【課題】基板間の接合の際の印加荷重の加え過ぎが防止され、基板間での線膨張係数差などに起因する内部応力によって歪を生じる恐れを少なくした基板間の電極間接合方法ないし構造体である。
【解決手段】第一の基板1に、電極バンプ5、補強バンプ6、ストッパーバンプ7を形成し、第二の基板8に、対応する電極バンプ5に当接する電極パッド10、対応する補強バンプ6に当接する補強パッド11、対応するストッパーバンプ7に当接して第一の基板1と第二の基板8間の接合間隔を規定するストッパーパッド12を形成し、両基板1,8を相対向して整合し、荷重を印加しながら電極バンプ5及び補強バンプ6を変形して行き、ストッパーバンプ7とストッパーパッド12が互いに押圧力を受けるまで電極バンプ5及び補強バンプ6を変形する。これにより電極バンプ5と電極パッド10及び補強バンプ6と補強パッド11を接合させ、この接合により両基板1,8間の電極同士を接合する。 （もっと読む）

【課題】 チップ搭載基板のバンプとベース基板のバンプとを積層し接続する半導体装置において積層時の位置ずれを抑制する構造を提供する。
【解決手段】 半導体チップ１が搭載され、この搭載された半導体チップの周辺に沿って設けられたバンプ１０が複数個形成されたチップ搭載基板２と、配線パターン５が形成され、この配線パターンと電気的に接続されたバンプ７が複数個形成されたベース基板３とは積層され、チップ搭載基板側バンプの各個は、対応するベース基板側バンプのそれぞれに積層されて接続され、ベース基板側バンプにおいて、対向する２辺に対向して配置された１対のベース基板側バンプにはその上に積層された１対のチップ搭載基板側バンプが、１対のベース基板側バンプ間の外側もしくは内側にずれるように積層され、これを前記プレス時まで仮固定する事により、積層時の位置ずれを抑制する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップがバンプを介して配線基板に電気的接続された半導体装置であって、半導体チップを配線基板に実装する際に、バンプからの反作用により半導体チップおよび配線基板に負荷される荷重が低減された信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップの電極表面および配線基板に接合された小さなばね定数を有するバンプの接合端面を平坦化および活性化し、高温高圧を負荷する必要のない常温接合技術を用い、バンプを介して半導体チップの電極と配線基板の電極とを電気的接続する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップが配線基板に電気的接続された半導体装置であって、分解が容易でリペアやリサイクルに有利で、高い信頼性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体チップ上に形成された電極および配線基板上に形成された電極を真空または電極と反応しないガスを封止した枠構造を用いて封止することによって、封止樹脂を用いることなく、これらの電極が酸素や水分からの攻撃により劣化することを防止し、さらに、半導体チップ上に形成された電極と配線基板上に形成された電極とを接触により電気的接続を達成することによって、分離可能性を向上させる。 （もっと読む）

超音波トランスデューサ（１００）は、集積回路（５２）、及び集積回路にフリップチップバンプ（７６、７８）を介して結合された音響素子（９２、９４、９６）のアレイを有する。フリップチップバンプは１：１より大きいアスペクト比を有する高アスペクト比バンプを有する。アスペクト比はバンプ高さ（８２）のバンプ幅（８４）に対する比から成る。
（もっと読む）

本発明は、熱拡散係数α_ｐを有する支持体基板（１）およびこの支持体基板上にバンプ（３１〜３４）を介して固定されたフリップチップ構造のチップ（２）を有する電気素子に関する。チップ（２）は第１の方向ｘ_１において熱拡散係数α_１を有し、ここで第１の拡散差はΔα_１＝｜α_ｐ−α_１｜である。さらにチップ（２）は第２の方向ｘ_２において熱拡散係数α_２を有し、ここで第２の拡散差はΔα_２＝｜α_ｐ−α_２｜である。Δｘ_１は第１の方向ｘ_１での各端部バンプ（３１，３２）の中心（３１０，３２０）間の距離である。Δｘ_２は第２の方向ｘ_２での各端部バンプ（３３，３４）の中心（３３０，３４０）間の距離である。ここでΔα_１＞Δα_２のときΔｘ_１＜Δｘ_２が相当し、Δα_１＜Δα_２のときΔｘ_１＞Δｘ_２が相当する。これにより、温度変化があった場合に端部バンプへ作用するせん断応力が最小化される。
（もっと読む）

