【課題】結晶成長用基板に形成した半導体結晶層を転写先基板に転写する場合の犠牲層のエッチング速度を高める。
【解決手段】半導体結晶層形成基板の上に犠牲層および半導体結晶層を順に形成するステップと、犠牲層の一部が露出するように半導体結晶層をエッチングし、半導体結晶層を複数の分割体に分割するステップと、転写先基板に接することとなる半導体結晶層形成基板側の第１表面と、第１表面に接することとなる転写先基板側の第２表面と、が向かい合うように、半導体結晶層形成基板と転写先基板とを貼り合わせるステップと、半導体結晶層形成基板および転写先基板をエッチング液に浸漬して犠牲層をエッチングし、半導体結晶層を転写先基板側に残した状態で、転写先基板と半導体結晶層形成基板とを分離するステップと、を有し、前記半導体結晶層が、Ｇｅ_ｘＳｉ_１−ｘ（０＜ｘ≦１）からなる、複合基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】耐圧特性を十分に維持しながら放熱特性を向上させることが可能な埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法等を提供する。
【解決手段】埋め込みヘテロ構造半導体レーザの製造方法は、半導体基板１上に半導体積層９とマスク層１１を形成する工程と、マスク層１１を用いて半導体構造物１０をエッチングすることにより、第１方向に沿って延びる半導体メサ１５であって、第１方向と直交する第２方向において被エッチング領域１７と隣接する半導体メサ１５を形成する工程と、マスク層１１を半導体メサ１５上に残した状態で、被エッチング領域１７の第１領域１７Ａ１のみに埋め込み層１９Ａを形成する工程と、上部電極２５を形成する工程と、を備える。上部電極２５は、半導体メサ１５の上面１５Ｔから被エッチング領域１７の第２領域１７Ａ２に亘って形成されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バットジョイント構造を構成する第１及び第２の半導体積層部上に成長する半導体層に生じる結晶欠陥を低減する。
【解決手段】エッチングマスク３０を用いて第１の半導体積層部２０にエッチングを施す工程と、Ａｌを含む光吸収層４２、及び光吸収層４２上に設けられるＩｎＰクラッド層４４を有する第２の半導体積層部４０を、エッチングマスク３０を用いて選択的に成長させる第１の再成長工程と、エッチングマスク３０を除去するマスク除去工程と、第１及び第２の半導体積層部２０，４０上に第３の半導体積層部を成長させる第２の再成長工程とを行う。第１の再成長工程において、ＩｎＰに対してエッチング選択性を有するＩｎＰ系化合物半導体を含むキャップ層４６を第２の半導体積層部４０上に更に成長させる。マスク除去工程の前に、エッチングマスク３０上に生じたＩｎＰ系堆積物Ｄｅを除去する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させ、半導体装置の製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体基板１の主面に酸化膜として絶縁膜２を形成し、絶縁膜２上に窒化シリコン膜を形成してから、素子分離用の溝４ａをプラズマドライエッチングにより形成し、溝４ａを埋めるように酸化シリコンからなる絶縁膜６をＨＤＰ−ＣＶＤ法で形成し、ＣＭＰ処理により溝４ａの外部の絶縁膜６を除去し、溝４ａ内に絶縁膜６を残す。それから、窒化シリコン膜を除去する。その後、絶縁膜２をウェットエッチングで除去して半導体基板１を露出させるが、この際、半導体基板１の主面に１４０ルクス以上の光を当てながら絶縁膜２をウェットエッチングする。 （もっと読む）

【課題】ＤＨＦ処理後に実施されるＨＰＭ処理またはＡＰＭ処理を、良好に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、槽内で、シリコン基板を含むウエハを希フッ酸処理する工程と、槽内に水を導入して、槽内から希フッ酸を排出する工程と、槽内から希フッ酸が排出された後、温水の導入時点が、Ｈ_２Ｏ_２の導入時点と同時かＨ_２Ｏ_２の導入時点よりも遅くなるように、槽内に、Ｈ_２Ｏ_２と、上記水よりも温度の高い温水とを導入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】放熱効率の高い発光ダイオードを低コストで製造する。
【解決手段】半導体層２０等がチップ間で分離された状態で金属板７０のウェットエッチングを行う（金属板切断工程）。このエッチングに際しては、放熱板３０の材料に応じたエッチング液を用いることができる。また、このウェットエッチングの際にフォトレジスト層５０が残存するような設定とされる。これにより、ダイシングシート１００上で放熱板３０も発光ダイオードチップ毎に分離され、図４（ｊ）の形態が得られる。分離後にフォトレジスト層５０を剥離液で除去することにより、最終的に図４（ｋ）のように、分離された個々の発光ダイオード１０が得られる。この製造方法において、最終的なチップの分離は、図４（ｊ）に示されるウェットエッチングにより行われる。 （もっと読む）

