【課題】アルミニウム膜やアルミニウム合金膜などの金属膜を制御性よく、かつ、レジスト滲みの発生を抑制、防止しつつエッチングし、意図するテーパー形状と、優れた平坦性を有する金属膜を得ることができるようにする。
【解決手段】リン酸、硝酸、有機酸塩を含有する水溶液を、基板上の金属膜をエッチングするためのエッチング液組成物として用いる。
前記有機酸塩として、脂肪族モノカルボン酸、脂肪族ポリカルボン酸、脂肪族オキシカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、芳香族ポリカルボン酸、芳香族オキシカルボン酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の、アンモニウム塩、アミン塩、第四級アンモニウム塩、アルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いる。
また、前記有機酸塩の濃度を、０．１〜２０重量％の範囲とする。
また、本発明のエッチング液組成物を、前記金属膜がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合に用いる。 （もっと読む）

【課題】積層構造の金属膜を湿式エッチングする際に、テーパ角度が極端な低角度とならないようにして、断線が生じ難いパターンが得られるエッチング液組成物及びこのエッチング液組成物を使用した基板上に所定のパターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたアルミニウム又はアルミニウム合金膜の表面にモリブデン膜が積層された積層構造の金属膜をエッチングして所定のパターンを形成するためのエッチング液組成物であって、リン酸濃度４０〜７０質量％、硝酸濃度０．５〜１０質量％、酢酸濃度５０〜１５質量％、残部が水からなる。
（もっと読む）

【課題】 高い安定性と工程マージンを保障し、銅を含む金属層を均等にテーパエッチングすることができる優れたエッチング液を提供する。
【解決手段】 本発明は液晶表示装置の回路パターンに使用される銅配線をエッチングするエッチング液組成物に関するものである。本発明のエッチング液組成物は過硫酸アンモニウムとアゾール系化合物を含む。本発明のエッチング液組成物は過酸化水素を含有しないので安定性と工程上マージンを確保することができ、優れたテーパエッチングプロファイルを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【目的】複数枚の半導体ウエハに、同時にそれぞれ貫通トレンチ（溝）を湿式エッチングで形成する際にも、半導体ウエハから半導体チップが分離せず、しかも間単に適切なエッチング終点を検出できる方法の提供。
【構成】エッチング選択性が大のアルカリエッチング溶液を用いて、複数枚のシリコン半導体基板に貫通するトレンチを一括して形成するために、前記基板にガラス基板をそれぞれ貼合せて前記アルカリ溶液に浸漬させ、発生する水素気泡が該基板の貫通時に急減するに伴い液面の揺れが急減する時点を、該液面にレーザー光を入射させ、得られる反射光の強度変化をモニターして検出し、貫通エッチングの終点とすることを特徴とするシリコン半導体基板のエッチング方法とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板の異方性エッチングにより形成されるマイクロミラーを有する半導体装置の製造方法において、簡易な製造プロセスにより高品質のマイクロミラー形成を実現する。
【解決手段】半導体基板１０１の異方性エッチングを行う際のエッチングマスクとして、シリコン酸化膜等の膜よりも異方性エッチング液に対するエッチング耐性の優れる常温形成のＴｉＮ膜１０２を用いる。異方性エッチングマスクのパターン精度が向上するため、マイクロミラー形成の精度も向上し、より平坦性の高いマイクロミラーが形成可能となる。ＴｉＮ膜１０２は、異方性エッチング後の除去を容易に行うことが可能なため、異方性エッチング後にひさし状に残るエッチングマスク除去のための工程を追加する必要がなく、製造工程の増加を招くことなく高品位のマイクロミラー形成が実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】
特定の素子に最適な性能を提供する、異なる表面配向（すなわちハイブリッド表面配向）を有する半導体基板を提供すること。
【解決手段】
本発明は、少なくとも第１および第２の素子領域を備える半導体基板に関し、第１の素子領域は等価結晶面の第１のセットに沿って配向された内部表面を有する第１の凹部を備え、第２の素子領域は等価結晶面の第２の異なるセットに沿って配向された内部表面を有する第２の凹部を備える。半導体素子構造は、こうした半導体基板を使用して形成することができる。具体的に言えば、少なくとも１つのｎチャネル電界効果トランジスタ（ｎ−ＦＥＴ）を、第１の凹部の内部表面に沿って延在するチャネルを備えた、第１の素子領域に形成することが可能である。少なくとも１つのｐチャネル電界効果トランジスタ（ｐ−ＦＥＴ）を、第２の凹部の内部表面に沿って延在するチャネルを備えた、第２の素子領域に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】高オン抵抗化またはゲート電圧の高しきい値化とはならないトレンチＭＯＳ型半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】（１００）面を主面とするシリコン基板に、該シリコン基板の主面に垂直な｛１００｝面の側壁と｛１１１｝面の傾斜とを備えるトレンチと、該トレンチの前記側壁に形成されるゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜より厚い、前記傾斜に形成される絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜および傾斜絶縁膜上に沿って形成され、前記傾斜絶縁膜上に端部が位置するゲート電極と、前記トレンチ下側のシリコン基板面に配置され端部が前記ゲート絶縁膜に当接するドレイン領域と、前記トレンチに隣接する前記シリコン基板主面に形成されるソース領域と、を備えるＭＯＳ型半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

