に位置する金属薄膜５を除去する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上への窒化物半導体薄膜の形成時における、熱膨張係数差から生じる熱応力および多孔質シリコンの構造変化に起因したピットの問題を解消し、更に該被膜に生じる反りと応力を低減できる、窒化物半導体薄膜形成に好適な窒化物半導体薄膜形成用基板を提供。
【解決手段】シリコン単結晶基体上に、異なる多孔質構造を有するシリコン層を組み合わせ設けたものを基板とし、更に、その上にシリコンエピタキシャル膜層を設けた窒化物半導体形成用基板。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物１０の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物１０の幅方向に沿って延設されるノズル本体１１１と、前記ノズル本体１１１に供給された高圧のガスが前記ノズル本体１１１の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物１０の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体１１１の内部に形成される圧力均配路１１２と、前記ノズル本体１１１および圧力均配路１１２の一方の端部に前記処理対象物１０の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路１１２を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物１０に向けて噴射するスリット１１３と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを含む有機電界発光表示装置を提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置する半導体層と、前記半導体層と絶縁されるゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極と絶縁され、前記半導体層に一部が接続されるソース／ドレイン電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ及びその製造方法に関する。また、前記薄膜トランジスタにおいて、前記基板全面に位置する絶縁膜と、前記絶縁膜上に前記ソース／ドレインと電気的に接続される第１電極、有機膜層及び第２電極とを含み、前記半導体層は１つまたは複数の凹部を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置に関する。 （もっと読む）

【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部１０の窓１４から出力された電子ビームは、薄膜２７を通過して配管２４内の処理溶液８０に照射され、その処理溶液８０を活性化する。その活性化された処理溶液８０は、溶液タンク２３に注がれ、その溶液タンク２３の中に入れられた処理対象物９０の表面処理に使われる。処理溶液８０が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液８０に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液８０の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液８０が処理対象物９０の表面に供給される場合にも、その処理対象物９０の表面処理の効率化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】基板のベベル部の被エッチング面を均一にすることにより、パーティクル発生を抑制する。
【解決手段】基板洗浄方法は、基板保持台２５上に、ベベル部２１ａを覆う材料膜２７が形成された基板２１を載置する工程（ａ）と、材料膜２７が形成されたベベル部２１ａに洗浄パッド２２を接触させて、洗浄パッド２２に染み込ませたエッチング液によって材料膜２７を除去する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後に、洗浄パッド２２に純水を染み込ませることにより、エッチング液を純水に置換すると共に、ベベル部２１ａを水洗する工程（ｃ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、エッチング速度の低下を防止することができ、かつ高精度にエッチングを行うことができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング媒体（エッチング液Ｑ）を被処理体（基板Ｓ）上に配置する媒体配置工程と、被処理体とエッチング媒体との界面Ｆの一部の照射領域Ｒに光を照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、照射領域Ｒの近傍においてエッチング媒体を吸引することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対する熱の影響を抑制することができ、複数のエッチング箇所の各々に照射する光の面積を制御することができ、一つの光源で複数のエッチング箇所を一括して加工することができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】光Ｌの照射を受けて化学的に活性化するエッチング液Ｑを被処理体（基板Ｓ）上に配置する液配置工程と、被処理体とエッチング液Ｑとの界面Ｆに光Ｌを照射する光照射工程と、を含み、光照射工程では、光Ｌを部分的に遮蔽して界面Ｆの複数の照射領域Ｒに光Ｌを照射することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造工程を簡略化しながらも、特性のばらつきがなく、信頼性に優れたノーマリオフ特性を有する窒化物半導体からなる半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、窒化物半導体からなるチャネル層１０３と、チャネル層１０３の上に形成され、該チャネル層１０３よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体からなる電子供給層１０４と、電子供給層１０４の上に選択的に形成されたｐ型半導体層１０５と、ｐ型半導体層１０５の上に形成されたゲート電極１０６と、ゲート電極１０６の両側方の領域に、それぞれ少なくとも電子供給層１０４と接するように形成されたソース電極１０７及びドレイン電極１０８とを有している。ｐ型半導体層１０５は、六方晶のII−VI族化合物半導体、例えばｐ型ＺｎＯにより構成されている。 （もっと読む）

【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Ｗの被処理面Ｗａの少なくとも一部を被覆する被覆手段１３を備え、保持手段１１に保持された被処理物Ｗの被処理面Ｗａと被覆手段１３との間に間隙ｇを形成した状態にて、処理液供給手段１４により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Ｗの被処理面Ｗａと対向する位置に配される対向電極３１ａと、被処理物Ｗに接続可能な被処理物用電極３２との間に、電圧を印加する。 （もっと読む）

