【課題】はんだによる短絡不良を低減すること。
【解決手段】半導体素子１０の一主面には複数の電極パッド１１が、半導体素子１０の外周に沿って矩形枠状に配列されている。各電極パッド１１には、柱状の電極端子１３が立設されている。電極端子１３の基端部（金属端子部１５の基端部１６及びバリア層１４）は電極パッド１１に接続されている。電極端子１３（金属端子部１５）の先端部１７は略半円柱状に形成されている。この略半円柱状の先端部１７は、先端面の弧部分が半導体素子１０の外側を向くように形成されている。配線基板２０の接続パッド２２は、配列方向と直交する方向、即ち半導体素子１０の外周と直交する方向に沿って延びる矩形状に形成されている。電極端子１３は接続パッド２２にはんだ３０により電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】 金属バンプを介した容器と圧電振動素子や電子部品素子との接合信頼性を向上させた圧電振動デバイスと当該圧電振動デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 水晶発振器１は、水晶振動素子３と集積回路素子４を容器２に収容し、容器２に蓋５を接合することにより、水晶振動素子３および集積回路素子４を気密に封止した構成となっている。容器２の内底面２２には凹部を有する電極パッド１０が形成され、集積回路素子４の接続端子上には断面視凸状の金属バンプＢが配され、金属バンプＢの一部が前記凹部の壁面に対応するように埋入した状態で集積回路素子４と容器２とが接合されている。 （もっと読む）

【課題】外部接続用電極が狭ピッチであっても、高い接続信頼性を簡易に実現することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用電極を備えた半導体装置であって、前記外部接続用電極が、半導体基板上に形成されたメタル層１２と、メタル層１２と接触するように形成され、かつメタル層１２の一部を露出させる開口部１３ａを有する絶縁層１３と、絶縁層１３の開口部１３ａから露出するメタル層１２と電気的に接続するように形成されたバリアメタル層１４と、を備え、バリアメタル層１４が、絶縁層１３に垂直な平面とバリアメタル層１４の表面とが交わって形成される線分のうち、絶縁層１３の開口部１３ａの周囲の領域に対応する部分に、曲率半径を有する。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け対象のうちのはんだバンプが形成される表面にスズが付着することを防止すること。
【解決手段】水素ラジカル発生装置３と、浮遊物質捕獲用フィルター５とを備えている。水素ラジカル発生装置３は、はんだ付け対象１０に配置されたはんだに水素ラジカルを照射する。浮遊物質捕獲用フィルター５は、その水素ラジカルが浮遊物質捕獲用フィルター５を通り抜けた後にそのはんだに照射されるように、配置される。そのはんだは、水素ラジカルに照射されたときに、表面に形成された酸化膜が除去され、そのはんだから遊離した浮遊物質を放出する。このようなリフロー処理装置は、その浮遊物質を浮遊物質捕獲用フィルター５が捕獲することにより、はんだ付け対象１０の表面にその浮遊物質が堆積することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの製造のスループットをさらに向上できるとともに、製造される半導体デバイスの品質の低下を防止できる三次元実装装置を提供する。
【解決手段】三次元実装装置１１において、搬送トレイ１６は配置面１６ａａをそれぞれ含む８つの内側トレイ１６ａを有し且つ各配置面１６ａａに配置された８つの積層チップ２１を搬送し、チャンバ２７は全ての内側トレイ１６ａを収容し、複数の下部ステージ２８の各々はチャンバ２７内において複数の内側トレイ１６ａの各々を載置し、複数のチャック２９の各々は、チャンバ２７内において、配置面１６ａａに配置された積層チップ２１の各々と一対一で対応して配設され、各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９が各下部ステージ２８及び各複数のチャック２９の間を詰めるように移動する。 （もっと読む）

