【課題】本発明は、パターンの製造方法に関し、特に、レーザーを用いてパターンを製造する方法に関する。
【解決手段】パターンの製造方法は、基板上に金属有機インク層（20）を形成する第1の段階；前記金属有機インク層（20）を半固体状態に硬化させる第2の段階；前記半固体状態の金属有機インク層（20）にレーザー光を照射し、照射された部分が固体状態に硬化されてパターンが形成される第3の段階、および、前記半固体状態の金属有機インク層（20）を除去して、前記パターンだけを残す第4の段階を含む。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチング後の絶縁膜のテーパ角が大きく、かつ、直線的なテーパ形状が確保され、更に、テーパ角の基板面内でのバラツキを抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された絶縁膜２０上にフォトレジストを塗布し、フォトレジストパターン９０を形成するフォトレジストパターン形成工程と、前記フォトレジストパターン９０をマスクとしてウェットエッチングにより前記絶縁膜２０の不要部分を除去する工程と、からなる半導体装置の製造方法において、前記フォトレジストパターン形成工程の前及び／又は後に、前記フォトレジストパターンの有無に応じて、前記絶縁膜２０の表面に形成される損傷領域２１，２２の深さを変化させてイオン注入を行う。 （もっと読む）

【課題】 凹凸構造を形成することに適するような、微細なエッチング用の開口穴が適度に間隔を開けて散在するエッチングマスクを容易に形成する。
【解決手段】 基板１の上に樹脂膜５を形成する樹脂膜形成工程と、前記樹脂膜５の膜厚よりも粒径の大きい粒子９を前記樹脂膜５の上に付着させる付着工程と、付着した前記粒子９を前記基板側に押して前記粒子９の一部が前記樹脂膜５の底面に接するようにする押圧工程と、前記粒子９を除去して前記樹脂膜５に穴を形成する穴形成工程と、を有するエッチングマスクの形成方法とした。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜を剥離する際に、残すべきパターンの剥離や、バリ、ブリッジングなどの不良の発生を抑えて、歩留まり向上させる。
【解決手段】まず、基板１の一方の面にレジスト７１の膜を形成する（ステップＳ１）。次に、レジストが形成された基板上に金属、半導体および絶縁体から選択された薄膜７２を成膜する（ステップＳ２）。次に、薄膜７２が成膜された基板１を加熱する（ステップＳ３）。レジスト７１が付いた基板１をこのように加熱することにより、レジスト７１が軟化、変形し、レジスト７１上に付着した薄膜７２もそれに応じて変形し、薄膜表面には皺ＷやクラックＣが生じる。次に、高圧ジェットリフトオフ装置の高圧ジェットによりレジスト剥離液を吐出させて、レジスト７１の膜とそのレジスト７１上に成膜された薄膜７２を除去する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜のウエットエッチング時に側面のテーパ角を簡易に安定して的確に制御できる汎用性の高いエッチング方法を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング方法は、シリコン基板１上に形成された熱酸化膜であるシリコン酸化膜（被エッチング膜）２上に形成されたフォトレジスト膜３をマスクとして酸化膜２をウエットエッチングする前、レジスト膜３及び酸化膜２に紫外線ＵＶを適量照射して膜間界面の密着性を強化し、ウエットエッチングにおいて、原液（５０ｗｔ％ＨＦ）と原液（４０ｗｔ％ＮＨ₄Ｆ）とを１：２０で混合したエッチング液を用いて酸化膜２の側面のテーパ角θを定める。テーパ角θは、紫外線ＵＶの照射時間に応じて変化する膜間界面の密着性に依存して可変されるため、要求される製品仕様に応じて紫外線ＵＶの照射時間を適度に定めて酸化膜２のテーパ角θを制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストならびに電子素子基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去するための化学的ストリッパー調合物の提供。
【解決手段】脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含むストリッパー調合物。および、電子素子基板に、脱イオン水、カルボン酸、グリコール、グリコールエーテルおよびフッ化物を含む調合物を接触させることによって、そのフォトレジストならびに基板のエッチングおよびアッシングの残留物を除去する方法。 （もっと読む）

【課題】リセスの水平方向寸法の変動を抑え、良好な耐圧安定性を得ることが可能な化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１１上に、第１の開口パターンを有するホトレジスト層１７、および第１の開口パターンより広い第２の開口パターンを有し化合物半導体基板１１に接する密着層１８を形成し、ホトレジスト層１７をマスクとし、密着層１８の端部を水平方向の終点としてウェットエッチングを行い、リセス１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストの硬化やヒビ割れ、開口幅の拡大および下地酸化の少なくとも一つを抑制しつつ、微細パターンのメッキやウエットエッチングを実現する新規な技術を提供する。
【解決手段】下地上にレジスト膜を形成し、その上から選択的に露光および現像を行い、その後メッキ処理またはウエットエッチング処理することを含んでなるパターン形成方法において、メッキ処理またはウエットエッチング処理前に、下地表面を水溶性ポリマーおよび水を少なくとも含んでなる表面処理剤を用いて処理する。 （もっと読む）

【課題】間便に所望の形状のパターンを得ることのできる多層薄膜パターン及び表示装置の製造方法を提供すること
【解決手段】本発明にかかる多層薄膜パターンの製造方法は、基板上に金属膜３を形成する工程と、金属膜３上に第２の透明導電性膜４を形成する工程と、第２の透明導電性膜４上にレジストパターン５を形成する工程と、レジストパターン５を介して第２の透明導電性膜４をエッチングする工程と、有機溶媒もしくはＲＥＬＡＣＳ材料を用いてレジストパターン５を変形させ、第２の透明導電性膜４のエッチング後の端面を覆う工程と、第２の透明導電性膜４の端面がレジストパターン５により覆われた状態で、金属膜３をエッチングする工程と、を有するものである。 （もっと読む）

【課題】洗浄時にＨＦ水溶液が、シリコン基板１とレジスト１１の間から内部に染み込むことを防止する。
【解決手段】表面にアルミ配線４等の回路素子と、これを保護する保護膜６が形成された半導体基板１を洗浄するために、保護膜６を覆うように洗浄用のレジスト１１を形成する。保護膜６を覆うレジスト１１が形成された半導体基板１を、純水１２中に浸漬してこのレジスト１１と半導体基板１の間隙に水分を染み込ませる。更に、レジスト１１との間隙に水分が染み込んだ半導体基板１を高温空気１２中で乾燥させ、この水分の減少で生ずる表面張力によるスティッキング作用で、半導体基板１にレジスト１１を密着させる。そして、レジスト１１が密着した半導体基板１をフッ化水素水溶液で洗浄する。 （もっと読む）

層構造に多段リセスを形成する方法であって、層構造上にフォトレジスト膜を形成する形成工程、リセスの１段目を形成するために、マスクとして使用されるフォトレジスト膜の開口を介して層構造をエッチングする第１エッチング工程（４９、７０）、第１エッチング工程後に、フォトレジスト膜の拡幅された開口を作成するために、フォトレジスト膜の開口を拡幅する拡幅工程、及び多段リセスの２段目を形成するために、フォトレジスト膜の拡幅された開口を介して層構造をエッチングする第２エッチング工程（５８、７２）を有する方法。
（もっと読む）