本発明は、薄膜トランジスタ液晶表示装置などの平板ディスプレイ表示装置の薄膜トランジスタ製造工程において、微細パターンに形成された透明伝導膜のエッチング溶液組成物に関する。
本発明は、含ハロゲン化合物０．０５〜１５重量％、補助酸化剤０．１〜２０重量％、エッチング調節剤０．０５〜１５重量％、残渣抑制剤０．１〜１５重量％、腐食抑制剤０．３〜１０重量％及び全体組成物の総重量が１００重量％になるようにする水で構成され、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象が発生しないようにする透明伝導膜エッチング組成物に関する。
本発明の透明伝導膜エッチング組成物は腐食抑制剤と経時変化抑制剤を含む水溶液であり、従来の透明伝導膜エッチング組成物で発生する側面エッチング現象、経時変化現象、エッチング時の残渣発生現象、銅膜、銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象などの欠点を完全に解消することができる。特に本発明は、従来の透明伝導膜エッチング組成物の主要問題点であるエッチング時の残渣発生現象と銅膜、銅膜銅合金膜、モリブデン膜、モリブデン合金膜またはこれらが積層された多重膜の侵害現象を解消するため、透明伝導膜の選択的パターンエッチングが可能である。
また、本発明による透明伝導膜エッチング組成物は適切なエッチング速度及び適切な傾斜角を提供することができ、蒸発量を顕著に減少させてエッチング組成物の成分量の変動を減少させ、それによるヒューム（ｆｕｍｅ）発生量を減らすことにより、大気環境汚染を防止することができる長所を有している。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクスデバイス構造から少なくとも１種の材料を除去するための改善された組成物及びプロセスを提供する。
【解決手段】
少なくとも１つの材料層を、表面にそれを有する拒絶されたマイクロエレクトロニクスデバイス構造から除去するための、除去組成物及びプロセス。除去組成物は、フッ酸を含む。この組成物は、前記構造を再生し、再加工し、リサイクルし、及び／又は再使用するために、保持される層に損傷を及ぼすことなく、除去される（１種又は複数の）材料の実質的な除去を実現する。 （もっと読む）

本発明は、この目的に適したエッチングペーストを塗布し、反応が完了した際に適切な方法でペースト残渣を除去するまたは基板表面を洗浄することによる、「ソーラーモジュール」の湿式化学的な端部除去のために局所的に実施可能な迅速かつ安価な方法に関する。この目的のために新規に開発されたエッチングペーストがこの方法において用いられる。
（もっと読む）

【課題】 グラフェンナノデバイスの製造を提供する。
【解決手段】 ナノスケールのグラフェン構造製造技術が提供される。マスクとして有用な酸化物ナノワイヤが、グラフェン層上に形成され、次にイオンビームエッチングが実施される。ナノスケールグラフェン構造は、イオンビームエッチング後、残った酸化物ナノワイヤを除去することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】シリコンの湿式異方性エッチングで使用するテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等の第４級アンモニウム化合物の水溶液からなるエッチング液であって、エッチング速度が速く、付着物を形成することがなく、連続使用してもエッチング速度が低下し難いエッチング液を提供する。
【解決手段】前記エッチング液に、2,5-ジヒドロキシ-1,4-ベンゾキノンのような下記式（１）で示されるキノン化合物を０．０５〜２０．０質量％の濃度で添加する。


（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に水素原子、ヒドロキシル基、アルキル基又はアルコキシ基であり、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４が同時に水素原子になることはない。） （もっと読む）

【課題】様々な量の銅原子を含有するシリコンウェーハの再生処理に対応が可能で、銅原子の含有量を効果的に減少させることができる再生シリコンウェーハの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、再生対象となる銅原子を含むシリコンウェーハから銅原子が除去された再生シリコンウェーハを製造する方法であって、再生対象である前記シリコンウェーハを加熱することにより、前記シリコンウェーハの内部に含まれる銅原子を表面に移動させる加熱工程Ｓ２と、前記シリコンウェーハの表面に移動した銅原子をエッチングにより除去するエッチング工程Ｓ３と、エッチング工程Ｓ３を経たシリコンウェーハを加熱した後に、表面における銅原子の存在量を全反射蛍光エックス線分析法により定量して、前記シリコンウェーハの再生の程度を判定する判定工程Ｓ４と、を含むことを特徴とする再生シリコンウェーハの製造方法である。 （もっと読む）