【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】電流抑制部を有する半導体デバイスパッケージを提供する。
【解決手段】ノーマリーオン型の第１トランジスタと、ドレインが、第１トランジスタのソースと接続され、第１トランジスタとカスコード接続されたノーマリーオフ型の第２トランジスタと、第２トランジスタのソースと第１トランジスタのゲートとの間に設けられた、第２トランジスタのソースから第１トランジスタのゲートへと流れる電流を抑制する電流抑制部と、第１トランジスタ、第２トランジスタ及び電流抑制部を封止する封止部と、第１トランジスタのドレインに接続され、封止部の外に延伸したドレイン端子と、第２トランジスタのゲートに接続され、封止部の外に延伸したゲート端子と、第２トランジスタのソースに接続され、封止部の外に延伸したソース端子と、を備える半導体デバイスパッケージを提供する。 （もっと読む）

【課題】信号伝送速度を高速化しても信頼性が高く、かつ、汎用的なリードフレームを利用可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置１は、内側ワイヤボンディング２０、内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０、外側ワイヤボンディング３０を具備し、この順に、ボンディングパッド９０からインナーリード６０までを電気的に接続する信号伝送手段を有する。内側ボンディング用端子１００、配線１１０、外側ボンディング用端子１２０は、絶縁性部材４０上に形成されている。信号伝送手段は、ボンディングパッド９０から前記アウターリード７０の先端までの信号伝送路の距離が実質的に等しくなるように、配線１１０の配線長によって調整されている。 （もっと読む）

【課題】リードフレームへ導電性リボンや太線ワイヤなどの接続体をボンディングする際に、高い超音波出力を用いる。その際、インナーリードの超音波振動方向への振動を規制し、高品質で且つ信頼性が高いボンディングを実現できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】インナーリード７ａを有するリードフレーム４と、リードフレーム４に搭載された、電極パッド３ａを有する半導体素子２と、電極パッド３ａとインナーリード７ａとを接続する導電性の接続体８とを有し、インナーリード７ａにおける、接続体８が接合される接合領域１１の近傍に、凹部１２を配置された半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の組み立てにおけるボイドの発生を抑制する。
【解決手段】一対の第１辺３ａａ，３ａｂ及び一対の第２辺３ａｃ，３ａｄを有する四角形からなるダイパッド３ａにＭＣＵチップ１とＡＦＥチップ２を搭載し、ＭＣＵチップ１及びＡＦＥチップ２にワイヤボンディングを行った後、２つの第２辺３ａｃ，３ａｄのうちの一方の第２辺３ａｃ側から他方の第２辺３ａｄ側に向かって樹脂を供給し、前記樹脂をＭＣＵチップ１上の第１パッド群１ｃｃと第２パッド群１ｃｄとの間の開口に通してチップ間を充填することで、チップ間の領域におけるボイドの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体部品の樹脂封止成形品において、プリント基板とリードフレームを繋ぐボンディングワイヤの封止樹脂流動による変形を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２に搭載された半導体チップ３と、インナー側にチャンネル部を有するリードフレーム５と、チャンネル部の内側を経由してリードフレーム５と半導体チップ３を接続するボンディングワイヤ４と、半導体チップ３とボンディングワイヤ４とリードフレーム５を被覆する樹脂硬化物から半導体装置を構成する。リードフレーム５のチャンネル部の長さをＬ１、高さをＨ１とし、ボンディングワイヤ４の水平方向長さをＬ２、最大高さをＨ２とすると、１／３＜Ｌ１／Ｌ２＜１および１／２＜Ｈ１／Ｈ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ５の延在方向と、樹脂の流れ方向を０度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード４は、中央領域４ｅの隣に配置される張出領域４ｆにワイヤ５を接合する。中央領域４ｅは、延在部４ａと先端部４ｂの境界線の中心と先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ中心線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域４ｆは、中央領域４ｅと隣接して配置され、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した領域である。 （もっと読む）

【課題】 半導体モジュールなどの小型化を図ることが可能なワイヤボンディング構造、ボンディングツールおよびワイヤボンディング方法を提供すること。
【解決手段】 電極パッド８１に接合されたファーストボンディング部６Ａ、およびパッド部７１Ｂに接合されたセカンドボンディング部６Ｂ、を有するワイヤ６を備える、ワイヤボンディング構造Ｂであって、ファーストボンディング部６Ａは、セカンドボンディング部６Ｂに対して近い側に位置する前方接合部６１、セカンドボンディング部６Ｂに対して遠い側に位置する後方接合部６３、およびこれらの前方接合部６１および後方接合部６３に挟まれており、かつ電極パッド８１に対する接合の度合いが、上記前方接合部６１および後方接合部６３のいずれよりも弱い中間部６２を有しており、セカンドボンディング部６Ｂは、ワイヤ６の長手方向における接合長さがファーストボンディング部６Ａより小である。 （もっと読む）

