実装済基板、電子部品実装方法、電子部品、及び配線基板

実装済基板（４０）は、基板電極（２２）が形成された配線基板（２０）と、バンプ（１３）が形成された電子部品（１０）と、配線基板（２０）と電子部品（１０）とを接着する非導電性樹脂（３０）とを備える。バンプ（１３）の先端部（１３１）と基板電極（２２）との間の領域は、先端部（１３１）と基板電極（２２）とが接触している複数の接触領域（５１）と、複数の接触領域（５１）の周囲において非導電性樹脂（３０）が介在する樹脂介在領域（５２）とを有する。複数の接触領域（５１）はバンプ（１３）の先端部（１３１）に形成された複数の突起が押圧により基板電極（２２）に接して潰れた領域であり、これにより、バンプ（１３）と基板電極（２２）との電気的接続の信頼性が高められる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品を配線基板に実装した実装済基板、該実装済基板を製造するための電子部品実装方法、並びに、前記実装済基板に用いられる電子部品、及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電気製品の小型化に伴い、半導体のベアチップ等の電子部品を、微小ピッチにて電極が形成された配線基板に実装する技術が利用されている。この種の実装では、電子部品の電極にバンプを形成し、このバンプを介して電子部品の電極（以下、「部品電極」という。）と、配線基板の電極（以下、「基板電極」という。）とを電気的に接続する手法が多くの場合採用されており、さらに、電子部品と配線基板との間に非導電性フィルム（ＮＣＦ：Ｎｏｎ−ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）を介在させて、非導電性フィルムの接着力により電子部品と配線基板とを機械的に接合する、ＮＳＤ（Ｎｏｎ−ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍＳｔｕｄ−ＢｕｍｐＤｉｒｅｃｔＩｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）工法と呼ばれるものも知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、ＮＳＤ工法による実装済基板の製造方法として、以下の方法が記載されている。まず、配線基板の基板電極上に、熱硬化性樹脂から成る非導電性フィルムを貼り付ける。次に、先端が尖ったボールバンプであるスタッドバンプを形成した電子部品を、バンプと基板電極とを位置合わせして非導電性フィルムの上から所定の荷重で配線基板に押圧し、これにより、バンプの先端で非導電性フィルムを押し退けて、バンプと基板電極とを電気的に接続された状態とする。そして、この状態で非導電性フィルムを加熱して硬化させ、電子部品と配線基板とを非導電性フィルムの接着力により機械的に接合する。
【０００４】
なお、電子部品を微細な基板電極に実装する手法としては、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との間に、絶縁性の樹脂に複数の細かい銀片を混入させたものである異方導電性のフィルムやペーストを介在させて、バンプと基板電極とを電気的に接続すると共に、電子部品と配線基板とを機械的に接合するものも知られている。例えば、特許文献２には、異方導電性ペーストを介在させる実装方法として、バンプの先端に微小な複数の突起を形成し、この突起を基板電極上の酸化膜を突き破って食い込んだ状態で接続させることにより、電気的接触の信頼性を高めることが記載されている。
【特許文献１】国際公開第９８／３００７３号パンフレット
【特許文献２】特開平１１−１１１７６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上述した従来のＮＳＤ工法による実装方法において、電子部品の取扱時に先端が潰れて平らになったバンプや先端を予めレベリング、つまりバンプの先端をある程度潰して平坦化したバンプを使用すると、バンプの先端と基板電極との間の大部分に非導電性樹脂が挟まってしまい、電気的接続の信頼性が低下してしまう。また、ＮＳＤ法ではバンプの先端を尖らせる必要があるため、バンプを基板電極に押し付ける距離が長くなるとともにバンプを基板電極に押し付ける荷重が大きくなる。電子部品を基板に実装する場合は、押圧時の荷重はなるべく小さい方が好ましい。
【０００６】
又、前記特許文献２では、電子部品のバンプと配線基板の基板電極とは、導電性のペーストを介在させて接合することから、たとえバンプとランドとが直接に接触していなくても、両者間での導通は可能である。したがって、上述のような非導電性樹脂を介在させる場合における電気的接続の信頼性低下という問題を考慮する必要が無い。
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との電気的接続の信頼性を向上することができる実装済基板、電子部品実装方法、電子部品、及び配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するために、本発明は以下のように構成する。
本発明の第１態様の実装済基板によれば、電子部品が実装された実装済基板であって、複数の基板電極が形成された配線基板と、前記複数の基板電極に電気的にそれぞれ接続される複数のバンプが形成された電子部品と、少なくとも前記複数のバンプの周囲にて前記配線基板と前記電子部品とを接着する非導電性樹脂とを備え、前記複数のバンプのそれぞれの先端と前記先端に対向する基板電極との間の接合領域が、前記先端と前記基板電極とが接触する複数の接触領域と、前記複数の接触領域の周囲において前記非導電性樹脂が介在する樹脂介在領域とを有する。
【０００８】
前記第１態様の実装済基板であって、前記複数の接触領域は、前記複数のバンプのそれぞれの前記先端に形成された複数の突起が押し潰された領域であるとしても良い。
【０００９】
前記第１態様の実装済基板であって、前記複数の接触領域は、前記基板電極に形成された複数の突起が押し潰された領域であるとしても良い。
【００１０】
又、前記第１態様の実装済基板において、前記接触領域は、前記接合領域の中央部では密に、周縁部では前記中央部に比して粗く形成してもよい。
【００１１】
