【課題】配線幅が異なる第１及び第２の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第１の配線及び第１の配線よりも配線幅が小さい第２の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１０と、配線パターンの上から、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程Ｓ２０と、第２の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程Ｓ３０と、第２の絶縁層の方が第１の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程Ｓ４０と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程Ｓ５０と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主面に酸化膜として絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上に窒化シリコン膜を形成してから、素子分離用の溝４ａをプラズマドライエッチングにより形成し、溝４ａを埋めるように酸化シリコンからなる絶縁膜６をＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成し、ＣＭＰ処理により溝４ａの外部の絶縁膜６を除去し、溝４ａ内に絶縁膜６を残す。それから、窒化シリコン膜を除去する。その後、絶縁膜２をウェットエッチングで除去して半導体基板１を露出させるが、この際、半導体基板１の主面に１４０ルクス以上の光を当てながら絶縁膜２をウェットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】基板上に成膜された被処理膜の初期膜厚に基板毎のばらつきに左右されることなく、各基板の被処理膜の残膜を均一にすることのできる半導体製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、被処理膜を有するウエハを処理チャンバー内に載置する工程（ステップＳ１）と、処理前における被処理膜の初期膜厚を測定する工程（ステップＳ２）とを有する。また、ウエハを所望の薬液処理時間で薬液処理する工程（ステップＳ５）と、処理後における被処理膜の最終膜厚を測定する工程（ステップＳ６）を有する。また、初期膜厚と、最終膜厚と、初期膜厚から最終膜厚になるまで要した薬液処理時間とから、薬液処理に用いられた薬液の処理速度を算出する工程（ステップＳ８）と、算出した処理速度から、次に処理するウエハの薬液処理時間を算出する工程（ステップＳ１２）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、処理の終点に対する検出精度を向上させることができる処理の終点検出方法および処理の終点検出装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る処理の終点検出方法は、被処理物の処理に伴って時間とともに変化する検出情報を所定の期間収集して単位空間を定義し、前記単位空間を構成する検出情報について平均値と、標準偏差と、を求める。そして、以下の（９）式に基づいて終点検出の判定対象となる検出情報を基準化し、以下の（１０）式に基づいて距離を求め、前記距離に基づいて処理の終点を検出する。
Ｘｔ＝（Ｘ−Ｘｍ）／σｍ ・・・（９）
Ｄ^２＝Ｘｔ^２ ・・・（１０）
ここで、Ｘｍは前記単位空間における平均値、σｍは前記単位空間における標準偏差、Ｘは前記終点検出の判定対象となる任意の時間における検出情報、Ｘｔは基準化された検出情報、Ｄ^２は距離である。 （もっと読む）

【課題】 基板面内や基板間の処理のバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理基板１が収容される槽ＴＫと、処理槽ＴＫ内に液体、気体、又は液体と気体との両方を送り出す送出機構ＴＢ、Ａと、処理基板１に対して、液体、気体、又は気体と液体との両方が槽ＴＫ内へ送り出される位置と対向する位置から槽ＴＫ内の液体、気体、又は気体と液体との両方を排出する排出手段１０、２０、３０、４０と、を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】基板を均一にエッチングするために有利な技術を提供する。
【解決手段】エッチング装置は、第１面および第２面を有する基板の前記第１面をフッ化水素および硝酸を含むエッチング液によってエッチングするように構成され、前記基板の前記第２面を保持するチャックと、前記チャックを回転させることによって前記基板を回転させる回転機構と、フッ化水素および硝酸を含むエッチング液を前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の中央部分に供給する第１供給部と、前記回転機構によって回転させられている前記基板の前記第１面の前記中央部分より外側の外側部分に補充液を供給する第２供給部とを含む。前記補充液は、フッ化水素および硝酸のうちの一方の酸を含み他方の酸を含まない。 （もっと読む）

【課題】水素アニール処理を必要とせず、かつ従来よりも低い温度の真空アニールで高品質のグラフェンを形成することが可能なＳｉＣ基板へのグラフェン成膜方法及びグラフェン付きＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】スクラッチが除去されてステップテラス構造が出現する程度に単結晶ＳｉＣ表面を平坦化加工することが可能な触媒基準エッチング（ＣＡＲＥ）法による精密加工工程と、洗浄工程と、真空中で８００〜１１００℃、１〜１０分間熱処理してＳｉＣ表面にグラフェンを形成するアニール工程と、からなるグラフェン成膜方法とし、前記アニール工程の熱処理条件を制御することによりグラフェンの層数を単層又は２層に制御する。 （もっと読む）

【課題】スクラッチの発生が少なく平坦な被加工面を得ることができ、しかも、基本的に触媒のみを交換できるようにすることで、安価かつ耐久性の良い研磨具を提供する。
【解決手段】表面に金属配線３０２を形成した光透過性の支持定盤３００と、表面の少なくとも基板と接触する部分が触媒３０６からなり、光及びイオン電流の少なくとも一方を通過させるための複数の貫通穴３０４ａを内部に有する触媒パッド３０８を有する。 （もっと読む）

半導体処理プロセス、特に化学機械研磨プロセスからスラリーを含有する廃水のリサイクル方法および装置に関する。前記方法は、新規スラリーを含む廃水が連続的に循環タンク（１０）に導入され、その間、循環タンク（１０）から混合廃水が連続的に抜き出され、廃水が限外ろ過装置（２０）を通って誘導され、流体を取り出すことにより濃縮され濃縮廃水を形成し、濃縮廃水が循環タンク（１０）に導入され、循環タンク（１０）の内容物と混合され混合廃水が得られるろ過ステップと、混合廃水が循環タンク（１０）から連続的に抜き出され、取り出された混合廃水が限外ろ過装置（２０）に導入され、流体を取り出すことによって濃縮され濃縮廃水を形成し、濃縮廃水が循環タンク（１０）に導入されるときに循環タンク（１０）への新規廃水の追加が妨げられるか実質的に遮断されるろ過ステップ後の濃縮ステップとからなる。 （もっと読む）