【課題】更なる高周波モールドパッケージの対応化を図ることができる半導体モールドパッケージを得る。
【解決手段】図１２は、意図的にリードフレームを短くして、ワイヤ長を伸ばしたリードフレーム形状を示す配置図である。図１２において、１はリードフレーム、３はＬＳＩ、５はＬＳＩ３とインナーリードフレームを接続するワイヤ、６はＬＳＩ３の近傍まで伸ばしたインナーリードフレーム、１０は意図的にインナーリードを短くしたインナーリードフレームである。ワイヤ５のインダクタ成分を利用したい端子とワイヤ長を少しでも短くしたい端子が入り混じっているときに用いるインナーリードフレーム１０を図１２に示す。図９のようにインナーリードフレーム８を伸ばした上で所望の端子のみインナーリードフレーム７を短くしておき、ワイヤ長を伸ばすことも可能である。 （もっと読む）

【課題】キャピラリーとワイヤーとの干渉・接触を避けながらボンディングパッドとフィンガーが接合される半導体素子及びそのワイヤーボンディング方法を提供すること。
【解決手段】半導体素子１０は、ボンディングパッド１２を備えた矩形の半導体チップ１４とフィンガー１６を備えた矩形のリードフレームよりなる。ワイヤー２０により、それぞれのボンディングパッド１２とそれぞれのフィンガー１６は接合される。ワイヤーは、比較的短い第１のワイヤー群２０と、比較的長い第２のワイヤー群（図示せず）に振り分けられる。第１のワイヤー群２０のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁に近い位置に、第２のワイヤー群のボンディングパッド側接合点は、半導体チップ１４の外縁から離れた位置にずれている。これにより、先行形成されたワイヤーとキャピラリーの干渉を避けることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、アイランド１２を囲むように複数のリード１６Ａ−１６Ｈを配置し、隅部に配置されたリード１６Ａ、１６Ｄ、１６Ｅ、１６Ｈの内側の一端を、中間部に配置された他のリード１６Ｂ等の一端よりも内部に位置させている。この様にすることで、隅部に配置されたリード１６Ａ等と半導体素子とを接続する金属細線２２Ａ等の線長が短縮化され、その分材料コストを安くすることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、リード１６Ａ−１６Ｄの先端部をＣＣＤカメラで撮影することにより画像を取得し、この画像に映し出されるリード１６Ａ−１６Ｄの先端部に、レクチル５４Ａ−５４Ｄを重畳している。その後に、レクチル５４Ａ−５４Ｄの中央部と重なり合うリード１６Ａ−１６Ｄの上面に、金属細線２２の端部をワイヤボンディングしている。この様にすることで、各リード１６Ａ−１６Ｄと金属細線２２とが重畳する長さが短縮化されるので、金属細線２２に係る材料コストが低減される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの高位置精度を実現して半導体装置の品質の安定化を図る。
【解決手段】ＳＩＰの組み立てのダイボンディング工程で、高い位置精度を要求されないマイコンチップ３を表面非接触型のコレットでピックアップして第１のチップ搭載部上にダイボンディングし、その後、高い位置精度が要求されるＡＳＩＣチップ４を表面接触型のコレットでピックアップして第２のチップ搭載部上にダイボンディングすることで、２種類のコレットを使い分けることにより、前記表面接触型のコレットによってダイボンディングを行ったＡＳＩＣチップ４の高い位置精度を実現するとともに、前記ＳＩＰの品質の安定化を図る。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて電子部品を内蔵した半導体装置を製作する場合、半導体素子の端子数の増大にも良く対応でき、且つ、部品配置の自由度が高い、部品内蔵のリードフレーム型基板とその製造方法およびそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板の第１面に配線、第２面に接続用ポスト、それら以外の領域に電子部品が埋設されたプリモールド用樹脂層が有り、好ましくは電子部品実装状態では電子部品の高さが接続用ポストを越えないリードフレーム型基板、及び、その基板に半導体素子が実装され、基板と半導体素子がワイヤーボンディングされた半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】サイズやボンディングパッド位置の異なるチップを実装する共用に適した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置には、互いにＶ字型に曲折接続する第一、第二フィンガー部２１２、２１３を含むジグザグ形フィンガー２１１を有するリードフレームの複数の第一リード２１０、および複数のボンディングパッド２２２を有するチップ２２０を設ける。ボンディングワイヤ２３１、２３２は、一端がチップ２２０のボンディングパッド２２２群と接続し、他端が第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれかの組と任意に接続する。このワイヤーボンディングの方向は、第一、第二フィンガー部２１２、２１３のいずれか接続される組の延びる方向との間に第一角度を形成し、いずれか接続されない組の延びる方向との間に第二角度を形成し、第一角度は第二角度よりも小さくなるようにボンディングワイヤ２３１、２３２によってなされる。 （もっと読む）