【課題】
半導体膜をパターニングする際に行われるウェットエッチングに対して十分な耐性を有するマスクを形成することにより、半導体膜のパターニングを適切に行うことができる半導体発光装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
成長用基板の上に半導体膜を形成する。半導体膜の表面である−Ｃ面に凹凸を形成する。銀または銀を９０％以上含む合金からなり、半導体膜の凹凸面の一部を覆う金属膜を形成する。金属膜から露出した半導体膜の少なくとも一部をウェットエッチングにより除去する。半導体膜の凹凸の深さ寸法は、前記金属膜の厚さよりも大きく設定する。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体層を有する半導体装置を低コストで製造する。
【解決手段】基板上に第１の窒化物半導体の犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記犠牲層上に第２の窒化物半導体層を形成し、前記第２の窒化物半導体層上に窒化物半導体層を積層した積層窒化物半導体層を形成する積層半導体形成工程と、前記犠牲層の表面が露出するまで、前記第２の窒化物半導体層及び前記積層窒化物半導体層をエッチングすることによりトレンチを形成し、前記トレンチ及び前記積層窒化物半導体層表面に接続電極を形成する接続電極形成工程と、前記接続電極の形成された前記基板を電解液に浸漬させ、前記電解液に対し前記接続電極に電位を印加し、前記犠牲層を除去し前記基板を剥離する犠牲層除去工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

ここに、半導体装置の形成方法が提供された。ある実施の形態において、半導体装置の形成方法は、酸化物表面とシリコン表面とを有する基板を用意し、酸化物表面およびシリコン表面の双方の露出面に窒素含有層を形成し、酸化物表面上から窒素含有層を選択的に除去することによって窒素含有層を酸化する工程を有する。別の実施の形態において、シリコン特徴部上に形成された窒素含有層の残余部分上に酸化物層が形成される。また、ある実施の形態において、酸化物表面が半導体装置の１つまたはそれ以上のフローティングゲートに隣接して配置されている浅いトレンチ分離領域（ＳＴＩ）の露出した表面である。ある実施の形態において、シリコン表面は、半導体装置のシリコンまたはポリシリコンのフローティングゲートの露出面である。
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【課題】多結晶シリコン膜上に成膜されたシリコンナイトライド膜を除去する際に、多結晶シリコン膜にシリコンダストが付着することを防止する。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上にゲート絶縁膜４、多結晶シリコン膜５、親水性を有する膜２２、シリコンナイトライド膜２３およびシリコン酸化膜２４を積層形成し、シリコン酸化膜２４とシリコンナイトライド膜２３と親水性を有する膜２２を加工し、シリコン酸化膜をマスクにして多結晶シリコン膜５を加工し、シリコン酸化膜をマスクにしてゲート絶縁膜４およびシリコン基板１を加工して素子分離溝２０を形成し、素子分離溝２０内に素子分離絶縁膜２１を埋め込み、ウエットエッチングによりシリコンナイトライド膜２３を除去することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溝部形成にマスクとして用いたＳｉＯ_２膜を除去する際に用いられた薬液が、溝部が疎水性であるとはじかれてしまい、はじかれた薬液が溝部で囲まれた領域において空気を抱え込み気泡が発生するという現象があり、これをなくす溝部形成方法を提供する。
【解決手段】マスクを用いて、シリコン基板１０１にドライエッチングにより溝部１０６を形成し、その疎水性の溝部１０６の内部に親水化処理を行った後に、溝部形成にマスクとして用いたＳｉＯ_２膜１０４をウェット処理により除去する。 （もっと読む）

【課題】 ＺｎＯ系半導体構造の新たなウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】
ａ）表面が＋Ｃ面のＺｎＯ系半導体構造を準備する工程と、ｂ）ＺｎＯ系半導体構造の表面を、フッ化アンモニウムとフッ化水素酸との混合溶液でエッチングする工程と、ｃ）工程ｂ）の後に、ＺｎＯ系半導体構造の表面を、塩酸と硝酸の混合溶液でエッチングする工程とを含む方法で半導体構造を加工する。 （もっと読む）

