基板処理方法および基板処理装置
【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハなどのシリコン基板に薄化処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、シリコンウエハに対して処理液を用いた液処理が行われる。このような液処理の一つは、エッチング液をシリコンウエハの一方面に供給して行うエッチング処理である。このようなエッチング処理により、シリコンウエハを薄化（シンニング）することが知られている。具体的には、エッチング力の極めて高いふっ酸硝酸混合液を、シリコンウエハの裏面（デバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面）に供給することにより、裏面の表層部からウエハ材料を均一にエッチング除去することができる（たとえば特許文献１参照）。このようなシリコンウエハの薄化では、たとえば７２５μｍのシリコンウエハの厚みを、４０μｍ程度まで薄くするのが一般的である。
【０００３】
また、シリコンウエハの裏面に研削処理を施してシリコンウエハを薄化させる方法も知られている。この研削処理では、高速回転される研削砥石がシリコンウエハの裏面に接触させられることにより、シリコンウエハの裏面が平坦に研削される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願の発明者らは、ふっ酸硝酸混合液によるエッチング処理に先立って、シリコンウエハの裏面に研削処理を施すことを検討している。すわなち、研削処理によりシリコンウエハは所定厚みまで薄くされた後、エッチング処理によりさらに一層薄くされる。研削処理はエッチング処理に比べて薄化の処理レートが大きいので、エッチング処理のみで薄化を図る場合と比較して、処理の効率化を図ることができる。
【０００６】
ところが、シリコンウエハの裏面に研削処理を施し、その後、その裏面にふっ酸硝酸混合液によるエッチング処理を施す場合、エッチング処理後のシリコンウエハの裏面にキズや凹凸（エッチピット）、曇りなどの面荒れが生じることがある。薄化処理後のシリコンウエハの裏面に面荒れがあると、以降のプロセスや実装後において、半導体デバイスの破損の原因になる。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、シリコン基板（Ｗ）を、研削砥石（８５）を用いて研削する研削工程（Ｓ３）と、前記研削工程実行後のシリコン基板から、前記研削工程において生じる有機付着物を除去する有機付着物除去工程（Ｓ６）と、前記有機付着物除去工程後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給工程（Ｓ９）とを含む、基板処理方法である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
研削工程では、研削砥石によってシリコン基板の一方面が研削される。この研削砥石は、たとえば、砥粒（８６）が樹脂製の結合剤（Ｂ）により固められることによって形成されている。研削工程では、研削砥石に含まれる樹脂製の結合剤が破砕されて周囲に分散する。破砕された樹脂製の結合剤がシリコン基板の一方面に付着して有機付着物となると、この有機付着物がその後のふっ酸硝酸混合液供給工程においてエッチングマスクとして機能し、ふっ酸硝酸混合液によるエッチングを阻害するおそれがある。このため、シリコン基板の一方面に面荒れが生じるおそれがある。
【００１０】
この発明の方法によれば、ふっ酸硝酸混合液供給工程に先立って、有機付着物除去工程が実行される。有機付着物除去工程では、研削工程において生じた有機付着物がシリコン基板から除去される。そして、有機付着物が除去された後にふっ酸硝酸混合液供給工程が実行されるので、ふっ酸硝酸混合液によるシリコン基板の一方面へのエッチングが有機付着物によって阻害されることがない。これにより、シリコン基板の一方面への面荒れの発生を防止または抑制しつつ、シリコン基板を薄化させることができる。
【００１１】
なお、この明細書において「有機付着物を除去」とは、有機付着物を基板表面から離脱させることの他、有機付着物を分子レベルで破壊することや有機付着物を部分的に除去して縮小化させることを含む趣旨である。
また、「ふっ酸硝酸混合液」とは、ふっ酸および硝酸の混合液だけでなく、ふっ酸および硝酸の混合液に燐酸など他の酸が混合されたものも含む趣旨である。
請求項２記載の方法は、前記研削工程に先立って、シリコン基板を補強するための補強基板（Ｓ）を、シリコン基板の前記一方面とは反対の他方面に接着剤（Ａ）を介して貼り合わせる貼合工程（Ｓ１）をさらに含む、請求項１記載の基板処理方法である。
【００１２】
この発明の方法によれば、シリコン基板の他方面に補強基板が貼り合わせられる。シリコン基板と補強基板が貼り合わせられることにより、シリコン基板が補強基板により補強されて、変形し難くなる。
この補強後のシリコン基板に対して研削工程が施される。研削砥石によりシリコン基板が研削される研削工程ではシリコン基板に比較的大きな力が作用するが、シリコン基板が補強されているので、研削工程におけるシリコン基板の変形を防止することができる。
【００１３】
また、貼合工程では、たとえば樹脂製の接着剤を介して補強基板がシリコン基板に貼り合わせられる。したがって、シリコン基板と補強基板との間から接着剤がはみ出すと、この接着剤が、研削砥石により破砕されて周囲に分散し、シリコン基板の一方面に有機付着物として付着するおそれがある。
この発明の方法によれば、研削工程において、シリコン基板の一方面に、接着剤が有機付着物として付着しても、この接着剤は、ふっ酸硝酸混合液供給工程の実行に先立って除去される。このため、ふっ酸硝酸混合液によるシリコン基板の一方面へのエッチングが、接着剤によって阻害されることはない。
【００１４】
請求項３に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に紫外線を照射する紫外線照射工程（Ｓ６）を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板に紫外線を照射することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物の内部結合を切断して、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
また、請求項４に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にオゾンガスを供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を酸化させて、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００１５】
請求項５に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対して硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板に硫酸過酸化水素水混合液を供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を、硫酸過酸化水素水混合液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力によって剥離させることができる。
【００１６】
また、請求項６に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾン水を供給するオゾン水供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にオゾン水を供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を、オゾン水の酸化力によって剥離させることができる。
さらに、請求項７に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射工程（Ｓ２０）を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にプラズマを照射することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物の内部結合を切断して、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００１７】
請求項８記載の発明は、研削砥石（８５）を用いて研削されたシリコン基板（Ｗ）から有機付着物を除去する有機付着物除去手段（３２；９２；１１１，１１２；１２１，１２２，１２３；１３１）と、前記有機付着物除去手段により有機付着物が除去された後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給手段（４１；１３２）とを含む、基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、請求項１の発明に関連して述べた作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
請求項９記載の発明は、シリコン基板を収容可能な基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（５）をさらに含み、前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段（１１１，１１２）を含む、請求項８記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線が照射される。これにより、シリコン基板から有機付着物を除去することができる。シリコン基板を基板収容器に収容した状態で有機付着物を除去することができるので、専用の処理室を別途設ける必要がない。また、処理前のシリコン基板を基板収容器内に待機させている期間を利用して有機物除去処理を行うことができるので、効率的な基板処理が可能になる。
【００２０】
請求項１０記載の発明は、シリコン基板を収容可能な基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（５）をさらに含み、前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段（１２１，１２２，１２３）を含む、請求項８または９記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスが供給される。このオゾンガスによって、シリコン基板から有機付着物を除去することができる。
【００２１】
請求項１１記載の発明は、シリコン基板を所定の搬送方向（Ｒ１）に搬送する基板搬送機構（１３０）をさらに含み、前記有機付着物除去手段（１３１）が、前記基板搬送機構による基板搬送経路の第１の位置（Ｐ３）でシリコン基板から有機付着物を除去するように設けられており、前記ふっ酸硝酸混合液供給手段が、前記基板搬送経路において、前記基板搬送方向に関し前記第１の位置よりも下流側の第２の位置（Ｐ４）に向けてふっ酸硝酸混合液を供給するように設けられている、請求項８記載の基板処理装置である。
【００２２】
この構成によれば、基板搬送機構によるシリコン基板の搬送中に、シリコン基板に付着する有機付着物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】図１に示すＵＶ処理室の構成を図解的に示す断面図である。
【図３】図１に示すふっ硝酸処理室の構成を図解的に示す断面図である。
【図４】図１に示すふっ硝酸処理室の内部構成を図解的に示す平面断面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】ウエハに施される薄化処理を説明するための工程図である。
【図７】貼合工程、研削工程、ＵＶ照射工程およびふっ硝酸供給工程を説明するための図である。
【図８】研削装置を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る基板処理方法を説明するための工程図である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。
【図１４】図１３の基板処理装置による処理の様子を説明するための図解的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置は、円形のシリコンウエハ（シリコン基板）Ｗ（以下、単に「ウエハＷ」という。）におけるデバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面に対して、ウエハＷの薄化（シンニング）のためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。このエッチング処理では、エッチング液として、たとえばふっ酸硝酸混合液（以下、「ふっ硝酸」という。）が用いられる。
【００２５】
この基板処理装置は、ウエハＷの裏面に紫外線を照射するためのＵＶ処理室２と、ウエハＷの裏面にふっ硝酸を供給するためのふっ硝酸処理室３と、ウエハＷを搬送するための搬送室４とを備えている。搬送室４は、ＵＶ処理室２とふっ硝酸処理室３との間に挟まれた状態で配置されている。ＵＶ処理室２、搬送室４およびふっ硝酸処理室３は、所定の水平方向（Ｘ方向）に沿ってこの順で一列に並んでいる。搬送室４の側方（図１に示す上方）には、基板収容器Ｃを載置するための収容器載置台（収容器保持部）５が設けられている。
【００２６】
収容器載置台５には、複数（図１では２つ）の基板収容器ＣがＸ方向に沿って並べて配置される。基板収容器Ｃには、複数枚のウエハＷが多段に積層した状態で収容される。収容器載置台５は、搬送室４から見てＹ方向（Ｘ方向に直交する水平方向）の一方に配置されている。
ＵＶ処理室２と搬送室４とを仕切る隔壁６には、ＵＶ処理室２内にウエハＷを搬出入するための第１開口１１が形成されている。この隔壁６の内面（搬送室４に臨む面）には、第１開口１１を開閉するための第１ドア１４が設けられている。
【００２７】
ふっ硝酸処理室３と搬送室４とを仕切る隔壁７には、ふっ硝酸処理室３内にウエハＷを搬出入するための第２開口１２が形成されている。この隔壁７の内面（搬送室４に臨む面）には、第２開口１２を開閉するための第２ドア１５が設けられている。
搬送室４と収容器載置台５とを仕切る隔壁８には、基板収容器Ｃに対してウエハＷを出し入れするための第３開口１３が複数（図１では２つ）形成されている。この隔壁８の内面（搬送室４に臨む面）には、第３開口１３を開閉するための第３ドア１６が設けられている。
【００２８】
搬送室４内には、ウエハＷを搬送するための搬送ロボット１７が配置されている。搬送ロボット１７は、搬送室４でＹ方向に沿って延びるＹ方向レール１８と、鉛直方向に延びて、Ｙ方向レール１８上をＹ方向に沿ってスライド可能に設けられた支持軸１９と、この支持軸１９に、支持軸１９まわりに回転可能に支持されて、水平方向に延びるハンドアーム２０と、ハンドアーム２０の先端部に結合されて、ウエハＷを保持するためのハンド２１とを備えている。Ｙ方向レール１８は、Ｘ方向に沿って延びるＸ方向レール２２上に、Ｘ方向に沿う方向にスライド可能に保持されている。Ｘ方向レール２２は、Ｙ方向レール１８の両端部と接触し、搬送室４の下壁（搬送室４の下面に相当する隔壁）に固定されている。
【００２９】
Ｙ方向レール１８には、Ｘ方向駆動機構２３が結合されている。Ｘ方向駆動機構２３の駆動力によって、Ｙ方向レール１８を支持軸１９ごと、Ｘ方向に沿ってスライドさせることができるようになっている。支持軸１９には、Ｙ方向駆動機構２４が結合されている。Ｙ方向駆動機構２４の駆動力によって、支持軸１９をＹ方向に沿ってスライドさせることができるようになっている。ハンドアーム２０には、ハンドアーム揺動駆動機構２５が結合されている。ハンドアーム揺動駆動機構２５の駆動力によって、ハンドアーム２０を支持軸１９まわりに回転させることができるようになっている。
【００３０】
ハンドアーム２０が支持軸１９まわりに回転されることにより、ハンド２１を各開口（第１開口１１、第２開口１２および第３開口１３）に対向させることができる。ハンド２１が第３開口１３に対向している状態でＹ方向駆動機構２４が駆動されることにより、ハンド２１を第３開口１３を通して、収容器載置台５に配置された基板収容器Ｃ内に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、基板収容器ＣからウエハＷを取り出したり、基板収容器ＣにウエハＷを収納したりすることができる。
【００３１】
また、ハンド２１が第１開口１１に対向している状態でＸ方向駆動機構２３が駆動されることにより、ハンド２１を第１開口１１を通してＵＶ処理室２内に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、ＵＶ処理室２にウエハＷを搬入したり、ＵＶ処理室２からウエハＷを搬出したりすることができる。