【課題】モールド時のワイヤショート不良を防止する。
【解決手段】タブ１ｆと、タブ１ｆの周囲に配置された複数のリード１ａと、タブ１ｆ上に搭載された半導体チップ２と、半導体チップ２の電極パッド２ｅとリード１ａとを電気的に接続する複数のワイヤ４と、半導体チップ２を樹脂封止する封止体とを有している。さらに半導体チップ２の主面の第１辺の中央部から端部に向かうにつれてリード１ａのチップ側の先端部を段階的に短くするとともに、主面の第１辺の中央部の第１リード１ｂと端部側の第２リード１ｃとにおいて、第２リード１ｃに隣接する第１リード１ｂの先端部を短くしたことで、第２リード１ｃに接続される第２ワイヤ４ｂとこの第２リード１ｃに隣接する第１リード１ｂの先端部との距離を広げることができ、その結果、モールド樹脂の流動抵抗によりワイヤ流れが発生してもワイヤショート不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】プレス加工により表面に溝を形成してなるリードフレームにワイヤ接続を行うワイヤボンディング方法において、リードフレームにおけるワイヤの接続部を、支持台から浮かせることなく支持台に支持させてボンディングできるようにする。
【解決手段】リードフレーム３０のうち溝３５よりもワイヤ５０の接続部３０ａとは反対側に位置する部位３０ｂを、水平に位置させ、且つ、リードフレーム３０の下面３２を地方向に向けた状態としたときに、ワイヤ５０の接続部３０ａが溝３５から下方へ向かって曲がった形状となるように、リードフレーム３０を溝３５の部分にて折り曲げ、この折り曲げられたリードフレーム３０を支持台３００の平坦な面３１０の上に搭載して押さえつけることにより、真っ直ぐな形状に戻し、この状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】ユーザ端子の配列の変更に対して、比較的低コストにて対応することが可能な汎用性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】中継配線基板２０の略中央に形成されたダイパッド２２上には、平面視矩形状を有し各辺近傍に複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂが配設されたＩＣ１０が接合されている。ダイパッド２２の周辺部には、ＩＣ１０の複数の電極パッド１５，１５ａ，１５ｂとそれぞれ対応するＩＣ接続端子２３，２３ａ，２３ｂが、配設されている。中継配線基板２０の周辺部近傍にはリード接続端子２５，２５ａ，２５ｂが形成されていて、それぞれ対応する端子間配線２４，２４ａ，２４ｂにより接続されている。このうち、ＩＣ接続端子２３ａ，２３ｂとそれぞれ対応するリード接続端子２５ａ，２５ｂとは、端子間配線２４ａ，２４ｂが端子間配線交差部Ｄ１において絶縁膜２９を介して交差されていることにより配列が入れ換えられている。 （もっと読む）

【課題】 一次ボンディングにおけるボンディングパッドとボールとの接続信頼性および二次ボンディングにおけるリードとワイヤとの接続信頼性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】 タブ１４上に半導体チップ１５を配置し、タブ１４の周囲にインナーリード１３を形成する。そして、インナーリード１３の先端部（タブ１４に近い側の先端部）１３ａに傾斜を設ける。半導体チップ１５に形成されたボンディングパッド１６とインナーリード１３とをボール１７およびワイヤ１８を介して接続する。インナーリード１３とワイヤ１８とは、インナーリード１３に設けられた傾斜した部分で圧着するようにする。インナーリード１３に設けられた傾斜の角度は、例えば３度以上１５度以下の範囲にする。 （もっと読む）

半導体デバイス１００は、ダイパッド１１及び複数のリード１２を有する露出したリードフレーム１０からなる。ダイパッド１１は、実質的に平坦な底面１４及び頂面１５を有する。半導体ダイ２を前記頂面１５のダイ付着面部分３１に付着する。ダウンボンド５は、前記ダイ２をダウンボンド付着面部分３２に繋いでいる。スタンダードボンド４は、前記ダイ２を前記リード１２に繋いでいる。プラスチックパッケージ６は、前記ダイ２、スタンダードボンド４及びダウンボンド５を封入する。前記ダイパッドの頂面は、異なるレベルに位置する部分、及び当該部分の隣接した２つの間に階段状移行部を有する。かかる階段状移行部３６の少なくとも１つは、ダイ２とダウンボンド５との間に位置する。このような階段状移行部がダウンボンド故障に対する良好な保護を供与するということを見出した。
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