【課題】先ダイシング法と、フリップチップボンディングを採用した実装プロセスとを連続して行うことが可能であり、製造プロセスの簡素化と、製品中にボイドが無く信頼性の向上に寄与しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】回路表面に接着フィルム３が接着され、かつ該回路毎に区画する溝６が形成されてなるウエハ１の回路表面側に表面保護シートを貼着する工程、上記ウエハの裏面研削をすることで個々のチップへの分割を行う工程、個別のチップを接着フィルムとともにピックアップし接着フィルムを介して、チップ搭載用基板にダイボンドする工程、およびダイボンドされた接着フィルム付きチップを加熱しチップ搭載用基板に固着する工程を含み、かつ接着フィルムをウエハに接着した後、チップをチップ搭載用基板に固着するまでの段階で、接着フィルムを含む積層体を、常圧に対し０．０５ＭＰａ以上の静圧により加圧する工程を１回以上含む。 （もっと読む）

【課題】２つの電子部品を基板と垂直な方向に積み重ね、狭小なピッチで二次元的に配列された端子間を接続するためのコネクタを備える電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品１は、突起電極２０１を備える他の電子部品２に接続される電子部品であって、基板１０と、前記基板に形成された導電性の配線要素１０２と、前記配線要素から前記基板の接合面１０ａに対して垂直な方向に複数部位が突出している脚部１０１と、前記脚部のそれぞれの突端から前記脚部の内側に向かって突出しているストッパ面１０３と、前記ストッパ面のそれぞれの突端から前記脚部の外側に向かって後退しながら前記脚部の基端から突端に向かう方向に延びるガイド面１０４とを備えるとともに前記配線要素の上に堆積した導電性１５の膜からなり、前記突起電極に対してスナップフィットするコネクタ１００と、を備える。 （もっと読む）

【課題】十分な接合の基に実装した半導体に所定の電気特性が得られる信頼性の高い半導体装置とする。
【解決手段】基板２に半導体１を基板電極２Ａ、半導体電極３を介し圧接してそれらを電気的に接合した状態で、基板２、半導体１間を接着・封止材４により接着・封止した半導体装置において、基板電極２Ａと半導体電極３との少なくとも１つの組は、それら基板電極２Ａおよび半導体電極３の一方または双方が前記圧接の方向に直角な向きに対して傾斜した圧接面２Ａ−１などを有して接合されていることを特徴として、上記の目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】短絡や導通不良のような不具合の発生を抑えて信頼性を向上させることができる基板の接合方法及び基板接合体を提供することを目的とする。
【解決手段】リジッド基板２に半田粒子６ａ入りの熱硬化性樹脂７ａを供給し、基板２の上方にフレキシブル基板３を配置した後、降下させた熱圧着ツール１０によりフレキシブル基板３を介して熱硬化性樹脂７ａを押圧加熱し、熱硬化性樹脂７ａに含まれる半田粒子６ａを溶融させるとともに熱硬化性樹脂７ａを熱硬化させて両基板２，３を接合させる。そして、熱硬化物７から熱圧着ツール１０を離間させて熱硬化物７を冷却し、半田粒子６ａの溶融物（半田溶融物６ｂ）が固化した半田固化物６によって両電極４，５を接合させる。接合される両電極４，５の少なくとも一方の表面に両電極４，５の並設方向と直交する方向に延びた複数の溝８を設けておき、半田溶融物６ｂが溝８に沿って濡れ広がった状態で固化するようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Ｘ線による電極と半田バンプとの接合状態の検査を、簡易かつ迅速に行うことができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体チップ１０と、半導体チップ１０に設けられた第１形状９０を有する第１電極３０と、半導体チップ１０が実装された実装部２０と、実装部２０に設けられた、第１形状９０とは異なる第２形状９２を有する第２電極３２と、第１電極３０及び前記第２電極３２を接合する第１半田バンプ４０と、を具備し、第１半田バンプ４０は、第１電極３０及び前記第２電極３２の表面全体を覆っている。第1半田バンプ４０に対してＸ線による検査を行い、第1半田バンプ４０の形状から接合状態の良否を判定する。 （もっと読む）

【課題】半導体実装用基板のソルダーレジスト開口部全面にハンダを供給した場合に、従来各半導体接合用電極端子に略定量のハンダが供給されず、特定の電極端子に過多のハンダ量が供給されたり、逆にハンダ不足になり、高品質のハンダプリコートができなかった。
【解決手段】前記接合用基板電極端子の配列パターンが不均一となっている領域に、前記接合用基板電極端子４と同一形状のダミー用基板電極端子９を付加して、前記領域内に前記接合用およびダミー用電極端子（以下、両者を配置電極端子という）を、略均一に配列し、互いに隣接する前記配置電極端子と前記ソルダーレジスト開口部とが略均一な配列パターンとなるようにした。 （もっと読む）