さらに、ハンド２１が第２開口１２に対向している状態でＸ方向駆動機構２３が駆動されることにより、ハンド２１を第２開口１２を通してふっ硝酸処理室３の内部に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、ふっ硝酸処理室３にウエハＷを搬入したり、ふっ硝酸処理室３からウエハＷを搬出したりすることができる。
【００３２】
図２は、ＵＶ処理室２の構成を図解的に示す断面図である。ＵＶ処理室２は、隔壁により区画されており、その内部に、ウエハＷを載置するためのウエハ載置台３０と、このウエハ載置台３０に載置されたウエハＷの裏面（上面）に紫外線を照射するための紫外線照射装置３１とが収容されている。
紫外線照射装置３１は、ウエハ載置台３０の上方に配置されており、複数（この実施形態では３つ）の紫外線ランプ（有機付着物除去手段）３２を備えている。紫外線ランプ３２は水平方向に延び、紫外線ランプ３２とウエハ載置台３０の上面との間の間隔は、たとえば５０ｍｍ程度である。各紫外線ランプ１２としては、ピーク波長が１８４．９ｎｍおよび２５３．７ｎｍの紫外線を発生する低圧水銀ランプ（たとえばセン特殊光源株式会社製）が採用されている。これらにより、ウエハ載置台３０の上面における１８４．９ｎｍの紫外線の照度は、たとえば４ｎＷ／ｃｍ２であり、２５３．７ｎｍの紫外線の照度は、たとえば１４ｎＷ／ｃｍ２になる。
【００３３】
なお、各紫外線ランプ３２から発生される紫外線をウエハ載置台３０に向けて反射させるための反射板が紫外線照射装置３１に設けられていてもよい。
図３は、ふっ硝酸処理室３の構成を図解的に示す断面図である。図４は、ふっ硝酸処理室３の内部構成を図解的に示す平面断面図である。
ふっ硝酸処理室３は、隔壁により区画されており、その内部に、ウエハＷをほぼ水平姿勢に保持するための基板保持機構４０と、基板保持機構４０に保持されたウエハＷの上面にふっ硝酸を供給するためのスリットノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）４１と、基板保持機構４０に保持されたウエハＷの上面に向けてＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル４２とを備えている。
【００３４】
基板保持機構４０は、鉛直軸線まわりに回転される回転軸４３と、回転軸４３の上端に固定された円盤状のスピンベース４４と、スピンベース４４上に固定された基板支持部材４５とを備えている。スピンベース４４の中央部には、スピンベース４４の上下面を貫通する貫通孔４６が形成されている。回転軸４３には、モータを含む回転駆動機構５９からの回転駆動力が入力されている。
【００３５】
基板支持部材４５は、水平方向に延びる略円盤状の底壁部４７と、底壁部４７の周縁部から上方に向けて立ち上がる円筒状の外周リング部４８と、外周リング部４８よりも径方向外方に設けられて、スピンベース４４に固定される円筒状の固定部４９と、底壁部４７と固定部４９とを接続する接続部５０とを一体的に備えて形成されている。固定部４９は、複数本のボルト５１によってスピンベース４４に固定されている。底壁部４７の上面と外周リング部４８の内周面とで区画される円筒状の収容凹部５２内に、ウエハＷが収容保持される。外周リング部４８は、収容凹部５２に収容されるウエハＷの外周端を取り囲む。外周リング部４８の上面は、収容凹部５２に収容されるウエハＷの上面よりも、微小高さだけ高くなるように設定されている。
【００３６】
底壁部４７の上面には、リング状のシール部材５３が、底壁部４７の周縁に沿って配置されている。このシール部材５３によって、ウエハＷの下面が支持される。シール部材５３は、リップパッキンであってもよいし、面パッキンであってもよい。
底壁部４７の中央には、吸引用の吸引ノズル５４が配置されている。吸引ノズル５４の先端部（上端部）は、底壁部４７の上面に開口する吸引口を有している。吸引ノズル５４からは、鉛直下方に向けて吸引管５５が延びている。吸引管５５は、スピンベース４４の貫通孔４６および回転軸４３内を挿通して、その他端が、真空発生装置などの吸引装置５６に接続されている。
【００３７】
基板保持機構４０には、複数本（たとえば、４つ）のリフトピン５７が設けられている（図３では、２つのリフトピン５７のみ図示）。各リフトピン５７は、スピンベース４４を上下に貫通して形成された貫通孔４６に挿通されて、スピンベース４４に対して昇降可能に設けられている。これらのリフトピン５７には、リフトピン５７を一括して昇降させるためのリフトピン昇降駆動機構（図示しない）が結合されている。リフトピン昇降駆動機構が駆動されることにより、ウエハＷを、収容凹部５２に収容された状態と、収容凹部５２から上方に離脱された状態との間で昇降させることができる。
【００３８】
スリットノズル４１は、所定の水平方向に沿う直方体状の外形を有した本体６０を備えている。本体６０の下面には、水平方向に沿って直線状に開口するスリット吐出口６１が形成されている。スリット吐出口６１の長さ（長手方向の大きさ）は、ウエハＷの直径よりも大きい。スリット吐出口６１は、本体６０の長手方向に沿う帯状にふっ硝酸を吐出する。
【００３９】
本体６０の一方側側面（図３に示す左側）には、長方形状の可撓性の第１シート６２が鉛直姿勢に取り付けられている。また、本体６０の反対側側面（図３に示す右側）には、長方形状の可撓性の第２シート６３が鉛直姿勢に取り付けられている。第１および第２シート６２，６３のシート幅（ウエハＷの法線方向の長さ）は、その先端縁が基板支持部材４５に支持されるウエハＷの上面に当接して、第１および第２シート６２，６３が撓む程度の幅に設定されている。
【００４０】
スリットノズル４１は、ほぼ水平に延びるノズルアーム６４に取り付けられている。このノズルアーム６４は、基板保持機構４０の側方でほぼ鉛直に延びたノズルアーム支持軸７１に支持されている。ノズルアーム支持軸７１には、ノズルアーム揺動駆動機構６５が結合されており、このノズルアーム揺動駆動機構６５の駆動力によって、ノズルアーム支持軸７１を回動させて、ノズルアーム６４を揺動させることができるようになっている。
【００４１】
スリットノズル４１には、スリット吐出口６１に連通するふっ硝酸供給管６６が接続されている。ふっ硝酸供給管６６には、ふっ硝酸供給源からのふっ硝酸が供給されるようになっており、その途中部には、スリットノズル４１へのふっ硝酸の供給および供給停止を切り換えるためのふっ硝酸バルブ６７が介装されている。
ＤＩＷノズル４２は、たとえば連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、基板保持機構４０の上方で、その吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。このＤＩＷノズル４２には、ＤＩＷ供給管６８が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷがＤＩＷ供給管６８を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管６８の途中部には、ＤＩＷノズル４２へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ６９が介装されている。
【００４２】
ノズルアーム揺動駆動機構６５の駆動により、ノズルアーム６４が揺動されて、スリットノズル４１が、基板保持機構４０の上方領域外にある第１スキャン位置Ｐ１（図４にて実線で図示）と、この第１スキャン位置Ｐ１とウエハＷの回転中心を中心として９０°離間し、基板支持部材４５の上方領域外にある第２スキャン位置Ｐ２（図４にて二点鎖線で図示）との間を、水平方向に沿って往復移動する。
【００４３】
たとえば、スリットノズル４１が第１スキャン位置Ｐ１から第２スキャン位置Ｐ２に向けて移動する際には、第１シート６２が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の前方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面から失活したふっ硝酸を掻き取り、排除することができる。また、第２シート６３が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の後方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面に供給されたふっ硝酸を均すことができる。
【００４４】
また、スリットノズル４１が第２スキャン位置Ｐ２から第１スキャン位置Ｐ１に向けて戻る際には、第２シート６３が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の前方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面から失活したふっ硝酸を掻き取り、排除することができる。また、第１シート６２が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の後方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面に供給されたふっ硝酸を均すことができる。
【００４５】
図５は、図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置７０を備えている。制御装置７０には、紫外線ランプ３２、回転駆動機構５９、ノズルアーム揺動駆動機構６５、ふっ硝酸バルブ６７、吸引装置５６、ＤＩＷバルブ６９、Ｘ方向駆動機構２３、Ｙ方向駆動機構２４およびハンドアーム揺動駆動機構２５が制御対象として接続されている。
【００４６】
図６は、ウエハＷに施される薄化処理を説明するための工程図である。図７は、薄化処理に含まれる工程を説明するための図である。
この薄化処理では、ウエハＷの裏面を研削する研削工程が実行されるとともに、研削工程実行後のウエハＷの裏面にふっ硝酸を供給するふっ硝酸供給工程が実行される。これら研削工程およびふっ硝酸供給工程により、ウエハＷの厚みが７２５μｍから４０μｍ程度まで薄くされる。
【００４７】
研削工程に先立って、ウエハＷを補強するための補強基板としてのガラス基板Ｓが、接着剤Ａを介して、ウエハＷの表面（デバイス形成面）に貼り合わせられる（Ｓ１：貼合工程。図７（ａ）参照）。ガラス基板Ｓは、ウエハＷと同径の円板状をなしており、厚みがたとえば５００〜７００μｍである。このウエハＷとガラス基板Ｓとの貼り合わせは、作業者の手作業によって行われる。この接着剤Ａは、フェノキシポリエチレンングリコールアクリレート、ジシクロベンタニルジアクリレートなどのアクリル樹脂を主成分としている。
【００４８】
その後、所定の紫外線照射装置（図示しない）により、ウエハＷおよびガラス基板Ｓに紫外線が照射される（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に介在する接着剤Ａが硬化して、ウエハＷとガラス基板Ｓとが強固に接合される。これにより、ウエハＷがガラス基板Ｓにより補強されてウエハＷの強度が上昇し、ウエハＷが変形しにくくなる。
【００４９】
次いで、研削工程（ステップＳ３。図７（ｂ）参照）が実行される。この研削工程では、研削装置８０が用いられる。
図８は、研削装置８０を示す斜視図である。研削装置８０は、ウエハＷを保持して、所定の鉛直軸線まわりに回転させる回転機構（図示しない）と、回転機構に保持されたウエハＷの裏面を研削する研削機構８１と、研削機構８１を回転機構に向けて送るための送り機構（図示しない）とを備えている。
【００５０】
研削機構８１は、回転機構の上方に配置される円筒状のグラインドホイール８２と、グラインドホイール８２を上方から支持する円盤８３と、円盤８３の中心から上方に延びる回転支持軸８４とを備えている。このグラインドホイール８２の下端縁に複数のチップ状の研削砥石８５が環状に分割して配設されている。各研削砥石８５は、刃面からなる下面を有している。回転支持軸８４には、モータなどの回転駆動機構（図示しない）が結合されている。
【００５１】
研削砥石８５は、高硬度の砥粒８６を、結合剤Ｂによって固めて形成されている。この結合剤Ｂとして、たとえばレジノイド結合剤が採用される。このレジノイド結合剤は、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分としている。また、砥粒８６の材料としては、ダイヤモンドやＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素焼結体）などを例示することができる。
ウエハＷは、その裏面を上方に向けた状態で回転機構にセットされる。この状態で、ウエハＷの裏面が、研削砥石８５の下面に対向する。回転機構の回転駆動により、ウエハＷは、そのウエハＷの中心を通る所定の回転軸線まわりに回転される。また、回転駆動機構の回転駆動により、回転支持軸８４が回転されて、グラインドホイール８２がその中心を通る所定の回転軸線まわりに高速で回転される。ウエハＷの回転軸線とグラインドホイール８２の回転軸線とはずれている。そして、研削機構８１が回転機構に向けて送られることにより、高速で回転する研削砥石８５の下面（刃面）がウエハＷの裏面に接触して、ウエハＷの裏面が研削される。そして、ウエハＷの回転軸線とグラインドホイール８２の回転軸線とがずれているので、ウエハＷの裏面の全域が研削される。研削工程ではウエハＷに比較的大きな力が作用するが、ウエハＷがガラス基板Ｓによって補強されているので、ウエハＷの変形を防止することができる。
【００５２】
ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石８５に含まれる結合剤Ｂが破砕されて周囲に分散する。このため、この破砕された結合剤Ｂが、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。
また、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に介在する樹脂製の接着剤Ａが、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間からはみ出している場合がある。この接着剤Ａが研削砥石８５により破砕されて、周囲に分散し、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。
【００５３】
図示しない送り機構によるグラインドホイール８２の送り量が所定量に達すると、グラインドホイール８２の回転が停止される。その後、グラインドホイール８２がウエハＷの裏面から離反される。研削工程実行後のウエハＷの裏面には、研削痕が形成されている。また、研削工程実行後のウエハＷの裏面には、結合剤Ｂや接着剤Ａの破砕片が有機付着物として付着しているおそれがある。
【００５４】
次いで、研削工程実行後のウエハＷに水洗処理が施される（ステップＳ４）。これにより、研削工程によって生じたシリコンの研削カスがウエハＷから除去される。しかし、ウエハＷの裏面に付着する有機付着物は、この水洗処理によっては取り除かれない。
水洗処理後のウエハＷが基板収容器Ｃに収容される。基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。
【００５５】
収容器載置台５に基板収容器Ｃが保持されると、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから１枚のウエハＷずつ取り出される。基板収容器Ｃから取り出されたウエハＷは、まず、ＵＶ処理室２に搬入され（ステップＳ５）、その裏面を上方に向けた状態でウエハ載置台３０上に載置される。
ウエハＷがウエハ載置台１０上に載置されると、制御装置７０は、紫外線ランプ３２を点灯させる。これにより、各紫外線ランプ３２が発生する紫外線がウエハ載置台３０上のウエハＷの裏面に照射される（Ｓ６：ＵＶ照射工程。図７（ｃ）参照）。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。
【００５６】
ＵＶ処理室２における紫外線の照射が所定時間（たとえば１５分間）にわたって行われると、ウエハＷは、搬送ロボット１７によってＵＶ処理室２から搬出され（ステップＳ７）、次に、ふっ硝酸処理室３に搬入され（ステップＳ８）、その裏面を上方に向けた状態でリフトピン５７上に載置される。なお、ウエハＷの搬入に先立って、スリットノズル４１は、基板保持機構４０の側方の退避位置に退避させられている。その後、リフトピン昇降駆動機構（図示しない）が駆動されて、リフトピン５７が下降されて、ウエハＷを収容凹部５２内に収容される。これにより、基板支持部材４５にウエハＷが受け渡される。ウエハＷが基板支持部材４５へ受け渡された後、制御装置７０は、吸引装置５６を作動させ、これにより、ウエハＷが基板支持部材４５に吸着保持される。
【００５７】