このように接合領域における単位面積当たりの接触領域の形成密度を接合領域内で変化させることで、非導電性樹脂を押し退けながらバンプと基板電極とを接合させるとき、接合領域から押し出される非導電性樹脂における流動抵抗が低減され、接合するバンプと基板電極との間に非導電性樹脂が封じ込まれてバンプと基板電極との導通が妨げられることを低減することができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１２】
又、前記第１態様の実装済基板において、前記樹脂介在領域は、前記接合領域の中央部から周縁部に向けて放射状に延在させてもよい。
【００１３】
このように構成することで、非導電性樹脂を押し退けながらバンプと基板電極とを接合させるとき、接合領域から押し出される非導電性樹脂を効率的に排出することができる。よって、接合するバンプと基板電極との間に非導電性樹脂が封じ込まれてバンプと基板電極との導通が妨げられることを低減することができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１４】
又、前記第１態様の実装済基板において、前記接触領域は、前記接合領域の中央部では粗く、周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成してもよい。
【００１５】
上述したように、バンプと基板電極とを接合させるときの、接合領域からの非導電性樹脂の排出性を考えると、前記接触領域は、接合領域の中央部で密に、周縁部で粗く形成されるのが好ましい。一方、バンプと基板電極とが位置ずれした場合を考慮すると、接触領域は、接合領域の周縁部で密になる方が電気的接続の信頼性は向上する。このように、接合領域からの非導電性樹脂の排出性と、バンプと基板電極とが位置ずれした場合とでは、対処方法が相反する。そこで、前記位置ずれの場合を考慮して、接触領域を接合領域の周縁部で密にするときには、接合領域を千鳥状に形成することで、ランダムに形成する場合に比べて非導電性樹脂の排出性を向上させることができる。よって、バンプと基板電極との位置ずれを考慮しつつバンプと基板電極との電気的接続の信頼性を向上させることもできる。
【００１６】
又、本発明の第２態様における実装済基板は、電子部品が実装された実装済基板であって、
複数の基板電極が形成された配線基板と、
前記複数の基板電極に電気的にそれぞれ接続される複数のバンプが形成された電子部品とを備え、
前記複数のバンプのそれぞれの先端と前記先端に対向する基板電極との間の接合領域が、前記先端と前記基板電極とが接触する複数の接触領域と、前記複数の接触領域の周囲において非導電性樹脂が介在する樹脂介在領域とを有し、
前記接合領域の中央部と周縁部とにおいて前記接触領域の占める割合を異ならせる。
【００１７】
前記第２態様において、前記接触領域は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成することができ、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成することができる。
又、前記第２態様において、前記樹脂介在領域は、前記中央部から前記周縁部に向けて放射状に延在させてもよい。
【００１８】
このように接合領域における単位面積当たりの接触領域の形成密度を接合領域内で変化させることで、非導電性樹脂を介在させてバンプと基板電極とを接合させるとき、接合領域から押し出される非導電性樹脂における流動抵抗が低減され、接合するバンプと基板電極との間に非導電性樹脂が封じ込まれてバンプと基板電極との導通が妨げられることを低減することができ、電気的接続の信頼性を向上させることができる。
【００１９】
本発明の第３態様における電子部品実装方法は、電子部品を配線基板上に実装する電子部品実装方法であって、配線基板上に形成された複数の基板電極のそれぞれ、又は、電子部品に形成された複数のバンプのそれぞれに複数の突起を形成し、少なくとも前記複数の基板電極の周囲に接着性を有する非導電性樹脂を付与し、前記電子部品を前記配線基板に押圧するとともに前記非導電性樹脂を硬化させることにより、前記複数の基板電極に前記複数のバンプをそれぞれ電気的に接続する。
【００２０】
前記第３態様の電子部品実装方法であって、前記複数の突起を形成するとき、前記複数のバンプ又は前記複数の基板電極に凹凸が形成された型が押圧されるようにしてもよい。
【００２１】
前記第３態様において、前記複数の突起を形成するとき、前記バンプ又は前記基板電極の中央部では密に、周縁部では前記中央部に比して粗く前記突起を形成してもよく、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に前記突起を形成してもよい。
【００２２】
又、本発明の第４態様の電子部品は、配線基板に実装される電子部品であって、複数の部品電極を有する前記電子部品の部品本体と、接着性を有する非導電性樹脂を挟み込みつつ配線基板上に形成された複数の基板電極と電気的に接続するために前記複数の部品電極上に形成された複数のバンプとを備え、前記複数のバンプのそれぞれが、先端部に複数の突起を備える。
【００２３】
前記第４態様の電子部品であって、前記突起の最大高さＲｙが、２μｍ以上１５μｍ以下であるようにしてもよい。
【００２４】
又、前記第４態様において、前記バンプの凹凸形成面は、前記基板電極側へ凸状としてもよい。又、前記突起は、前記バンプの凹凸形成面の中央部では密に、周縁部では前記中央部に比して粗く形成してもよく、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成してもよい。
【００２５】
又、本発明の第５態様の電子部品では、配線基板に実装される電子部品であって、
複数の部品電極を有する前記電子部品の部品本体と、
配線基板上に形成された複数の基板電極と電気的に接続するために前記複数の部品電極上に形成された複数のバンプと、を備え、
前記複数のバンプのそれぞれが、先端部における凹凸形成面に複数の突起を備え、
前記突起は、前記凹凸形成面における中央部と周縁部とにおいて形成密度を異ならせている。
【００２６】
前記第５態様において、前記突起は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成してもよく、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成してもよい。
【００２７】