【課題】 半導体装置の組み立てにおいてフリップチップ接続の信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５において複数のフリップチップ用端子５ｅの列の端部にダミー端子５ｄが設けられていることにより、フラックスや半田の流れをダミー端子５ｄによって抑制して複数のフリップチップ用端子５ｅ上に半田層４を形成することができ、これにより、フリップチップ用端子５ｅに近接して設けられたワイヤ接続用端子５ｆに半田を付着させることなく、各フリップチップ用端子５ｅ上に形成する半田層４の厚さを十分に確保することができ、その結果、フリップチップ接続の信頼性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップの厚みが薄い場合でも優れた接続信頼性を得ることが可能な半導体チップの配線基板への接続構造及びこれに用いる配線基板を提供する。
【解決手段】周縁部に多数の電極２を有する半導体チップ１と、これに相対する電極５を有する配線基板４の接続構造であって、前記半導体チップおよび／または配線基板の電極が絶縁面より突起してなり、少なくとも接続後の半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に前記突起電極と略同等高さのダミー電極６が設けられ、前記ダミー電極は接続面を投影した時、三角状、エル（Ｌ）字状のいずれかもしくはこれらの２種が接続領域内に複数個存在し、さらにこれらの頂点が接続領域の中央部に向けて形成されており、厚みが０．３ｍｍ以下の前記半導体チップと配線基板とが接着剤１１で接続されてなる半導体チップの接続構造。 （もっと読む）

【課題】電極又はリードの間隔の狭小化を防止することができる半導体装置及び電子機器を提供することにある。
【解決手段】半導体装置は、電極１２を有する半導体チップ１０と、リード２２が形成された基板２０と、電極１２とリード２２との接合部３０と、を有する。接合部３０は、共晶合金３２を含む。電極１２のリード２２に対する接合面と、リード２２の電極１２に対する接合面とは、異なる大きさを有するように形成されている。共晶合金３２を含む接合部３０の外形は、電極１２及びリード２２のうち接合面の大きい方の外形と同等又はそれより小さく形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 十分に信頼性の高い理想的な接合状態を得るのに最適な半田バンプを有する半導体部品の実装方法および実装装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 半田バンプ２６ａを有する半導体部品２６および半田バンプ４２ａを有する基板４２を加熱し、半田バンプ２６ａ、４２ａの一端部を凹凸を有するステージに押圧して塑性変形させ、十分な面積の新生面を形成する。前記新生面にフラックス塗膜３２を転写して塗布する。半導体部品２６の半田バンプ26ａを基板４２の半田バンプ４２ａの上に載置して、半導体部品２６を基板４２に搭載する。半導体部品２６および基板４２を加熱して半田バンプ２６ａ、４２ａを溶融接合する。 （もっと読む）

【課題】回路基板にはんだ付けされている低耐熱性表面実装部品を、回路基板や低耐熱表面実装部品の性能に影響を与えることなく、回路基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】低耐熱性表面実装部品１の面の外周寄り２でのはんだバンプ３を、中央寄りのはんだバンプ３よりも、低融点のはんだで形成する。回路基板の低耐熱性表面実装部品１の部分を局所的に加熱し、はんだバンプを溶融して取り外すのであるが、このように局部加熱すると、低耐熱性表面実装部品１の中央寄りに対し、外周寄りでは加熱温度が低い。このため、外周寄りでは、融点の低いはんだによるはんだバンプを用い、このような低い加熱温度でも、はんだバンプが溶融するようにする。これにより、低耐熱性表面実装部品１の面全体のはんだバンプが溶融する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との間の接続部位におけるショートの防止。
【解決手段】端子電極２を有する半導体装置１００が、入出力端子電極８を有する回路基板９に実装され、端子電極２と入出力端子電極８とが対向配置されて電気接合層１３を介して電気接続されている。ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。電気接合層１３は、その周囲が凹部４５によって囲まれることで周囲への流出が阻止される。
（もっと読む）

