【課題】小型で精密かつ均一な形状のボールを速やかに形成し、ワイヤのループ高を最小化すると共に、ワイヤボンディング用の各種消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約可能にする半導体パッケージのワイヤボンディングシステムを提供する。
【解決手段】ワイヤをボール形成位置に供給するワイヤ供給装置１００と、二酸化炭素レーザビームを少なくとも１本以上出力するレーザビーム出力装置１０と、レーザビーム出力装置から出力されるレーザビームをボール形成位置に案内するレーザビーム案内装置２０と、を含む。これにより、ボールの成形性と生産性とを向上し、ワイヤの物性変性を最小化して、ワイヤのループ高を最小化し、消耗部品の取替え費用及び取替え時間を節約する。 （もっと読む）

【課題】酸化されやすい導電性ワイヤを使用して初期ボールを形成し、この初期ボールをパッド上に押し付けて圧着ボールを形成する技術において、初期ボールの形状不良を抑制することによりパッドへのダメージを低減することができる技術を提供する。
【解決手段】ボール形成ユニットＢＦＵに酸化防止ガスを排出するガス排出部ＧＯＰを設け、このガス排出部ＧＯＰによる排出経路を、酸化防止ガスがボール形成部ＢＦＰに導入される方向とは異なる方向に設ける。これにより、酸化防止ガスを排出する領域を増加させることができるので、ボール形成部ＢＦＰの一側面側から供給されるガス流が、対向する他方の側面でガス流が反射して乱流を形成してしまうことを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】アルミスプラッシュ及びアルミ剥がれ不良を抑制し、狭パッドピッチ化を実現するワイヤボンデ工法を提供する。
【解決手段】半導体素子８上の所定の領域に、回路領域と電気接続され、ボンディン領域となるアルミ電極６が配置されている。前記アルミ電極６の銅ワイヤ接続領域下層またはその周辺に、アルミ電極６に覆われるように層間膜１３を形成することにより、アルミ剥がれ不良を低減させ、かつアルミスプラッシュを抑制することで、狭パッドピッチ化への対応が可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングマシンを使用してワイヤボンドを形成する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの目標ボンディング制御値を選択する工程３００と、アルゴリズムおよび前記少なくとも１つの目標ボンディング制御値を使用して、ワイヤボンドを形成するためのボンディングパラメータを生成する工程３０２と、前記生成されたボンディングパラメータを使用して、ワイヤボンドを形成する工程３０４と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値の所定の許容範囲以内であるかを決定する工程３０６と、前記形成されたワイヤボンドの前記少なくとも１つの選択された目標ボンディング制御値が前記所定の許容範囲以内でない場合、少なくとも１つのボンディング調整値を調節する工程３１０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ワイヤを高温に維持したまま、安定な超音波振動を容易に供給できるワイヤボンディング装置を提供する。
【解決手段】ホーン３は振動素子部２が発生した超音波振動を端部３ｂに取り付けられたキャピラリ６に伝播する。ホーン３は、キャピラリ６の近傍付近の端部３ｂの内部にヒータ制御部４の制御に基づいて内部からホーン３を過熱するヒータ３ａを備える。ヒータ３ａは、棒状のホーン３の幅方向の断面に対して、その断面を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング時にパッド側の構造へダメージが発生することを抑制することのできるワイヤボンディング構造を提供する。
