【課題】微細な穴を有する板状体を処理液に浸漬して行う湿式処理において、穴に気泡が残留することをより十分に抑制し、より均一な湿式処理を実現することが可能な湿式処理方法及び湿式処理装置を提供する。
【解決手段】密閉容器１１内に板状体３を保持した状態で密閉容器１１内を減圧する減圧工程と、減圧工程の後，密閉容器１１内が減圧された状態で密閉容器１１内へ処理液２に溶解可能な溶解性気体８を導入する溶解性気体導入工程と、溶解性気体導入工程の後，密閉容器１１内が溶解性気体８で充満された状態で密閉容器１１内へ処理液２を導入する処理液導入工程とを備えることにより、微細な穴に気泡が残留しない状態で基板３の湿式処理ができるようにしている。 （もっと読む）

【課題】 硫酸を含む窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素のエッチング液を対象とし、前記エッチング液中において生成するケイ素化合物の除去が極めて容易で、工業的プロセスに適し、エッチング液の再生処理経費を低減して、廃液を低減することが可能なエッチング液の再生方法を提供する。
【解決手段】 硫酸、フッ化物及び水を含有するエッチング液で窒化ケイ素及び／又は窒化酸化ケイ素をエッチングした後、このエッチング液を加熱及び／又は減圧して、エッチングにより生じたケイ素化合物を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウェットエッチングにより形成するパターンが微細化した場合であっても「反応生成ガスによる気泡」が半導体ウェハの表面に滞留することを十分に抑制することが可能で、ひいてはウェットエッチングを均一に行うことが可能なウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】エッチング槽１１０中のエッチング液Ｓに半導体ウェハＷを浸漬した状態で、エッチング槽１１０の底部に配置したバブラー１２０から不活性ガスからなる第１の気泡によるバブリングを行ないながら、半導体ウェハＷのウェットエッチングを行うウェットエッチング方法であって、バブラー１２０の気孔近傍における第１の気泡の平均径は、５μｍ〜２００μｍの範囲内にあることを特徴とするウェットエッチング方法。 （もっと読む）

【課題】処理精度及び処理能力を著しく向上できる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板の周縁部の一部が挿入される溝を備えた処理部の該溝内に、被処理基板を挿入して相対的に移動させながら該被処理基板の周縁部を処理する基板処理方法において、前記処理部は、前記溝内に流速３０〜１０００ｍ／ｓｅｃの処理液を含む気体の高速気流を発生させて、該高速気流を相対的に移動する前記被処理基板の周縁部に接触させて処理する。 （もっと読む）

【課題】均質で意図しない不純物の混入のないＩＩＩ−Ｖ族化合物結晶の製造装置および製造方法に適用され得る種結晶表面のエッチング方法を提供する。
【解決手段】本種結晶表面のエッチング方法は、種結晶２を反応室１１内に格納した後、触媒剤６および７６を結晶成長容器１２に導入する工程、反応室１１内を昇温する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】酸素濃度の低減処理を効率的に行うことにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部６７は、基板Ｗに対して処理液による処理を行わせた後、窒素ガスを供給させるとともに、排気ポンプ２８ｂを操作して排気を行わせてチャンバ２７内の酸素濃度を低減させ、所定時間が経過した時点で排気及び不活性ガスの供給を停止させ、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させてチャンバ２７内を溶剤雰囲気にさせた後に乾燥処理を行わせる。窒素ガスでの酸素の追い出しだけでなく、排気ポンプ２８ｂでの気体の排出を併用するので、チャンバ２７内の酸素濃度を急速に低減させることができる。したがって、基板Ｗを乾燥位置へ引き上げるまでの時間を短縮することができ、スループットを向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】加工速度が速く微細加工の可能な液相エッチング装置を提供する。
【解決手段】真空チェンバー１０と、前記真空チェンバー内に備えられ、真空雰囲気で、被処理物３０に化学反応性液体を吹き付けるノズル５０機構を有する液相エッチング装置であって、少なくとも前記ノズル機構が、耐腐食性処理されており、前記耐腐食性処理が、前記ノズル機構の露出部に前記液体に対する腐食耐性を有する物質の薄膜を形成する処理であって、前記処理が、プラズマを用いた表面処理であることを特徴とする液相エッチング装置。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面平滑性を簡易にしかも高レベルに高める。
【解決手段】被加工物１の表面に、被加工物に対して反応性を有する反応性物質２を接触させて、これらを反応させ、被加工物の表面加工を行う表面加工方法において、反応性物質として、被加工物１に対して加熱条件下で反応性を有する反応性物質２（但し、プラズマ照射により活性化された活性種を除く。）を用い、反応性物質２と被加工物１とが反応する温度で、上記反応を実施する。 （もっと読む）