【課題】 大きな圧力を加えずとも、突起電極と接続端子とを確実に接続することができ、導体パターンを高密度に形成しても、断線を防止することのできる、配線回路基板、および、その配線回路基板に半導体素子が搭載された半導体装置を提供すること。
【解決手段】 接続端子４を一体的に有する導体パターン３を備える配線回路基板１において、接続端子４には、接続側の表面に、接続端子４の幅方向の中央部において、その長手方向にわたって凸部５を設ける。接続端子４とバンプ１４とは、圧着（熱圧着）により、凸部５をバンプ１４に減り込ませて接続する。この接続では、接続端子４の基部６がバンプ１４に減り込まなくても、凸部５のバンプ１４に対する減り込みにより、これらを接続することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの厚みが薄い場合でも優れた接続信頼性を得ることが可能な半導体チップの配線基板への接続構造及びこれに用いる配線基板を提供する。
【解決手段】半導体チップ１と配線基板４の接続構造であって、半導体チップおよび／または配線基板に突起電極２が設けられ、突起電極表面の平均粗さ（ＪＩＳ、Ｂ０６０１、１０点平均粗さ）が０．５μｍ以上であり、接続後の半導体チップの周縁部電極に囲まれた領域内に突起電極と略同等高さのダミー電極６が設けられ、ダミー電極は接続面を投影した時、三角状、エル（Ｌ）字状のいずれかもしくはこれらの２種、または、半円弧状、コの字状のいずれかもしくはこれらの２種が複数個存在し、さらにこれらの頂点が接続領域の中央部に向けて形成されており、厚みが０．３ｍｍ以下の前記半導体チップと配線基板とが接着剤１１で接続されてなる半導体チップの接続構造。 （もっと読む）

【課題】 配線基板にバンプを形成し、接合する半導体チップのフラックス洗浄を不要とし、応力がかかっても部品側や配線基板側には影響が及び難い部品実装配線基板、および配線基板への部品の実装方法を提供すること。
【解決手段】 配線基板２１には、銅メッキ膜をエッチングした円錐台形状の銅核２６とそれを覆う球殻状の半田２７とからなるバンプを設ける。半導体チップ１１には、接合パッドとその周縁部に、銀の超微粒子が分散されたペーストによる導電性膜を形成し、耐食性付与のメッキ膜を形成して接合パッド１８とし、それを覆って一面にフラックス樹脂膜１９をペースト状として塗布する。半導体チップ１１を配線基板２１に位置合わせして加熱し、半田２７をリフローさせ、フラックス樹脂膜１９を垂れ下がらせ完全硬化させて実装する。 （もっと読む）

実装済基板（４０）は、基板電極（２２）が形成された配線基板（２０）と、バンプ（１３）が形成された電子部品（１０）と、配線基板（２０）と電子部品（１０）とを接着する非導電性樹脂（３０）とを備える。バンプ（１３）の先端部（１３１）と基板電極（２２）との間の領域は、先端部（１３１）と基板電極（２２）とが接触している複数の接触領域（５１）と、複数の接触領域（５１）の周囲において非導電性樹脂（３０）が介在する樹脂介在領域（５２）とを有する。複数の接触領域（５１）はバンプ（１３）の先端部（１３１）に形成された複数の突起が押圧により基板電極（２２）に接して潰れた領域であり、これにより、バンプ（１３）と基板電極（２２）との電気的接続の信頼性が高められる。 （もっと読む）