又、本発明の第６態様の配線基板は、電子部品実装用の配線基板であって、基板本体と、接着性を有する非導電性樹脂を挟み込みつつ電子部品に形成された複数のバンプと電気的に接続するために形成された複数の基板電極とを備え、前記複数の基板電極のそれぞれが、電極表面に複数の突起を備える。
【００２８】
前記第６態様の配線基板であって、前記電極表面の前記突起の最大高さＲｙが、２μｍ以上１５μｍ以下であるようにしてもよい。
【００２９】
又、前記第６態様において、前記突起は、前記電極表面の中央部では密に、周縁部では前記中央部に比して粗く形成してもよく、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に形成してもよい。
【００３０】
又、本発明の第７態様の配線基板では、電子部品実装用の配線基板であって、
基板本体と、
電子部品に形成された複数のバンプと電気的に接続するために形成された複数の基板電極と、を備え、
前記複数の基板電極のそれぞれが、電極表面に複数の突起を備え、
前記突起は、前記表面における中央部と周縁部とにおいて形成密度を異ならせる。
【００３１】
又、前記第７態様において、前記突起は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成してもよく、又、逆に、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に形成してもよい。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、接合領域において、複数の接触領域及び樹脂介在領域を形成したことから、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との電気的接続の信頼性が高い実装済基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】図１は、第１の実施の形態における電子部品実装の流れを示すフローチャート、
【図２】図２は、部品本体の部品電極上にバンプを形成した状態を示す断面図、
【図３】図３は、部品本体のバンプに型を位置決めした状態を示す断面図、
【図４】図４は、部品本体のバンプに型を押圧した状態を示す断面図、
【図５】図５は、部品本体のバンプに複数の突起を形成した状態を示す断面図、
【図６】図６は、型の凹凸面の様子を示す斜視図、
【図７】図７は、配線基板の基板電極上に非導電性樹脂を付与した状態を示す断面図、
【図８】図８は、配線基板に電子部品を実装した状態である実装済基板の構成を示す断面図、
【図９】図９は、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との接触領域を示す平面図、
【図１０】図１０は、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との接触領域の他の例を示す平面図、
【図１１】図１１は、先端部が尖っているバンプが位置ずれして基板電極と十分に接触していない状態を示す断面図、
【図１２】図１２は、先端部に凹凸を有するバンプが位置ずれして基板電極と接触している状態を示す断面図、
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態において配線基板の基板電極に型を位置決めした状態を示す断面図、
【図１４】図１４は、配線基板の基板電極に型を押圧した状態を示す断面図、
【図１５】図１５は、配線基板の基板電極に複数の突起を形成した状態における配線基板の構成を示す断面図、
【図１６】図１６は、配線基板の基板電極上に非導電性樹脂を付与した状態を示す断面図、
【図１７】図１７は、配線基板に電子部品を実装した状態である実装済基板の構成を示す断面図、
【図１８】図１８は、図５に示す断面図の変形例であって凹凸形成面が凸状であるバンプに複数の突起を形成した状態を示す断面図、
【図１９】図１９は、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との接触領域の別の例を示す平面図、
【図２０】図２０は、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との接触領域のさらに別の例を示す平面図、
【図２１】図２１は、電子部品のバンプと配線基板の基板電極との接触領域のさらに他の例を示す平面図、
【図２２】図２２は、図１９に対応した図であり、バンプ及び基板電極に形成された凹凸の粗、密を示す図、
【図２３】図２３は、図２１に対応した図であり、バンプ及び基板電極に形成された凹凸の粗、密を示す図である。
【符号の説明】
【００３４】
１０電子部品
１１部品本体
１２部品電極
１３バンプ
１３１，１３１ａバンプの先端部
１３３突起
１３４凹凸形成面
１３４ａ中央部
１３４ｂ周縁部
２０配線基板
２１基板本体
２２，２２ａ基板電極
３０非導電性樹脂
４０実装済基板
５１接触領域
５２樹脂介在領域
５３接合領域
５３ａ中央部
５３ｂ周縁部
８０，８０ａ型
２２１電極表面
２２２凹凸
２２３突起
【発明を実施するための最良の形態】
【００３５】
本発明における実施形態について、図面を参照して以下に説明する。尚、各図において同じ部品については同じ参照符号を付している。
【００３６】
図１は、本発明の第１の実施の形態における電子部品実装の流れを示すフローチャートであり、電子部品の製造工程の一部であるバンプ形成工程を含んでいる。図２乃至図５は電子部品の製造工程においてバンプに複数の突起を形成する様子を説明するための図である。
【００３７】
バンプ形成では、まずステップＳ１１にて、図２に示すように、部品本体１１に形成された複数の部品電極１２上に複数のバンプ１３が形成される。部品本体１１は、半導体のベアチップであり、部品電極１２は、アルミニウムにより形成されている。バンプ１３は、先端が尖ったボールバンプ、いわゆるスタッドバンプであり、金ワイヤの先端を放電により溶融させ、その溶融部分を部品電極に圧着した後に、金ワイヤを圧着部分から引きちぎることにより形成される。このように形成されたバンプ１３は、金ワイヤが引きちぎられることにより、先端部１３１が尖ったものとなる。
【００３８】
