【課題】ＰｏＰ構造の積層型半導体装置において、実装基板への実装面積を抑制しつつ上下パッケージの接続端子数を確保し、下側パッケージのチップ厚および実装ギャップの制限を緩和する。
【解決手段】積層型半導体装置は、上面に電極ランドと接続端子４と有する配線基板３と、配線基板３の上に、回路形成面が配線基板３の上面に対抗するように搭載された半導体チップ１と、電極ランドと半導体チップ１の回路形成面とを接続する金属バンプ２と、配線基板３と半導体チップ１との隙間に金属バンプ２を介して充填されたアンダーフィル樹脂６とを備えている。接続端子４は、配線基板３の上面の面積の４０％以上の領域に配置されており、且つ、配線基板３の辺又は角に集約して配置されている。 （もっと読む）

【課題】 基板同士の横方向のずれを抑制するために、接合時の荷重を小さくすると、バンプ表面の薄い酸化膜を破壊してバンプの清浄面同士を接触させることが困難になる。
【解決手段】 表面に複数の部分球状の第１のバンプが形成された第１の基板と、表面の、前記複数の第１のバンプに対応する位置にそれぞれ部分球状の第２のバンプが形成された第２の基板とを、相互に対応する該第１のバンプと該第２のバンプとが接触するように対向させる。第１のバンプと第２のバンプとが接触した状態で、第１のバンプと第２のバンプとを加熱して溶融させた後、固化させる。溶融する前の第１のバンプの各々の体積が、溶融する前の対応する第２のバンプの体積と異なる。 （もっと読む）

【課題】基板と部品との接合を半田自己集合方式によってショート不良なく、安定的に実施できる電子部品接合方法を提供する。
【解決手段】第１電極２と第２電極のすべてを含む接合領域以外で、かつ、接合樹脂４の内に、基板１と部品５の間の電気接続に関与しないダミー電極１５を基板に配置して、加熱によって接合樹脂が流動して第１電極と第２電極の間ならびにダミー電極に溶融した導電性粒子３を自己集合させて凝固させる。 （もっと読む）

【課題】回路基板上に半導体素子が搭載された電子部品及びその製造方法に関し、回路基板と半導体素子との間の接点接続を維持しつつ回路基板から半導体素子へ加わる応力を効果的に緩和することができる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３０と、基板３０上に形成され突起状端子を介して基板３０に電気的に接続された基板１０とを有し、突起状端子は、基板３０側の端部に導電性の被膜２２を有する炭素元素の線状構造体の束２０と、基板１０側の端部に導電性の被膜を有する炭素元素の線状構造体の束３４とを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｂｉを含有するはんだ接続部の放熱性を向上させ、Ｂｉが接続部の外部へ拡散し接続部にカーケンダルボイドが形成されることを防止して光素子等の機能素子の特性を向上させる。
【解決手段】機能素子１が搭載される基板２の主面側の、機能素子１が搭載される領域の少なくとも一部に第１の導体層５を形成し、第１の導体層５の少なくとも一部に第２の導体層６を形成する導体層形成工程と、第２の導体層６の少なくとも一部に凹凸形状状の第３の導体層８を形成し、第３の導体層８の少なくとも一部にはんだ９を形成し、第２の基板１７を挟持し、はんだ９を溶融させて機能素子１を接続して搭載し、はんだ９が第３の凹凸状の導体層８により堰き止められて第１の導体層５に接しない接続工程を備えた機能素子搭載方法とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子とプリント配線基板との熱膨張係数差による応力を緩和するとともに、半導体素子とプリント配線基板との電気的接続の高信頼性を確保できる手段を提供する。
【解決手段】撮像ユニット１は、機能面側に複数の突起電極２ｂを有する固体撮像素子２と、この固体撮像素子２をフリップチップ実装するプリント配線基板３とを備える。プリント配線基板３には、固体撮像素子２の受光部２ａに対向する開口部３ａと、複数の突起電極２ｂを各々接続する複数の配線電極３ｃと、開口部３ａに連続する切欠きによって分岐して複数の配線電極３ｃを分割する複数の分岐部３ｄとが形成される。複数の分岐部３ｄの各々は、配線電極３ｃとの密着状態を維持しつつ突起電極２ｂの変位に追従して湾曲して、固体撮像素子２とプリント配線基板３との熱膨張係数差による応力を緩和する。 （もっと読む）

