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Fターム[5F044KK17]の内容

ボンディング (23,044) | フェイスダウンボンディング用配線基板 (5,003) | 電極部 (1,724) | バンプ (984) | 形状、配置 (280)

Fターム[5F044KK17]に分類される特許

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【課題】電子部品を支持体に保持する際に、電子部品と支持体との位置ズレを抑制して、チップ間の導通不良を低減可能とする電子部品の保持構造及び電子部品の保持構造の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品10は、その一面に、一面と平行な断面における外接円の直径がRaである胴体部5bと、一面と平行な断面における外接円の直径がRaよりも大きいRbである先端部5aとからなる突起部5を備え、支持体20は、その一面側の内部に、一面と平行な断面における内接円の直径がRcであり先端部を収容可能な空洞部16と、一面と平行な断面における内接円の直径がRcよりも小さいRdであり空洞部を外部に開口する開口部15とからなる穴部を備え、Ra,Rb,Rc,Rdが、Ra≦Rd、及び、Rd<Rb≦Rcの関係を満たし、穴部が空洞部に先端部を収容して突起部を保持する構成30とする。 (もっと読む)


【課題】半導体部品のフリップチップ実装の歩留まりを向上させ、さらに高信頼が得られる半導体実装用基板とその実装構造を提供する。
【解決手段】本発明の半導体実装用基板は、電極ランド4の下に基板3における層間接続用ビア電極8が設けられ、このビア電極8によって電極ランド4の表面に突起9が形成されたものであり、半導体部品1のはんだバンプ7の高さばらつきを吸収し高歩留まりで実装可能であり、また、使用するはんだ量を削減できるため、はんだの再溶融時のはんだ流出を防止できるものである。 (もっと読む)


【課題】異方性導電層を介して突起電極の接合を行う際に、ACF粒子を突起電極上に効率よく捕らえる。
【解決手段】感光性樹脂層4の露光・現像を行うことにより、パッド電極2上に開口部5を形成し、無電解メッキを用いることにより、パッド電極2に接続された導電層6を開口部5内の途中の高さまで形成し、感光性樹脂層4と導電層6との間に段差を設ける。 (もっと読む)


【課題】対向する接続電極同士が確実に接続される。
【解決手段】線状突起物1bが形成された上部接続電極1を有する上部回路基板10と、線状突起物2bが形成された下部接続電極2を有する下部回路基板20と、を有し、線状突起物1bと線状突起物2bとを介して、上部回路基板10と下部回路基板20とが結合されることにより、線状突起物1b,2bが接続する箇所には応力が集中され、微小な歪みが生じて、線状突起物1b,2bによって、下部接続電極2の表面および上部接続電極1の表面に形成された酸化物または有機物が突き破られる。 (もっと読む)


【課題】半導体素子が実装される接続導体間の間隔を近接させることができる配線基板を提供する。
【解決手段】基材3と、この基材3上に形成された表側導体パターン8と、この表側導体パターン8上に設けられた絶縁膜5とを備え、前記絶縁膜5の不形成部に前記表側導体パターン8と接続されて設けられるとともに、半導体素子15のパッド17に当接して接続する転写突起導体12を有し、前記転写突起導体12は、凹版転写によって形成された転写突起樹脂と、この転写突起樹脂の表面に形成された金属膜とから形成されたものである。 (もっと読む)


【課題】基板に形成されたスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填させて基板間の配線を行う場合に、数μmの微細なスルーホール径に対してスルーホールの高さ方向の長さが長くなってもスルーホール内に金属超微粒子分散液を充填することができ、よってスルーホール内の断線を防止することができる電気接続体、電気接続体の形成方法及びカートリッジを提供する。
【解決手段】液滴吐出装置10の直径約5μm以下、好ましくは約1μm以下のノズル12から基板22に向けて液滴24を噴射させ堆積する。液滴24を複数堆積して形成された液滴堆積体において、最初の液滴34a上の成長起源液滴層34bの固化した直径をRm1、着弾後の液滴を複数堆積して形成された液滴堆積体の最上層の液滴34dの最大直径をRm2としたときに、Rm1とRm2との比が2:1〜1:1となる。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性を確保できる基板−電子部品間の接続構造を提供することにある。
【解決手段】セラミックス配線板10に設けられた基板側パッド14とLSIパッケージ20に設けられたバンプパッド21とが、導電性材料の粒子を含む異方性導電ペーストにより形成されたバンプ15により接続されている。このような構成によれば、半田バンプと比べて柔らかい異方性導電ペーストが使用されているため、バンプ15と基板側パッド14との界面にかかる応力が緩和される。このため、表面凹凸や反りが大きく、バンプ15と基板側パッド14との接続部分にストレスが比較的発生しやすいセラミックス配線板10を用いた場合であっても、接続信頼性を確保できる。 (もっと読む)