次に、ステップＳ１２にて、部品本体１１に形成されたバンプ１３の先端部１３１のそれぞれに複数の突起を含む凹凸が形成される。先端部１３１の凹凸は、図３に示すように凹凸形成用の型８０の凹凸面８１を部品電極１２上のバンプ１３の先端部１３１に対向して位置決めし、図４に示すように凹凸面８１を先端部１３１に押圧した後、型８０を離すことにより図５に示すように形成される。これにより、実装用のバンプ付き電子部品１０の製造が完了する。
【００３９】
図６は型８０の凹凸面８１の様子を示す斜視図である。型８０は、ステンレス鋼により形成されており、図６に示すように、凹凸面８１は多数の突起状の凹凸８２を有している。凹凸８２は、角錐、円錐等の種々の形状を採ることができ、特に限定するものではない。又、一つの凹凸面８１に複数種類の形状の凹凸８２が混在していてもよい。凹凸面８１は、ステンレス鋼の表面をサンドブラストで擦ることによりランダムに凹凸８２が形成されている。なお、エッチングなどにより規則的な凹凸８２が形成されてもよい。一般的に、バンプ１３の部品本体１１に接する部分は直径約８０μｍとされ、先端部１３１は直径約４０μｍとされる。このことから、先端部１３１の大きさに合わせて数個ないし数十個の凹凸８２を形成するには、図５に示すように、先端部１３１の表面粗さの最大高さＲｙが２μｍ以上１５μｍ以下とされることが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下とされることがさらに好ましい。従って、型８０の凹凸面８１の表面粗さの最大高さも、２μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下となっている。そして、型８０の凹凸面８１をバンプ１３の先端部１３１に押圧することにより、先端部１３１が前記好ましい表面粗さとされる。
上述のように表面粗さを５μｍ以上１０μｍ以下とするのが好ましい理由は、後述するように、バンプ１３と基板電極２２との間に介在する非導電性樹脂３０を押し退けてバンプ１３と基板電極２２とは接合するが、上述の表面粗さとすることで、接合時における非導電性樹脂３０の逃げが良好となるからである。
【００４０】
以上の工程を経ることにより、電子部品１０は、複数の部品電極１２を有する部品本体１１と、部品本体１１の複数の部品電極１２上に形成された複数のバンプ１３とを備え、複数のバンプ１３のそれぞれが先端部１３１に凹凸１３２を有するものとなっている。バンプ１３では、先端部１３１の凹凸１３２の複数の突起部分が次に説明する配線基板との電気的接続に利用される。
【００４１】
図７及び図８は電子部品１０を配線基板２０へ実装する様子を示す断面図である。バンプ１３の先端部１３１に凹凸１３２が形成された電子部品１０が準備されると、図７に示すように、基板本体２１上に基板電極２２が形成された配線基板２０が準備され、ステップＳ２１では、基板電極２２上、少なくとも基板電極２２の周囲に接着性を有するペースト状の熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が、非導電性樹脂３０として付与される。基板本体２１は、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂により形成されており、基板電極２２は、基板本体２１に形成された配線パターン（図示省略）の一部として銅にて形成されている。
【００４２】
次に、図８に示すように、電子部品１０のバンプ１３の先端部１３１が配線基板２０の基板電極２２と接触し得るように、電子部品１０と基板本体２１とが位置決めされ、電子部品１０が配線基板２０に向けて所定の荷重で押圧される。これにより、先端部１３１の凹凸１３２の複数の突起部分が、非導電性樹脂３０を挟み込みつつ押し退けて基板電極２２と接触し、基板電極２２の表面にて、ある程度押し潰され、基板電極２２と電気的に接続される。同時に、電子部品１０が加熱され、非導電性樹脂３０が硬化する（ステップＳ２２）。
【００４３】
図９はバンプ１３の先端部１３１と基板電極２２との接触界面における接合領域５３を示す平面図である。バンプ１３の先端部１３１と基板電極２２との間は、図８及び図９に示すように、先端部１３１と基板電極２２とが接触している複数の接触領域５１と、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２とを有する状態になっている。接触領域５１は、バンプ１３の先端部１３１に形成された複数の突起１３３が押し潰された領域であり、バンプ１３と基板電極２２との間で電気的に接続されている領域である。なお、エッチング等によりバンプ１３に規則的な凹凸が形成される場合には、図１０に例示するように接触領域５１は樹脂介在領域５２中に規則的に散在することとなる。
【００４４】
ここで、非導電性樹脂３０が硬化時に若干収縮することから、非導電性樹脂３０が部品本体１１と基板本体２１との間に介在するとともにバンプ１３の先端部１３１と基板電極２２との間における樹脂介在領域５２にも介在することにより、非導電性樹脂３０の接着力により電子部品１０と配線基板２０とが機械的に接合され、さらに、バンプ１３と基板電極２２とが互いに引き寄せられて確実に電気的に接続される。
【００４５】
以上の工程を経て製造された実装済基板４０は、図８に示すように、複数の基板電極２２が形成された配線基板２０と、配線基板２０の複数の基板電極２２に電気的にそれぞれ接続される複数のバンプ１３が形成された電子部品１０と、配線基板２０と電子部品１０とを接着する非導電性樹脂３０とを備えたものとなっており、各バンプ１３の先端部１３１と対応する基板電極２２との間の領域は、複数の接触領域５１と、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２とを有する。
【００４６】
以上のように、第１の実施の形態に係る実装済基板４０では、電子部品１０のバンプ１３の先端部１３１に複数の突起１３３を形成することにより、バンプ１３と基板電極２２との接触面のほぼ全域に亘って非導電性樹脂３０が挟まってしまうことが防止され、電子部品１０のバンプ１３と配線基板２０の基板電極２２との電気的接続の信頼性が高められる。しかも、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２が存在することにより、非導電性樹脂３０の硬化時の収縮によりバンプ１３と基板電極２２とが確実に相互に引き寄せられる。その結果、バンプ１３と基板電極２２の電気的接続の頼性がより一層高められる。また、バンプ１３の先端部１３１に形成された複数の突起１３３が押し潰されることにより広い面積で先端部１３１と基板電極２２とが接触し、これにより、バンプ１３と基板電極２２との電気的接続の信頼性がより一層高められる。さらに、バンプ１３の先端部が１カ所で尖っている場合に比べて実装時の荷重及び先端部の押し潰し量を低減することができる。