ウエハＷが基板支持部材４５に吸着保持された後、制御装置７０は、回転駆動機構５９を駆動して、スピンベース４４および基板支持部材４５を低回転速度（たとえば５ｒｐｍ）で等速回転させる。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１をウエハＷの上方へと導く。
スリットノズル４１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、ふっ硝酸バルブ６７を開き、スリット吐出口６１から、帯状のプロファイルでふっ硝酸を吐出する（Ｓ９：ふっ硝酸供給工程。図７（ｄ）参照）。スリット吐出口６１から吐出されるふっ硝酸は、たとえば、硝酸とふっ酸とを容積比３．２：１の割合で混合して作製されたものであり、その吐出流量はたとえば２Ｌ／ｍｉｎである。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１を、基板支持部材４５の上方領域外にある第１スキャン位置Ｐ１（図４にて実線で図示）と、基板支持部材４５の上方領域外にある第２スキャン位置Ｐ２（図４にて二点鎖線で図示）との間を、往復揺動（往復スキャン）させる。
【００５８】
ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）において分子レベルで破壊されたウエハＷの裏面上の有機付着物は、ふっ硝酸によって洗い流され、ウエハＷの裏面から剥離される。そして、ふっ硝酸によるエッチングにより、ウエハＷの裏面の表層部のウエハ材料が除去されて、ウエハＷが薄化される。
所定の処理時間（たとえば１５分間）の経過後、制御装置７０は、ふっ硝酸バルブ６７を閉じ、スリットノズル４１からのふっ硝酸の吐出を停止する。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１を基板保持機構４０の側方の退避位置に退避させる。ふっ酸硝酸混合液供給工程後のウエハＷの裏面には、研削痕は存在しない。
【００５９】
次に、制御装置７０は、回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転速度を所定のリンス処理回転速度（１００ｒｐｍ程度）に加速するとともに、ＤＩＷバルブ６９を開いて、ＤＩＷノズル４２から、回転状態のウエハＷの上面の回転中心に向けてＤＩＷを供給する。これにより、ウエハＷの裏面上のふっ硝酸が洗い流されて、ウエハＷにリンス処理が施される（ステップＳ１０）。このリンス処理におけるＤＩＷノズル４２からのＤＩＷの吐出流量は、たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎである。
【００６０】
このリンス処理を所定時間（たとえば６０秒間）行った後に、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ６９を閉じてリンス処理を終了させる。制御装置７０は、さらにチャック回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転速度を所定の乾燥回転速度（２５００ｒｐｍ程度）に加速する。これによって、ウエハＷの上面のＤＩＷが遠心力によって振り切られ、ウエハＷがスピンドライ処理される（ステップＳ１１）。
【００６１】
スピンドライ処理を所定時間（たとえば３０秒間）行った後、制御装置７０は、回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転を停止させる。その後、制御装置７０が吸引装置５６の駆動を停止させて、ウエハＷと基板支持部材４５の底壁部４７の上面との間の空間の減圧状態が解除されて、ウエハＷの吸着保持が解除される。次いで、リフトピン昇降駆動機構が駆動されてリフトピン５７を上昇され、処理済みのウエハＷが収容凹部５２から上方に離脱される。
【００６２】
その後、処理済みのウエハＷが搬送ロボット１７によってふっ硝酸処理室３から搬出され（ステップＳ１２）、次に、収容器載置台５に保持された基板収容器Ｃに収容される。
薄化処理の終了後、紫外線照射装置（図示しない）を用いて、薄化処理後のウエハＷとガラス基板Ｓとを分離させる（ステップＳ１３）。ウエハＷおよびガラス基板Ｓは、比較的照射量の大きな紫外線が照射され、その後、所定温度（たとえば９０℃）の温水中で所定時間（たとえば１分間）浸漬される。このとき、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間の熱膨張率の差により、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に両者を離脱する力が作用して、ウエハＷとガラス基板Ｓとが分離される。
【００６３】
以上によりこの実施形態によれば、ステップＳ９のふっ硝酸供給工程に先立って、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。ＵＶ照射工程では、ステップＳ３の研削工程において生じた有機付着物が分子レベルで破壊される。そして、有機付着物の破壊後にふっ硝酸供給工程が実行されるので、ふっ硝酸によるウエハＷの裏面のエッチングが有機付着物によって阻害されることがない。これにより、ウエハＷの裏面への面荒れの発生を防止または抑制しつつ、ウエハＷを薄化させることができる。
【００６４】
図９は、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。この第２実施形態に係る基板処理装置では、図１〜図８に示す第１実施形態の基板処理装置のＵＶ処理室２に代えて、ＳＰＭ処理室９０が設けられている。
ＳＰＭ処理室９０は、隔壁によって取り囲まれて設けられており、その内部には、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック９１と、スピンチャック９１に保持されたウエハＷの裏面（上面）に向けて、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）を吐出するためのノズル（有機付着物除去手段）９２と、スピンチャック９１に保持されたウエハＷの裏面の中央部にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル１０２とが収容されている。
【００６５】
スピンチャック９１は、モータ９３と、このモータ９３の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース９４と、スピンベース９４の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材９５とを備えている。これにより、スピンチャック９１は、複数個の挟持部材９５によってウエハＷを挟持した状態で、モータ９３の回転駆動力によってスピンベース９４を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース９４とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００６６】
ノズル９２は、スピンチャック９１の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム９６の先端に取り付けられており、いわゆるストレートノズルの構成を有している。ノズルアーム９６の基端部は、スピンチャック９１の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸９７の上端部に支持されている。アーム支持軸９７には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構９８が結合されている。ノズル駆動機構９８からアーム支持軸９７に回転力を入力して、アーム支持軸９７を回動させることにより、スピンチャック９１の上方でノズルアーム９６を揺動させることができる。
【００６７】
ノズル９２には、ＳＰＭ供給源からのＳＰＭが供給されるＳＰＭ供給管９９が接続されている。ＳＰＭ供給管９９の途中部には、ＳＰＭ供給管９９を開閉するためのＳＰＭバルブ１００が介装されている。
ＤＩＷノズル１０２には、ＤＩＷバルブ１０１を介してＤＩＷが供給されるようになっている。
【００６８】
この第２実施形態では、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出された水洗処理（図６に示すステップＳ４）後のウエハＷはＳＰＭ処理室９０に搬入され、その裏面を上方に向けて、スピンチャック９１に保持される。ウエハＷがスピンチャック９１に保持されると、モータ９３が駆動されて、スピンチャック９１が所定の液処理速度で回転される。
【００６９】
ウエハＷの回転開始後、ノズル駆動機構９８が制御されて、ノズル９２が、スピンチャック９１の側方の待機位置からスピンチャック９１に保持されているウエハＷの上方に移動される。そして、ＳＰＭバルブ１００が開かれてノズル９２から回転中のウエハＷの裏面に向けてＳＰＭが吐出される。
このＳＰＭ処理では、ノズル駆動機構９８が制御されて、ノズルアーム９６が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、ノズル９２からのＳＰＭが導かれるウエハＷの裏面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの裏面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの裏面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの裏面の全域に、ＳＰＭがむらなく供給される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、ＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力が有機付着物に作用し、ウエハＷの裏面から有機付着物が剥離されて除去される。
【００７０】
ＳＰＭ供給位置の往復移動が所定回数行われると、ＳＰＭバルブ１００が閉じられ、ウエハＷへのＳＰＭの供給が停止されて、ノズル９２がスピンチャック９１の側方の退避位置に戻される。
次に、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷバルブ１０１が開かれて、回転中のウエハＷの裏面の中央部に向けてＤＩＷノズル９からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの裏面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの裏面の全域に拡がり、ウエハＷの裏面に付着しているＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
【００７１】
また、モータ９３が駆動されて、ウエハＷの回転速度が所定の乾燥回転速度（２５００ｒｐｍ程度）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷの液滴が除去される。その後、ウエハＷが搬送ロボット１７によってＳＰＭ処理室９０から搬出され、図６のステップＳ８のように、ふっ硝酸処理室３に搬入される。その後、ふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
【００７２】
図１０は、本発明の他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。この図１０において、前述の図１〜図８の実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図８の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この第３実施形態に係る基板処理装置が第１実施形態の基板処理装置と相違する点は、搬送室４内に紫外線ランプ（紫外線照射手段）１１１，１１２が収容されている点である。
【００７３】
搬送室４と収容器載置台５とを仕切る隔壁８の第３開口１３は、正面視でほぼ正方形状に形成されている。第３開口１３の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、第３開口１３の両側辺は鉛直方向に沿って形成されている。搬送室４内には、隔壁８に近接する位置に、上下一対の紫外線ランプ１１１，１１２が配置されている。紫外線上ランプ１１１は、第３開口１３の上辺に沿って配置されている。紫外線上ランプ１１１は、第３開口１３の下辺に沿って配置されている。これらの紫外線ランプ１１１，１１２には、前述の第１実施形態の紫外線ランプ３２と同様のものが採用されている。
【００７４】
収容器載置台５に載置される基板収容器Ｃは、その内部に複数枚の基板Ｗを、所定の間隔を隔てて積層状態で収容することができるものである。基板収容器Ｃは、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。すなわち、基板収容器Ｃは、一側面に基板Ｗの出し入れのための基板出入口１１３を有するほぼ立方体形状の本体１１４と、基板出入口１１３を開閉するための蓋（図示しない。図１０では、蓋の開状態を示している）とを備えている。基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、基板出入口１１３が第３開口１３に対向する。
【００７５】
第３ドア１６（図１参照。図１０では図示を省略）は、第３開口１３を覆う閉状態と、隔壁８における第３開口１３の下方部に退避する開状態との間で移動可能に設けられている。第３ドア１６の開状態では、第３開口８のほぼ全域が開放される。
水洗処理（図６のステップＳ４）後のウエハＷが、基板収容器Ｃに収容される。この基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。その後、第３ドア１６および蓋が開状態にされる（図１０参照）とともに、紫外線ランプ１１１，１１２が点灯される。紫外線ランプ１１１，１１２から照射される紫外線は、基板収容器Ｃの基板出入口１１３を通って、基板収容器Ｃ内に収容されているウエハＷに対して照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。これにより、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態で、当該ウエハＷに付着した有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００７６】
所定時間の経過後、ウエハＷが搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出され、図６のステップＳ５のようにＵＶ処理室２に搬入される。そして、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。その後、ふっ硝酸処理室３に搬入される。ふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
なお、この第３実施形態では、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態でウエハＷに紫外線が照射されるので、ＵＶ処理室２におけるステップＳ６の紫外線照射工程を省略することもできる。この場合、基板収容器Ｃ内のウエハＷは、搬送ロボット１７によって直接ふっ硝酸処理室３に搬入される。
【００７７】
また、前述の説明では、上下一対の紫外線ランプ１１１，１１２を配置する場合を例に挙げて説明したが、いずれか一方の紫外線ランプ１１１，１１２のみを設ける構成とすることもできる。さらに、紫外線ランプを、第３開口１３の左右側辺に沿って配置することもできる。
図１１は、本発明の他の実施形態（第４実施形態）に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。この図１１において、前述の図１〜図８の実施形態（第１実施形態）および図１０の実施形態（第３実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図８および図１０の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図１１に示す構成が、図１０に示す構成と大きく相違する点は、紫外線ランプ１１１，１１２に代えて、基板収容器Ｃ内にオゾンガスを導入するオゾンガス導入機構１２０を設けた点にある。
【００７８】
