【課題】ワイヤボンディング時の接続信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された保護膜３と、保護膜３の内側に形成されたボンディングパッド電極部４と、ボンディングパッド電極部４に接続するボンディングワイヤ６とを備えており、ボンディングワイヤ６における、ボンディングパッド電極部４とボンディングワイヤ６との接続部の外端部の直下に、保護膜３は配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金からなるワイヤまたは金からなるバンプと、パッド電極との接合強度を、より高めることが可能な電子デバイスを提供する。
【解決手段】金からなるワイヤ６が接続されるパッド電極１を備えた電子デバイス１０であって、パッド電極１は、ＡｌまたはＡｌ合金からなる下地電極１ａと、下地電極１ａ上のＴｉまたはＣｒからなる中間膜１ｂと、中間膜１ｂ上のワイヤ６が接続されるＡｕ膜１ｃとが順に積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、プリント回路基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、０．１〜１．０μｍのピッチ周期で表面粗さ処理された銅パッド、及び前記銅パッド上に無電解表面処理めっき層を含むプリント回路基板及びその製造方法に関する。
本発明のように銅パッドの上に一定のピッチ周期の表面粗さを形成すると、その上に形成される無電解表面処理めっき層もまた一定のピッチ周期の表面粗さを有するようになり表面積が広くなる効果があり、外部デバイスと連結されるワイヤボンディング作業時にその作業性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング接続が行われる半導体チップにおいて、ワイヤボンディング時における電極パッド下の半導体部へのダメージの低減、および、ワイヤの位置ずれによる当該ワイヤのダメージの低減を図る。
【解決手段】半導体部１１の一面１２上に電極パッド１４とを備える半導体チップにおいて、電極パッド１４上に積層されて接続され、半導体部１１の一面１２上に突出する導電性材料よりなるバンプ１５と、半導体部１１の一面１２上に設けられ、電極パッド１４およびバンプ１５を封止する電気絶縁性の保護膜１６と、を備え、バンプ１５の先端面１５ａは保護膜１６より露出するとともに、保護膜１６とバンプ１５の先端面１５ａとは連続した同一平面を構成している。 （もっと読む）

【課題】ワイヤがＣｕワイヤであっても、ボンディング時の衝撃による金属のスプラッシュを抑制する。
【解決手段】半導体装置は、電極パッド１０３を有する半導体チップと、電極パッド１０３にボンディングされたワイヤ（例えばＣｕワイヤ１０５）と、を有している。電極パッド１０３において、ワイヤがボンディングされている領域の少なくとも表層はルテニウム又は酸化ルテニウムにより構成され、その表層の膜厚は２０ｎｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】銅のワイヤを用いたボンディングに関し、効率の良い製造が可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】基材２上に形成されている銅の電極パッド３と、前記電極パッド３を覆うように設けられている金の金属層４と、前記金属層４上にボンディングされている銅のワイヤ５とを有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】回路規模の大きな半導体チップを用いる場合においても、チップ中央部に安定して電源電圧を供給できる半導体装置を低コストに実現する。
【解決手段】半導体装置２５は、半導体チップ４と、半導体チップ４の主面の周縁部上に形成された外部パッド７と、主面上であって、外部パッド７よりも内側に形成された複数の内部パッド８及び９と、主面上を覆い、外部パッド７上及び複数の内部パッド８及び９上に開口を有する保護膜６と、内部パッド同士を電気的に接続する第１の金属細線１６とを備える。複数の内部パッド８及び９は、外部パッド７よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】ボンディングワイヤを接合する電極パッドを備えた半導体素子において、電極パッドとボンディングワイヤとの接合強度の劣化を抑制できるようにする。
