【課題】１５０℃以下の低温でも硬化可能であり、かつＰＥＴ上に形成された基板の接続に十分な接着強度を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供することを目的とする。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、破断伸度が１００％以上１０００％未満のポリエステルウレタン樹脂を含有する回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】１０秒以下の短時間でも硬化可能であり、かつＯＳＰ処理された基板の接続に安定した接続信頼性を与える回路接続材料、及びそれを用いた回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】対向する回路電極同士を電気的に接続する回路接続材料であって、遊離ラジカルを発生する硬化剤と、ラジカル重合性物質と、リン酸エステルと、導電粒子を含有し、導電粒子を除く、回路接続材料全体を１００重量部とした場合、それに占めるリン酸エステルの割合が０．５重量部から２．５重量部の範囲である、回路接続材料。 （もっと読む）

【課題】対向配置された回路電極同士の接続抵抗を小さくし、かつ、隣り合う回路電極間が導通し短絡してしまう可能性を低減することができる回路接続材料及び回路部材の接続構造を提供する。
【解決手段】回路接続材料１２は、接着剤組成物と、第１の粒子６と、第２の粒子８と、を備える。第１の粒子６は、低融点金属を主成分とするコア２と、該コア２の表面を被覆しており低融点金属の融点よりも低い軟化点を有する樹脂組成物からなる絶縁層４と、を有し、第２の粒子８は、コア２よりも平均粒径が小さく、低融点金属の融点よりも高い融点又は軟化点を有する材料を主成分とする。第１の粒子６は、絶縁層４が軟化して一部除去され、絶縁層４から露出したコア２と回路電極とが金属接合することによって回路電極間の導通を図り、第２の粒子８は、接続条件下においてスペーサとして機能する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板間の間隙にグリースなどが浸入することによるアンダーフィル樹脂のボイド発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板４上に半導体素子２をフェイスダウンで実装する実装工程と、半導体素子２の周囲に洗浄除去可能な材料で構成される保護部９を半導体素子２と配線基板４との間隙を埋めて形成する保護部形成工程と、半導体素子２の動作検査及び半導体素子２と配線基板４との接続検査を行う検査工程と、保護部９を洗浄除去する保護部除去工程とを有する製造工程とする。 （もっと読む）

【課題】スプロケットホールの間隔より狭いピッチでフレキシブル基板を搬送できるフレキシブル基板の搬送装置を提供する。
【解決手段】搬送装置は、スプロケットホールを有するフレキシブル基板１を搬送する装置であり、スプロケットピン３ａを有するスプロケットガイド３と、円周上に前記一定ピッチの１／Ｎ倍ピッチ（Ｎ：２以上の整数）で配置された切欠き６ａを有するガイド板６と、スプロケットガイド３及びガイド板６を同じ回転速度で回転させる回転機構と、切欠き６ａに対向するように配置され、ガイド板６を回転機構によって回転させた際に切欠きが通過した数を検出する検出部７と、検出部によって検出した切欠きの通過した数に基づいて回転機構を制御することにより、スプロケットガイド及びガイド板それぞれの回転量を制御する制御部と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を簡便に製造することが可能で、且つ、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路面Ｓ１側から半導体ウエハを所定の深さまでダイシングして、半導体ウエハを貫通しない複数の切断溝を回路面Ｓ１側に形成する工程と、回路面Ｓ１上に、複数の突出電極１０ａを覆う絶縁性樹脂層１８を形成する工程と、複数の切断溝に至るまで半導体ウエハの裏面側から半導体ウエハを研削し、絶縁性樹脂層１８が繋がったまま半導体ウエハを複数の半導体チップ２４に個片化する工程と、裏面Ｓ３に支持テープ２８を貼付け、支持テープ２８の主面に沿う方向に支持テープ２８を引き伸ばすことによって、絶縁性樹脂層１８を複数の半導体チップ２４の外形に沿うように切断する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との高い接続信頼性を有する半導体装置を効率的に製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ１の一方面Ｓ１に形成された突起電極２を埋め込むように絶縁性樹脂層３を形成する被覆工程と、ダイシングテープ５上に半導体ウェハ１を固定するダイシング準備工程と、半導体ウェハ１を絶縁性樹脂層３とともに切断して半導体チップ８を得るダイシング工程と、絶縁性樹脂層３を有する半導体チップ８をピックアップするピックアップ工程と、基板１２の表面に設けられた電極１２ａ及び半導体チップ８の突起電極２の位置を合わせる位置調整工程と、位置調整工程後、半導体チップ８を基板１２に押し当てるとともに熱を加えることによって、半導体チップ８を基板１２に実装する接続工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステージ４及び圧着ヘッド５を有する圧着装置１０によって半導体チップ３と基板１との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層２とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が３００℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置を簡便に製造することが可能で、且つ、生産性に優れた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、回路面Ｓ１上に、複数の突出電極１０ａを覆う絶縁性樹脂層１２を形成する工程と、半導体ウエハ１０をダイシングフレーム１４及びダイシングテープ１６に取り付ける工程と、半導体ウエハ１０の回路面Ｓ１側から半導体ウエハ１０及び絶縁性樹脂層１２をダイシングすることで、複数の半導体チップ２０に個片化する工程と、ピックアップされた半導体チップ２０を位置合わせヘッドによって保持した状態で、半導体チップ２０の突出電極１０ａと基板上の回路電極との位置合わせを行い、仮固定する工程と、接続ヘッドを用いて半導体チップ２０と基板とを加熱圧着することで、半導体チップ２０の突出電極１０ａと基板の回路電極とを電気的に接続する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】異方性導電フィルムの接続信頼性を左右するパラメーターと、このパラメーターの最適値を提供する。
【解決手段】上記課題を解決するために、硬化反応完了後の弾性モジュラスＭ_２の値と硬化前の弾性モジュラスＭ_１の値との比である弾性モジュラス比［Ｍ_２／Ｍ_１］の値が１０以上であり、硬化挙動指数τ＝ｔ_ａ／ｔ_{ｔｏｔａｌ}（ｔ_ａ：硬化率が５０％に達する時間、ｔ_{ｔｏｔａｌ}：総硬化時間）の値が０．２〜０．５又は０．３〜０．７５であることを特徴とする、硬化挙動と弾性モジュラス比［Ｍ_２／Ｍ_１］とが最適化されたアクリレート系異方性導電フィルムを採用する。 （もっと読む）