【課題】加熱・焼結する際に、突沸が発生するのを抑制可能な導電性ペーストを提供する。
【解決手段】金属微粒子（Ｐ）と分散媒（Ｄ）との割合（Ｐ／Ｄ）（質量％）が５０〜９０／５０〜１０の導電性ペーストであって、該分散媒（Ｄ）が有機溶媒、及び突沸抑制溶媒（Ｔ）からなる有機分散媒（Ｄ１）であり、有機溶媒が（ｉ）常圧における沸点が１００℃以上で、かつ分子中に１もしくは２以上のヒドロキシル基（−ＯＨ）を有するアルコール及び／もしくは多価アルコールからなる、又は（ii）少なくとも有機溶媒５〜９５体積％、並びにアミド基を有する有機溶媒（ＳＡ）９５〜５体積％からなり、突沸抑制溶媒（Ｔ）がヒドロキシル基、及びカルボニル基を有し、かつカルボキシル基を有さず、分子量が５０以上で沸点が１００℃以上の化合物であり、有機分散媒（Ｄ１）中の突沸抑制溶媒（Ｔ）の割合（Ｔ／Ｄ１）（質量％）が２〜２５質量％である導電性ペースト。 （もっと読む）

【課題】より簡便に樹脂突起に形成された凹部の深さ（樹脂の除去量）を検査することができる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、第１の面を有する半導体基板と、前記第１の面に位置する第１電極及び第２電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起及び第２樹脂突起と、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆い、前記第１電極に接続された第１配線と、前記第１樹脂突起の第２の部分を覆い、前記第２電極に接続された第２配線と、を有する構造体を用意する第１工程と、前記第１樹脂突起の前記第１の部分と前記第２の部分の間の第３の部分の一部と、前記第２樹脂突起の少なくとも一部と、を同時にエッチングする第２工程と、前記第２工程後の前記第２樹脂突起の形状から、前記第２工程のエッチングにおける前記第３の部分の除去量が適正であるかを判断する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の最上層の保護膜のクラックを防いで、半導体装置の信頼性の向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ボンディングパッドＢＰ１を長方形状とし、ボンディングパッドＢＰ１のワイヤボンディング領域ＢＰ１ｗでの保護膜５の重なり幅を、ボンディングパッドＢＰ１のプローブ領域ＢＰ１ｐでの保護膜５の重なり幅よりも広くなるように、ボンディングパッドＢＰ１上の保護膜５に開口部６を形成する。 （もっと読む）

【課題】高密度化する電子部品の実装技術において、より簡便な方法で、より高品質、より高信頼性の接続構造を提供する。
【解決手段】電子部品１００の実装構造は、複数の電極１１を有する電子部品１０を、複数の電極１１がそれぞれ接合される複数の電極２１を有する電子部品２０に実装する構造であって、電極１１と電極２１とが接合されたそれぞれの接合面５０は、電極１１あるいは電極２１が配列されている実装面１０ｓ，２０ｓ方向に対して傾斜しており、接合面５０の傾斜方向は、少なくとも、第一の方向と、第二の方向とを有し、第一の方向と第二の方向は、電子部品１０を電子部品２０に実装した後に、電子部品１０あるいは電子部品２０のいずれか一方が他方より高い収縮率で、実装面１０ｓ，２０ｓの方向に収縮した場合に、第一の方向の接合面５０と第二の方向の接合面５０とにそれぞれ応力が発生する方向に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第１のバンプ電極間がショートしないように、第１のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール３４によりはんだ搭載用基板５０の他面を保持すると共に、第２のバンプ電極５５に形成されたはんだ５７を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第２のバンプ電極をチップ積層体４０の第１のバンプ電極１７と対向配置させる工程と、第２のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第１のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第１のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ及び基板間や２つの半導体チップ間の接続性を良好にでき、且つ、保存安定性を確保できる半導体封止用接着剤を提供すること。
【解決手段】半導体チップ１０及び配線回路基板２０のそれぞれの接続部１５、３２が互いに電気的に接続された半導体装置１００、又は、複数の半導体チップのそれぞれの接続部が互いに電気的に接続された半導体装置において、接続部を封止する半導体封止用接着剤４０であって、（ａ）第一級又は第二級窒素原子含有化合物と、（ｂ）エステルと、（ｃ）エポキシ樹脂と、を含有する、半導体封止用接着剤。 （もっと読む）

【課題】チップとプリント基板間の伝熱ロスの少ないフリップリップ実装を実現できる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】グラファイトからなる複数のスパイクが表面に形成された基板電極パッドが主面上に配置されたプリント基板と、スパイクの先端に接触する導電性樹脂膜が表面に配置されたチップ電極パッドが、基板電極パッドと対向する主面上に配置されたチップとを備える。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、基板１７と、基板１７の一方の面に設けられた第１のバンプ電極５０と、基板１７の他方の面に設けられた第２のバンプ電極６０と、第１のバンプ電極５０と第２のバンプ電極６０のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層６１と、を有している。第１のバンプ電極５０の頂面は凸面５４であり、第２のバンプ電極６０の頂面は凹面６３である。 （もっと読む）

