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Fターム[5F044BB09]の内容

ボンディング (23,044) | ワイヤボンディング装置 (410) | ワイヤボール形成 (62)

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【課題】小型で精密かつ均一な形状のボールを速やかに形成し、ワイヤのループ高を最小化すると共に、ワイヤボンディング用の各種消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約可能にする半導体パッケージのワイヤボンディングシステムを提供する。
【解決手段】ワイヤをボール形成位置に供給するワイヤ供給装置100と、二酸化炭素レーザビームを少なくとも1本以上出力するレーザビーム出力装置10と、レーザビーム出力装置から出力されるレーザビームをボール形成位置に案内するレーザビーム案内装置20と、を含む。これにより、ボールの成形性と生産性とを向上し、ワイヤの物性変性を最小化して、ワイヤのループ高を最小化し、消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約する。 (もっと読む)


【課題】酸化されやすい導電性ワイヤを使用して初期ボールを形成し、この初期ボールをパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する技術において、初期ボールの形状不良を抑制することによりパッドへのダメージを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】ボール形成ユニットBFUに酸化防止ガスを排出するガス排出部GOPを設け、このガス排出部GOPによる排出経路を、酸化防止ガスがボール形成部BFPに導入される方向とは異なる方向に設ける。これにより、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部BFPの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。 (もっと読む)


【課題】アルミスプラッシュ及びアルミ剥がれ不良を抑制し、狭パッドピッチ化を実現するワイヤボンデ工法を提供する。
【解決手段】半導体素子8上の所定の領域に、回路領域と電気接続され、ボンディン領域となるアルミ電極6が配置されている。前記アルミ電極6の銅ワイヤ接続領域下層またはその周辺に、アルミ電極6に覆われるように層間膜13を形成することにより、アルミ剥がれ不良を低減させ、かつアルミスプラッシュを抑制することで、狭パッドピッチ化への対応が可能となる。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも1つの目標ボンディング制御値を選択する工程300と、アルゴリズムおよび前記少なくとも1つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程302と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程304と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも1つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも1つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程306と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも1つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも1つのボンディング調整値を調節する工程310とを含む。 (もっと読む)


【課題】ワイヤを高温に維持したまま、安定な超音波振動を容易に供給できるワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】ホーン3は振動素子部2が発生した超音波振動を端部3bに取り付けられたキャピラリ6に伝播する。ホーン3は、キャピラリ6の近傍付近の端部3bの内部にヒータ制御部4の制御に基づいて内部からホーン3を過熱するヒータ3aを備える。ヒータ3aは、棒状のホーン3の幅方向の断面に対して、その断面を覆うように形成される。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディング時にパッド側の構造へダメージが発生することを抑制することのできるワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】4はCuワイヤ、5は溶融したAu、6はキャピラリ、7は加熱るつぼ、8はFAB(Free Air Ball)である。キャピラリ6先端から0.5mmだけCuワイヤ(直径25μm)を突出させ、1100℃に加熱された加熱るつぼの中の液体化したAuに、Cuワイヤの先端を50μmだけ、0.2s浸漬する。先端部に直径50μmのFAB8が形成され、これを用いて半導体装置(不図示)の電極パッド(不図示)へワイヤボンドを行う。ワイヤ先端がワイヤよりも低融点かつ低硬度の導電性材料で被覆されていることで、当該ワイヤ先端をパッドにボンディングするとき低ストレスなワイヤボンドが可能となる。 (もっと読む)


【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ12の先端に形成されたボール14の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第1の凹凸16を形成する。次に、ボール14を第1の電極20に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ12を第1の電極20にボンディングする。ここで、第1の凹凸16が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 (もっと読む)


【課題】Cuよりなるワイヤを被接合用ランドにワイヤボンディングするにあたって、一般的なワイヤボンディング装置を用いて、より低温で接合を行えるようにする。
【解決手段】被接合用ランドである1次ボンディングランドとは別部位に、メタライズ層51の上にAuメッキ層52を形成してなるダミーランド50を配置しておき、イニシャルボール41を形成する前に、ワイヤ40の引き出し部40aをダミーランド50のAuメッキ層52に押し付けて離脱させることで、Auメッキ層52を剥離させて、引き出し部40aの先端部に付着させ、次に、Auが付着したワイヤ40の引き出し部40aに対して放電を行って溶融させることで、先端部側がAuよりなるイニシャルボール41を形成し、続いて、そのボール41の先端部側を、1次ボンディングランドに押し当てて1次ボンディングを行う。 (もっと読む)


