【課題】はんだによる短絡不良を低減すること。
【解決手段】半導体素子１０の一主面には複数の電極パッド１１が、半導体素子１０の外周に沿って矩形枠状に配列されている。各電極パッド１１には、柱状の電極端子１３が立設されている。電極端子１３の基端部（金属端子部１５の基端部１６及びバリア層１４）は電極パッド１１に接続されている。電極端子１３（金属端子部１５）の先端部１７は略半円柱状に形成されている。この略半円柱状の先端部１７は、先端面の弧部分が半導体素子１０の外側を向くように形成されている。配線基板２０の接続パッド２２は、配列方向と直交する方向、即ち半導体素子１０の外周と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成されている。電極端子１３は接続パッド２２にはんだ３０により電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、水晶振動素子３と集積回路素子４を容器２に収容し、容器２に蓋５を接合することにより、水晶振動素子３および集積回路素子４を気密に封止した構成となっている。容器２の内底面２２には凹部を有する電極パッド１０が形成され、集積回路素子４の接続端子上には断面視凸状の金属バンプＢが配され、金属バンプＢの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子４と容器２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】固相拡散接合により、プロセス温度が低温化され、プロセス時間が短縮化され、かつフリップチップ構造の半導体装置提供する。
【解決手段】絶縁基板８と、絶縁基板８上に配置された信号配線電極１２と、絶縁基板８上に若しくは絶縁基板８を貫通して配置されたパワー配線電極１６と、絶縁基板８上にフリップチップに配置され、半導体基板２６と、半導体基板２６の表面上に配置されたソースパッド電極ＳＰおよびゲートパッド電極ＧＰと、半導体基板２６の裏面上に配置されたドレインパッド電極３６とを有する半導体デバイス１０と、ゲートパッド電極ＧＰ上に配置されたゲートコネクタ１８と、ソースパッド電極ＳＰ上に配置されたソースコネクタ２０とを備え、ゲートコネクタ１８とゲートパッド電極ＧＰおよび信号配線電極１２、ソースコネクタ２０とソースパッド電極ＳＰおよびパワー配線電極１６は、固相拡散接合される半導体装置１。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａを含む内側トレイ１６ａを有し、且つ該配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は内側トレイ１６ａを収容し、下部ステージ２８はチャンバ２７内において内側トレイ１６ａを載置し、上部ステージ２９は、下部ステージ２８に載置された内側トレイ１６ａにおける配置面１６ａａと平行な押圧面２９ａを有し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９はそれぞれヒータ３３，３９を内蔵し、下部ステージ２８及び上部ステージ２９が間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体素子を搭載する毎に加圧状態で加熱して仮接合を行い、全ての半導体素子を仮接合した後、一括して加圧状態で加熱して本接合を行うことにより、薄型化，狭ピッチ端子化された半導体素子であっても、生産性を維持しながら、はんだ接合の際の反りを抑制して積層することができる。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】２００℃程度の高温条件で回路部材同士の接続を行った場合でも、回路部材の反りを十分に抑制できる接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられるものであって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び、架橋反応性基を有し且つ重量平均分子量が３００００〜８００００であるアクリル系共重合体を含有する。当該接着剤組成物を温度２００℃で１時間加熱して得られる硬化物は、−５０℃における貯蔵弾性率が２．０〜３．０ＧＰａであり且つ１００℃における貯蔵弾性率が１．０〜２．０ＧＰａであるとともに、−５０〜１００℃の範囲における貯蔵弾性率の最大値と最小値との差が２．０ＧＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体部材３１と、半導体部材３１上に形成されているＣｕスタッドバンプ４１と、Ｃｕスタッドバンプ４１と電気的に接続するはんだバンプ４４とを備える半導体装置３０を構成する。半導体部材３１は、受光面と同じ面にガラス基板３２と接続される電極４５が形成されている。そして、この電極上にフリップチップ接続用のＣｕスタッドバンプが形成されている。Ｃｕスタッドバンプ４１は、はんだバンプ４４との接続面に合金層４３が形成されている。また、Ｃｕスタッドバンプ４１ははんだバンプ４４と接触していない表面にめっき層４２を備える。 （もっと読む）

【課題】素子と基板との接合の際の熱処理に起因した熱応力の緩和をバンプの中央部で行なうこと。
【解決手段】素子１０と、基板２０と、第１導電体３２と、前記第１導電体上に形成された第２導電体３４と、前記第２導電体上に形成された第３導電体３６と、前記第３導電体上に形成された第４導電体３８と、を有し、前記第１導電体と前記第４導電体のいずれか一方が前記素子に接合され、前記第１導電体と前記第４導電体の他方が前記基板に接合され、前記素子と前記基板とを電気的に接続するバンプ３０と、を具備し、前記第１導電体および前記第３導電体は、前記第２導電体および前記第４導電体より融点が高く、前記第４導電体は前記第２導電体より融点が高い半導体装置。 （もっと読む）

