【課題】単一のパワー半導体モジュールに例えば１２アームを搭載可能にコンパクトに実装するとともに、直流端子と交流端子のそれぞれの端子をモジュール端面にそれぞれ配置し、また、電力回路のインダクタンスを低く保つこと。
【解決手段】１枚の絶縁基板１０８上に２組の上アーム（１００，１０４と１０２，１０６）を絶縁基板上の上寄り左右に配置し、２組の下アーム（１０１，１０５と１０３，１０７）を絶縁基板上の下寄り左右に配置して、絶縁基板上の配線パターンとして、２組の上アームを第１の配線パターンＣ０１上に実装し、２組の下アームは第１の配線パターンの下に配置した第２、第３の配線パターンＣ０２，Ｃ０２上にそれぞれ実装して、第２、第３の配線パターンの間に第１の配線パターンＣ０１を延長し、その延長した端部に正極端子Ｔ０１からの配線を接続し、さらに、絶縁基板１０８を１モジュール中に３枚並置して実装して１２ｉｎ１モジュールの構成とすること。 （もっと読む）

【課題】信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、内側ワイヤボンディング２０、内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０、外側ワイヤボンディング３０を具備し、この順に、ボンディングパッド９０からインナーリード６０までを電気的に接続する信号伝送手段を有する。内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０は、絶縁性部材４０上に形成されている。信号伝送手段は、ボンディングパッド９０から前記アウターリード７０の先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線１１０の配線長によって調整されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第１辺３ａａ，３ａｂ及び一対の第２辺３ａｃ，３ａｄを有する四角形からなるダイパッド３ａにＭＣＵチップ１とＡＦＥチップ２を搭載し、ＭＣＵチップ１及びＡＦＥチップ２にワイヤボンディングを行った後、２つの第２辺３ａｃ，３ａｄのうちの一方の第２辺３ａｃ側から他方の第２辺３ａｄ側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をＭＣＵチップ１上の第１パッド群１ｃｃと第２パッド群１ｃｄとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】実施形態によれば、オーバーハング部に対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもってボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、接地基準位置を予め取得する。実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する前記接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、ボンディングヘッドの先端でワイヤをボンディングパッドに押し付けて接合する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディングにおいて、隣接する電極パッド間でショートさせることなく、電極パッドを狭ピッチ化した半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置１００は、複数の電極パッド（第一電極パッド４２０、第二電極パッド４４０）と、ボンディングワイヤ６００と、を備える。また、ボンディングワイヤ６００は、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０にボンディングされている。このとき、隣接する第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０は、上面の高さが交互に異なるように形成されている。また、第一電極パッド４２０と第二電極パッド４４０との間の段差部のうち、側面の少なくとも表面は、絶縁膜（保護絶縁膜２６０または保護絶縁膜５００）で形成されている。 （もっと読む）