オゾンガス導入機構１２０は、オゾンガス上ノズル（オゾンガス供給手段）１２１、オゾンガス下ノズル（オゾンガス供給手段）１２２およびオゾンガス導入ノズル（オゾンガス供給手段）１２３を備えている。オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２は、搬送室４内の隔壁８に近接する位置に、その吐出口を基板収容器Ｃの基板出入口１１３に向けて配置されている。オゾンガス上ノズル１２１は、第３開口１３の上辺に沿って複数設けられている（図１１では1つのみ図示）。オゾンガス下ノズル１２２は、第３開口１３の下辺に沿って複数設けられている（図１１では1つのみ図示）。オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２には、オゾンガスバルブ１２７を介してオゾンガスが供給されるようになっている。
【００７９】
オゾンガス導入ノズル１２３は、収容器載置台５に設けられている。オゾンガス導入ノズル１２３の先端には、上方に向く吐出口が形成されている。オゾンガス導入ノズル１２３は、収容器載置台５の内部に埋設されて、その先端部分だけが収容器載置台５の上面よりも上方に突出している。オゾンガス導入ノズル１２３には、オゾンガス供給源からのオゾンガスが供給されるオゾンガス供給管１２４が接続されている。
【００８０】
基板収容器Ｃの底面には、導入孔１２５が形成されている。また、基板収容器Ｃの底面には、基板収容器Ｃ内から、この基板収容器Ｃ内の雰囲気を当該容器Ｃ外に排出するための導出孔１２６が形成されている。
基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔１２５にオゾンガス導入ノズル１２３が挿入される。導入孔１２５内に挿入されたオゾンガス導入ノズル１２３の吐出口は、基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。一方、基板収容器Ｃが収容器載置台５から離脱されると、オゾンガス導入ノズル１２３が導入孔１２５から引き抜かれる。導入孔１２５には、導入開閉機構（図示しない）が配置されている。この導入開閉機構は、通常時は導入孔１２５を閉塞しており、オゾンガス導入ノズル１２３の挿入動作に連動して導入孔１２５を開放し、オゾンガス導入ノズル１２３の引き抜き動作によって導入孔１２５を閉塞する。また、導出孔１２６には、導出開閉機構（図示しない）が配置されている。この導出開閉機構は、通常時は導出孔１２６を閉塞しており、導入開閉機構の開放動作に連動して導出孔１２６を開放し、導入開閉機構の閉塞動作に連動して導入孔１２５を閉塞する。
【００８１】
水洗処理（図６のステップＳ４）後のウエハＷが、基板収容器Ｃに収容される。この基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送される。
基板収容器Ｃの底部に形成された溝（図示しない）に、収容器載置台５に設けられた係合ピン（図示しない）が係合されることにより、収容器載置台５に基板収容器Ｃが固定される。基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、オゾンガス導入ノズル１２３が基板収容器Ｃの導入孔１２５に挿入されて、吐出口が基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。この際、前述の導入開閉機構（図示しない）によってオゾンガス導入ノズル１２３の挿入動作に連動して導入孔１２５が開放される。これにより、オゾンガス導入ノズル１２３の吐出口からオゾンガスが吐出されて、基板収容器Ｃ内にオゾンガスが導入される。このオゾンガス導入ノズル１２３からのオゾンガスの吐出は、基板収容器Ｃが収容器載置台５上に載置されている間中継続される。
【００８２】
その後、第３ドア１６および蓋（図示しない。図１１では、蓋の開状態を示している）が開状態にされて、第３開口１３および基板出入口１１３が開放される。第３開口１３および基板出入口１１３が開放されると、オゾンガスバルブ１２７が開かれて、オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２から、基板収容器Ｃの基板出入口１１３にオゾンガスが吹き付けられる。このオゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２によるオゾンガスの吹き付けは、第３開口１３が開放されている間継続される。
【００８３】
したがって、基板収容器Ｃに収容されている複数枚のウエハＷにオゾンガスが供給される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、オゾンガスにより有機付着物が酸化されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。これにより、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態で、当該ウエハＷに付着した有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００８４】
所定時間の経過後、ウエハＷが搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出され、図６のステップＳ５のようにＵＶ処理室２に搬入されて、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。その後、ふっ硝酸処理室３でふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
なお、この第４実施形態では、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態でウエハＷに紫外線が照射されるので、ＵＶ処理室２におけるステップＳ６の紫外線照射工程を省略することもできる。この場合、基板収容器Ｃ内のウエハＷは、搬送ロボット１７によって直接ふっ硝酸処理室３に搬入される。
【００８５】
また、前述の説明では、オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２によって、基板収容器Ｃの基板出入口１１３へのオゾンガスの吹き付けが行われる場合を例に挙げて説明したが、他のノズル、たとえば第３開口１３の側辺の近傍位置に配設されたオゾンガスノズルによって行われていてもよい。さらに、オゾンガス導入機構１２０として、基板収容器Ｃの基板出入口１１３にオゾンガスを吹き付けるノズル１２１，１２２と、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔１２５を介して基板収容器Ｃにオゾンガスを導入するオゾンガス導入ノズル１２３との双方を例に挙げて説明したが、いずれか一方のみを設ける構成とすることもできる。
【００８６】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態（第５実施形態）に係る基板処理方法（薄化処理）を説明するための工程図である。この図１２において、前述の図６（第１実施形態）に示された各工程と対応する工程には、図６の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図１２に示す薄化処理が、図６に示す薄化処理と相違する点は、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）に代えて、ステップＳ２０のプラズマ照射工程が実行される点にある。このプラズマ照射工程の実行には、図示しないプラズマ装置（図示しない）が用いられる。
【００８７】
ステップＳ４の水洗処理後、ウエハＷがプラズマ装置のプラズマ処理室（図示しない）に収容される。処理ガスが充満した状態で、高周波電源（図示しない）から高周波電力としてのマイクロ波が出力されることにより、マイクロ波がプラズマ処理室に放射される。そして、その放射されるマイクロ波のエネルギーにより、プラズマ処理室に処理ガスの高密度プラズマが励起される。
【００８８】
ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、プラズマの照射によって有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ウエハＷが基板収容器Ｃに収容される。基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。
収容器載置台５に保持された基板収容器Ｃに収容されたウエハＷは、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出される。そして、基板収容器Ｃから取り出されたウエハＷは、ふっ硝酸処理室３に搬入される（ステップＳ８）。
【００８９】
図１３は、本発明の他の実施形態（第６実施形態）に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。この基板処理装置は、ウエハＷの裏面に対して、ウエハＷの薄化のためのエッチング処理を施すための装置である。
この基板処理装置は、ウエハＷを所定の搬送方向Ｒ１に沿って搬送するためのコロ搬送機構（基板搬送機構）１３０と、このコロ搬送機構１３０によって搬送されている過程のウエハＷの裏面に対して紫外線を照射する紫外線ランプ（有機付着物除去手段）１３１と、コロ搬送機構１３０によって搬送されている過程のウエハＷの裏面に対してふっ硝酸を供給するふっ硝酸ノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）１３２とを備えている。
【００９０】
紫外線ランプ１３１およびふっ硝酸ノズル１３２は、コロ搬送機構１３０の上方に配置されている。紫外線ランプ１３１は、前述の第１実施形態の紫外線ランプ３２と同様のものが採用されている。ふっ硝酸ノズル１３２は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１にほぼ直交する方向に延びたスリット状の吐出口を下方に有している。ふっ硝酸ノズル１３２の吐出口からは、幕状（カーテン状）のふっ硝酸が下方に向けて吐出される。したがって、図１４の図解的な平面図に示すように、コロ搬送機構１３０上における紫外線照射位置（第１の位置）Ｐ３は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１に直交している。コロ搬送機構１３０上におけるエッチング液供給位置（第２の位置）Ｐ４は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１に直交して基板Ｗの全幅に及んで延在する洗浄の形態を有している。図１４に明らかに示されている通り、ふっ硝酸供給位置Ｐ４は、紫外線照射位置Ｐ３に対して、基板搬送方向Ｒ１に関し、所定距離Ｄだけ下流側に配置されている。
【００９１】
搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出された水洗処理（図６に示すステップＳ４）後のウエハＷが、その裏面を上方に向けてコロ搬送機構１３０機構上に載置される。
コロ搬送機構１３０によって、ウエハＷを搬送方向Ｒ１に沿って所定の速度で搬送することにより、ウエハＷの裏面が、紫外線照射位置Ｐ３およびふっ硝酸供給位置Ｐ４によって順次走査される。これにより、ウエハＷの裏面において、まず紫外線が照射され、その後所定の時間だけ遅れてふっ硝酸が供給されることになる。これにより、ウエハＷの裏面に対し、紫外線の照射とふっ硝酸の供給とを並行して実行することができる。
【００９２】
ふっ硝酸を用いた処理後のリンス工程は、図１３に示すようにふっ硝酸ノズル１３２よりも搬送方向Ｒ１の下流側に設けたＤＩＷノズル１３３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給することによって行える。ＤＩＷノズル１３３は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１にほぼ直交する方向に延びたスリット状の吐出口を下方に有し、コロ搬送機構１３０によって搬送されるウエハＷの全幅にわたる範囲にＤＩＷを供給することができるものである。
【００９３】
以上、本発明の６つの形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
前述の第２実施形態では、ＳＰＭに代えてオゾン水を供給することもできる。すなわち、ノズル９２には、オゾン水供給源からのオゾン水が供給されるオゾン水供給管１４０（図９に二点鎖線で図示）が接続されていて、オゾン水供給管１４０の途中部に、オゾン水供給管１４０を開閉するためのオゾン水バルブ１４１（図９に二点鎖線で図示）が介装されていてもよい。
【００９４】
そして、オゾン水の供給時は、ノズル９２からのオゾン水が導かれるウエハＷの裏面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの裏面に供給されたオゾン水は、ウエハＷの裏面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの裏面の全域に、オゾン水がむらなく供給される。オゾン水のウエハＷの裏面への供給により、オゾン水の酸化力が有機付着物に作用し、ウエハＷの裏面から有機付着物を剥離させて除去させることができる。
【００９５】
また、第３実施形態では、紫外線ランプが第３開口１３の上辺および下辺に沿って配置されるとして説明したが、紫外線ランプを第３開口１３の左右の側辺に沿うように配置することもできる。
また、第３実施形態の紫外線ランプ１１１，１１２と第４実施形態のオゾンガス導入機構１２０との双方を設ける構成とすることもできる。
【００９６】
また、第３および第４実施形態では、基板収容器Ｃとして、ウエハＷを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を例示しているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
また、第１〜第４実施形態において、ふっ硝酸処理室３内に、紫外線ランプを配置することもできる。このとき、紫外線ランプからの紫外線は、基板保持機構４０に保持されるウエハＷの裏面に照射される。そして、ウエハＷの裏面への紫外線の照射後、ふっ硝酸供給工程を実行することができる。
【００９７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９８】
５ 収容器載置台（収容器保持部）
３２ 紫外線ランプ（有機付着物除去手段）
４１ スリットノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）
８５ 研削砥石
８６ 砥粒
９２ ノズル（有機付着物除去手段）
１１１ 紫外線上ランプ（紫外線照射手段）
１１２ 紫外線下ランプ（紫外線照射手段）
１２１ オゾンガス上ノズル（オゾンガス供給手段）
１２２ オゾンガス下ノズル（オゾンガス供給手段）
１２３ オゾンガス導入ノズル（オゾンガス供給手段）
１３０ コロ搬送機構（基板搬送機構）
１３１ 紫外線ランプ（有機付着物除去手段）
１３２ ふっ硝酸ノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）
Ａ 接着剤
Ｂ 結合剤
Ｃ 基板収容器
Ｐ３ 紫外線照射位置（第１の位置）
Ｐ４ ふっ硝酸供給位置（第２の位置）
Ｒ１ 搬送方向
Ｓ ガラス基板（補強基板）
Ｗ ウエハ（シリコン基板）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハなどのシリコン基板に薄化処理を施すための基板処理方法および基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、シリコンウエハに対して処理液を用いた液処理が行われる。このような液処理の一つは、エッチング液をシリコンウエハの一方面に供給して行うエッチング処理である。このようなエッチング処理により、シリコンウエハを薄化（シンニング）することが知られている。具体的には、エッチング力の極めて高いふっ酸硝酸混合液を、シリコンウエハの裏面（デバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面）に供給することにより、裏面の表層部からウエハ材料を均一にエッチング除去することができる（たとえば特許文献１参照）。このようなシリコンウエハの薄化では、たとえば７２５μｍのシリコンウエハの厚みを、４０μｍ程度まで薄くするのが一般的である。
【０００３】
また、シリコンウエハの裏面に研削処理を施してシリコンウエハを薄化させる方法も知られている。この研削処理では、高速回転される研削砥石がシリコンウエハの裏面に接触させられることにより、シリコンウエハの裏面が平坦に研削される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−８８３８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本願の発明者らは、ふっ酸硝酸混合液によるエッチング処理に先立って、シリコンウエハの裏面に研削処理を施すことを検討している。すわなち、研削処理によりシリコンウエハは所定厚みまで薄くされた後、エッチング処理によりさらに一層薄くされる。研削処理はエッチング処理に比べて薄化の処理レートが大きいので、エッチング処理のみで薄化を図る場合と比較して、処理の効率化を図ることができる。