【解決手段】４はＣｕワイヤ、５は溶融したＡｕ、６はキャピラリ、７は加熱るつぼ、８はＦＡＢ（Ｆｒｅｅ Ａｉｒ Ｂａｌｌ）である。キャピラリ６先端から０．５ｍｍだけＣｕワイヤ（直径２５μｍ）を突出させ、１１００℃に加熱された加熱るつぼの中の液体化したＡｕに、Ｃｕワイヤの先端を５０μｍだけ、０．２ｓ浸漬する。先端部に直径５０μｍのＦＡＢ８が形成され、これを用いて半導体装置（不図示）の電極パッド（不図示）へワイヤボンドを行う。ワイヤ先端がワイヤよりも低融点かつ低硬度の導電性材料で被覆されていることで、当該ワイヤ先端をパッドにボンディングするとき低ストレスなワイヤボンドが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージや電子部品の実装基板で用いられるワイヤボンディングの接合性を向上させる。
【解決手段】ワイヤ１２の先端に形成されたボール１４の表面にフェムト秒レーザを照射して縞状の第１の凹凸１６を形成する。次に、ボール１４を第１の電極２０に接触させて超音波振動を印加しながら押し潰すことにより、ワイヤ１２を第１の電極２０にボンディングする。ここで、第１の凹凸１６が延びる方向は、超音波振動の振幅方向に直交する。これにより、接合界面の結晶が微細化されるため、低荷重でも塑性変形がしやすく、金属拡散接合しやすくなり、接合性が向上する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕよりなるワイヤを被接合用ランドにワイヤボンディングするにあたって、一般的なワイヤボンディング装置を用いて、より低温で接合を行えるようにする。
【解決手段】被接合用ランドである１次ボンディングランドとは別部位に、メタライズ層５１の上にＡｕメッキ層５２を形成してなるダミーランド５０を配置しておき、イニシャルボール４１を形成する前に、ワイヤ４０の引き出し部４０ａをダミーランド５０のＡｕメッキ層５２に押し付けて離脱させることで、Ａｕメッキ層５２を剥離させて、引き出し部４０ａの先端部に付着させ、次に、Ａｕが付着したワイヤ４０の引き出し部４０ａに対して放電を行って溶融させることで、先端部側がＡｕよりなるイニシャルボール４１を形成し、続いて、そのボール４１の先端部側を、１次ボンディングランドに押し当てて１次ボンディングを行う。 （もっと読む）

【解決手段】 導電性バンプを形成する方法が提供される。この方法は、（１）ボンディングボールを形成するボンディングツールを使用して、ボンディング位置にフリーエアボールをボンディングする工程と、（２）ワイヤクランプが開いた状態で、前記ボンディングボールに接続するワイヤを繰り出しながら、前記ボンディングツールを望ましい高さまで上昇させる工程と、（３）前記ワイヤクランプを閉じる工程と、（４）前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを平滑化に適した高さまで下降させる工程と、（５）前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを使用して前記ボンディングボールの上面を平滑化させる工程と、（６）前記ワイヤクランプが閉じた状態で、前記ボンディングツールを上昇させ、前記ボンディングツールと係合するワイヤから前記ボンディングボールを分離させる工程とを含む。
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【課題】ボンディングする際に半導体装置に与えるダメージを低減する。
【解決手段】銅ワイヤ１１のテールに球状のＦＡＢ１３を形成すると、ＦＡＢ１３をアルミパッド１６にボンディングさせる前に、ＦＡＢ１３に荷重を加えて、アルミパッド１６に押圧される押圧面１３ａを平面状に変形させる。その後、ＦＡＢ１３をアルミパッド１６に押圧させると、ＦＡＢ１３に荷重及び超音波振動を印加してＦＡＢ１３をアルミパッド１６に固着させ、アルミパッド１６に固着された銅ワイヤ１１をループ形成して、銅ワイヤ１１をリード１８に固着させる。このように、ＦＡＢ１３の押圧面１３ａを平面状に変形させてからアルミパッド１６へのボンディングを行うことで、アルミパッド１６及び半導体装置１５に与える負荷を低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを階段状に積層するにあたって、上段側の半導体チップのオフセット量を低減し、デバイスサイズの小型化等を図る。