【課題】２次電池パックの保護回路を更に小型化すること。
【解決手段】本発明に係る半導体チップは、双方向スイッチを構成する２個のパワートランジスタと、抵抗素子とを備える。２個のパワートランジスタのドレイン同士は接続されている。抵抗素子の一端は、２個のパワートランジスタのうち一方のソース電極と電気的に接続され、その他端は、第１外部パッドと電気的に接続されている。それら２個のパワートランジスタと抵抗素子とは、同一の半導体チップ上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の小型化を図る。
【解決手段】半導体チップ５の複数の第１電極パッドａと配線基板２の複数の第１接続部３ｂ１を、複数の第１ワイヤ１０ｂ１を介して電気的に接続する工程と、第２電極パッドｂと前記配線基板の複数の第２接続部３ｂ２を、第２ワイヤ１０ｂ２を介して電気的に接続する工程と、第３電極パッドｃと前記配線基板の複数の第３接続部３ｂ３を、第３ワイヤ１０ｂ３を介して電気的に接続する工程とを有し、前記複数の第１ワイヤ１０ｂ１のそれぞれを前記複数の第１接続部３ｂ１のそれぞれの前記第１部分に接続し、前記第３ワイヤ１０ｂ３を前記第３接続部３ｂ３の前記第２部分に接続し、前記複数の第１１０ｂ１、第２１０ｂ２および第３ワイヤ１０ｂ３は、平面視において、前記半導体チップ５の前記第２辺の中心部を経由し、かつ前記第２辺と直交する仮想線５ｓに対して鋭角をなす角度で、前記複数の電極パッドから延在させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路におけるパッドの配置の自由度を増加させること。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体集積回路は、半導体チップ１００に形成されたＩ／Ｏバッファ１０２と、単層パッド１０３と、多層パッド１０４とを備える。単層パッド１０３は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成されている。多層パッド１０４は、Ｉ／Ｏバッファ１０２上に形成され、単層パッド１０３と分離して設けられている。単層パッド１０３はボンディング専用のパッドであり、多層パッド１０４はプロービングとボンディングが行われるパッドである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の実装方法の違いによるコストアップを抑制する。
【解決手段】半導体素子１０は、集積回路を有する基板１１と、集積回路に対して同じ接続機能を有する電極として、基板１１の同一主面１１ａ上に、ワイヤー接続用電極１ｂ、２ｂ、３ｂ及び４ｂ及びバンプ接続用電極１ａ、２ａ、３ａ及び４ａを備える。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させず、有機誘電体層上に形成された電極端子にワイヤボンディングできる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１０は、半導体基板１１と、半導体基板１１の上に形成される有機物で構成される有機誘電体層１４と、有機誘電体層１４の上に形成される電極端子１５と、有機誘電体層１４を貫き、電極端子１５を支える支持体１３とを備える。また、支持体１３は電極端子１５の直下に形成されてもよい。 （もっと読む）

【課題】多層の金属配線層を有する半導体装置において、より一層のパッド配置面積の低減を図る。
【解決手段】アルミ３と、アルミ３との間に層間絶縁膜を介して設けられたアルミ２と、アルミ２，３間を接続するコンタクトと、アルミ３に対応して設けられた保護膜の開口部１と、を備え、開口部１の内側領域が、外部電極用パッドであり、かつ、ボンディング領域とプローブテスト領域の二つに分けて使用される半導体装置である。前記ボンディング領域では、アルミ３が露出され、該アルミ３によりアルミ２が隠れている。前記プローブテスト領域では、アルミ２が露出されている。 （もっと読む）