【解決手段】 導電性バンプを形成する方法が提供される。この方法は、(1)ボンディングボールを形成するボンディングツールを使用して、ボンディング位置にフリーエアボールをボンディングする工程と、(2)ワイヤクランプが開いた状態で、前記ボンディングボールに接続するワイヤを繰り出しながら、前記ボンディングツールを望ましい高さまで上昇させる工程と、(3)前記ワイヤクランプを閉じる工程と、(4)前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを平滑化に適した高さまで下降させる工程と、(5)前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを使用して前記ボンディングボールの上面を平滑化させる工程と、(6)前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを上昇させ、前記ボンディングツールと係合するワイヤから前記ボンディングボールを分離させる工程とを含む。
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【課題】ボンディングする際に半導体装置に与えるダメージを低減する。
【解決手段】銅ワイヤ11のテールに球状のFAB13を形成すると、FAB13をアルミパッド16にボンディングさせる前に、FAB13に荷重を加えて、アルミパッド16に押圧される押圧面13aを平面状に変形させる。その後、FAB13をアルミパッド16に押圧させると、FAB13に荷重及び超音波振動を印加してFAB13をアルミパッド16に固着させ、アルミパッド16に固着された銅ワイヤ11をループ形成して、銅ワイヤ11をリード18に固着させる。このように、FAB13の押圧面13aを平面状に変形させてからアルミパッド16へのボンディングを行うことで、アルミパッド16及び半導体装置15に与える負荷を低減させることができる。 (もっと読む)


【課題】複数の半導体チップを階段状に積層するにあたって、上段側の半導体チップのオフセット量を低減し、デバイスサイズの小型化等を図る。
【解決手段】半導体デバイス1は接続パッドを有する配線基板2を備える。配線基板2上には第1の半導体チップ7Aが搭載される。第1の半導体チップ7A上には第2の半導体チップ7Bが階段状に積層される。第1の半導体チップ7Aの電極パッド10Aは第1の金属ワイヤ12Aを介して配線基板2の接続パッド5と電気的に接続される。第2の半導体チップ7Bの電極パッドは第2の金属ワイヤ12Bを介して第1の半導体チップ7Aの電極パッド10Aと電気的に接続される。第2の金属ワイヤ12Bの第1の端部は第1の電極パッド10A上に形成された金属バンプ15に対して上方からボール接続される。 (もっと読む)


【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド13に接合させて圧着ボール23とボールネック25とを形成した後、キャピラリ41を上昇させ、続いてリードと反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部43でボールネック25を踏み付ける。その後キャピラリ41を上昇させ、キャピラリ41のフェイス部43がボールネック25の上に来るまでキャピラリ41をリードに向かって移動させてリード17に向かってワイヤ21を折り返し、その後キャピラリ41を降下させて踏み付けられたボールネック25の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ41で押し付け、キャピラリ41をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ21をリードに圧着させて接合する半導体装置。 (もっと読む)


【課題】ワイヤ径の2倍以下のループ高さを有する低ループ形成を可能とすると共に、その低ループ形状においても十分なワイヤの引張強度を確保することが可能なワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】第1ボンディング点に圧着ボール37形成後に前記キャピラリ3が上昇し、上昇後に前記キャピラリ3が第2ボンディング点側に移動して、前記圧着ボール37の上部の側面を押圧して、前記圧着ボールの頭頂部38の第2ボンディング点側に前記圧着ボールの膨出部41を形成し、前記圧着ボールの膨出部41を形成後に前記キャピラリ3が上昇し、上昇後に前記キャピラリ3が第2ボンディング点側に移動しながら下降して前記膨出部41を押圧して前記圧着ボールの頭頂部38から水平方向にワイヤを引き出すためのワイヤ引出部39を形成するようにする。 (もっと読む)