【課題】電極パッドに異なる径の半田接続部を良好な信頼性で形成する半田接続部の形成方法を提供する。
【解決手段】第1の電極パッド107に対応する第1の開口部140Aと、第2の電極パッド110に対応する当該第1の開口部と大きさの異なる第2の開口部140Bとを有するベースマスク140上に、前記第1の開口部に対応した開口部を有するとともに前記第2の開口部を覆う第1のマスクを設置して、前記第1の電極パッドに半田ボール109Aを載置する第1の工程と、前記ベースマスク上に、前記第2の開口部に対応した開口部151Bを有するととともに前記第1の開口部を覆う第2のマスク151を設置して、前記第2の電極パッドに半田ボール112Aを設置する第2の工程と、前記半田ボールを溶融する第3の工程と、を有することを特徴とする半田接続部の形成方法。 (もっと読む)


【課題】第1の接合部材の一面およびこれに対向する第2の接合部材の一面にそれぞれバンプを設け、それぞれの接合部材のバンプの先端部を接触させて接続してなるバンプ接合体の製造方法において、バンプの接触時における位置ずれを防止する。
【解決手段】第1のバンプ21の先端部21aおよび第1のバンプ21の相手側である第2のバンプ22の先端部22aを周期的な凹凸を有する形状とした後、これら両バンプ21、22の先端部21a、22aの凹凸部をかみ合わせるように両バンプ21、22を接触させ、接続を行う。 (もっと読む)


【課題】狭ピッチで、かつ多ピンの電極端子を有する半導体素子であっても、実装不良が生じ難く、かつ実装時の押圧力を小さくでき、接続信頼性の高い電子部品実装構造体を提供する。
【解決手段】複数の電極端子3を有する電子部品2と、これらの電極端子3に対応する位置に接続端子6を設けた実装基板5と、電極端子3と接続端子6とを接続する突起電極7とを備え、電子部品2の電極端子3と実装基板5の接続端子6とが突起電極7により接続され、突起電極7は可視光に感光する感光性樹脂と導電性フィラーとを含む導電性樹脂からなる構成を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の実装構造及びその実装構造の製造方法に関し、鉛フリーはんだを用いた場合に発生し易いパッケージ外周部に於ける回路オープン不良をはんだバンプに簡単な改良を加えることで抑止できるようにし、信頼性が高い半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】BGAに於ける電極と回路配線基板に於ける配線或いは電極との間に鉛フリーはんだバンプ19を介在して両者を接続してなる半導体装置の実装構造に於いて、はんだバンプ19はSnを主成分としBi、In、Zn、Ag、Sb、Cuから選択された少なくとも一種以上の金属からなる添加成分を含んでなり、且つ、主成分であるSnに対する添加成分の量が実装領域の略中央部に在るはんだバンプに比較して外周部に在るはんだバンプに於いて大であることが基本になっている。 (もっと読む)


【課題】回路動作に関係しないバンプをボンディング面に設けることなく実装回路部品を補強でき、かつ他の補強技術との併用を容易に可能にして、より信頼性の高い実装回路部品のを補強を可能にした回路基板装置を提供する。さらに携行時の衝撃、振動等に対して安定した動作を期待できる電子機器を提供する。
【解決手段】サブストレート20の側面に設けられた導体パターン22aと、マザーボード10のサブストレート実装面周辺に設けられた補強用のパッド15とが半田40により接合され、この半田接合部分がサブストレート20の補強構造部分として機能する。 (もっと読む)


【課題】特に、フィラー量の多いフラックス含有アンダーフィルを用いて半導体チップとパッケージ配線基板とをはんだバンプ(はんだ突起)同士で接続する際、バンプ接続部に前記フィラーが巻き込まれないようにして、高い接続信頼性を有するバンプ接続部を形成する。
【解決手段】パッケージ配線基板上に形成した、ソルダーレジスト平面より突出した半球状突起を有する半球状はんだバンプを、加熱及び加圧処理によって、ソルダーレジスト平面より突出した薄厚円盤状突出部を有する円盤状はんだバンプにする。この時、特に、薄厚円盤状突出部の平面形状の径をソルダーレジストの開口部径の1.5倍以上にする。こうする事で、フラックス含有アンダーフィルを用いたバンプ間接続を行なったとき、比較的大きい径を有する円盤状突出部が加熱によって融解し、自身の表面張力によって半球状に変形して半導体チップ側のはんだバンプと接合する際に近傍のフィラーをバンプ接続領域から排除するように働き、結果としてフィラーが接合部に巻き込まれない。 (もっと読む)