【課題】 半導体層と基板をエッチングで分離する効率を高め、かつプロセスにかかる費用を抑えることができる、基板構造体を除去する方法の提供。
【解決手段】 本発明の基板構造体を除去する方法は、基板上にフォトリソグラフィーエッチング方式で複数の柱状体を製作し、前記複数の柱状体上にＩＩＩ族窒化物半導体層を成長させ、化学エッチング方式で複数の柱状体をエッチングし、前記ＩＩＩ族窒化物半導体層と前記基板を分離する。 （もっと読む）

電子デバイスを形成する方法は、基材、ディファレンシャルエッチング層、及び半導体層を含むワークピースのある面上に金属層を形成する工程を含むことができる。ディファレンシャルエッチング層は基材と半導体層の間に位置することができ、半導体層はワークピースのある面に沿って位置することができる。本方法は、基材と半導体層の間からディファレンシャルエッチング層の少なくとも大部分を選択的に除去する工程、及び基材から半導体層と金属層を分離する工程をさらに含むことができる。選択的な除去は、ウェットエッチング、ドライエッチング、又は電気化学的な技術を用いて実施することができる。特定の実施形態では、金属層のメッキ及びディファレンシャルエッチング層の選択的な除去に同じメッキ浴を使用してもよい。
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【課題】所望の深さを有し幅の狭い凹部を半導体基板に安定して形成することが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板１０の一部に酸素イオン注入を行うことで第１酸素含有領域２４を形成する工程と、半導体基板１０に熱処理を行い、第１酸素含有領域２４に含まれる酸素を用いて第１酸素含有領域２４を酸化させることで、第１酸素含有領域２４を第１酸化領域２６とする工程と、第１酸化領域２６を除去することで半導体基板１０に凹部１６を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】リッジ部の加工精度を改善でき、したがってキンクの発生を十分に抑制でき高出力動作が可能な半導体レーザ素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体レーザ素子の製造方法では、エッチングモニタ用開口部１１７で反射する光の反射干渉波形をモニタし、エッチングマーカ層１１０を利用してドライエッチング工程の終点を検出し、ドライエッチングを停止しているので、従来の時間制御法に比べて、より深くまで精度良くドライエッチングを続けることができる。さらに、このドライエッチング工程に続くウエットエッチング工程において、エッチングストップ層１０８を利用してウエットエッチングを行うので、リッジ部１２０の高さを精密に制御できると共に、等方的に進むウエットエッチングの時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】表面準位が形成されている素子であっても、表面準位を安定化させて、表面リークを抑制し、高周波動作の応答性も向上させたＧａＮ系半導体素子を提供する。
【解決手段】サファイア基板１上にＧａＮバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ型ＧａＮドレイン層４、ｐ型ＧａＮチャネル層５が積層されており、ｐ型ＧａＮチャネル層５の上には、ｎ型ＧａＮソース層６が形成されている。リッジ部Ａ側面の傾斜面にゲート絶縁膜７が形成され、ゲート絶縁膜７上に積層されている。ドレイン電極１０とソース電極９が形成された半導体表面及びゲート絶縁膜７で被覆されている半導体表面とを除く露出した半導体表面に、その露出した半導体表面がすべて覆われるように絶縁膜１１が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体要素、これを備えた有機発光ディスプレイ装置及び該半導体要素の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を提供する段階と、連続的な有機半導体層を基板上に形成する段階と、溶媒を連続的な有機半導体層上に第２領域内に適用することによって、第２領域内に位置した有機半導体物質を溶解させて連続的な有機半導体層から除去する段階とを含む、費用面において効果的でありつつ、パターニングされた半導体領域が高いレベルの均一度を有する構造体を実現できる有機半導体物質のパターニングされた構造体を有する基板を備える半導体要素の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の材料膜を介して第２の材料膜を形成する膜形成工程と、前記第２の材料膜を所定のパターンにするパターン化工程と、所定のパターンにされた前記第２の材料膜の幅をエッチングにより細めるスリミング工程と、前記第１の材料膜をエッチングして、幅を細めた前記第２の材料膜のパターンを前記第１の材料膜に転写する第１の材料膜エッチング工程と、エッチングされた前記第１の材料膜の幅を測定する測定工程と、測定した前記第１の材料膜の幅に基づき、前記第１の材料膜の幅を所定の幅にする寸法調整工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、シリコン表面および層、ならびに適切なシリコン化合物から形成されているガラス状表面における極めて微細な線または構造の全面または選択エッチングに適しているエッチングペーストの形の粒子含有エッチング媒体に関する。本発明はまた、このタイプの表面をエッチングする方法における、本発明によるペーストの使用にも関する。 （もっと読む）