【課題】従来のワイヤーボンディングの工程でも使用でき、ボンディングワイヤーの強度、導電性能を落とすことなく、LSIのパッド形状にあわせることができるボンディングワイヤーを提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤー110は、内層部111と内層部111を覆う外層部112とから構成される多層構造型のボンディングワイヤーであり、内層部111と外層部112とが、導電性の材料で構成され、かつボンディングワイヤー110の先端部において外層部112に対して軸心方向に内層部111が引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである。 (もっと読む)


【課題】ホールボンディングにおいて、ボール圧着厚さを正確に測定することは、接合強度を所望の値に設定する上で重要である。しかし、ボールの微細化により圧着されたボール周辺部の比較的平坦な部分が狭小化しており、従来のように、ボール周辺部の比較的平坦な部分の画像を見て、ボール圧着厚さを測定することが、ますます困難となってきている。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造工程において、ボール圧着厚を計測するに当たり、あらかじめキャピラリ先端の内部面取り部外周の径をデータとして格納して置き、そのデータを参照して、キャピラリ先端の内部面取り部外周に対応するボール部分の高さを測定するものである。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤボンディング工程時に、リードフレームの酸化防止剤膜が剥がれ、樹脂との密着性が悪化する課題があった。
【解決手段】 行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成され、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングし、前記集合ブロック内でワイヤボンディングを一括して行う半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえながら一括してワイヤボンディングする際、前記集合ブロックに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止する。 (もっと読む)


【課題】ボンディング装置において、ボンディング処理中にボンディング対象及びワイヤ双方の表面処理を効果的に行う。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で、キャピラリ17に挿通したワイヤ18によってパッド又は電極にワイヤ18のボンディングを行うボンディング処理部100と、不活性ガス雰囲気中で、ボンディング中にパッド又は電極とキャピラリ17先端のイニシャルボール19にプラズマ化したガスを照射してパッド又は電極とイニシャルボール19との表面処理を行う2本のプラズマトーチを備える。プラズマトーチ20は、基板41と半導体チップ42のボンディング面に対して傾斜して配置され、パッド又は電極とボンディングツール先端のイニシャルボール19に同時にプラズマを照射する。 (もっと読む)


【課題】ボンディング装置10において、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。
【解決手段】内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ12と、チャンバ12に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ12内に置かれた基板41と半導体チップ42に照射してパッドと電極の表面処理を行う第1のプラズマトーチ20と、チャンバ12に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ12内に位置するキャピラリ17先端のイニシャルボール19又はワイヤ18に照射してイニシャルボール19又はワイヤ18の表面処理を行う第2のプラズマトーチ30と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール19、ワイヤ18をチャンバ12内でボンディングするボンディング処理部100を備える。 (もっと読む)


【課題】ワイヤボンディングに要する時間の短縮化ができるワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】キャピラリ1として、ワイヤ20を送り出す方向に直角な方向において、貫通孔先端12から離間し、かつ、送り出されたワイヤ2の先端21を捕捉できる捕捉部13、を有するものを用い、ワイヤ20をキャピラリ1から送り出した後に、送り出されたワイヤ2の先端21を捕捉部13に捕捉させるように、送り出されたワイヤ2を変形する工程と、貫通孔先端12がパッド43bに、捕捉部13が電極43aに、それぞれ正対するように、キャピラリ1をパッド43b、電極43aに接近させた状態で、ワイヤ20の先端21を電極43aに接合するとともに、ワイヤ20のうち貫通孔先端12とパッド43bとに挟まれた中間部22を、パッド43bに接合し、かつ切断する工程と、を有するワイヤボンディング方法。 (もっと読む)


【課題】高周波特性を重視する回路に接続される電極パッドの寄生容量の増大を抑える。
【解決手段】半導体チップ100は、複数の内部回路と、外縁近傍に設けられ、それぞれ複数の内部回路のいずれかに電気的に接続された複数の電極パッドとを含む。複数の電極パッドは、プローブが接するためのプローブ用領域104と、プローブ用領域104とは異なる位置に設けられ、ワイヤ108をボンディングするためのボンディング用領域とを含む長パッド102と、ボンディング用領域を含むがプローブ用領域を含まない構成とすることにより長パッド102よりもパッド面積が小さく形成された高周波信号を入出力する高周波用の小パッド110とを含む。 (もっと読む)


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