【解決手段】半導体材料からなる素子本体１の主面１ａに形成されて第一金属材料からなるボンディングワイヤ２を接合するための電極パッド３が、第一金属材料よりも小さく、かつ、半導体材料よりも大きい熱膨張係数の第二金属材料からなり、素子本体１の主面１ａに互いに間隔をあけて立設された複数の第二金属層４と、第一金属材料からなり、素子本体１の主面１ａ上において少なくとも第二金属層４の間を埋めるように形成された第一金属層５と、によって構成された半導体素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】素子破壊を防いで信頼性を向上することができる電力用半導体装置を得る。
【解決手段】ｎ型半導体基板１０の第１の主面に複数のセル領域２４が形成され、その上にエミッタ電極２６が形成されている。ｎ型半導体基板１０の第２の主面上にコレクタ電極３２が形成されている。各セル領域２４は、エミッタ電極２６に接続されたｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２と、ゲート電極２０と、ゲート電極２０を覆ってエミッタ電極２６に対して絶縁する層間絶縁膜２２とを有する。各セル領域２４において層間絶縁膜２２とｎ＋半導体層１４及びｐ型半導体層１２との間に段差が存在する。エミッタ電極２６は、ｎ型半導体基板１０上に順次形成された第１の金属膜２６ｂと、高強度金属膜２６ｃと、第２の金属膜２６ｄとを有する。第１の金属膜２６ｂ及び第２の金属膜２６ｄはＡｌを９５％以上有する。高強度金属膜２６ｃは、第２の金属膜２６ｄよりも強度が高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、材料費が安価で、Ａｌ電極との接合部の長期信頼性に優れ、車載用ＬＳＩ用途にも適用できる接合構造、または半導体用銅ボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部を形成し、銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部をアルミ電極に接合したボール接合部であって、前記ボール接合部を１３０〜２００℃のいずれかの温度で加熱した後において、前記ボール接合部の断面に有するＣｕとＡｌで構成される金属間化合物の厚さに対して、ＣｕＡｌ相の金属間化合物の厚さの割合である相対化合物比率Ｒ１が、４０％以上１００％以下となるものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】同一のボンディングパッドに対して異なる金属のボンディングワイヤーを用いて信頼性の高い配線を行う。
【解決手段】窒化物半導体ヘテロ接合型電界効果トランジスタにおけるソース電極８,ドレイン電極９,ソースパッド８'およびドレインパッド９'をＴi,Ａl,ＭoおよびＡuを順次積層して形成し、ソースパッド８'およびドレインパッド９'の一部をエッチングによって開口して、Ａl露出部を形成している。したがって、ソースパッド８'またはドレインパッド９'におけるＡu露出部に対しては、Ａuボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行う一方、上記Ａl露出部に対しては、Ａlボンディングワイヤーを用いたワイヤーボンディングを行うことによって、優れた密着性とエレクトロマイグレーション耐性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 ワイヤーボンダビリティが良好な電極を形成することのできる発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくとも、ｎ型半導体結晶と、発光層と、ＧａまたはＩｎを含みキャリア濃度が１×１０^１７／ｃｍ^３以上１×１０^１９／ｃｍ^３以下であるｐ型半導体結晶とが、この順で形成された半導体結晶の前記ｐ型半導体結晶の表面に、オーミック電極材料として、少なくとも、ＡｕＢｅを含む層、Ｔｉ層、Ａｕ層を形成し、その後熱処理を行ってオーミック電極を形成し、その後前記半導体結晶をダイシングする発光素子の製造方法であって、少なくとも、前記形成されたオーミック電極の表面を、ヨウ素ヨウ化カリウム溶液を用いて洗浄する工程を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】AlCuプロセスのCMOSイメージセンサーの大ビアボンディングパッドのアプリケーションを提供する。