【課題】モールド工程において、モールド流れの導きと流速バランス取りが可能な非アレイバンプのフリップチップモールドの構造体を提供する。
【解決手段】基板１１０は、はんだマスク層１１２に覆われる上表面１１１を有し、複数のパッド１１３と少なくとも１つのモールド流れガイドバー１１４を設置する。モールド流れガイドバー１１４は、パッド無し空白区域Ａに設置され、かつパッド１１３とはんだマスク層１１２を越える高さＨを有して突起状に形成される。チップ１２０は複数個のバンプ１２１を有し、かつ基板１１０上にフリップチップ接合されることで、バンプ群１２１をパッド群１１３に接合させ、チップ１２０と基板１１０との間にモールド流れ間隙Ｓを形成する。モールド封止材１３０は上表面１１１に形成されてチップ１２０を密封し、モールド流れ間隙Ｓに十分充填されてバンプ群１２１とモールド流れガイドバー１１４を密封している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接合材料を微細ピッチで供給し電気的な接続が可能な電子部材を提供することを目的とする。
【解決手段】回路基板に設けられた一つ以上の接続端子に対して、電子部材に設けられた一つ以上の電極が接合層を介して電気的に接合され、前記接合層は焼結銀を主体として構成され、前記接合層と接していない電極表面の全面あるいは一部が酸化銀の粗化層であり、当該酸化銀の粗化層の厚さは４００ｎｍ以上５μｍ以下であり、前記酸化銀の層の最表面は１μｍより小さい曲率半径となっていることを特徴とする電子部品。 （もっと読む）

【課題】異方性導電材料を用いた半導体デバイスウエーハ同士の接合方法を提供する。
【解決手段】複数の突起電極１７を有する半導体デバイスが複数形成された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を絶縁体１０で被覆する絶縁体被覆ステップと、該絶縁体１０が被覆された第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極側を平坦化するとともに該突起電極１７の端面を露出させる突起電極端面露出ステップと、該突起電極１７に対応した電極を有する第２半導体デバイスウエーハ２４の該電極と第１半導体デバイスウエーハ１１の該突起電極１７とを異方性導電体２８で接合し、該電極と該突起電極１７とを接続する接合ステップと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】コストの上昇を抑えながら高い信頼性の接合を実現することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子に設けられた第１の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第１の層を設け、前記半導体素子が搭載される搭載部材に設けられた第２の電極の表面の機械加工を行って、当該機械加工前よりも粒径が小さい微結晶の第２の層を設ける（ステップＳ１）。前記第１の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満、かつ前記第２の電極を構成する金属が固相拡散する温度未満の温度で、前記第１の層の表面に存在する酸化膜及び前記第２の層の表面に存在する酸化膜を還元する（ステップＳ２）。前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 （もっと読む）

【課題】接続部に不具合の生じにくい構造を備えた電子部品の実装構造体を提供する。
【解決手段】本発明の電子部品の実装構造体は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、樹脂の金属端子と対応する位置に、金属端子の幅以上の幅を有して樹脂の長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、溝部の少なくとも底面に導電膜が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】開口部の形成工程（現像・露光工程）における再配線層の浸食等を低コストで抑制することを可能にした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態においては、電極パッド２１と再配線層２２とを有する半導体チップ上に感光性絶縁樹脂層２３を形成する。半田バンプの形成位置を強露光すると共に、ワイヤボンディング部を弱露光するように、感光性絶縁樹脂層２３を露光した後に現像処理し、半田バンプの形成位置に開口部２５を形成すると共に、ワイヤボンディング部に感光性絶縁樹脂層２３を残存させつつ凹部３１を形成する。開口部２５に半田バンプ３６を形成した後、凹部３１内に残存させた感光性絶縁樹脂層２３を除去し、ワイヤボンディング部における電極パッド２１の表面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極との間に形成してＡｕとＡｌとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びにこの高いＷ−Ｔｉ系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：１５〜２５ｐｐｍ、Ｃｒ：１〜５ｐｐｍを含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）