【０００６】
ところが、シリコンウエハの裏面に研削処理を施し、その後、その裏面にふっ酸硝酸混合液によるエッチング処理を施す場合、エッチング処理後のシリコンウエハの裏面にキズや凹凸（エッチピット）、曇りなどの面荒れが生じることがある。薄化処理後のシリコンウエハの裏面に面荒れがあると、以降のプロセスや実装後において、半導体デバイスの破損の原因になる。
【０００７】
そこで、この発明の目的は、シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、シリコン基板（Ｗ）を、研削砥石（８５）を用いて研削する研削工程（Ｓ３）と、前記研削工程実行後のシリコン基板から、前記研削工程において生じる有機付着物を除去する有機付着物除去工程（Ｓ６）と、前記有機付着物除去工程後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給工程（Ｓ９）とを含む、基板処理方法である。
【０００９】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
研削工程では、研削砥石によってシリコン基板の一方面が研削される。この研削砥石は、たとえば、砥粒（８６）が樹脂製の結合剤（Ｂ）により固められることによって形成されている。研削工程では、研削砥石に含まれる樹脂製の結合剤が破砕されて周囲に分散する。破砕された樹脂製の結合剤がシリコン基板の一方面に付着して有機付着物となると、この有機付着物がその後のふっ酸硝酸混合液供給工程においてエッチングマスクとして機能し、ふっ酸硝酸混合液によるエッチングを阻害するおそれがある。このため、シリコン基板の一方面に面荒れが生じるおそれがある。
【００１０】
この発明の方法によれば、ふっ酸硝酸混合液供給工程に先立って、有機付着物除去工程が実行される。有機付着物除去工程では、研削工程において生じた有機付着物がシリコン基板から除去される。そして、有機付着物が除去された後にふっ酸硝酸混合液供給工程が実行されるので、ふっ酸硝酸混合液によるシリコン基板の一方面へのエッチングが有機付着物によって阻害されることがない。これにより、シリコン基板の一方面への面荒れの発生を防止または抑制しつつ、シリコン基板を薄化させることができる。
【００１１】
なお、この明細書において「有機付着物を除去」とは、有機付着物を基板表面から離脱させることの他、有機付着物を分子レベルで破壊することや有機付着物を部分的に除去して縮小化させることを含む趣旨である。
また、「ふっ酸硝酸混合液」とは、ふっ酸および硝酸の混合液だけでなく、ふっ酸および硝酸の混合液に燐酸など他の酸が混合されたものも含む趣旨である。
請求項２記載の方法は、前記研削工程に先立って、シリコン基板を補強するための補強基板（Ｓ）を、シリコン基板の前記一方面とは反対の他方面に接着剤（Ａ）を介して貼り合わせる貼合工程（Ｓ１）をさらに含む、請求項１記載の基板処理方法である。
【００１２】
この発明の方法によれば、シリコン基板の他方面に補強基板が貼り合わせられる。シリコン基板と補強基板が貼り合わせられることにより、シリコン基板が補強基板により補強されて、変形し難くなる。
この補強後のシリコン基板に対して研削工程が施される。研削砥石によりシリコン基板が研削される研削工程ではシリコン基板に比較的大きな力が作用するが、シリコン基板が補強されているので、研削工程におけるシリコン基板の変形を防止することができる。
【００１３】
また、貼合工程では、たとえば樹脂製の接着剤を介して補強基板がシリコン基板に貼り合わせられる。したがって、シリコン基板と補強基板との間から接着剤がはみ出すと、この接着剤が、研削砥石により破砕されて周囲に分散し、シリコン基板の一方面に有機付着物として付着するおそれがある。
この発明の方法によれば、研削工程において、シリコン基板の一方面に、接着剤が有機付着物として付着しても、この接着剤は、ふっ酸硝酸混合液供給工程の実行に先立って除去される。このため、ふっ酸硝酸混合液によるシリコン基板の一方面へのエッチングが、接着剤によって阻害されることはない。
【００１４】
請求項３に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に紫外線を照射する紫外線照射工程（Ｓ６）を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板に紫外線を照射することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物の内部結合を切断して、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
また、請求項４に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にオゾンガスを供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を酸化させて、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００１５】
請求項５に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対して硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板に硫酸過酸化水素水混合液を供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を、硫酸過酸化水素水混合液に含まれるペルオキソ一硫酸（Ｈ２ＳＯ５）の強酸化力によって剥離させることができる。
【００１６】
また、請求項６に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾン水を供給するオゾン水供給工程を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にオゾン水を供給することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物を、オゾン水の酸化力によって剥離させることができる。
さらに、請求項７に記載のように、前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射工程（Ｓ２０）を含むものであってもよい。この方法によれば、シリコン基板にプラズマを照射することにより、当該シリコン基板の一方面に付着する有機付着物の内部結合を切断して、当該有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００１７】
請求項８記載の発明は、研削砥石（８５）を用いて研削されたシリコン基板（Ｗ）から有機付着物を除去する有機付着物除去手段（３２；９２；１１１，１１２；１２１，１２２，１２３；１３１）と、前記有機付着物除去手段により有機付着物が除去された後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給手段（４１；１３２）とを含む、基板処理装置である。
【００１８】
この構成によれば、請求項１の発明に関連して述べた作用効果と同様の作用効果を奏することができる。
請求項９記載の発明は、シリコン基板を収容可能な基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（５）をさらに含み、前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段（１１１，１１２）を含む、請求項８記載の基板処理装置である。
【００１９】
この構成によれば、基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線が照射される。これにより、シリコン基板から有機付着物を除去することができる。シリコン基板を基板収容器に収容した状態で有機付着物を除去することができるので、専用の処理室を別途設ける必要がない。また、処理前のシリコン基板を基板収容器内に待機させている期間を利用して有機物除去処理を行うことができるので、効率的な基板処理が可能になる。
【００２０】
請求項１０記載の発明は、シリコン基板を収容可能な基板収容器（Ｃ）を保持するための収容器保持部（５）をさらに含み、前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段（１２１，１２２，１２３）を含む、請求項８または９記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスが供給される。このオゾンガスによって、シリコン基板から有機付着物を除去することができる。
【００２１】
請求項１１記載の発明は、シリコン基板を所定の搬送方向（Ｒ１）に搬送する基板搬送機構（１３０）をさらに含み、前記有機付着物除去手段（１３１）が、前記基板搬送機構による基板搬送経路の第１の位置（Ｐ３）でシリコン基板から有機付着物を除去するように設けられており、前記ふっ酸硝酸混合液供給手段が、前記基板搬送経路において、前記基板搬送方向に関し前記第１の位置よりも下流側の第２の位置（Ｐ４）に向けてふっ酸硝酸混合液を供給するように設けられている、請求項８記載の基板処理装置である。
【００２２】
この構成によれば、基板搬送機構によるシリコン基板の搬送中に、シリコン基板に付着する有機付着物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。
【図２】図１に示すＵＶ処理室の構成を図解的に示す断面図である。
【図３】図１に示すふっ硝酸処理室の構成を図解的に示す断面図である。
【図４】図１に示すふっ硝酸処理室の内部構成を図解的に示す平面断面図である。
【図５】図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図６】ウエハに施される薄化処理を説明するための工程図である。
【図７】貼合工程、研削工程、ＵＶ照射工程およびふっ硝酸供給工程を説明するための図である。
【図８】研削装置を示す斜視図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る基板処理方法を説明するための工程図である。
【図１３】本発明の第６実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。
【図１４】図１３の基板処理装置による処理の様子を説明するための図解的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置のレイアウトを示す図解的な平面図である。この基板処理装置は、円形のシリコンウエハ（シリコン基板）Ｗ（以下、単に「ウエハＷ」という。）におけるデバイス形成領域側の表面とは反対側の裏面に対して、ウエハＷの薄化（シンニング）のためのエッチング処理を施すための枚葉式の装置である。このエッチング処理では、エッチング液として、たとえばふっ酸硝酸混合液（以下、「ふっ硝酸」という。）が用いられる。
【００２５】
この基板処理装置は、ウエハＷの裏面に紫外線を照射するためのＵＶ処理室２と、ウエハＷの裏面にふっ硝酸を供給するためのふっ硝酸処理室３と、ウエハＷを搬送するための搬送室４とを備えている。搬送室４は、ＵＶ処理室２とふっ硝酸処理室３との間に挟まれた状態で配置されている。ＵＶ処理室２、搬送室４およびふっ硝酸処理室３は、所定の水平方向（Ｘ方向）に沿ってこの順で一列に並んでいる。搬送室４の側方（図１に示す上方）には、基板収容器Ｃを載置するための収容器載置台（収容器保持部）５が設けられている。
【００２６】
収容器載置台５には、複数（図１では２つ）の基板収容器ＣがＸ方向に沿って並べて配置される。基板収容器Ｃには、複数枚のウエハＷが多段に積層した状態で収容される。収容器載置台５は、搬送室４から見てＹ方向（Ｘ方向に直交する水平方向）の一方に配置されている。
ＵＶ処理室２と搬送室４とを仕切る隔壁６には、ＵＶ処理室２内にウエハＷを搬出入するための第１開口１１が形成されている。この隔壁６の内面（搬送室４に臨む面）には、第１開口１１を開閉するための第１ドア１４が設けられている。
【００２７】
ふっ硝酸処理室３と搬送室４とを仕切る隔壁７には、ふっ硝酸処理室３内にウエハＷを搬出入するための第２開口１２が形成されている。この隔壁７の内面（搬送室４に臨む面）には、第２開口１２を開閉するための第２ドア１５が設けられている。
搬送室４と収容器載置台５とを仕切る隔壁８には、基板収容器Ｃに対してウエハＷを出し入れするための第３開口１３が複数（図１では２つ）形成されている。この隔壁８の内面（搬送室４に臨む面）には、第３開口１３を開閉するための第３ドア１６が設けられている。
【００２８】
搬送室４内には、ウエハＷを搬送するための搬送ロボット１７が配置されている。搬送ロボット１７は、搬送室４でＹ方向に沿って延びるＹ方向レール１８と、鉛直方向に延びて、Ｙ方向レール１８上をＹ方向に沿ってスライド可能に設けられた支持軸１９と、この支持軸１９に、支持軸１９まわりに回転可能に支持されて、水平方向に延びるハンドアーム２０と、ハンドアーム２０の先端部に結合されて、ウエハＷを保持するためのハンド２１とを備えている。Ｙ方向レール１８は、Ｘ方向に沿って延びるＸ方向レール２２上に、Ｘ方向に沿う方向にスライド可能に保持されている。Ｘ方向レール２２は、Ｙ方向レール１８の両端部と接触し、搬送室４の下壁（搬送室４の下面に相当する隔壁）に固定されている。
【００２９】
Ｙ方向レール１８には、Ｘ方向駆動機構２３が結合されている。Ｘ方向駆動機構２３の駆動力によって、Ｙ方向レール１８を支持軸１９ごと、Ｘ方向に沿ってスライドさせることができるようになっている。支持軸１９には、Ｙ方向駆動機構２４が結合されている。Ｙ方向駆動機構２４の駆動力によって、支持軸１９をＹ方向に沿ってスライドさせることができるようになっている。ハンドアーム２０には、ハンドアーム揺動駆動機構２５が結合されている。ハンドアーム揺動駆動機構２５の駆動力によって、ハンドアーム２０を支持軸１９まわりに回転させることができるようになっている。
【００３０】
ハンドアーム２０が支持軸１９まわりに回転されることにより、ハンド２１を各開口（第１開口１１、第２開口１２および第３開口１３）に対向させることができる。ハンド２１が第３開口１３に対向している状態でＹ方向駆動機構２４が駆動されることにより、ハンド２１を第３開口１３を通して、収容器載置台５に配置された基板収容器Ｃ内に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、基板収容器ＣからウエハＷを取り出したり、基板収容器ＣにウエハＷを収納したりすることができる。
【００３１】
また、ハンド２１が第１開口１１に対向している状態でＸ方向駆動機構２３が駆動されることにより、ハンド２１を第１開口１１を通してＵＶ処理室２内に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、ＵＶ処理室２にウエハＷを搬入したり、ＵＶ処理室２からウエハＷを搬出したりすることができる。
さらに、ハンド２１が第２開口１２に対向している状態でＸ方向駆動機構２３が駆動されることにより、ハンド２１を第２開口１２を通してふっ硝酸処理室３の内部に進入させることができる。これにより、搬送ロボット１７は、ふっ硝酸処理室３にウエハＷを搬入したり、ふっ硝酸処理室３からウエハＷを搬出したりすることができる。
【００３２】
図２は、ＵＶ処理室２の構成を図解的に示す断面図である。ＵＶ処理室２は、隔壁により区画されており、その内部に、ウエハＷを載置するためのウエハ載置台３０と、このウエハ載置台３０に載置されたウエハＷの裏面（上面）に紫外線を照射するための紫外線照射装置３１とが収容されている。
紫外線照射装置３１は、ウエハ載置台３０の上方に配置されており、複数（この実施形態では３つ）の紫外線ランプ（有機付着物除去手段）３２を備えている。紫外線ランプ３２は水平方向に延び、紫外線ランプ３２とウエハ載置台３０の上面との間の間隔は、たとえば５０ｍｍ程度である。各紫外線ランプ１２としては、ピーク波長が１８４．９ｎｍおよび２５３．７ｎｍの紫外線を発生する低圧水銀ランプ（たとえばセン特殊光源株式会社製）が採用されている。これらにより、ウエハ載置台３０の上面における１８４．９ｎｍの紫外線の照度は、たとえば４ｎＷ／ｃｍ２であり、２５３．７ｎｍの紫外線の照度は、たとえば１４ｎＷ／ｃｍ２になる。
【００３３】
なお、各紫外線ランプ３２から発生される紫外線をウエハ載置台３０に向けて反射させるための反射板が紫外線照射装置３１に設けられていてもよい。
図３は、ふっ硝酸処理室３の構成を図解的に示す断面図である。図４は、ふっ硝酸処理室３の内部構成を図解的に示す平面断面図である。