【課題】配線の微細化に対応しつつ、千鳥配列された突出電極と配線との接触を防止する

【解決手段】半導体チップ4に形成された突出電極5を配線パターン2上に接合させるこ
とにより、半導体チップ4が絶縁性基材1上にフェースダウン実装され、突出電極5は千
鳥配列されるとともに、半導体チップ4上で外側に配置された突出電極5bの接合部に隣
接する部分の配線パターン2aを覆うように絶縁層7を形成する。 (もっと読む)


【課題】電子部品の各端子を略均一にバンプ接続することができる、電子部品実装構造を提供する。
【解決手段】積層された絶縁層11〜14と、絶縁層11〜14に配置された導体パターンとを備えた多層基板10に、バンプ54,55を介して少なくとも一つの電子部品50をフリップチップボンディングにより実装する。絶縁層11〜14の積層方向に透視すると、多層基板10の絶縁層11〜14のうちバンプ54,55に最も近い第1の絶縁層11に形成された全ての貫通孔11a,11bが、電子部品50を実装するための全てのバンプ54,55から離れている。 (もっと読む)


【課題】接続信頼性に優れた中継基板、および半導体素子と中継基板と基板とからなる構造体を提供する。
【解決手段】本発明の構造体11は、半導体素子15と中継基板21と基板41とからなる。中継基板本体38の第1面32には半導体素子15が実装され、第2面33は基板41の表面上に実装される。中継基板本体38の第1面22側には複数の第1面側端子28が配置され、第2面23側には複数の第2面側端子29が配置される。第1面側端子28及び第2面側端子29は互いに導通構造30,31,32を介して導通している。半導体素子15と、中継基板21との間には、樹脂充填剤81が充填されている。また、基板41と、中継基板21との間には、樹脂充填剤82が充填されている。 (もっと読む)


【課題】バンプ形成を行うことで基板内配線を可能とするバンプ付の基板やテープキャリア基板等の基板およびその形成方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用の複数の棒状のリード2aと、各棒状のリード2aと半導体チップとを接合するための接合用のバンプ5aと、内部接続用の複数の十字状のリード2bと、各十字状のリード2bの相互間および十字状のリード2bと棒状のリード2aとを導通するための導通用のバンプ5bとを備え、内部接続用の十字状のリード2bと導通用のバンプとにより任意の外部接続用の棒状のリード2a間を導通する基板内配線を形成する。 (もっと読む)


【課題】半田バンプ中にボイドが形成されにくく、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して強固に接合することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供すること。
【解決手段】表面にめっき膜から成る半田接合パッド3が形成された絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に被着されており、半田接合パッド3の中央部を露出させる開口部4aを有するとともに半田接合パッド3の外周部を被覆する耐半田樹脂層4と、開口部4a内に露出した半田接合パッド3上に接合された半田バンプ5とを具備して成る半田バンプ付き配線基板の製造方法であって、半田接合パッド3となる領域の中央部にめっき液を外周部よりも多くあててめっきを施すことによって表面が凸面となった半田接合パッド3を形成する。 (もっと読む)


【課題】半田バンプ中にボイドが形成されにくく、電子部品の電極と半田接合パッドとを半田バンプを介して強固に接合することが可能な半田バンプ付き配線基板を提供すること。
【解決手段】表面に半田接合パッド3が形成された絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に被着されており、半田接合パッド3の中央部を露出させる開口部4aを有するとともに半田接合パッド3の外周部を被覆する耐半田樹脂層4と、開口部4a内に露出した半田接合パッド3上に接合された半田バンプ5とを具備して成る半田バンプ付き配線基板であって、半田接合パッド3は、半田バンプ5が接合された表面が凸面となるように突出部が一体的に形成されているとともに、凸面と反対側の表面に凸面の平面視面積よりも小さな平面視面積を有するビア導体が一体的に形成されており、さらに半田接合パッド3の外周部が平面視して突出部およびビア導体よりも外側に延在している。 (もっと読む)


【課題】半導体チップの電極パッドと突起電極の接合時におけるインナーリードへの応力集中を軽減して、インナーリードの断線を抑制したテープ配線基板およびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】可撓性の絶縁性基材1と、絶縁性基材上に設けられ、半導体チップが実装される領域4に整列して配置された端部によりインナーリード2を形成する複数本の導体配線と、各インナーリードに設けられた突起電極3とを備え、半導体チップの電極パッドと突起電極を接合することにより、半導体チップをフェイスダウンボンディングよって実装できるように構成される。整列した各インナーリードのうち、列の端部に配置された複数本のインナーリードに形成された突起電極3a〜3cは、内側のインナーリードから最端列のインナーリードになるのに従い徐々に長くなっている。 (もっと読む)


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