【課題】表面が所定の条件でポリシングされたＩＩＩ族窒化物結晶基板を用いて、そのＩＩＩ族窒化物結晶基板上に結晶品質の高い半導体層をエピタキシャル成長させることにより、特性の高い半導体デバイスを製造する方法を提供する。
【解決手段】本半導体デバイスの製造方法は、ｐＨが２以上１０以下かつ酸化還元電位が９６０ｍＶ以上１４４０ｍＶ以下であるポリシング液を用いて、ＩＩＩ族窒化物結晶基板４１０の表面をポリシングする工程と、ポリシングがされたＩＩＩ族窒化物結晶基板４１０の一方の主面側に３層以上の半導体層４５０をエピタキシャル成長させる工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶基板４１０の他方の主面側に第１の電極４６１を形成する工程と、半導体層４５０の最外半導体層上に第２の電極４６２を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨工程の簡略化で生産性が高まり、コストダウンが可能で、鏡面研磨されたウェーハ表面に生じる加工起因のＬＰＤの密度を低減し、ウェーハ表面の表面粗さを改善可能なエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】１次、２次研磨のみを行い仕上げ研磨を省略するので、シリコンウェーハの研磨が簡略化し、エピタキシャルシリコンウェーハの生産性が高まり、コストダウンが図れる。また、従来の砥粒を含む１次研磨のみを施した場合に比べて、ウェーハ表面に発生する加工起因のＬＰＤの密度が低減し、ウェーハの表面粗さが小さくなる。さらに、砥粒で酸化膜を除去する１次研磨を行うので、砥粒が存在しない２次研磨時、アルカリ性水溶液による研磨レートが高まる。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの鏡面研磨された表面に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減し、かつウェーハ表面の表面粗さを小さくすることで、ＬＰＤ密度が低く、表面粗さ品質に優れたエピタキシャル膜を有するエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】砥粒を含まず水溶性高分子を含むアルカリ性水溶液の研磨液を用いて、シリコンウェーハの表面を鏡面研磨する。水溶性高分子をアルカリ性水溶液に添加したので、摩擦係数を低下させ、鏡面研磨されたウェーハ表層部に発生する加工起因のＬＰＤの密度を低減でき、ＬＰＤ密度が低いエピタキシャルシリコンウェーハを製造できる。しかも、鏡面研磨されたウェーハ表面に発生する表面粗さを小さくでき、表面粗さ品質に優れたエピタキシャルシリコンウェーハを提供できる。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドを用いず、さらに砥粒を用いないスラリー液による絶縁膜への金属の平坦化埋め込み方法を提供する。
【解決手段】スラリー液に微細気泡（マイクロバブル）を分散させ、微細気泡の平均直径より微細な寸法のパターンを形成した基板に金属膜を堆積させ、微細気泡を分散したスラリー液に金属膜を堆積した基板を浸漬することにより、堆積した金属膜のうち凹部のものを残留させ、絶縁膜への金属の平坦化埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子を製造する際の歩留まりを向上できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ表面に半導体素子を形成する工程と、前記半導体素子を形成した後に、外縁部を残して前記半導体ウエハ裏面を研削して前記外縁部の内側に凹部を形成する工程と、前記外縁部の一部を研削して前記外縁部の内側から外側に通じる溝部を形成する工程と、前記溝部を形成した後に、レジストをスピンコート法により前記凹部の底面に塗布する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の面荒れを防止しつつ、シリコン基板を薄化させることができる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】研削工程（図（ｂ）参照）では、研削装置８０の研削砥石によってウエハＷの裏面が研削される。ウエハＷの研削の進行に伴って、研削砥石が磨耗し、研削砥石から破砕された結合剤が、ウエハＷの裏面に付着するおそれがある。その後、ＵＶ照射工程が実行される。ＵＶ照射工程（図（ｃ）参照）では、紫外線ランプ３２からの紫外線がウエハＷの裏面に照射される。ウエハＷの裏面に有機付着物が付着していても、この紫外線の照射により、有機付着物の内部結合が切断されて、この有機付着物が分子レベルで破壊される。その後、ふっ硝酸供給工程（図（ｄ）参照）が実行され、ウエハＷの裏面がふっ硝酸を用いてエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】薄板化された基板を局所的に平坦化することができ、かつ装置の小型簡略化が可能な表面処理装置を提供する。
【解決手段】エッチング用の処理液を噴出させる噴出口３３ａと、噴出口３３ａから噴出した処理液を吸引する吸入口３４ａと、を備えたノズル３を有することを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの主面上に形成した絶縁膜の膜厚分布を均一にする。
【解決手段】半導体ウエハ１の主面上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極６を形成し、このゲート電極６を覆うように層間絶縁膜としての絶縁膜１２を形成する。絶縁膜１２には、ゲート電極６に起因して凹凸形状が形成されているため、ＣＭＰ処理で平坦化する。このＣＭＰ処理は、半導体ウエハ１の主面の周辺部１Ａは、主面の中央部１Ｂに比べて、研磨量が大きくなる傾向にある。このため、半導体ウエハ１の主面において、ＣＭＰ処理時の研磨量が少ない領域よりも、研磨量が多い領域で、絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように、ウェットエッチングにより絶縁膜１２の膜厚分布を補正してから、絶縁膜１２をＣＭＰ処理して平坦化する。ＣＭＰ処理後の絶縁膜１２の膜厚は周辺部１Ａと中央部１Ｂでほぼ同じになる。 （もっと読む）