【課題】基板処理装置において、純水が飛散する際に生じるカップ部の帯電による基板の誘導帯電を抑制し、導電性液体の供給開始時における基板上の放電を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、基板９の洗浄および乾燥時において基板９上に供給された純水が周壁部４１１へ飛散する期間の途中から純水の飛散が終了するまでの間、カップ部４１の内部空間４１５の純水がエアに置換されてカップ部４１の静電容量が第１容量から第１容量よりも小さい第２容量とされることにより、カップ部４１の電荷量が小さくされる。そして、次の基板９上に薬液の供給が開始される際に、内部空間４１５に純水が充填されてカップ部４１の静電容量が第１容量とされ、カップ部４１の電位が小さくされる。これにより、カップ部４１の帯電による基板９の誘導帯電を抑制して基板９の表面電位を低くすることができ、導電性の薬液の供給開始時における基板９上の放電が防止される。 （もっと読む）

【課題】硝フッ酸水溶液に対する耐食性に一層優れたＮｉ−Ｃｒ系合金を提供する。
【解決手段】Ｃｒ：４３超〜４７％、Ｍｏ：０．０１〜２％、Ｆｅ：０．０５〜１％、Ｓｉ：０．０１〜０．１％、Ｖ：０．０１〜０．２％、Ｍｇ：０．００１〜０．０５％、Ｎ：０．００１〜０．０４％、Ｍｎ：０．０５〜０．５％を含有し、さらに必要に応じて（イ）Ｃｕ：０．０１〜２％、（ロ）ＡｌおよびＴｉの内の１種または２種を合計で０．０１〜０．２％、（ハ）Ｂ：０．０００５〜０．０１％、上記（イ）〜（ハ）の内の１種または２種以上を含有し、残部がＮｉおよび不可避不純物からなり、不可避不純物として含まれるＣ量を０.０５％以下に調整した組成を有する。 （もっと読む）

【課題】耐薬液性（アルカリ性および酸性のスラリー）を向上させたＳｉＣ焼結体の接合体を提供する。
【解決手段】本ＳｉＣ焼結体の接合体は、Ｂ系焼結助剤を用いたＳｉＣ焼結体同士が、Ｓｉからなる接合部を介して接合され、接合部中のＢ濃度が１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（５００ｐｐｍ）以上、１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【目的】複数枚の半導体ウエハに、同時にそれぞれ貫通トレンチ（溝）を湿式エッチングで形成する際にも、半導体ウエハから半導体チップが分離せず、しかも間単に適切なエッチング終点を検出できる方法の提供。
【構成】エッチング選択性が大のアルカリエッチング溶液を用いて、複数枚のシリコン半導体基板に貫通するトレンチを一括して形成するために、前記基板にガラス基板をそれぞれ貼合せて前記アルカリ溶液に浸漬させ、発生する水素気泡が該基板の貫通時に急減するに伴い液面の揺れが急減する時点を、該液面にレーザー光を入射させ、得られる反射光の強度変化をモニターして検出し、貫通エッチングの終点とすることを特徴とするシリコン半導体基板のエッチング方法とする。 （もっと読む）

超小型電子デバイスへの薄膜の堆積または超小型電子デバイスからの不要な層、パーティクル、および／または残渣の除去のための連続流式超臨界流体（ＳＣＦ）装置および方法。ＳＣＦと他の薬液成分との均一な混合を保証するために、ＳＣＦ装置には動的ミキサが含まれることが好ましい。
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【課題】 処理液の液流をコントロールすることにより、洗浄，エッチング処理の均一性の向上を図れるようにし、また、周辺部の洗浄，エッチング量の向上を図れるようにすること。
【解決手段】 半導体ウエハＷを起立状態に保持するウエハ保持体３０と、ウエハ保持体によって保持されたウエハを収容する処理容器１０と、処理容器内に処理液を供給する処理液供給ノズル４０とを具備し、処理液供給ノズルを、水平方向を軸に回転及び又は揺動可能に形成する。これにより、処理容器内に供給される処理液の液流をコントロールすることができる。 （もっと読む）

被加工物を化学的にエッチングする超音波エッチング装置が開示されている。この装置は、水溶液で少なくとも一部が満たされた外側タンクと、少なくとも一部が外側タンクの内部に配置されかつ上記水溶液と接している内側タンクであって、エッチング溶液で少なくとも一部が満たされた内側タンクと、上記内側タンクの口部に係合した蓋と、上記外側タンクに結合されており、上記内側タンクの中のエッチング溶液へ超音波エネルギーを付与する超音波変換器とを含む。被加工物をエッチングするためにこの装置を使用する方法もまた開示されている。 （もっと読む）