【課題】低いリフロー温度で信頼性良く接合できる接合部を備えた半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子機器を提供する。
【解決手段】素子１１上に形成された第１電極１２と、基板２１上に形成された第２電極２２との上に、それぞれSn-Bi又はSn-Inを含むはんだ層１３、２３を形成し、これらのはんだ層１３、２３の間にSn-Ga合金ボール１４を、はんだ層１３、２３の融点よりも高く、且つSn-Ga合金ボール１４の融点よりも低い温度でリフロー接合する。リフロー接合の際にはんだ層１３、２３とSn-Ga合金ボール１４との界面にSn-Bi-Ga合金層１５又はSn-In-Ga合金層が形成され、Sn-Ga合金ボール１４からのGaを含む融液の拡散が阻止される。 （もっと読む）

【課題】アンダーバリアメタルに起因する応力集中を緩和し、トランジスタの特性の変動を抑制することができるパッド電極構造を備える半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成された電極パッド６と、電極パッド６の上に形成され、且つ、電極パッド６の一部が露出するような第１開口部を有する第１絶縁膜７と、第１絶縁膜の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出するような第２開口部を有する第２絶縁膜８と、第２絶縁膜８及び電極パッド６の上に形成されたアンダーバリアメタル１０とを備えている。アンダーバリアメタル１０は、第２絶縁膜８の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド６の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極と端子との間において十分に高い接合強度を確保し、これによって電気的接続の信頼性を向上した実装構造体、及び実装構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】バンプ電極１２を有する実装体１２１を、端子１１を有する基板１１１上に実装した実装構造体である。バンプ電極１２は内部樹脂１３上に導電膜１４が覆われてなり、導電膜１４は端子１１に直接導電接触し、基板１１１と実装体１２１とには、内部樹脂１３が弾性変形した状態でバンプ電極１２が端子１１に導電接触している状態を保持する圧着手段が備えられている。内部樹脂１３は、その主断面の形状が底辺１３ａと外辺１３ｂとによって囲まれており、底辺１３ａの両端を第１の点３０とし、主断面の最大幅となる位置での外辺１３ｂ上の点を第２の点３１とすると、第１の点３０と第２の点３１とを結ぶ直線Ｌと、実装体１２１の面Ｓとのなす角θが、鋭角に形成されている。 （もっと読む）

【解決課題】特殊な技術や装置を必要とせず、接合の際に電気的な接続を歩留まりよく確立可能な、パッケージされたデバイス及びパッケージング方法並びにそれに用いられるパッケージ材の製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路、ＭＥＭＳその他のデバイスを搭載したデバイス基板１０と、ビア配線２１を配設してかつキャビティ２２を有するパッケージ材２０とを接合して成る。ビア配線２１と一体化した接続用バンプ２４がキャビティ２２内に突出しており、かつデバイスに接続された配線接続用パッド１２が接続用バンプ２４と対向して接続していることにより、接続用バンプ２４を経由してデバイスがビア配線２１に配線接続している。 （もっと読む）

【課題】３次元実装された半導体素子間の空間の充填を容易かつ確実に行うことができる積層フィルムを提供する。
【解決手段】積層フィルムは、接続用部材４１ｂを介して電気的に接続された半導体素子間の空間を充填するための積層フィルムであって、基材１上に粘着剤層２が積層されたダイシングシートと、粘着剤層上に積層された硬化性フィルム３とを備え、硬化性フィルムの５０〜２００℃における最低溶融粘度は、１×１０^２Ｐａ・ｓ以上１×１０^４Ｐａ・ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第１のバンプ電極間がショートしないように、第１のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール３４によりはんだ搭載用基板５０の他面を保持すると共に、第２のバンプ電極５５に形成されたはんだ５７を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第２のバンプ電極をチップ積層体４０の第１のバンプ電極１７と対向配置させる工程と、第２のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第１のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第１のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及び基板間や２つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０及び配線回路基板２０のそれぞれの接続部１５、３２が互いに電気的に接続された半導体装置１００、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止する半導体封止用接着剤４０であって、（ａ）第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、（ｂ）エステルと、（ｃ）エポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】搬送中に、位置合わせされた基板と基板との相対位置がずれるといった課題がある。
【解決手段】基板貼り合せ方法は、仮接合部において、複数の基板を重ね合わせて複数の対向面および側面の少なくとも一方の一部を仮接合部材によって接合する仮接合段階と、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を、本接合部へ搬送する搬送段階と、前記本接合部において、前記仮接合段階で仮接合された前記複数の基板を本接合部材によって本接合する本接合段階とを備える。 （もっと読む）

【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 （もっと読む）