本発明には、ケイ化ニッケルおよびケイ化コバルトをエッチングする方法ならびに導電線を形成する方法が含まれる。一実施形態では、ケイ化ニッケルを含む基板は、その基板からケイ化ニッケルをエッチングするために効果的な、少なくとも５０の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力でＨ_３ＰＯ_４およびＨ_２Ｏを含む流体に曝露される。一実施形態では、ケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方が、基板からケイ化ニッケルまたはケイ化コバルトのうちの少なくとも一方をエッチングするために効果的な、５０以上の温度および３５０トル〜１１００トルの圧力で、Ｈ_２ＳＯ_４、Ｈ_２Ｏ_２、Ｈ_２Ｏ、およびＨＦを含む流体に曝露される。 （もっと読む）

【課題】 排液による大気への連通を抑制することにより、減圧乾燥の効率を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理液供給部１６から処理槽１に処理液を供給し、昇降ユニット７を処理槽１内に移動して基板Ｗを処理液に浸漬させる。その後、昇降ユニット７を処理槽１内から空間ＳＰへ移動して減圧部３１による減圧を行っても、外槽５の排出配管６７には密閉容器６９が設けてあるので、排出配管６７の下流から乾燥位置に気体が流入することが抑制される。したがって、十分に空間ＳＰ内を減圧することができ、減圧乾燥の効率を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の状態によらずに処理液の消費量を抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理対象の基板Ｗは、スピンチャック１によって保持され、密閉可能な処理チャンバ１２内に収容される。処理チャンバ１２内の空間は、排気／吸気路１３、三方弁１４および排気路１６を介して気体吸引機構１７によって、減圧することができる。薬液ノズル２から基板Ｗに薬液を供給して薬液処理工程を行うときには、処理チャンバ１２内は、減圧状態とされる。
【効果】減圧雰囲気中では、基板Ｗの処理液に対する濡れ性が良くなるので、基板Ｗの表面が疎水性表面であっても、少量の薬液でその表面全域を覆うことができる。 （もっと読む）

本発明は、被処理物である固体もしくは固体の集合体あるいはジェル状の物体に、化学反応性液体を所定速度で吹き付けてエッチングする液相エッチング方法と、被処理物を保持する機構と保持された被処理物に化学反応性液体を吹き付ける為のノズル構造を有する液相エッチング装置を提供する。本発明により、エッチングの精度を維持しつつ、エッチング速度を大幅に向上させることが出来る。
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【課題】動的な液体メニスカスを用いたストレスフリーのエッチング処理
【解決手段】パターン形成された半導体基板上の不均一性を平坦化および制御するためのシステムおよび方法は、パターン形成された半導体基板を受け取る工程を備える。パターン形成された半導体基板はパターン内の複数の特徴を導電性配線材料で満たされ、導電性配線材料は過剰部分を有する。過剰部分のバルクは除去され、過剰部分の残りの部分は不均一性を有する。不均一性はマッピングされ、不均一性を補正するために、最適の液体が決定され、動的液体メニスカスエッチング処理レシピが作成される。そして、不均一性を補正して、過剰部分の残りの部分をほぼ平坦化するために、動的液体メニスカスエッチング処理レシピを使用した動的液体メニスカスエッチング処理が実施される。 （もっと読む）