側面シリコン反射鏡を採用して側面に出射された光を効果的に利用できる側面反射鏡を利用したシリコン発光素子を提供する。該シリコン発光素子は、複数の溝が形成されたｐ型シリコン基板；基板上の溝に形成された活性層、ｎ型ドーピング層及び透明電極層を具備する発光素子層；ｐ型シリコン基板の下部に形成された下部メタル電極及び発光素子層の上部に形成された上部メタル電極を具備するメタル電極を備え、溝の側面は、発光素子層と離隔されて反射鏡として利用される。
（もっと読む）

【目的】半導体ウエハを貫通するトレンチ（溝）を湿式エッチングで形成する際にも、半導体ウエハから半導体チップが分離せず、しかも間単に適切なエッチング終点を検出できる方法およびその終点検出方法を用いてウエハをトレンチエッチングするプロセスを有する半導体装置の製造方法を提供する。
【構成】透明な支持基板に張り合わせた半導体ウエハからなる被エッチング基板の、少なくとも一枚の前記被エッチング基板の一面側に光源用部品を、他面側に受光部用部品を配置した状態でエッチング槽に浸漬し、トレンチエッチングしながら、形成されたトレンチを経由する前記光源からの透過光量を前記受光部にて測定し、前記形トレンチの貫通前後に変化する透過光量変化を検知して湿式異方性エッチングにおける終点検出方法とする。 （もっと読む）

【課題】エッチング槽中でシリコン基板を異方性エッチングして構造物を形成する際に行う異方性エッチングのエッチングレートを安定化し、得られる構造物の開口幅のばらつきを抑制する方法を提供すること。また、良好な吐出特性を有するインクジェット記録ヘッドの製造方法を提供すること。
【解決手段】エッチング槽２中に存在するエッチング液の、ＰＨ電極１０により測定される電位差を一定にする制御を行う。また、この方法を利用してインクジェット記録ヘッドのインク供給口を形成する。 （もっと読む）

【課題】平坦性と形状均一性に優れた４５度反射面を持つ受発光デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜１０１をマスクとして、シリコン基板１００をイオン系界面活性剤が添加したアルカリ溶液を用いたウエットエッチングによって、（１００）面を底面とした（１１０）面からなる４５°の角度を持った斜面を凹部１０７に形成する。凹部１０７における一方向側の側壁は、半導体レーザ素子１０から出射されたレーザ光を装置の上方に反射するための反射面２０に相当する。このとき、エッチング液にはイオン系界面活性剤が添加されたアルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】電流ブロック層にボイドが発生することを防止して、良好なレーザ特性を有する半導体レーザ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２上にクラッド層３と、活性層４と、第１のクラッド層５と、第２のクラッド層７からなるリッジ部８と、キャップ層９とが順次積層され、更に、第１のクラッド層５上にあって、リッジ部８及びキャップ層９を挟持する電流ブロック層１０と、キャップ層９及び電流ブロック層１０上に形成されたコンタクト層１２を有し、キャップ層９の上部の幅をＷ₁、キャップ層９の下部の幅をＷ₂、リッジ部８の上部の幅をＷ₃とするとき、Ｗ₁＞Ｗ₂＝Ｗ₃の関係を満たす構成とする。 （もっと読む）

【課題】光源の反射面として用いられる、優れた表面平滑度を有する半導体基板の４５度面を形成するための方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する方法が以下のステップを含んでいる。まず、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な上面を有する半導体基板を用意する。次に、エッチング窓を有するエッチングマスクを、｛１００｝面又は｛１１０｝面と結晶学的に等価な面に形成する。エッチング窓は、半導体基板の＜１００＞方向又は＜１１０＞方向と結晶学的に等価な方向に対してある傾斜角度をなす向きの側壁を有する。傾斜角度は、０度より大きくて９０度より小さく、且つ４５度に等しくない。その後、エッチング窓を用いて選択的な異方性エッチング処理を行い、半導体基板に｛１１０｝面又は｛１００｝面と結晶学的に等価な面を形成する。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコンをエッチングにより微細加工するに際して、フォトレジスト処理、遠紫外線の照射作業、酸化処理等を必要とせずに、任意の形状で且つ任意の高さの微細構造物を製作可能な微細構造作製方法を得る。
【解決手段】 単結晶シリコン材料をエッチング液に浸した状態で、表面に摩擦力顕微鏡の機構を用いて所定形状の微細機械加工を施し、任意のタイミングで任意の領域にマスクパターンを形成することで、エッチングマスクを形成する時間差を利用して、微細構造の高さを調節することができる。また、微細機械加工時の垂直荷重、或いは微細機械加工時の送り量、或いは重複加工回数を任意に選択することにより、エッチングマスクの強度を変化させて、形成される微細パターンの高さを調節することができる。 （もっと読む）