【解決手段】半導体デバイス１は接続パッドを有する配線基板２を備える。配線基板２上には第１の半導体チップ７Ａが搭載される。第１の半導体チップ７Ａ上には第２の半導体チップ７Ｂが階段状に積層される。第１の半導体チップ７Ａの電極パッド１０Ａは第１の金属ワイヤ１２Ａを介して配線基板２の接続パッド５と電気的に接続される。第２の半導体チップ７Ｂの電極パッドは第２の金属ワイヤ１２Ｂを介して第１の半導体チップ７Ａの電極パッド１０Ａと電気的に接続される。第２の金属ワイヤ１２Ｂの第１の端部は第１の電極パッド１０Ａ上に形成された金属バンプ１５に対して上方からボール接続される。 （もっと読む）

【課題】ワイヤループ高さの低い半導体装置を提供する。
【解決手段】イニシャルボールをパッド１３に接合させて圧着ボール２３とボールネック２５とを形成した後、キャピラリ４１を上昇させ、続いてリードと反対の方向に向かって移動させた後、降下させてリード側のフェイス部４３でボールネック２５を踏み付ける。その後キャピラリ４１を上昇させ、キャピラリ４１のフェイス部４３がボールネック２５の上に来るまでキャピラリ４１をリードに向かって移動させてリード１７に向かってワイヤ２１を折り返し、その後キャピラリ４１を降下させて踏み付けられたボールネック２５の上に折り返されたワイヤ側面をキャピラリ４１で押し付け、キャピラリ４１をリードに向かって斜め上方に移動させた後ルーピングしてワイヤ２１をリードに圧着させて接合する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】ワイヤ径の２倍以下のループ高さを有する低ループ形成を可能とすると共に、その低ループ形状においても十分なワイヤの引張強度を確保することが可能なワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】第１ボンディング点に圧着ボール３７形成後に前記キャピラリ３が上昇し、上昇後に前記キャピラリ３が第２ボンディング点側に移動して、前記圧着ボール３７の上部の側面を押圧して、前記圧着ボールの頭頂部３８の第２ボンディング点側に前記圧着ボールの膨出部４１を形成し、前記圧着ボールの膨出部４１を形成後に前記キャピラリ３が上昇し、上昇後に前記キャピラリ３が第２ボンディング点側に移動しながら下降して前記膨出部４１を押圧して前記圧着ボールの頭頂部３８から水平方向にワイヤを引き出すためのワイヤ引出部３９を形成するようにする。 （もっと読む）

【課題】従来のワイヤーボンディングの工程でも使用でき、ボンディングワイヤーの強度、導電性能を落とすことなく、ＬＳＩのパッド形状にあわせることができるボンディングワイヤーを提供する。
【解決手段】ボンディングワイヤー１１０は、内層部１１１と内層部１１１を覆う外層部１１２とから構成される多層構造型のボンディングワイヤーであり、内層部１１１と外層部１１２とが、導電性の材料で構成され、かつボンディングワイヤー１１０の先端部において外層部１１２に対して軸心方向に内層部１１１が引き出し可能であって、単独でボンディングワイヤーとして機能するものである。 （もっと読む）

【課題】ホールボンディングにおいて、ボール圧着厚さを正確に測定することは、接合強度を所望の値に設定する上で重要である。しかし、ボールの微細化により圧着されたボール周辺部の比較的平坦な部分が狭小化しており、従来のように、ボール周辺部の比較的平坦な部分の画像を見て、ボール圧着厚さを測定することが、ますます困難となってきている。
【解決手段】本願発明は、半導体装置の製造工程において、ボール圧着厚を計測するに当たり、あらかじめキャピラリ先端の内部面取り部外周の径をデータとして格納して置き、そのデータを参照して、キャピラリ先端の内部面取り部外周に対応するボール部分の高さを測定するものである。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤボンディング工程時に、リードフレームの酸化防止剤膜が剥がれ、樹脂との密着性が悪化する課題があった。
【解決手段】 行方向および列方向に配置された複数の搭載部がまとまって集合ブロックとなって形成され、酸化防止剤膜が形成されているリードフレームを用意し、