【課題】ダイシングブレードを用いた切断工程に起因して半導体装置の角部及び側面に生じるバリの大きさを抑制できる半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体装置用基板を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体装置１の角部に対応する領域に所定のブレード幅より広い幅を有する複数の開口１０ａが設けられ、配線パターンを有するフレキシブル基板を準備するフレキシブル基板準備工程と、配線パターンと電気的に接続する半導体素子４０をフレキシブル基板に搭載する素子搭載工程と、半導体素子４０を封止樹脂５０で封止すると共に、複数の開口１０ａを封止樹脂５０で充填する封止工程と、半導体素子４０の外形に沿って封止樹脂５０で充填された複数の開口１０ａ間を所定のダイシングブレード６０で切断することにより、封止樹脂５０からなる角部を有する半導体装置４０を切り出す切断工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体チップが均一な厚さの絶縁層でインターポーザに固定された半導体パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の工程において、保護層１１３の上に第１の絶縁性接着剤１３１ａを配置してこれに接着させる。第２の工程で、第１の絶縁性接着剤１３１ａに対し加熱処理等を行って硬化させ、第１の絶縁層１３１を形成する。第３の工程では、インターポーザ１２０の導体パターン１２２側に第２の絶縁性接着剤１３２ａを配置してこれに接着させる。第４の工程で、第１の絶縁層１３１を第２の絶縁性接着剤１３２ａ上に貼り合わせ、両者を加熱加圧することで半導体チップ１１０をインターポーザ１２０にフリップチップ接合させる。この加熱により、第２の絶縁性接着剤１３２ａも硬化されて第２の絶縁層１３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】１〜５μｍの厚みを有する極薄金属箔を備えるフレキシブル金属張積層板において、ＩＣチップを高温で実装する場合においてもポリイミド樹脂層の熱変形を十分に抑制することが可能であり、しかもカールの発生が十分に抑制されたフレキシブル金属張積層板を提供する。
【解決手段】ポリイミド樹脂層の片面に１〜５μｍの厚みを有する極薄金属箔２を備え、ポリイミド樹脂層が、熱膨張係数が２５×１０^−６（１／Ｋ）未満の低熱膨張性樹脂層１ａ及び熱膨張係数が２５×１０^−６（１／Ｋ）以上の高熱膨張性樹脂層１ｂからなり、ポリイミド樹脂層の熱膨張係数が１０×１０^−６〜３５×１０^−６（１／Ｋ）の範囲内にあり、極薄金属箔が低熱膨張性樹脂層上に形成されており、且つ、高熱膨張性樹脂層の厚みｔ_Ｂと前記極薄金属箔の厚みｔ_Ｍとが下記数式０．２≦（ｔ_Ｂ／ｔ_Ｍ）≦１．２を満たすチップオンフィルム用フレキシブル金属張積層板１１。 （もっと読む）