【課題】配線基板に搭載する半導体チップ等の電子部品のファインピッチ化に伴い、配線基板のランド上に形成されるはんだバンプが小さくなっても、はんだリフロー時に電子部品の電極ポストと配線基板のランドとの直接接触の発生を防止して、良好な接続信頼性を維持できる構造を備えた半導体装置およびそれに用いる配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板上に少なくとも一体の電子部品をはんだバンプ接続により搭載した半導体装置において、上記配線基板上に、実質的に同一サイズで配設ピッチの異なる複数のランドが、配設ピッチの大きさによって区分された複数の区域に配設され：個々の区域のランド上には、区域間での比較において配設ピッチの大小関係に対応する大小関係となるバンプサイズではんだバンプが形成されており：配設ピッチが異なり、それに対応してバンプサイズが異なる複数の区域に亘って、前記一体の電子部品がはんだバンプ接続されている。 （もっと読む）

【課題】応力が低減され、信頼性が改善された発光装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光層を含む積層体と、前記積層体の上に設けられた電極と、前記電極の上に設けられたパッド電極と、を含む発光素子と、金属ボンディング層を有する実装部材と、前記パッド電極と、前記金属ボンディング層と、を接着し金を含む合金半田と、を備え、前記パッド電極は、前記電極の上に設けられ前記電極よりも厚い第１の金層及び前記第１の金層の上に設けられた第１の金属バリア層を少なくとも有し、前記合金半田の融点は、前記第１の金属バリア層と前記合金半田を構成するそれぞれの元素との合金の融点よりも低いことを特徴とする発光装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ＩＣチップをＡＣＦによって固定した場合に、バンプ間の絶縁性を高めることができるＩＣチップを提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１２の底面に千鳥状に配置されたバンプ１４において、第１列のバンプ１４と第２列のバンプ１４との間に間隙を設け、この間隙ＡがＡＣＦ１８に含まれる導電性粒子２０の直径の２倍以上である。 （もっと読む）

【課題】両面または多層の配線基板に半導体チップをフリップチップ方式を用いて実装される半導体装置において、半導体チップと配線基板との接合状態を安定させ、高い接続信頼性を有する半導体装置、およびそれに用いる両面または多層の配線基板を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、略矩形状の一主面の対向する二辺に複数の電極パッド５５ａ〜５５ｈが形成されたＩＣチップ５０と、前記電極パッドと対応するＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈが形成された多層配線基板１０とを有している。複数のＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈと対応する電極パッド５５ａ〜５５ｈとは、それぞれ半田バンプ５６ａ〜５６ｈにより接合されている。電極パッド５５ａ〜５５ｈと対応するＩＣ接続端子３５ａ〜３５ｈの直下には、接合部支持ビア３６ａ〜３６ｈが、各接合部支持ビアの中心点Ｃ５ａ〜Ｃ５ｈを結んで形成される多角形Ｔ１の略中心にＩＣチップ５０の重心Ｇがあるように配設されている。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ保護素子対策が十分の特定の端子を優先的に最初に除電する事により、残りの端子の保護素子のサイズを小さくでき、チップ全体としてＥＳＤ保護素子サイズを小さくできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の端子を有する半導体チップを複数個積層する半導体装置の製造方法において、隣接する２つの半導体チップ１Ａ、１Ｂを電気的に接続する前記複数の端子のうち、少なくとも一方の半導体チップ１Ａの端子２、３の一部（ボール端子３）は、一方の半導体チップ１の残りの端子（ボール端子２）より先に他方の半導体チップ１Ｂの端子（金バンプ１０）に接触する。即ち、ボール端子３はボール端子２よりも径が大きいので高さが高く、他の端子より先に金バンプ１０に接触する。 （もっと読む）

【課題】 超音波ボンディングによる突起電極の接合強度を高めた半導体素子実装用基板およびその製造方法ならびに半導体装置を提供する。
【解決手段】 絶縁基板11の上面に、下面に複数の電極端子22が形成されて電極端子22に突起電極23を備えた半導体素子21を実装するための、電極パッド12が形成された実装部11を有して成り、電極パッド12に突起電極23を当接させて半導体素子21の上面から超音波を印加して突起電極23を電極パッド12に接合する半導体素子実装用基板19であって、電極パッド12は、突起電極23が当接する領域の中央部12ａが外周部12ｂよりも低く、かつ中央部12ａと外周部12ｂとの間に環状に隙間12ｃが設けられている。電極パッド12の中央部12ａと外周部12ｂとが突起電極23と噛み合うとともに隙間12ｃにより接合時の応力を緩和できるので、接合強度および実装信頼性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減でき、しかもボイドの発生を防止できる部品付き配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】はんだバンプ成形工程では、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化する。フラックス供給工程では、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５における複数の接続端子４７を、フラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置し、この状態で複数のはんだバンプ２２を加熱溶融する。これにより、はんだバンプ２２に含まれているフラックス２８は、加熱溶融工程において加熱溶融される際に気化して確実に頂部２７から外部に放出される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主体とする金属層と絶縁性樹脂層との密着性に優れた、実装信頼性の高い半導体パッケージ基板とその製造方法を提供すること。
【解決手段】外部部品と電気的に接続される突起状電極部６を有する、Ｃｕを主体とする金属層４ｂと、金属層４ｂ上の、突起状電極部６の外部部品との接続面を除いた領域に形成され、且つ、突起状電極部の側面を覆う絶縁性樹脂層２と、金属層４ｂと絶縁性樹脂層２との間に形成されたＮｉ合金層４ａと、金属層４ｂの、Ｎｉ合金層４ａが形成された面と反対の面上に形成され、半導体素子が接着される接着層とを有する。 （もっと読む）