ふっ硝酸処理室３は、隔壁により区画されており、その内部に、ウエハＷをほぼ水平姿勢に保持するための基板保持機構４０と、基板保持機構４０に保持されたウエハＷの上面にふっ硝酸を供給するためのスリットノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）４１と、基板保持機構４０に保持されたウエハＷの上面に向けてＤＩＷ（deionized water：脱イオン化された純水）を供給するためのＤＩＷノズル４２とを備えている。
【００３４】
基板保持機構４０は、鉛直軸線まわりに回転される回転軸４３と、回転軸４３の上端に固定された円盤状のスピンベース４４と、スピンベース４４上に固定された基板支持部材４５とを備えている。スピンベース４４の中央部には、スピンベース４４の上下面を貫通する貫通孔４６が形成されている。回転軸４３には、モータを含む回転駆動機構５９からの回転駆動力が入力されている。
【００３５】
基板支持部材４５は、水平方向に延びる略円盤状の底壁部４７と、底壁部４７の周縁部から上方に向けて立ち上がる円筒状の外周リング部４８と、外周リング部４８よりも径方向外方に設けられて、スピンベース４４に固定される円筒状の固定部４９と、底壁部４７と固定部４９とを接続する接続部５０とを一体的に備えて形成されている。固定部４９は、複数本のボルト５１によってスピンベース４４に固定されている。底壁部４７の上面と外周リング部４８の内周面とで区画される円筒状の収容凹部５２内に、ウエハＷが収容保持される。外周リング部４８は、収容凹部５２に収容されるウエハＷの外周端を取り囲む。外周リング部４８の上面は、収容凹部５２に収容されるウエハＷの上面よりも、微小高さだけ高くなるように設定されている。
【００３６】
底壁部４７の上面には、リング状のシール部材５３が、底壁部４７の周縁に沿って配置されている。このシール部材５３によって、ウエハＷの下面が支持される。シール部材５３は、リップパッキンであってもよいし、面パッキンであってもよい。
底壁部４７の中央には、吸引用の吸引ノズル５４が配置されている。吸引ノズル５４の先端部（上端部）は、底壁部４７の上面に開口する吸引口を有している。吸引ノズル５４からは、鉛直下方に向けて吸引管５５が延びている。吸引管５５は、スピンベース４４の貫通孔４６および回転軸４３内を挿通して、その他端が、真空発生装置などの吸引装置５６に接続されている。
【００３７】
基板保持機構４０には、複数本（たとえば、４つ）のリフトピン５７が設けられている（図３では、２つのリフトピン５７のみ図示）。各リフトピン５７は、スピンベース４４を上下に貫通して形成された貫通孔４６に挿通されて、スピンベース４４に対して昇降可能に設けられている。これらのリフトピン５７には、リフトピン５７を一括して昇降させるためのリフトピン昇降駆動機構（図示しない）が結合されている。リフトピン昇降駆動機構が駆動されることにより、ウエハＷを、収容凹部５２に収容された状態と、収容凹部５２から上方に離脱された状態との間で昇降させることができる。
【００３８】
スリットノズル４１は、所定の水平方向に沿う直方体状の外形を有した本体６０を備えている。本体６０の下面には、水平方向に沿って直線状に開口するスリット吐出口６１が形成されている。スリット吐出口６１の長さ（長手方向の大きさ）は、ウエハＷの直径よりも大きい。スリット吐出口６１は、本体６０の長手方向に沿う帯状にふっ硝酸を吐出する。
【００３９】
本体６０の一方側側面（図３に示す左側）には、長方形状の可撓性の第１シート６２が鉛直姿勢に取り付けられている。また、本体６０の反対側側面（図３に示す右側）には、長方形状の可撓性の第２シート６３が鉛直姿勢に取り付けられている。第１および第２シート６２，６３のシート幅（ウエハＷの法線方向の長さ）は、その先端縁が基板支持部材４５に支持されるウエハＷの上面に当接して、第１および第２シート６２，６３が撓む程度の幅に設定されている。
【００４０】
スリットノズル４１は、ほぼ水平に延びるノズルアーム６４に取り付けられている。このノズルアーム６４は、基板保持機構４０の側方でほぼ鉛直に延びたノズルアーム支持軸７１に支持されている。ノズルアーム支持軸７１には、ノズルアーム揺動駆動機構６５が結合されており、このノズルアーム揺動駆動機構６５の駆動力によって、ノズルアーム支持軸７１を回動させて、ノズルアーム６４を揺動させることができるようになっている。
【００４１】
スリットノズル４１には、スリット吐出口６１に連通するふっ硝酸供給管６６が接続されている。ふっ硝酸供給管６６には、ふっ硝酸供給源からのふっ硝酸が供給されるようになっており、その途中部には、スリットノズル４１へのふっ硝酸の供給および供給停止を切り換えるためのふっ硝酸バルブ６７が介装されている。
ＤＩＷノズル４２は、たとえば連続流の状態でＤＩＷを吐出するストレートノズルであり、基板保持機構４０の上方で、その吐出口をウエハＷの中央部に向けて配置されている。このＤＩＷノズル４２には、ＤＩＷ供給管６８が接続されており、ＤＩＷ供給源からのＤＩＷがＤＩＷ供給管６８を通して供給されるようになっている。ＤＩＷ供給管６８の途中部には、ＤＩＷノズル４２へのＤＩＷの供給および供給停止を切り換えるためのＤＩＷバルブ６９が介装されている。
【００４２】
ノズルアーム揺動駆動機構６５の駆動により、ノズルアーム６４が揺動されて、スリットノズル４１が、基板保持機構４０の上方領域外にある第１スキャン位置Ｐ１（図４にて実線で図示）と、この第１スキャン位置Ｐ１とウエハＷの回転中心を中心として９０°離間し、基板支持部材４５の上方領域外にある第２スキャン位置Ｐ２（図４にて二点鎖線で図示）との間を、水平方向に沿って往復移動する。
【００４３】
たとえば、スリットノズル４１が第１スキャン位置Ｐ１から第２スキャン位置Ｐ２に向けて移動する際には、第１シート６２が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の前方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面から失活したふっ硝酸を掻き取り、排除することができる。また、第２シート６３が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の後方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面に供給されたふっ硝酸を均すことができる。
【００４４】
また、スリットノズル４１が第２スキャン位置Ｐ２から第１スキャン位置Ｐ１に向けて戻る際には、第２シート６３が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の前方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面から失活したふっ硝酸を掻き取り、排除することができる。また、第１シート６２が、ウエハＷの上面におけるふっ硝酸の着液位置よりも進行方向の後方側の領域に接触しつつ移動する。これにより、ウエハＷの上面に供給されたふっ硝酸を均すことができる。
【００４５】
図５は、図１に示す基板処理装置の電気的構成を示すブロック図である。基板処理装置は、たとえば、マイクロコンピュータで構成される制御装置７０を備えている。制御装置７０には、紫外線ランプ３２、回転駆動機構５９、ノズルアーム揺動駆動機構６５、ふっ硝酸バルブ６７、吸引装置５６、ＤＩＷバルブ６９、Ｘ方向駆動機構２３、Ｙ方向駆動機構２４およびハンドアーム揺動駆動機構２５が制御対象として接続されている。
【００４６】
図６は、ウエハＷに施される薄化処理を説明するための工程図である。図７は、薄化処理に含まれる工程を説明するための図である。
この薄化処理では、ウエハＷの裏面を研削する研削工程が実行されるとともに、研削工程実行後のウエハＷの裏面にふっ硝酸を供給するふっ硝酸供給工程が実行される。これら研削工程およびふっ硝酸供給工程により、ウエハＷの厚みが７２５μｍから４０μｍ程度まで薄くされる。
【００４７】
研削工程に先立って、ウエハＷを補強するための補強基板としてのガラス基板Ｓが、接着剤Ａを介して、ウエハＷの表面（デバイス形成面）に貼り合わせられる（Ｓ１：貼合工程。図７（ａ）参照）。ガラス基板Ｓは、ウエハＷと同径の円板状をなしており、厚みがたとえば５００〜７００μｍである。このウエハＷとガラス基板Ｓとの貼り合わせは、作業者の手作業によって行われる。この接着剤Ａは、フェノキシポリエチレンングリコールアクリレート、ジシクロベンタニルジアクリレートなどのアクリル樹脂を主成分としている。
【００４８】
その後、所定の紫外線照射装置（図示しない）により、ウエハＷおよびガラス基板Ｓに紫外線が照射される（ステップＳ２）。これにより、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に介在する接着剤Ａが硬化して、ウエハＷとガラス基板Ｓとが強固に接合される。これにより、ウエハＷがガラス基板Ｓにより補強されてウエハＷの強度が上昇し、ウエハＷが変形しにくくなる。
【００４９】
次いで、研削工程（ステップＳ３。図７（ｂ）参照）が実行される。この研削工程では、研削装置８０が用いられる。
図８は、研削装置８０を示す斜視図である。研削装置８０は、ウエハＷを保持して、所定の鉛直軸線まわりに回転させる回転機構（図示しない）と、回転機構に保持されたウエハＷの裏面を研削する研削機構８１と、研削機構８１を回転機構に向けて送るための送り機構（図示しない）とを備えている。
【００５０】
研削機構８１は、回転機構の上方に配置される円筒状のグラインドホイール８２と、グラインドホイール８２を上方から支持する円盤８３と、円盤８３の中心から上方に延びる回転支持軸８４とを備えている。このグラインドホイール８２の下端縁に複数のチップ状の研削砥石８５が環状に分割して配設されている。各研削砥石８５は、刃面からなる下面を有している。回転支持軸８４には、モータなどの回転駆動機構（図示しない）が結合されている。
【００５１】
研削砥石８５は、高硬度の砥粒８６を、結合剤Ｂによって固めて形成されている。この結合剤Ｂとして、たとえばレジノイド結合剤が採用される。このレジノイド結合剤は、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂を主成分としている。また、砥粒８６の材料としては、ダイヤモンドやＣＢＮ（立方晶窒化ホウ素焼結体）などを例示することができる。
ウエハＷは、その裏面を上方に向けた状態で回転機構にセットされる。この状態で、ウエハＷの裏面が、研削砥石８５の下面に対向する。回転機構の回転駆動により、ウエハＷは、そのウエハＷの中心を通る所定の回転軸線まわりに回転される。また、回転駆動機構の回転駆動により、回転支持軸８４が回転されて、グラインドホイール８２がその中心を通る所定の回転軸線まわりに高速で回転される。ウエハＷの回転軸線とグラインドホイール８２の回転軸線とはずれている。そして、研削機構８１が回転機構に向けて送られることにより、高速で回転する研削砥石８５の下面（刃面）がウエハＷの裏面に接触して、ウエハＷの裏面が研削される。そして、ウエハＷの回転軸線とグラインドホイール８２の回転軸線とがずれているので、ウエハＷの裏面の全域が研削される。研削工程ではウエハＷに比較的大きな力が作用するが、ウエハＷがガラス基板Ｓによって補強されているので、ウエハＷの変形を防止することができる。
【００５２】
ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石８５に含まれる結合剤Ｂが破砕されて周囲に分散する。このため、この破砕された結合剤Ｂが、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。
また、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に介在する樹脂製の接着剤Ａが、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間からはみ出している場合がある。この接着剤Ａが研削砥石８５により破砕されて、周囲に分散し、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。
【００５３】
図示しない送り機構によるグラインドホイール８２の送り量が所定量に達すると、グラインドホイール８２の回転が停止される。その後、グラインドホイール８２がウエハＷの裏面から離反される。研削工程実行後のウエハＷの裏面には、研削痕が形成されている。また、研削工程実行後のウエハＷの裏面には、結合剤Ｂや接着剤Ａの破砕片が有機付着物として付着しているおそれがある。
【００５４】
次いで、研削工程実行後のウエハＷに水洗処理が施される（ステップＳ４）。これにより、研削工程によって生じたシリコンの研削カスがウエハＷから除去される。しかし、ウエハＷの裏面に付着する有機付着物は、この水洗処理によっては取り除かれない。
水洗処理後のウエハＷが基板収容器Ｃに収容される。基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。
【００５５】
収容器載置台５に基板収容器Ｃが保持されると、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから１枚のウエハＷずつ取り出される。基板収容器Ｃから取り出されたウエハＷは、まず、ＵＶ処理室２に搬入され（ステップＳ５）、その裏面を上方に向けた状態でウエハ載置台３０上に載置される。
ウエハＷがウエハ載置台１０上に載置されると、制御装置７０は、紫外線ランプ３２を点灯させる。これにより、各紫外線ランプ３２が発生する紫外線がウエハ載置台３０上のウエハＷの裏面に照射される（Ｓ６：ＵＶ照射工程。図７（ｃ）参照）。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。
【００５６】
ＵＶ処理室２における紫外線の照射が所定時間（たとえば１５分間）にわたって行われると、ウエハＷは、搬送ロボット１７によってＵＶ処理室２から搬出され（ステップＳ７）、次に、ふっ硝酸処理室３に搬入され（ステップＳ８）、その裏面を上方に向けた状態でリフトピン５７上に載置される。なお、ウエハＷの搬入に先立って、スリットノズル４１は、基板保持機構４０の側方の退避位置に退避させられている。その後、リフトピン昇降駆動機構（図示しない）が駆動されて、リフトピン５７が下降されて、ウエハＷを収容凹部５２内に収容される。これにより、基板支持部材４５にウエハＷが受け渡される。ウエハＷが基板支持部材４５へ受け渡された後、制御装置７０は、吸引装置５６を作動させ、これにより、ウエハＷが基板支持部材４５に吸着保持される。
【００５７】
ウエハＷが基板支持部材４５に吸着保持された後、制御装置７０は、回転駆動機構５９を駆動して、スピンベース４４および基板支持部材４５を低回転速度（たとえば５ｒｐｍ）で等速回転させる。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１をウエハＷの上方へと導く。
スリットノズル４１がウエハＷの上方に到達すると、制御装置７０は、ふっ硝酸バルブ６７を開き、スリット吐出口６１から、帯状のプロファイルでふっ硝酸を吐出する（Ｓ９：ふっ硝酸供給工程。図７（ｄ）参照）。スリット吐出口６１から吐出されるふっ硝酸は、たとえば、硝酸とふっ酸とを容積比３．２：１の割合で混合して作製されたものであり、その吐出流量はたとえば２Ｌ／ｍｉｎである。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１を、基板支持部材４５の上方領域外にある第１スキャン位置Ｐ１（図４にて実線で図示）と、基板支持部材４５の上方領域外にある第２スキャン位置Ｐ２（図４にて二点鎖線で図示）との間を、往復揺動（往復スキャン）させる。
【００５８】
ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）において分子レベルで破壊されたウエハＷの裏面上の有機付着物は、ふっ硝酸によって洗い流され、ウエハＷの裏面から剥離される。そして、ふっ硝酸によるエッチングにより、ウエハＷの裏面の表層部のウエハ材料が除去されて、ウエハＷが薄化される。
所定の処理時間（たとえば１５分間）の経過後、制御装置７０は、ふっ硝酸バルブ６７を閉じ、スリットノズル４１からのふっ硝酸の吐出を停止する。また、制御装置７０は、ノズルアーム揺動駆動機構６５を駆動して、スリットノズル４１を基板保持機構４０の側方の退避位置に退避させる。ふっ酸硝酸混合液供給工程後のウエハＷの裏面には、研削痕は存在しない。
【００５９】
次に、制御装置７０は、回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転速度を所定のリンス処理回転速度（１００ｒｐｍ程度）に加速するとともに、ＤＩＷバルブ６９を開いて、ＤＩＷノズル４２から、回転状態のウエハＷの上面の回転中心に向けてＤＩＷを供給する。これにより、ウエハＷの裏面上のふっ硝酸が洗い流されて、ウエハＷにリンス処理が施される（ステップＳ１０）。このリンス処理におけるＤＩＷノズル４２からのＤＩＷの吐出流量は、たとえば２．０Ｌ／ｍｉｎである。