【００４７】
ところで、例えばバンプ１３の先端部が１カ所で尖っている場合、図１１に示すように、バンプ１３と基板電極２２とが距離６０だけずれて先端が基板電極２２から外れると、バンプ１３の先端が基板電極２２から脱落するように曲がって十分に接触しない状態となってしまう。すなわち、先端部１３１の突起を潰して接触領域を確保する場合には、先端が基板電極２２の上面に載る必要がある。このような接触不良は配線基板２０が可撓性を有する場合に特に顕著となる。これに対して、第１の実施の形態に係る電子部品１０のようにバンプ１３の先端部１３１が凹凸１３２を有する場合、図１２に示すように、バンプ１３と基板電極２２とが距離６０だけずれてバンプ１３の中央が基板電極２２に載らない場合であっても、前記凹凸１３２の形成によりバンプ１３の先端における面積が１カ所で尖っている場合に比べて大きいことから、先端部１３１の一部が基板電極２２の表面と確実に接触し、バンプ１３と基板電極２２との電気的接続が確保される。
【００４８】
すなわち、第１の実施の形態に係る電子部品１０は、バンプ１３の先端部１３１が凹凸１３２を有することにより、バンプ１３と基板電極２２との位置決め誤差の許容量が大きくなり、電子部品１０の実装の歩留りを向上することができる。
【００４９】
又、上述したように、バンプ１３は、金ワイヤを引きちぎって形成されることから、大径部である台座部分と、該台座部分上に形成され台座部分に比べて小径である先端部１３１とから構成された２段形状であり、凹凸１３２は、先端部１３１に形成される。したがって、バンプ１３と基板電極２２との接合時において、バンプ１３は、非導電性樹脂３０を押し退け易く、かつ加圧し易い形状である。
【００５０】
次に、本発明の第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態における電子部品実装では、第１の実施の形態における電子部品のバンプの先端部に凹凸を形成する工程（ステップＳ１１，Ｓ１２）に代えて、配線基板の基板電極に凹凸を形成する工程が設けられる。
【００５１】
図１３乃至図１５は配線基板の製造工程の一部として基板電極に複数の突起が形成される様子を説明する断面図である。凹凸形成前の配線基板２０は、第１の実施の形態と同様のものであり、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等により形成された基板本体２１上に銅の配線パターン（図示省略）の一部として基板電極２２が形成されている。尚、基板電極２２について、第１の実施の形態の場合とは異なる形状のものを例示している。基板電極２２の表面２２１に対する凹凸は、図１３に示すように、型８０ａを基板電極２２に位置決めし、図１４に示すように型８０ａを基板電極２２の表面２２１に押圧した後、型８０ａを離すことにより図１５に示すように形成される。以下の説明では、凹凸形成後の基板電極に符号２２ａを付し、その表面に符号２２１ａを付す。
【００５２】
型８０ａは、第１の実施の形態と同様に、ステンレス鋼により形成されており、図１３に示すように基板電極２２に対向する部分が突出しており、その先端面が凹凸面８１ａとなっている。基板電極２２ａの表面２２１ａは、第１の実施の形態のバンプ１３の先端部１３１と同様で図１５に示すように表面粗さの最大高さＲｙが２μｍ以上１５μｍ以下とされることが好ましく、５μｍ以上１０μｍ以下とされることがさらに好ましい。従って、型８０ａの凹凸面８１ａの表面粗さの最大高さも、２μｍ以上１５μｍ以下、好ましくは５μｍ以上１０μｍ以下となっている。そして、型８０ａの凹凸面８１ａを基板電極２２の表面２２１に押圧することにより、前記好ましい表面粗さの基板電極２２ａとされる。
尚、基板電極２２ａの表面２２１ａにおける表面粗さを上述の値とする理由は、バンプ１３について上述した理由に同じである。
【００５３】
以上の工程を経ることにより、図１５に示すように、配線基板２０は、基板本体２１と、基板本体２１に形成された複数の基板電極２２ａを含む配線パターンとを備え、複数の基板電極２２ａのそれぞれが、表面２２１ａに凹凸２２２を有するものとなっている。基板電極２２ａでは、表面２２１ａの凹凸２２２の複数の突起部分が次に説明する電子部品との電気的接続に利用される。
【００５４】
図１６及び図１７は電子部品１０を配線基板２０へ実装する様子を示す断面図である。第２の実施の形態では、図１６に示すように、部品本体１１の部品電極１２にバンプ１３を形成した電子部品１０が準備され、配線基板２０の基板電極２２ａ上、少なくとも基板電極２２ａの周囲に接着性を有するペースト状の熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂が、非導電性樹脂３０として付与される。該動作は、図１に示すステップＳ２１に相当する。なお、第１の実施の形態と異なり、バンプ１３は、金により形成されたスタッドバンプの先端をレベリング、つまり前記先端をある程度潰して平坦化したものである。
【００５５】
次に、図１７に示すように、電子部品１０のバンプ１３の先端部１３１ａが配線基板２０の基板電極２２ａと接触し得るように位置決めされ、電子部品１０が配線基板２０に向けて所定の荷重で押圧される。これにより、非導電性樹脂３０がバンプ１３と基板電極２２ａとの間に挟み込まれて非導電性樹脂３０が基板電極２２ａの表面２２１ａの複数の突起部分２２３により押し退けられ、バンプ１３の先端部１３１ａは、基板電極２２ａの表面２２１ａの複数の突起部分をある程度押し潰しつつ基板電極２２ａと電気的に接続される。同時に、電子部品１０が加熱され、非導電性樹脂３０が硬化する（ステップＳ２２）。
【００５６】
このとき、バンプ１３の先端部１３１ａと基板電極２２ａとの間の接触界面における接合領域５３は、図９と同様に、先端部１３１ａと基板電極２２ａとが接触している複数の接触領域５１と、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２とを有する状態になっている。接触領域５１は、基板電極２２ａの表面２２１ａに形成された凹凸２２２に含まれる複数の突起２２３が押し潰された領域であり、バンプ１３と基板電極２２ａとの間で電気的に接続されている領域である。