【課題】第１の回路基板と第２の回路基板との接合信頼性を向上させる回路基板接合構造体を提供する。
【解決手段】第１のバンプ電極２の第１の中心線Ｌ１と、第２のバンプ電極４の第２の中心線Ｌ２とが、重ならずに偏移するように、上記第１のバンプ電極２の頂面と上記第２のバンプ電極４の頂面とが、対向して接合されている。小面積の第２のバンプ電極４が塑性変形するときに、大面積の第１のバンプ電極２の側面までの距離が短い方は、自由端となり、バンプ電極の変形拘束をうけないため、小面積バンプ電極４が塑性変形するとき、大面積バンプ電極２の自由端の方向へ接合界面での横すべりが生じやすく、その結果、小面積バンプ電極４が容易に変形しやすくなる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とインタポーザ基板との接合品質を安定化させる。
【解決手段】半導体装置１は、フィルム基板８に実装されてシリコンにより構成されたインタポーザ基板２と、液晶を駆動するためにインタポーザ基板２に実装された半導体素子３とを備え、インタポーザ基板２は、半導体素子３側に形成された基板突起電極４を有し、半導体素子３は、基板突起電極４と接合する素子突起電極５を有し、素子突起電極５の素子接合面の面積が、基板突起電極４の基板接合面の面積よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】チップキャリアの配線層とバンプ形成面を分離することによりＩＣチップ実装後の高い接合信頼性が得られるチップキャリア及び半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】絶縁基板１３の片面に電極パッド１６と接合ろう１５からなるバンプ２１が、もう一方の面に配線層１７及び配線層１９からなる多層配線を形成してチップキャリア１０を得る。さらに、ＩＣチップのパッドとチップキャリア基板のバンプ２１とを接合し半田フリップチップ実装して半導体装置を得る。 （もっと読む）

【課題】すべてのバンプ部と端子部との接続抵抗を小さく抑えるとともに接続抵抗を均一化し、半導体素子の導通不良を少なくできる電気光学装置、電気光学装置用基板、半導体素子、及び電子機器を提供する。
【解決手段】半導体素子が実装された電気光学装置用基板を備えた電気光学装置であって、半導体素子は複数のバンプ部を備え、電気光学装置用基板は複数の端子部を備え、複数のバンプ部と複数の端子部とは導電粒子を含む異方性導電膜を用いて電気的に接続され、複数のバンプ部及び端子部は、半導体素子の所定の辺に沿ってそれぞれ配列する複数の列をなすとともに、所定の辺に近い側の第１の列と第１の列よりも所定の辺から遠い側の第２の列とを含み、第２の列を構成するバンプ部及び端子部の平面投影面積を第１の列を構成するバンプ部及び端子部の平面投影面積よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装される半導体素子接合用の電極を、ソルダーレジスト被膜により規定した配線パターンの露出部分により形成したプリント配線板に於いて、強固なはんだ接合を可能にするとともに、接合部の高密度化が図れるプリント配線板を提供する。
【解決手段】プリント配線板１１は、フリップチップ実装される半導体素子の実装面部に所定の間隔を存して配列された、半導体素子接合用の電極形成部分を有する多数本の配線パターン１２ｐ，１２Ｐ，…と、部品実装面部を電極形成部分を残しソルダーレジスト（ＳＲ）で被覆することにより電極形成部分に露出形成された多数の電極１２，１２，…と、各電極１２，１２，…に一体に設けられ、半導体素子の電極に接合する部分の電極幅を他の部分より広幅に形成し、この広幅の部分が上記電極の配列方向に隣接しないように該電極の延長方向に位置的にずらせて配置した電極拡張部１２ａ，１２ａ，…とを有して構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップや回路基板の微細化に対応すると共に、信号や電源、電極位置の配線自由度向上を図る。これによって半導体チップの小型化や複数の半導体チップの積層を容易にする技術を提供する。
【解決手段】金属細線１の先端の金属ボール２からなる突起部が接触半導体チップもしくは電気的接続配線層を有する基材の主面にある絶縁層５の上に配置され、さらに前記金属細線１が前記絶縁層５に倣うように配置され、且つ前記金属細線１が前記金属ボール２以外の部位で前記絶縁層５の開口に露出する電極４に接合されて、前記半導体チップもしくは前記基材の主面上に外部配線を形成する。 （もっと読む）