【００６０】
このリンス処理を所定時間（たとえば６０秒間）行った後に、制御装置７０は、ＤＩＷバルブ６９を閉じてリンス処理を終了させる。制御装置７０は、さらにチャック回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転速度を所定の乾燥回転速度（２５００ｒｐｍ程度）に加速する。これによって、ウエハＷの上面のＤＩＷが遠心力によって振り切られ、ウエハＷがスピンドライ処理される（ステップＳ１１）。
【００６１】
スピンドライ処理を所定時間（たとえば３０秒間）行った後、制御装置７０は、回転駆動機構５９を制御して、スピンベース４４および基板支持部材４５の回転を停止させる。その後、制御装置７０が吸引装置５６の駆動を停止させて、ウエハＷと基板支持部材４５の底壁部４７の上面との間の空間の減圧状態が解除されて、ウエハＷの吸着保持が解除される。次いで、リフトピン昇降駆動機構が駆動されてリフトピン５７を上昇され、処理済みのウエハＷが収容凹部５２から上方に離脱される。
【００６２】
その後、処理済みのウエハＷが搬送ロボット１７によってふっ硝酸処理室３から搬出され（ステップＳ１２）、次に、収容器載置台５に保持された基板収容器Ｃに収容される。
薄化処理の終了後、紫外線照射装置（図示しない）を用いて、薄化処理後のウエハＷとガラス基板Ｓとを分離させる（ステップＳ１３）。ウエハＷおよびガラス基板Ｓは、比較的照射量の大きな紫外線が照射され、その後、所定温度（たとえば９０℃）の温水中で所定時間（たとえば１分間）浸漬される。このとき、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間の熱膨張率の差により、ウエハＷとガラス基板Ｓとの間に両者を離脱する力が作用して、ウエハＷとガラス基板Ｓとが分離される。
【００６３】
以上によりこの実施形態によれば、ステップＳ９のふっ硝酸供給工程に先立って、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。ＵＶ照射工程では、ステップＳ３の研削工程において生じた有機付着物が分子レベルで破壊される。そして、有機付着物の破壊後にふっ硝酸供給工程が実行されるので、ふっ硝酸によるウエハＷの裏面のエッチングが有機付着物によって阻害されることがない。これにより、ウエハＷの裏面への面荒れの発生を防止または抑制しつつ、ウエハＷを薄化させることができる。
【００６４】
図９は、本発明の他の実施形態（第２実施形態）に係る基板処理装置の構成を示す断面図である。この第２実施形態に係る基板処理装置では、図１〜図８に示す第１実施形態の基板処理装置のＵＶ処理室２に代えて、ＳＰＭ処理室９０が設けられている。
ＳＰＭ処理室９０は、隔壁によって取り囲まれて設けられており、その内部には、ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック９１と、スピンチャック９１に保持されたウエハＷの裏面（上面）に向けて、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液）を吐出するためのノズル（有機付着物除去手段）９２と、スピンチャック９１に保持されたウエハＷの裏面の中央部にＤＩＷを供給するためのＤＩＷノズル１０２とが収容されている。
【００６５】
スピンチャック９１は、モータ９３と、このモータ９３の回転駆動力によって鉛直軸線まわりに回転される円盤状のスピンベース９４と、スピンベース９４の周縁部の複数箇所にほぼ等間隔で設けられ、ウエハＷをほぼ水平な姿勢で挟持するための複数個の挟持部材９５とを備えている。これにより、スピンチャック９１は、複数個の挟持部材９５によってウエハＷを挟持した状態で、モータ９３の回転駆動力によってスピンベース９４を回転させることにより、そのウエハＷを、ほぼ水平な姿勢を保った状態で、スピンベース９４とともに鉛直軸線まわりに回転させることができる。
【００６６】
ノズル９２は、スピンチャック９１の上方でほぼ水平に延びるノズルアーム９６の先端に取り付けられており、いわゆるストレートノズルの構成を有している。ノズルアーム９６の基端部は、スピンチャック９１の側方においてほぼ鉛直に延びるアーム支持軸９７の上端部に支持されている。アーム支持軸９７には、モータ（図示せず）を含むノズル駆動機構９８が結合されている。ノズル駆動機構９８からアーム支持軸９７に回転力を入力して、アーム支持軸９７を回動させることにより、スピンチャック９１の上方でノズルアーム９６を揺動させることができる。
【００６７】
ノズル９２には、ＳＰＭ供給源からのＳＰＭが供給されるＳＰＭ供給管９９が接続されている。ＳＰＭ供給管９９の途中部には、ＳＰＭ供給管９９を開閉するためのＳＰＭバルブ１００が介装されている。
ＤＩＷノズル１０２には、ＤＩＷバルブ１０１を介してＤＩＷが供給されるようになっている。
【００６８】
この第２実施形態では、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出された水洗処理（図６に示すステップＳ４）後のウエハＷはＳＰＭ処理室９０に搬入され、その裏面を上方に向けて、スピンチャック９１に保持される。ウエハＷがスピンチャック９１に保持されると、モータ９３が駆動されて、スピンチャック９１が所定の液処理速度で回転される。
【００６９】
ウエハＷの回転開始後、ノズル駆動機構９８が制御されて、ノズル９２が、スピンチャック９１の側方の待機位置からスピンチャック９１に保持されているウエハＷの上方に移動される。そして、ＳＰＭバルブ１００が開かれてノズル９２から回転中のウエハＷの裏面に向けてＳＰＭが吐出される。
このＳＰＭ処理では、ノズル駆動機構９８が制御されて、ノズルアーム９６が所定の角度範囲内で揺動される。これによって、ノズル９２からのＳＰＭが導かれるウエハＷの裏面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの裏面に供給されたＳＰＭは、ウエハＷの裏面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの裏面の全域に、ＳＰＭがむらなく供給される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、ＳＰＭに含まれるペルオキソ一硫酸の強酸化力が有機付着物に作用し、ウエハＷの裏面から有機付着物が剥離されて除去される。
【００７０】
ＳＰＭ供給位置の往復移動が所定回数行われると、ＳＰＭバルブ１００が閉じられ、ウエハＷへのＳＰＭの供給が停止されて、ノズル９２がスピンチャック９１の側方の退避位置に戻される。
次に、ウエハＷの回転が継続されたまま、ＤＩＷバルブ１０１が開かれて、回転中のウエハＷの裏面の中央部に向けてＤＩＷノズル９からＤＩＷが吐出される。ウエハＷの裏面上に供給されたＤＩＷは、ウエハＷの裏面の全域に拡がり、ウエハＷの裏面に付着しているＳＰＭがＤＩＷによって洗い流される。
【００７１】
また、モータ９３が駆動されて、ウエハＷの回転速度が所定の乾燥回転速度（２５００ｒｐｍ程度）に上げられて、ウエハＷに付着しているＤＩＷの液滴が除去される。その後、ウエハＷが搬送ロボット１７によってＳＰＭ処理室９０から搬出され、図６のステップＳ８のように、ふっ硝酸処理室３に搬入される。その後、ふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
【００７２】
図１０は、本発明の他の実施形態（第３実施形態）に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。この図１０において、前述の図１〜図８の実施形態（第１実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図８の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この第３実施形態に係る基板処理装置が第１実施形態の基板処理装置と相違する点は、搬送室４内に紫外線ランプ（紫外線照射手段）１１１，１１２が収容されている点である。
【００７３】
搬送室４と収容器載置台５とを仕切る隔壁８の第３開口１３は、正面視でほぼ正方形状に形成されている。第３開口１３の上辺および下辺は水平方向に沿って形成され、第３開口１３の両側辺は鉛直方向に沿って形成されている。搬送室４内には、隔壁８に近接する位置に、上下一対の紫外線ランプ１１１，１１２が配置されている。紫外線上ランプ１１１は、第３開口１３の上辺に沿って配置されている。紫外線上ランプ１１１は、第３開口１３の下辺に沿って配置されている。これらの紫外線ランプ１１１，１１２には、前述の第１実施形態の紫外線ランプ３２と同様のものが採用されている。
【００７４】
収容器載置台５に載置される基板収容器Ｃは、その内部に複数枚の基板Ｗを、所定の間隔を隔てて積層状態で収容することができるものである。基板収容器Ｃは、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）である。すなわち、基板収容器Ｃは、一側面に基板Ｗの出し入れのための基板出入口１１３を有するほぼ立方体形状の本体１１４と、基板出入口１１３を開閉するための蓋（図示しない。図１０では、蓋の開状態を示している）とを備えている。基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、基板出入口１１３が第３開口１３に対向する。
【００７５】
第３ドア１６（図１参照。図１０では図示を省略）は、第３開口１３を覆う閉状態と、隔壁８における第３開口１３の下方部に退避する開状態との間で移動可能に設けられている。第３ドア１６の開状態では、第３開口８のほぼ全域が開放される。
水洗処理（図６のステップＳ４）後のウエハＷが、基板収容器Ｃに収容される。この基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。その後、第３ドア１６および蓋が開状態にされる（図１０参照）とともに、紫外線ランプ１１１，１１２が点灯される。紫外線ランプ１１１，１１２から照射される紫外線は、基板収容器Ｃの基板出入口１１３を通って、基板収容器Ｃ内に収容されているウエハＷに対して照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。これにより、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態で、当該ウエハＷに付着した有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００７６】
所定時間の経過後、ウエハＷが搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出され、図６のステップＳ５のようにＵＶ処理室２に搬入される。そして、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。その後、ふっ硝酸処理室３に搬入される。ふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
なお、この第３実施形態では、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態でウエハＷに紫外線が照射されるので、ＵＶ処理室２におけるステップＳ６の紫外線照射工程を省略することもできる。この場合、基板収容器Ｃ内のウエハＷは、搬送ロボット１７によって直接ふっ硝酸処理室３に搬入される。
【００７７】
また、前述の説明では、上下一対の紫外線ランプ１１１，１１２を配置する場合を例に挙げて説明したが、いずれか一方の紫外線ランプ１１１，１１２のみを設ける構成とすることもできる。さらに、紫外線ランプを、第３開口１３の左右側辺に沿って配置することもできる。
図１１は、本発明の他の実施形態（第４実施形態）に係る基板処理装置の一部の構成を示す断面図である。この図１１において、前述の図１〜図８の実施形態（第１実施形態）および図１０の実施形態（第３実施形態）に示された各部に対応する部分には、図１〜図８および図１０の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図１１に示す構成が、図１０に示す構成と大きく相違する点は、紫外線ランプ１１１，１１２に代えて、基板収容器Ｃ内にオゾンガスを導入するオゾンガス導入機構１２０を設けた点にある。
【００７８】
オゾンガス導入機構１２０は、オゾンガス上ノズル（オゾンガス供給手段）１２１、オゾンガス下ノズル（オゾンガス供給手段）１２２およびオゾンガス導入ノズル（オゾンガス供給手段）１２３を備えている。オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２は、搬送室４内の隔壁８に近接する位置に、その吐出口を基板収容器Ｃの基板出入口１１３に向けて配置されている。オゾンガス上ノズル１２１は、第３開口１３の上辺に沿って複数設けられている（図１１では1つのみ図示）。オゾンガス下ノズル１２２は、第３開口１３の下辺に沿って複数設けられている（図１１では1つのみ図示）。オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２には、オゾンガスバルブ１２７を介してオゾンガスが供給されるようになっている。
【００７９】
オゾンガス導入ノズル１２３は、収容器載置台５に設けられている。オゾンガス導入ノズル１２３の先端には、上方に向く吐出口が形成されている。オゾンガス導入ノズル１２３は、収容器載置台５の内部に埋設されて、その先端部分だけが収容器載置台５の上面よりも上方に突出している。オゾンガス導入ノズル１２３には、オゾンガス供給源からのオゾンガスが供給されるオゾンガス供給管１２４が接続されている。
【００８０】
基板収容器Ｃの底面には、導入孔１２５が形成されている。また、基板収容器Ｃの底面には、基板収容器Ｃ内から、この基板収容器Ｃ内の雰囲気を当該容器Ｃ外に排出するための導出孔１２６が形成されている。
基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔１２５にオゾンガス導入ノズル１２３が挿入される。導入孔１２５内に挿入されたオゾンガス導入ノズル１２３の吐出口は、基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。一方、基板収容器Ｃが収容器載置台５から離脱されると、オゾンガス導入ノズル１２３が導入孔１２５から引き抜かれる。導入孔１２５には、導入開閉機構（図示しない）が配置されている。この導入開閉機構は、通常時は導入孔１２５を閉塞しており、オゾンガス導入ノズル１２３の挿入動作に連動して導入孔１２５を開放し、オゾンガス導入ノズル１２３の引き抜き動作によって導入孔１２５を閉塞する。また、導出孔１２６には、導出開閉機構（図示しない）が配置されている。この導出開閉機構は、通常時は導出孔１２６を閉塞しており、導入開閉機構の開放動作に連動して導出孔１２６を開放し、導入開閉機構の閉塞動作に連動して導入孔１２５を閉塞する。
【００８１】
水洗処理（図６のステップＳ４）後のウエハＷが、基板収容器Ｃに収容される。この基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送される。
基板収容器Ｃの底部に形成された溝（図示しない）に、収容器載置台５に設けられた係合ピン（図示しない）が係合されることにより、収容器載置台５に基板収容器Ｃが固定される。基板収容器Ｃが収容器載置台５に載置された状態では、オゾンガス導入ノズル１２３が基板収容器Ｃの導入孔１２５に挿入されて、吐出口が基板収容器Ｃの内部空間に臨むようになる。この際、前述の導入開閉機構（図示しない）によってオゾンガス導入ノズル１２３の挿入動作に連動して導入孔１２５が開放される。これにより、オゾンガス導入ノズル１２３の吐出口からオゾンガスが吐出されて、基板収容器Ｃ内にオゾンガスが導入される。このオゾンガス導入ノズル１２３からのオゾンガスの吐出は、基板収容器Ｃが収容器載置台５上に載置されている間中継続される。
【００８２】
その後、第３ドア１６および蓋（図示しない。図１１では、蓋の開状態を示している）が開状態にされて、第３開口１３および基板出入口１１３が開放される。第３開口１３および基板出入口１１３が開放されると、オゾンガスバルブ１２７が開かれて、オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２から、基板収容器Ｃの基板出入口１１３にオゾンガスが吹き付けられる。このオゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２によるオゾンガスの吹き付けは、第３開口１３が開放されている間継続される。
【００８３】