【解決手段】集積回路は、ボンディングパッド領域と非ボンディングパッド領域とを有する基板からなる。“大ビア”と称される相対して大きいビアが、ボンディング領域の基板上に形成される。大ビアは、基板向きの上面図にて、第一寸法を有する。集積回路は、非ボンディング領域の基板上に形成された複数のビアも有する。複数のビアは、それぞれ、上面図にて、第二寸法を有し、第二寸法は、第一寸法より相当小さい。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線層上にＣｕワイヤを実装可能とする半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置は、シリコン基板１上に形成される保護層６と、前記保護層６に形成され、前記シリコン基板１に形成される半導体素子と電気的に接続するＣｕ配線層９と、前記Ｃｕ配線層９を被覆し、前記保護層６上に形成される樹脂膜１０と、前記樹脂膜１０に形成される開口領域１１を介して前記Ｃｕ配線層９と接続するパッド電極１２と、前記パッド電極１２上にワイヤボンディングされるＣｕワイヤ１４とを有し、前記Ｃｕワイヤ１４と前記Ｃｕ配線層９との間には合金層１３が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】パッドに荷重がかかった場合でも、層間絶縁膜の膜剥がれやパッドの剥離の発生率を低くする。
【解決手段】ボンディングパッド７２を含む半導体装置１００において、ボンディングパッド７２と平面視で重なる領域（９４）に下部多層配線構造９０、中間ビア用層間絶縁膜４８、上部多層配線構造９２をこの順で積層し、パッド配置領域９４において、上部多層配線構造９２の上部配線およびビアは、ボンディングパッド７２と接続して形成し、中間ビア用層間絶縁膜４８には、上部多層配線構造９２の配線またはビアと下部多層配線構造９０の配線またはビアとを接続する導電材料が形成されず、下部多層配線構造９０に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率が、上部多層配線構造９２に含まれるビア用層間絶縁膜中のビアが占める面積率よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】プロービングによってＰＡＤの表面が削られても、ＰＡＤとボンディングワイヤとの密着性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板を覆う絶縁膜と、絶縁膜の上に形成されたボンディングワイヤが接続する電極パッド１０とを具備する。電極パッド１０は、表面から絶縁膜２０まで貫通する複数のスリット１３を備える。複数のスリット１３は、表面の中心の外側に位置する接触開始領域１１と、表面の中心を含んで位置する検査領域１２とに含まれる。接触開始領域１１に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積は、検査領域１２に含まれる複数のスリット１３の開口部の面積よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】未接合部が生じることを抑制した、Ｃｕワイヤボンドが可能なボンディングパッドを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】能動素子と、この能動素子と電気的に接続されたアルミニウムを主成分とする電極１とを備え、電極の最表面をアルミニウムと銅との化合物層５で被覆し、Ｃｕワイヤを用いたボンディングでも未接合部が生じることを抑制することができる、熱性、耐ヒートサイクル性が向上し、長期信頼性の高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】電極パッドにプローブ針の針立てを行ってもワイヤボンディングについての接合信頼性を向上させつつ、パッド面積増加を抑制できるようにする。
【解決手段】 並設された複数の電極パッド２１と、前記電極パッド２１へのワイヤボンディングのため当該電極パッド２１上に形成される円状のボンディングバンプ領域２２と、前記電極パッド２１に対するプローブ針接触検査のため当該電極パッド２１上に形成される楕円状または長円状のプローブ接触領域２３とを備える半導体装置において、パッド並設方向と交差する方向における前記電極パッド２１の外形構成辺の一部若しくは全部と前記プローブ接触領域２３の長軸方向との少なくとも一方を、当該パッド並設方向と直交する方向に対して傾斜角を有して配する。 （もっと読む）

【課題】はんだ直接付けとワイヤボンディングとを両立できるアルミ電極を半導体チップ上に具備した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１に設けられたＡｌ電極４上に生成したＡｌ酸化皮膜５の適当な箇所に、該皮膜５を貫通してＡｌ電極４まで届く微小金属１１を形成させており、酸化物貫通微少金属を具備した一種類のＡｌ電極をはんだ直接付け及びワイヤボンディング両用とすることが出来る。 （もっと読む）