【課題】プリント基板などの屈曲した面に形成された電気回路上のパッドにシリコンチップを内蔵するフラットな電子部品を低温・低応力で自由な角度で実装する電子部品の実装構造および実装方法を提供する。
【解決手段】複数の中空突起３を持つ樹脂シート１を用い、中空突起３中に、未硬化の導電性樹脂４を充填し、中空突起３をプリント配線板６などの屈曲した面に形成された電気回路２上のパッド７に合うように位置合わせして装着し、中空突起３を上側にしてプリント配線板６表面の中空突起３上に電子部品９の外部電極１０を位置合わせして搭載し、電子部品９を搭載した状態で加熱し、中空突起３内部の導電性樹脂４が形状を保持できる程度に半硬化させ、更に温度を上げて樹脂シート１表面を覆う樹脂を分解し、更に温度を上げて導電性樹脂４を本硬化して屈曲したプリント配線板６上にフラットな電子部品６を実装する。 （もっと読む）

【課題】導電部の高さの異なる電子部品を実装する場合であっても、接触抵抗及びインダクタンスを小さくすることができ、かつ導電性に優れ、低コスト化が図れる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】平板状の弾性体からなる基体１、基体１の厚さ方向に所定の間隔で並んで配された複数の貫通孔２、貫通孔２内に本体部３ｃが充填され、一端と他端とにそれぞれ第一突出部３ａと第二突出部３ｂとを有し、第一突出部３ａが基体１の一面１ａに、第二突出部３ｂが基体１の他面１ｂに突出するように配された導電部材３、基体１の一面１ａにあって、第一突出部３ａがそれぞれ貫通するような第一開口部４ｃを設けてなる可撓性の基板４、及び基板４上に複数配され、各々に第一突出部３ａが貫通するような第二開口部５ｄが一端３ａ側の近傍に設けてなる長丸状の電極５、から少なくともなり、電極５は互いに離間部をもって配されていること。 （もっと読む）

【課題】良好なコプラナリティを有して歩留まりが高く、また低コストなパッケージスタック型に積層可能な実装構造体を提供し、さらには本実装構造体を適用することにより、高機能化や小型化を図った低コストの電子機器を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ５０の下面のはんだバンプ５が可撓性配線基板７の電極に溶融接続されており、半導体パッケージ５０の側面および外部端子形成面とは表裏反対面を取り囲むように構成され、突出部９ａを有する支持体９を備え、支持体９の側面の一部、及び上面の一部を可撓性配線基板７で包み込むように接着固定され、半導体パッケージ５０の上面に電極が形成された実装構造体６０とする。 （もっと読む）

【課題】ＲＦＩＤタグ等の半導体装置における半導体チップの実装に関して、従来のＡＣＰ実装等に代えて、安価かつ高接続強度の半導体チップの実装を行うことで、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プリント配線基板の基板電極には少なくとも一つの凸部を、半導体チップのバンプ電極には少なくとも一つの凹部を形成し、前記凸部の少なくとも一つと前記凹部の少なくとも一つを嵌合して電気的接続をさせることで、安価かつ高強度にて半導体チップの基板電極への実装を行う。その結果、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供できるようになる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気的接続について信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】本発明に係る半導体モジュールは、集積回路１２が形成された半導体チップ１０と、半導体チップ１０に形成され集積回路１２に電気的に接続された電極１４と、電極１４上に位置する開口を有して半導体チップ１０上に形成された絶縁膜１６と、絶縁膜１６上に配置され絶縁膜１６とは反対側の表面が凸曲面をなす弾性突起１８と、電極１４上から弾性突起１８上に至るように延びる配線２０と、配線２０の弾性突起１８上の部分に接触するリード２６が形成された弾性基板２４と、半導体チップ１０の弾性突起１８が形成された面と弾性基板２４のリード２６が形成された面との間で間隔を保持する接着剤２２と、を有する。弾性基板２４は、弾性変形によって形成された第１の窪み２８を有する。リード２６の配線２０との接触部は、第１の窪み２８の表面上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な装置で基材の位置制御装置を提供する。
【解決手段】位置検出手段、位置フィードバック手段、真空制御手段、及び吸着ステージを有する基材位置制御装置において、前記吸着ステージ上で真空により基材を吸着させ、前記位置検出手段により吸着ステージ上の基材の所定の箇所の位置情報を検出して前記位置フィードバック手段に前記位置情報を送信し、前記位置フィードバック手段により前記位置情報を幅方向位置ずれ量に変換し、さらにその幅方向位置ずれ量を真空度に変換して前記真空制御手段に送信し、前記真空制御手段により前記真空度に対応させるよう、前記吸着ステージに付与する真空度を調整することにより、吸着ステージ上の基材の幅方向の位置調整を行う、基材位置制御装置。 （もっと読む）

【課題】リフロー工程でのフラックスの飛散エリアを十分に縮小できるリフロー装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリフロー装置は、フレキシブルテープ３上に素子５を実装する際、前記素子５と前記フレキシブルテープ３とを半田ペースト６によって接合するためのリフロー装置であって、前記半田ペースト６を加熱して溶融させる本ヒート用ステージ２と、前記本ヒート用ステージ２によって前記半田ペースト６を加熱する際に前記素子５及び前記半田ペースト６を覆うフラックス飛散防止治具４と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）