【００５７】
ここで、非導電性樹脂３０が硬化時に若干収縮することから、非導電性樹脂３０が部品本体１１と基板本体２１との間に介在するとともにバンプ１３の先端部１３１ａと基板電極２２ａとの接触面における樹脂介在領域５２にも介在することにより、非導電性樹脂３０の接着力により電子部品１０と配線基板２０とが機械的に接合され、さらに、バンプ１３と基板電極２２ａとが互いに引き寄せられて確実に電気的に接続される。
【００５８】
以上の工程を経て製造された実装済基板４０は、図１７に示すように、複数の基板電極２２ａが形成された配線基板２０と、配線基板２０の複数の基板電極２２ａに電気的にそれぞれ接続される複数のバンプ１３が形成された電子部品１０と、配線基板２０と電子部品１０とを接着する非導電性樹脂３０とを備えたものとなっており、各バンプ１３の先端部１３１ａと基板電極２２ａとの間の領域は、複数の接触領域５１と、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２とを有する。
【００５９】
以上のように、第２の実施の形態に係る実装済基板４０では、配線基板２０の基板電極２２ａの表面２２１ａに複数の突起２２３を形成することにより、バンプ１３と基板電極２２ａとの間のほぼ全域に亘って非導電性樹脂３０が挟まることが防止され、電子部品１０のバンプ１３と配線基板２０の基板電極２２ａとの電気的接続の信頼性が高められる。しかも、第１の実施の形態と同様に、複数の接触領域５１の周囲において非導電性樹脂３０が介在する樹脂介在領域５２が存在することにより、バンプ１３と基板電極２２ａとの電気的接続の信頼性がより一層高められる。また、基板電極２２ａの表面２２１ａに形成された複数の突起２２３が押し潰されることにより、広い面積でバンプ１３の先端部１３１ａと基板電極２２ａとが接触し、電気的接続の信頼性がより一層高められる。
【００６０】
以上、本発明の実施の形態について説明してきたが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
第１の実施の形態において、ステップＳ１１にて形成されるバンプ１３は、金ワイヤの先端を溶融して形成される、いわゆる、スタッドバンプに限られず、他の手法により形成されたボールバンプであってもよい。
【００６１】
第１の実施の形態において、バンプ１３の先端部１３１の複数の突起１３３は、ランダムに形成されていても規則的に形成されていてもよく、また、先端面に沿って伸びる筋状、例えば直線、曲線等の筋状の突起であってもよい。また、バンプ１３の先端部１３１の複数の突起１３３は、型８０の押圧に限られず、他の方法によって形成されてもよい。第２の実施の形態においても、基板電極２２ａの表面２２１ａの複数の突起２２３は、ランダムに形成されていても規則的に形成されていてもよく、また、表面に沿って伸びる筋状、例えば直線、曲線等の筋状の突起であってもよい。また、基板電極２２ａの表面２２１ａの複数の突起２２３は、型の押圧に限られず、他の方法によって形成されてもよい。
【００６２】
例えば、図３に例示するバンプ１３の尖った先端部１３１を予め平らな面に押圧して潰しておき、すなわちレベリングを行っておき、先端部１３１の平らな面にプラズマ処理、ブラスト処理、ヤスリ掛け等により凹凸が形成されてもよい。また、バンプ１３は部品電極１２上に形成される平らなメッキバンプであってもよく、この場合であっても凹凸が形成された型を押圧することによりバンプの表面に容易に凹凸を形成することができる。なお、メッキバンプの場合においてもプラズマ処理、ブラスト処理、ヤスリ掛け等により凹凸が形成されてもよく、さらには、部品電極１２上においてメッキの成長速度にばらつきを与えることにより、あるいは、メッキ前の部品電極１２上にエッチング等により凹凸を形成しておくことにより、凹凸を有するバンプを形成することも可能である。
【００６３】
なお、バンプ１３と基板電極２２，２２ａとの間は通常は接触状態であるが、例えば、バンプ１３が金で形成され、基板電極の表面にも金メッキが施されている場合は接合時に温度を上げるとバンプ１３の金が拡散して原子レベルでの金属接合状態となる場合もある。すなわち、前記実施の形態におけるバンプ１３と基板電極２２，２２ａとの間の接触領域５１では物理的な金属接合状態となっていてもよい。
第１及び第２の実施の形態において、電子部品１０の部品本体１１は、半導体のベアチップに限られず、例えば、パッケージ化された電子部品の様に、微小な部品電極を有する他の様々な電子部品であってよい。配線基板２０の基板本体は、ガラスエポキシ樹脂やポリイミド樹脂に限られず、例えば、他の樹脂やセラミック、ガラス等により形成されたものであってもよい。
【００６４】
第１及び第２の実施の形態において、非導電性樹脂は、流動性を有するペースト状ものに限られず、シート状に形成されたものが用いられてもよい。この場合、シート状の非導電性樹脂は、基板電極を覆って配線基板２０上に貼り付けることにより、基板電極の周囲に付与される。
【００６５】
第１及び第２の実施の形態において、型８０，８０ａは、ステンレス鋼に限られず、バンプ又は基板電極よりも硬い材料であれば、どのような材料により形成されたものであってもよい。
【００６６】
なお、バンプ形成前の電子部品、つまり部品本体１１が実装施設に納入されて、電子部品のバンプ形成を実装施設にて行う場合には、バンプ１３に複数の突起を形成する第１の実施の形態に係る実装方法が好適であり、一方、レベリング済みのバンプを有する電子部品が実装施設に納入されて、レベリング済みのバンプを有する電子部品が配線基板に実装される場合には、配線基板２０の基板電極２２に複数の突起を形成する第２の実施の形態に係る実装方法が好適である。
【００６７】
又、第１実施形態において、凹凸１３２が形成されるバンプ１３の凹凸形成面１３４は、図１８に示すように、凸状、つまりバンプ１３と基板電極２２とが接合される状態において基板電極２２側へ凸状とすることもできる。このように構成することで、バンプ１３と基板電極２２とが接合するとき、まず最初にバンプ１３の中央部分が基板電極２２に接触し、その後、バンプ１３の周縁部に向かって接触していく。よって、バンプ１３と基板電極２２との間に介在する非導電性樹脂３０は、バンプ１３と基板電極２２との間に閉じ込められることなく、バンプ１３の外側へスムーズに排出可能である。したがって、バンプ１３と基板電極２２との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。尚、前記凸状の凹凸形成面１３４の形成は、凹状の型を用いることで可能となる。