【課題】バンプを有するパッド電極の下方の領域の有効活用を図り、また実装時においてバンプの下方の半導体基板に局所的に大きな力が加わることを防止するために、パッド電極上に突起電極を有した半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された１層目メタル配線５と、１層目メタル配線５上に層間絶縁膜を介して形成され、層間絶縁膜に形成されたビアホール１０を通して１層目メタル配線５と接続されたパッド電極７が設けられている。また、パッド電極７上に形成され、パッド電極７を露出する１つの開口部と、開口部の中に島状保護膜９とを有する保護膜８と、パッド電極７上に形成され、保護膜８の開口部を通してパッド電極７に接続されたＡｕバンプ１１が設けられている。そして、ビアホール１０は島状保護膜９の下方に形成され、かつビアホール１０に、パッド電極７の一部が不完全に埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置が機能するのに必要な半導体構造を製造できる有効領域を拡大する技術を提供する。
【解決方法】 本発明の半導体装置２では、その表面に形成されるパッド１２の少なくとも一部が、半導体基板４の表面の外周の内側を一巡する耐圧保持部６５上に形成されている。従来技術では耐圧保持部６５の内側に形成されていたパッド１２の少なくとも一部を耐圧保持部６５上に形成することで、耐圧保持部６５の内側のパッド領域１０の面積を縮小することができる。これにより、耐圧保持部６５の内側で半導体装置２が機能するのに必要な半導体構造を製造できる有効領域８を拡大することができる。また、パッド１２と耐圧保持部６５の間に導電膜を含む積層構造２０を形成することで、耐圧保持部６５に局所的な電界が印加されることがない。半導体装置２の耐圧特性が悪化することを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】外部接続用のパッドが形成される表層より一層下の配線層の配線密度を下げることなく、パッド下の層間絶縁膜のクラックを防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】表層より一層下の層に形成された配線のうち、パッド１の領域下を通過する配線３ａの厚さを、パッド１の領域下から外れて配置される配線３ｂの厚さよりも薄くする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ上の電極と基板上の電極との間で複数本のワイヤを接続する場合に、１組の電極間にて複数本のワイヤを重ねるにあたって適切なワイヤ形状を形成できるようにする。
【解決手段】半導体チップ１０の電極１１と基板２０の電極２１との間でワイヤ接続工程を複数回行って両電極１１、２１上にワイヤ３０を複数本重ねて形成するものであって、重ねられた複数本のワイヤ３０のうち最上部に位置するワイヤ３０よりも下側に位置するワイヤ３０を形成する接続工程では、１次ボンディング後のワイヤ３０の引き出しを、当該ワイヤ３０における１次ボンディング部３０ａ側の根元部から中間部までが２次ボンディング側のランド２１に向かって水平面Ｈから斜め上方の方向に延びる形状となるように行う。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置が機能するのに必要な半導体構造を製造できる有効面積を拡大する技術を提供する。
【解決方法】 本発明の半導体装置２では、活性領域４に第１ボンディングパッド２４が形成されていると共に、不活性領域６に第２ボンディングパッド２６が形成されている。本発明の半導体装置２では、外部回路と半導体装置２を、第１ボンディングパッド２４を用いて接続する場合、一旦を外部回路とボンディングしたワイヤ１４を第１ボンディングパッド２４でボンディングする。さらにそのワイヤ１４を、第１ボンディングパッド２４で切断しないで第２ボンディングパッド２６にボンディングする。第１ボンディングパッド２４でワイヤ１４を切断しないので、第１ボンディングパッド２４の面積を縮小することがでる。これにより、半導体構造を製造できる有効面積である半導体領域８を拡大することができる。 （もっと読む）

【課題】ＡｕワイヤがワイヤボンディングされたＡｌパッドは、経時変化によりワイヤ接合部のＡｕ−Ａｌ合金化領域が拡大し、隣接するパッドに接触して短絡するおそれがある。
【解決手段】互いに隣接するパッド１の対向する辺のうち、ワイヤ接合部５に最も近い部分を含む凹部形成領域４ａに、パッド１の辺が凹になるように凹部４を形成する。凹部４ではパッド１からのＡｌの供給が途絶えるため、合金化速度が遅くなる。このため、最も短絡を生じやすい凹部近傍で合金化領域１１の拡大が抑制されるので、隣接するパッド１との短絡が遅延する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＮ_x膜系のパッシベーション膜２１とポリイミド膜２２の２層構造からなる保護膜２０を有する半導体チップにおいて、アセンブリ時にアセンブリ冶工具が保護膜２０と干渉せず、耐湿信頼性の低下を起こさない半導体チップを得ること。
【解決手段】半導体基板上にトランジスタを含む電子部品が形成された半導体基材１０の最上層の層間絶縁膜１１に形成された電極パッド１２と、層間絶縁膜１１上の全面と電極パッド１２の周縁部を覆い、電極パッド１２の中心部が開口した第１の開口領域３１を有するパッシベーション膜２１と、パッシベーション膜２１上の全面に形成されるポリイミド膜２２と、を備え、ポリイミド膜２２は、電極パッド１２の形成位置に対応する位置に第２の開口領域３２を有し、第２の開口領域３２は、ポリイミド膜２２の上面から所定の深さまでの領域では、第１の開口領域３１よりも広い。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの下の層間絶縁膜にクラックが入るのを防ぎ、ボンディングパッドと同層に形成された上層配線を微細化することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０を形成する。第１レジストをマスクとして第１金属膜２０を異方性エッチングする。残された第１金属膜２０を覆うように層間絶縁膜１７上に、第１金属膜２０よりもヤング率が低い第２金属膜２４を形成する。層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０が存在する領域及び第１金属膜２０が存在しない領域の一部において第２金属膜２４上に第２レジストを形成する。第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 （もっと読む）