したがって、基板収容器Ｃに収容されている複数枚のウエハＷにオゾンガスが供給される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、オゾンガスにより有機付着物が酸化されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。これにより、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態で、当該ウエハＷに付着した有機付着物を分子レベルで破壊することができる。
【００８４】
所定時間の経過後、ウエハＷが搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出され、図６のステップＳ５のようにＵＶ処理室２に搬入されて、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）が実行される。その後、ふっ硝酸処理室３でふっ硝酸供給工程（図６のステップＳ９）が実行される。
なお、この第４実施形態では、ウエハＷを基板収容器Ｃ内に収容した状態でウエハＷに紫外線が照射されるので、ＵＶ処理室２におけるステップＳ６の紫外線照射工程を省略することもできる。この場合、基板収容器Ｃ内のウエハＷは、搬送ロボット１７によって直接ふっ硝酸処理室３に搬入される。
【００８５】
また、前述の説明では、オゾンガス上ノズル１２１およびオゾンガス下ノズル１２２によって、基板収容器Ｃの基板出入口１１３へのオゾンガスの吹き付けが行われる場合を例に挙げて説明したが、他のノズル、たとえば第３開口１３の側辺の近傍位置に配設されたオゾンガスノズルによって行われていてもよい。さらに、オゾンガス導入機構１２０として、基板収容器Ｃの基板出入口１１３にオゾンガスを吹き付けるノズル１２１，１２２と、基板収容器Ｃの底面に形成された導入孔１２５を介して基板収容器Ｃにオゾンガスを導入するオゾンガス導入ノズル１２３との双方を例に挙げて説明したが、いずれか一方のみを設ける構成とすることもできる。
【００８６】
図１２は、本発明のさらに他の実施形態（第５実施形態）に係る基板処理方法（薄化処理）を説明するための工程図である。この図１２において、前述の図６（第１実施形態）に示された各工程と対応する工程には、図６の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。この図１２に示す薄化処理が、図６に示す薄化処理と相違する点は、ＵＶ照射工程（図６のステップＳ６）に代えて、ステップＳ２０のプラズマ照射工程が実行される点にある。このプラズマ照射工程の実行には、図示しないプラズマ装置（図示しない）が用いられる。
【００８７】
ステップＳ４の水洗処理後、ウエハＷがプラズマ装置のプラズマ処理室（図示しない）に収容される。処理ガスが充満した状態で、高周波電源（図示しない）から高周波電力としてのマイクロ波が出力されることにより、マイクロ波がプラズマ処理室に放射される。そして、その放射されるマイクロ波のエネルギーにより、プラズマ処理室に処理ガスの高密度プラズマが励起される。
【００８８】
ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、プラズマの照射によって有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ウエハＷが基板収容器Ｃに収容される。基板収容器Ｃは、図示しない収容器搬送機構によって収容器載置台５にまで搬送され、この収容器載置台５に保持される。
収容器載置台５に保持された基板収容器Ｃに収容されたウエハＷは、搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出される。そして、基板収容器Ｃから取り出されたウエハＷは、ふっ硝酸処理室３に搬入される（ステップＳ８）。
【００８９】
図１３は、本発明の他の実施形態（第６実施形態）に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な斜視図である。この基板処理装置は、ウエハＷの裏面に対して、ウエハＷの薄化のためのエッチング処理を施すための装置である。
この基板処理装置は、ウエハＷを所定の搬送方向Ｒ１に沿って搬送するためのコロ搬送機構（基板搬送機構）１３０と、このコロ搬送機構１３０によって搬送されている過程のウエハＷの裏面に対して紫外線を照射する紫外線ランプ（有機付着物除去手段）１３１と、コロ搬送機構１３０によって搬送されている過程のウエハＷの裏面に対してふっ硝酸を供給するふっ硝酸ノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）１３２とを備えている。
【００９０】
紫外線ランプ１３１およびふっ硝酸ノズル１３２は、コロ搬送機構１３０の上方に配置されている。紫外線ランプ１３１は、前述の第１実施形態の紫外線ランプ３２と同様のものが採用されている。ふっ硝酸ノズル１３２は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１にほぼ直交する方向に延びたスリット状の吐出口を下方に有している。ふっ硝酸ノズル１３２の吐出口からは、幕状（カーテン状）のふっ硝酸が下方に向けて吐出される。したがって、図１４の図解的な平面図に示すように、コロ搬送機構１３０上における紫外線照射位置（第１の位置）Ｐ３は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１に直交している。コロ搬送機構１３０上におけるエッチング液供給位置（第２の位置）Ｐ４は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１に直交して基板Ｗの全幅に及んで延在する洗浄の形態を有している。図１４に明らかに示されている通り、ふっ硝酸供給位置Ｐ４は、紫外線照射位置Ｐ３に対して、基板搬送方向Ｒ１に関し、所定距離Ｄだけ下流側に配置されている。
【００９１】
搬送ロボット１７によって基板収容器Ｃから取り出された水洗処理（図６に示すステップＳ４）後のウエハＷが、その裏面を上方に向けてコロ搬送機構１３０機構上に載置される。
コロ搬送機構１３０によって、ウエハＷを搬送方向Ｒ１に沿って所定の速度で搬送することにより、ウエハＷの裏面が、紫外線照射位置Ｐ３およびふっ硝酸供給位置Ｐ４によって順次走査される。これにより、ウエハＷの裏面において、まず紫外線が照射され、その後所定の時間だけ遅れてふっ硝酸が供給されることになる。これにより、ウエハＷの裏面に対し、紫外線の照射とふっ硝酸の供給とを並行して実行することができる。
【００９２】
ふっ硝酸を用いた処理後のリンス工程は、図１３に示すようにふっ硝酸ノズル１３２よりも搬送方向Ｒ１の下流側に設けたＤＩＷノズル１３３からウエハＷの裏面にＤＩＷを供給することによって行える。ＤＩＷノズル１３３は、ウエハＷの搬送方向Ｒ１にほぼ直交する方向に延びたスリット状の吐出口を下方に有し、コロ搬送機構１３０によって搬送されるウエハＷの全幅にわたる範囲にＤＩＷを供給することができるものである。
【００９３】
以上、本発明の６つの形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
前述の第２実施形態では、ＳＰＭに代えてオゾン水を供給することもできる。すなわち、ノズル９２には、オゾン水供給源からのオゾン水が供給されるオゾン水供給管１４０（図９に二点鎖線で図示）が接続されていて、オゾン水供給管１４０の途中部に、オゾン水供給管１４０を開閉するためのオゾン水バルブ１４１（図９に二点鎖線で図示）が介装されていてもよい。
【００９４】
そして、オゾン水の供給時は、ノズル９２からのオゾン水が導かれるウエハＷの裏面上の供給位置は、ウエハＷの回転中心からウエハＷの周縁部に至る範囲内を、ウエハＷの回転方向と交差する円弧状の軌跡を描きつつ往復移動する。また、ウエハＷの裏面に供給されたオゾン水は、ウエハＷの裏面の全域に拡がる。したがって、ウエハＷの裏面の全域に、オゾン水がむらなく供給される。オゾン水のウエハＷの裏面への供給により、オゾン水の酸化力が有機付着物に作用し、ウエハＷの裏面から有機付着物を剥離させて除去させることができる。
【００９５】
また、第３実施形態では、紫外線ランプが第３開口１３の上辺および下辺に沿って配置されるとして説明したが、紫外線ランプを第３開口１３の左右の側辺に沿うように配置することもできる。
また、第３実施形態の紫外線ランプ１１１，１１２と第４実施形態のオゾンガス導入機構１２０との双方を設ける構成とすることもできる。
【００９６】
また、第３および第４実施形態では、基板収容器Ｃとして、ウエハＷを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を例示しているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等の他の形態の基板収容器を用いることもできる。
また、第１〜第４実施形態において、ふっ硝酸処理室３内に、紫外線ランプを配置することもできる。このとき、紫外線ランプからの紫外線は、基板保持機構４０に保持されるウエハＷの裏面に照射される。そして、ウエハＷの裏面への紫外線の照射後、ふっ硝酸供給工程を実行することができる。
【００９７】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９８】
５ 収容器載置台（収容器保持部）
３２ 紫外線ランプ（有機付着物除去手段）
４１ スリットノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）
８５ 研削砥石
８６ 砥粒
９２ ノズル（有機付着物除去手段）
１１１ 紫外線上ランプ（紫外線照射手段）
１１２ 紫外線下ランプ（紫外線照射手段）
１２１ オゾンガス上ノズル（オゾンガス供給手段）
１２２ オゾンガス下ノズル（オゾンガス供給手段）
１２３ オゾンガス導入ノズル（オゾンガス供給手段）
１３０ コロ搬送機構（基板搬送機構）
１３１ 紫外線ランプ（有機付着物除去手段）
１３２ ふっ硝酸ノズル（ふっ酸硝酸混合液供給手段）
Ａ 接着剤
Ｂ 結合剤
Ｃ 基板収容器
Ｐ３ 紫外線照射位置（第１の位置）
Ｐ４ ふっ硝酸供給位置（第２の位置）
Ｒ１ 搬送方向
Ｓ ガラス基板（補強基板）
Ｗ ウエハ（シリコン基板）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板を、研削砥石を用いて研削する研削工程と、
前記研削工程実行後のシリコン基板から、前記研削工程において生じる有機付着物を除去する有機付着物除去工程と、
前記有機付着物除去工程後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記研削工程に先立って、シリコン基板を補強するための補強基板を、シリコン基板の前記一方面とは反対の他方面に接着剤を介して貼り合わせる貼合工程をさらに含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に紫外線を照射する紫外線照射工程を含む、請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対して硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水供給工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾン水を供給するオゾン水供給工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
研削砥石を用いて研削されたシリコン基板から有機付着物を除去する有機付着物除去手段と、
前記有機付着物除去手段により有機付着物が除去された後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給手段とを含む、基板処理装置。
【請求項９】
シリコン基板を収容可能な基板収容器を保持するための収容器保持部をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段を含む、請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
シリコン基板を収容可能な基板収容器を保持するための収容器保持部をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含む、請求項８または９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
シリコン基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板搬送機構による基板搬送経路の第１の位置でシリコン基板から有機付着物を除去するように設けられており、
前記ふっ酸硝酸混合液供給手段が、前記基板搬送経路において、前記基板搬送方向に関し前記第１の位置よりも下流側の第２の位置に向けてふっ酸硝酸混合液を供給するように設けられている、請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１】
シリコン基板を、研削砥石を用いて研削する研削工程と、
前記研削工程実行後のシリコン基板から、前記研削工程において生じる有機付着物を除去する有機付着物除去工程と、
前記有機付着物除去工程後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給工程とを含む、基板処理方法。
【請求項２】
前記研削工程に先立って、シリコン基板を補強するための補強基板を、シリコン基板の前記一方面とは反対の他方面に接着剤を介して貼り合わせる貼合工程をさらに含む、請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に紫外線を照射する紫外線照射工程を含む、請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対して硫酸過酸化水素水混合液を供給する硫酸過酸化水素水供給工程を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してオゾン水を供給するオゾン水供給工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記有機付着物除去工程が、シリコン基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射工程を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
【請求項８】
研削砥石を用いて研削されたシリコン基板から有機付着物を除去する有機付着物除去手段と、
前記有機付着物除去手段により有機付着物が除去された後のシリコン基板の一方面に、ふっ酸硝酸混合液を供給するふっ酸硝酸混合液供給手段とを含む、基板処理装置。
【請求項９】
シリコン基板を収容可能な基板収容器を保持するための収容器保持部をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対して紫外線を照射する紫外線照射手段を含む、請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
シリコン基板を収容可能な基板収容器を保持するための収容器保持部をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板収容器に収容されたシリコン基板に対してオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段を含む、請求項８または９記載の基板処理装置。
【請求項１１】
シリコン基板を所定の搬送方向に搬送する基板搬送機構をさらに含み、
前記有機付着物除去手段が、前記基板搬送機構による基板搬送経路の第１の位置でシリコン基板から有機付着物を除去するように設けられており、
前記ふっ酸硝酸混合液供給手段が、前記基板搬送経路において、前記基板搬送方向に関し前記第１の位置よりも下流側の第２の位置に向けてふっ酸硝酸混合液を供給するように設けられている、請求項８記載の基板処理装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１０−２２５９３６（Ｐ２０１０−２２５９３６Ａ）
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−７２７３２（Ｐ２００９−７２７３２）
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１０月７日（２０１０．１０．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月２４日（２００９．３．２４）
【出願人】（０００２０７５５１）大日本スクリーン製造株式会社 (2,640)
【Ｆターム（参考）】
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