【００６８】
又、第１及び第２の実施の形態において、図１９に示すように、バンプ１３と基板電極２２，２２ａとの接合領域５３の中央部５３ａでは、単位面積当たりの接触領域５１の数を密に、接合領域５３の周縁部５３ｂでは中央部５３ａに比べて粗く形成されるように、バンプ１３に凹凸１３２を、又は基板電極２２ａに凹凸２２２を形成するようにしてもよい。つまり、バンプ１３では、図２２に示すように、凹凸形成面１３４の中央部１３４ａでは凹凸１３２を密に、その周縁部１３４ｂでは中央部１３４ａに比べて粗く凹凸１３２が形成される。基板電極２２ａでは、図２２に示すように、その表面２２１の中央部２２１ｃでは凹凸２２２を密に、その周縁部２２１ｄでは中央部２２１ｃに比べて粗く凹凸２２２が形成される。尚、接合領域５３の中央部５３ａ及び周縁部５３ｂは、明確に規定される領域ではないが、例えば、接合領域５３の中心から接合領域５３の半径のほぼ半分までの領域を中央部５３ａとし、前記半径のほぼ半分から接合領域５３の外周までの領域を周縁部５３ｂとすることができる。又、バンプ１３及び基板電極２２ａにおける中央部及び周縁部の定義も、接合領域５３における上述の中央部５３ａ及び周縁部５３ｂの定義に対応する。
【００６９】
上述したように、バンプ１３及び基板電極２２、２２ａは、介在する非導電性樹脂３０を押し退けながら接合することから、中央部５３ａに比べて周縁部５３ｂが粗くなるように凹凸１３２及び凹凸２２２を形成することで、接合時における非導電性樹脂３０の逃げが良好となる。よって、バンプ１３と基板電極２２、２２ａとの電気的接続の信頼性をより向上させることができる。尚、図１９では、接触領域５１の形状を、便宜上ほぼ円形にて図示しているが、その形状は円形に限定されるものではない。
【００７０】
又、第１及び第２の実施の形態において、バンプ１３及び基板電極２２、２２ａの接合時における非導電性樹脂３０の逃げを良くするため、接触領域５１及び樹脂介在領域５２を接合領域５３の全域にわたりランダムに形成するのではなく、図２０に示すように、接合領域５３の中央部５３ａから周縁部５３ｂに向けて放射状に樹脂介在領域５２が延在する樹脂排出用通路５２ａを形成するように、凹凸１３２及び凹凸２２２をバンプ１３及び基板電極２２に形成してもよい。該構成によっても、接合時に、非導電性樹脂３０は樹脂排出用通路５２ａを通ることで容易に接合領域５３の外部へ排出されることから、バンプ１３と基板電極２２との電気的接続の信頼性をより向上させることができる。
【００７１】
又、接合時における非導電性樹脂３０の逃げを考慮したときには、図１９を参照して上述したように、接合領域５３の周縁部５３ｂに比べて中央部５３ａにおける接触領域５１の数を多くするのが好ましいが、一方、図１１に示すように、バンプ１３と基板電極２２、２２ａとが位置ずれしたときでも両者の電気的接続の信頼性を確保するためには、接合領域５３の中央部５３ａに比べて周縁部５３ｂにおける接触領域５１の数を多くするのが好ましい。そこで、第１及び第２の実施の形態において、図２１に示すように、接合領域５３の周縁部５３ｂにおける接触領域５１が密となり、その中央部５３ａにおける接触領域５１を周縁部５３ｂに比べて粗くなるようにするとともに、周縁部５３ｂでは、非導電性樹脂３０が排出される際の流動抵抗を低減し逃げ易くするため、接触領域５１が千鳥状の配置となるように、凹凸１３２及び凹凸２２２を形成してもよい。つまり、バンプ１３では、図２３に示すように、凹凸形成面１３４の中央部１３４ａでは凹凸１３２を粗く、その周縁部１３４ｂでは中央部１３４ａに比べて密にかつ千鳥状に凹凸１３２が形成される。基板電極２２ａでは、図２３に示すように、その表面２２１の中央部２２１ｃでは凹凸２２２を粗く、その周縁部２２１ｄでは中央部２２１ｃに比べて密にかつ千鳥状に凹凸２２２が形成される。
【００７２】
なお、前記様々な実施形態のうちの任意の実施形態を適宜組み合わせることにより、それぞれの有する効果を奏するようにすることができる。
本発明は、添付図面を参照しながら好ましい実施形態に関連して充分に記載されているが、この技術の熟練した人々にとっては種々の変形や修正は明白である。そのような変形や修正は、添付した請求の範囲による本発明の範囲から外れない限りにおいて、その中に含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明は、電子部品を配線基板に実装した実装済基板、該実装済基板を製造するための電子部品実装方法、並びに、前記実装済基板に用いられる電子部品、及び配線基板に適用可能である。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が実装された実装済基板であって、
複数の基板電極（２２，２２ａ）が形成された配線基板（２０）と、
前記複数の基板電極に電気的にそれぞれ接続される複数のバンプ（１３）が形成された電子部品（１０）と、
少なくとも前記複数のバンプの周囲にて前記配線基板と前記電子部品とを接着する非導電性樹脂（３０）と、
を備え、
前記複数のバンプのそれぞれの先端（１３１，１３１ａ）と前記先端に対向する基板電極との間の接合領域（５３）が、前記先端と前記基板電極とが接触する複数の接触領域（５１）と、前記複数の接触領域の周囲において前記非導電性樹脂が介在する樹脂介在領域（５２）とを有する、実装済基板。
【請求項２】
前記複数の接触領域が、前記複数のバンプのそれぞれの前記先端に形成された複数の突起（１３３）が押し潰された領域である、請求項１に記載の実装済基板。
【請求項３】
前記複数の接触領域が、前記基板電極に形成された複数の突起（２２３）が押し潰された領域である、請求項１に記載の実装済基板。
【請求項４】
前記接触領域は、前記接合領域の中央部（５３ａ）では密に、周縁部（５３ｂ）では前記中央部に比して粗く形成される、請求項１に記載の実装済基板。
【請求項５】
前記樹脂介在領域は、前記接合領域の中央部（５３ａ）から周縁部（５３ｂ）に向けて放射状に延在する、請求項１に記載の実装済基板。
【請求項６】
前記接触領域は、前記接合領域の中央部（５３ａ）では粗く、周縁部（５３ｂ）では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成される、請求項１に記載の実装済基板。