電子部品において平坦な上面を有するパッドを作製する方法であって、ａ）第一電子基板上に硬化性シリコーン組成物の平坦な上面を有する堆積物をステンシル印刷する過程であって、第一電子基板が半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択され、平坦な上面を有する堆積物のステンシル印刷がダウンステップステンシルを通したスクイジーにより行われる、堆積物をステンシル印刷する過程と、ｂ）平坦な上面を有する堆積物を硬化させる過程であって、それにより、平坦な上面を有するパッドを形成する、堆積物を硬化させる過程と、任意にｃ）平坦な上面を有するパッドの上面に第二電子基板を接着する過程であって、第二電子基板は半導体ダイ又は半導体ダイ取り付け部材から選択される、第二電子基板を接着する過程、並びに、任意にｄ）過程ａ）、ｂ）及びｃ）を反復する過程を包含する、パッドを作製する方法。

（もっと読む）

【課題】 集積型電子チップ及び相互接続デバイス、並びにそれを製造するための方法を提供すること。
【解決手段】 半導体デバイスと、マザーボードに接続するためのコネクタとを含む集積構造を形成するための方法が説明される。第１の層（２６）が除去用放射線を通すプレート（２３）上に形成され、第２の層（３２）が半導体デバイス（３１）上に形成される。第１の層は、マザーボードへの接続に必要とされる間隔に応じた第１の間隔距離だけ離されたボンディング・パッド（２７ｐ）に接続される導体の第１の組（２７）を有する。第２の層は、半導体デバイスに接続される導体の第２の組（３３）を有する。第１の層及び第２の層は、ボンディング・パッドの間隔より短い間隔を有するスタッド／バイア・コネクタ（２９、３６）を用いて接続される。このようにして、半導体デバイスが第１の層に取り付けられ、導体の第１の組と第２の組とがスタッドを通して接続される。第１の層とプレートとの間の界面が、該プレートを透過する除去用放射線（４５）によって除去され、それによって該プレートが分離される。次いで、コネクタ構造（４７、４８、４９）がボンディング・パッドに取り付けられる。本方法は、低コストで、高密度にパッケージされたデバイスを製造することを可能にする。 （もっと読む）

【課題】 はんだ接合部の応力集中を緩和しディバイスに発生する内部熱を効率的に放熱して信頼性の向上を図る。
【解決手段】 実装面２ａに接続電極６と周辺補強用ダミー電極７と中央補強用ダミー電極８が形成されたディバイス２と、接続ランド１０と周辺補強ランド１１と中央補強ランド１２とが形成されディバイス２をディバイス実装面３ａ上に実装する実装基板３とを備える。実装基板３には、中央補強ランド１２に接続される放熱ビア１４と、裏面３ｂに放熱パターン１５が形成され、中央補強ランド１２がディバイス２からの発生部を兼用して裏面３ｂからの放熱を行う。 （もっと読む）

【課題】 内層金属芯と外層金属箔との接続性、放熱性、吸湿後の耐熱性等に優れたフリップチップボンディング用多層プリント配線板を得る。
【解決手段】 表面は台形状の金属突起、裏面は複数個の円錐台形状金属突起を有する金属芯を用いたボールグリッドアレイの半導体プラスチックパッケージ用プリント配線板であって、多層積層時に表面平坦な両面銅張多層板とし、表面の半導体チップを搭載する台形状突起部上に流れ出した樹脂層をサンドブラスト法で除去して露出し、裏面は円錐台形状突起部先端が裏層銅箔と接続するように形成された熱放散用ハンダボールパッドとする。さらに、熱硬化性樹脂として多官能性シアン酸エステル系樹脂組成物を用いる。
【効果】 内層金属芯と裏面外層金属箔層との接続性、熱の放散性、吸湿後の耐熱性、プレッシャークッカー後の絶縁性、耐マイグレーション性などに優れ、大量生産性に適した新規な構造のフリップチップ搭載用プリント配線板を得ることができた。 （もっと読む）