前記集合ブロックに相当する前記リードフレームの裏面を高温にされたボンディング装置の載置台に設け、
前記搭載部に相当する所の前記リードフレームに設けられた半導体素子と前記リードフレームとを、前記ボンディング装置を使ってボンディングし、前記集合ブロック内でワイヤボンディングを一括して行う半導体装置の製造方法であり、
前記リードフレームの前記集合ブロックの周端を押さえながら一括してワイヤボンディングする際、前記集合ブロックに窒素ガスを吹き付け、前記リードフレームに設けられた酸化防止剤膜の剥がれを抑止する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置１０において、電極とパッド及びワイヤ双方の表面洗浄を効果的に行う。
【解決手段】内部を不活性ガス雰囲気に保持するチャンバ１２と、チャンバ１２に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ１２内に置かれた基板４１と半導体チップ４２に照射してパッドと電極の表面処理を行う第１のプラズマトーチ２０と、チャンバ１２に取付けられ、プラズマ化したガスをチャンバ１２内に位置するキャピラリ１７先端のイニシャルボール１９又はワイヤ１８に照射してイニシャルボール１９又はワイヤ１８の表面処理を行う第２のプラズマトーチ３０と、表面処理されたパッドと電極とに表面処理されたイニシャルボール１９、ワイヤ１８をチャンバ１２内でボンディングするボンディング処理部１００を備える。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングに要する時間の短縮化ができるワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】キャピラリ１として、ワイヤ２０を送り出す方向に直角な方向において、貫通孔先端１２から離間し、かつ、送り出されたワイヤ２の先端２１を捕捉できる捕捉部１３、を有するものを用い、ワイヤ２０をキャピラリ１から送り出した後に、送り出されたワイヤ２の先端２１を捕捉部１３に捕捉させるように、送り出されたワイヤ２を変形する工程と、貫通孔先端１２がパッド４３ｂに、捕捉部１３が電極４３ａに、それぞれ正対するように、キャピラリ１をパッド４３ｂ、電極４３ａに接近させた状態で、ワイヤ２０の先端２１を電極４３ａに接合するとともに、ワイヤ２０のうち貫通孔先端１２とパッド４３ｂとに挟まれた中間部２２を、パッド４３ｂに接合し、かつ切断する工程と、を有するワイヤボンディング方法。 （もっと読む）

【課題】ボンディング装置において、ボンディング処理中にボンディング対象及びワイヤ双方の表面処理を効果的に行う。
【解決手段】不活性ガス雰囲気中で、キャピラリ１７に挿通したワイヤ１８によってパッド又は電極にワイヤ１８のボンディングを行うボンディング処理部１００と、不活性ガス雰囲気中で、ボンディング中にパッド又は電極とキャピラリ１７先端のイニシャルボール１９にプラズマ化したガスを照射してパッド又は電極とイニシャルボール１９との表面処理を行う２本のプラズマトーチを備える。プラズマトーチ２０は、基板４１と半導体チップ４２のボンディング面に対して傾斜して配置され、パッド又は電極とボンディングツール先端のイニシャルボール１９に同時にプラズマを照射する。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を重視する回路に接続される電極パッドの寄生容量の増大を抑える。
【解決手段】半導体チップ１００は、複数の内部回路と、外縁近傍に設けられ、それぞれ複数の内部回路のいずれかに電気的に接続された複数の電極パッドとを含む。複数の電極パッドは、プローブが接するためのプローブ用領域１０４と、プローブ用領域１０４とは異なる位置に設けられ、ワイヤ１０８をボンディングするためのボンディング用領域とを含む長パッド１０２と、ボンディング用領域を含むがプローブ用領域を含まない構成とすることにより長パッド１０２よりもパッド面積が小さく形成された高周波信号を入出力する高周波用の小パッド１１０とを含む。 （もっと読む）