【請求項７】
電子部品が実装された実装済基板であって、
複数の基板電極（２２，２２ａ）が形成された配線基板（２０）と、
前記複数の基板電極に電気的にそれぞれ接続される複数のバンプ（１３）が形成された電子部品（１０）とを備え、
前記複数のバンプのそれぞれの先端（１３１，１３１ａ）と前記先端に対向する基板電極との間の接合領域（５３）が、前記先端と前記基板電極とが接触する複数の接触領域（５１）と、前記複数の接触領域の周囲において非導電性樹脂（３０）が介在する樹脂介在領域（５２）とを有し、
前記接合領域の中央部（５３ａ）と周縁部（５３ｂ）とにおいて前記接触領域の占める割合を異ならせた、実装済基板。
【請求項８】
前記接触領域は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成される、請求項７に記載の実装済基板。
【請求項９】
前記樹脂介在領域は、前記中央部から前記周縁部に向けて放射状に延在する、請求項７に記載の実装済基板。
【請求項１０】
前記接触領域は、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成される、請求項７に記載の実装済基板。
【請求項１１】
電子部品（１０）を配線基板（２０）上に実装する電子部品実装方法であって、
配線基板上に形成された複数の基板電極（２２、２２ａ）のそれぞれ、又は、電子部品に形成された複数のバンプ（１３）のそれぞれに複数の突起（１３３，２２３）を形成し、
少なくとも前記複数の基板電極の周囲に接着性を有する非導電性樹脂（３０）を付与し、
前記電子部品を前記配線基板に押圧するとともに前記非導電性樹脂を硬化させることにより、前記複数の基板電極に前記複数のバンプをそれぞれ電気的に接続する、電子部品実装方法。
【請求項１２】
前記複数の突起を形成するとき、前記複数のバンプ又は前記複数の基板電極に凹凸（８２）が形成された型（８０，８０ａ）が押圧される、請求項１１に記載の電子部品実装方法。
【請求項１３】
前記複数の突起を形成するとき、前記バンプ又は前記基板電極の中央部（５３ａ）では密に、周縁部（５３ｂ）では前記中央部に比して粗く前記突起を形成する、請求項１１に記載の電子部品実装方法。
【請求項１４】
前記複数の突起を形成するとき、前記バンプ又は前記基板電極の中央部（５３ａ）では粗く、周縁部（５３ｂ）では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に前記突起を形成する、請求項１１に記載の電子部品実装方法。
【請求項１５】
配線基板（２０）に実装される電子部品（１０）であって、
複数の部品電極（１２）を有する前記電子部品の部品本体（１１）と、
接着性を有する非導電性樹脂（３０）を挟み込みつつ配線基板上に形成された複数の基板電極（２２，２２ａ）と電気的に接続するために前記複数の部品電極上に形成された複数のバンプ（１３）と、を備え、
前記複数のバンプのそれぞれが、先端部に複数の突起（１３３）を備える、電子部品。
【請求項１６】
前記突起の最大高さＲｙが２μｍ以上１５μｍ以下である、請求項１５に記載の電子部品。
【請求項１７】
前記バンプの凹凸形成面（１３４）は、前記基板電極側へ凸状である、請求項１５記載の電子部品。
【請求項１８】
前記突起は、前記バンプの凹凸形成面（１３４）の中央部（１３４ａ）では密に、周縁部（１３４ｂ）では前記中央部に比して粗く形成される、請求項１５記載の電子部品。
【請求項１９】
前記突起は、前記バンプの凹凸形成面（１３４）の中央部（１３４ａ）では粗く、周縁部（１３４ｂ）では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成される、請求項１５記載の電子部品。
【請求項２０】
配線基板（２０）に実装される電子部品（１０）であって、
複数の部品電極（１２）を有する前記電子部品の部品本体（１１）と、
配線基板上に形成された複数の基板電極（２２，２２ａ）と電気的に接続するために前記複数の部品電極上に形成された複数のバンプ（１３）と、を備え、
前記複数のバンプのそれぞれが、先端部における凹凸形成面（１３４）に複数の突起（１３３）を備え、
前記突起は、前記凹凸形成面における中央部（１３４ａ）と周縁部（１３４ｂ）とにおいて形成密度を異ならせた、電子部品。
【請求項２１】
前記突起は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成される、請求項２０記載の電子部品。
【請求項２２】
前記突起は、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密でかつ千鳥状に形成される、請求項２０記載の電子部品。
【請求項２３】
電子部品実装用の配線基板であって、
基板本体（２０）と、
接着性を有する非導電性樹脂（３０）を挟み込みつつ電子部品（１０）に形成された複数のバンプ（１３）と電気的に接続するために形成された複数の基板電極（２２，２２ａ）と、を備え、
前記複数の基板電極のそれぞれが、電極表面（２２１）に複数の突起（２２３）を備える、配線基板。
【請求項２４】
前記電極表面の前記突起の最大高さＲｙが２μｍ以上１５μｍ以下である、請求項２３に記載の配線基板。
【請求項２５】
前記突起は、前記電極表面の中央部（２２１ｃ）では密に、周縁部（２２１ｄ）では前記中央部に比して粗く形成される、請求項２３記載の配線基板。
【請求項２６】
前記突起は、前記電極表面の中央部（２２１ｃ）では粗く、周縁部（２２１ｄ）では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に形成される、請求項２３記載の配線基板。
【請求項２７】
電子部品実装用の配線基板であって、
基板本体（２０）と、
電子部品（１０）に形成された複数のバンプ（１３）と電気的に接続するために形成された複数の基板電極（２２，２２ａ）と、を備え、
前記複数の基板電極のそれぞれが、電極表面（２２１）に複数の突起（２２３）を備え、
前記突起は、前記表面における中央部（２２１ｃ）と周縁部（２２１ｄ）とにおいて形成密度を異ならせた、配線基板。
【請求項２８】
前記突起は、前記中央部では密に、前記周縁部では前記中央部に比して粗く形成される、請求項２７記載の配線基板。
【請求項２９】
前記突起は、前記中央部では粗く、前記周縁部では前記中央部に比して密にかつ千鳥状に形成される、請求項２７記載の配線基板。

【図１】