【課題】スペーサの構成を簡単なものとするとともに、パッケージを実装基板に実装した後においても、パッケージの支持高さ（すなわち、スペーサの高さ）を調節することができることにより小型化を図ることのできる圧電デバイスおよび圧電デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】圧電デバイス１は、圧電体素子２を収容したパッケージ３と、スペーサ５１〜５３を介してパッケージ３を支持する実装基板４と、スペーサ５１〜５３により形成されたパッケージ３および実装基板４間の隙間に位置するように実装基板４に設けられ、圧電体素子２を駆動するための電子部品６とを有している。スペーサ５１は、アーチ状に湾曲させた金属ワイヤで構成されている。 （もっと読む）

【課題】 裏面がＣＭＰ処理による鏡面状平面にされたウエハ上に、ＷＬＰＴＳＶ技術を活用したコネクタを作り込んで個片に切断することで大量生産されるスルーシリコンビア構造を有するウエハーレベルコネクタ。
【解決手段】 ウエハ上に直接コネクタを作り込み、各コネクタ間をダイシングして切断し、接続端子となるウエハ裏面をウエハレベルでＣＭＰ処理による鏡面状平面に仕上げることによって、大量生産を可能とし画期的な生産性を有するとともに、コネクタは、１０ＭＰａ程度の付勢力を発生するスパイラル状接触子と接続端子との間に１００℃程度の低温加熱をすることで金属接合が起きる。このようなＷＬＰＴＳＶ技術を活用した実装に係り、特に液晶パネルやカメラモジュール、ＩＣ、ＬＳＩ等の実装用や実装基板同士の接合を仲介する、ＴＳＶ構造を有するウエハーレベルコネクタ。 （もっと読む）

【課題】配線基板や半導体装置の破損を抑制する配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板５は、少なくとも１以上の層を含有する基板と、実装する半導体装置に設けられたバンプを介して半導体装置と電気的に接続するための実装パッド１と、を有する。実装パッド１は、基板上であって実装する半導体装置に設けられたバンプと対向する領域に設けられ、バンプとの接続部分である接続部２と、基板との接面に形成される配線パターンを含む配線部４と、接続部と配線部とを電気的に接続する導電ポスト部と、接続部２と配線部４と導電ポスト部以外の領域を形成する樹脂部３と、を含有する。樹脂部３は、接続部２よりも弾性率が低い樹脂により形成されている。 （もっと読む）

【課題】電極径φ３０μｍ以下の微細な電極間でも良好に導通可能なデバイス実装構造を提供する。
【解決手段】光デバイス１の電極１ａ表面、および、光デバイス１の電極１ａと対向する実装基板２の基板電極２ａ表面のそれぞれに、円柱形状の金属製の微小突起１ｂ、微小突起２ｂを１個ないし複数個それぞれ形成し、光デバイス１を実装基板２の実装位置に位置決めした状態で、電極１ａと基板電極２ａとを互いに対向させて接近させることにより、微小突起１ｂと基板電極２ａおよび微小突起２ｂと電極１ａとを当接させて圧着させ、双方の微小突起１ｂ，２ｂを圧縮・座屈・屈曲またはそれらが複合した形態に塑性変形させて、微小突起１ｂと微小突起２ｂとが互いに絡み合い機械的に結合し合う状態に形成する。また、微小突起１ｂ，２ｂそれぞれを電極１ａ表面、基板電極２ａ表面に対しあらかじめ定めた方向に斜めに傾斜させて形成するようにしても良い。 （もっと読む）

【課題】メタルポストの酸化及び腐食を防止し、メタルポスト上に形成されたソルダバンプに凹部またはくぼみが生じる問題を防止する、メタルポストを備えた基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】接続パッド１０４が形成されたベース基板１０２、ベース基板１０２に形成され、接続パッド１０４を露出させる開放部を持つソルダレジスト層１０６、接続パッド１０４に連結され、ソルダレジスト層１０６の上部に突出したメタルポスト１１６、及び突出したメタルポスト１１６の上部を含む外面に形成されたソルダバンプ１２２を含む。 （もっと読む）

【課題】 圧電振動片の傾きによる悪影響をなくした圧電振動デバイスを提供する。
【解決手段】 励振電極２１１，２２１が形成された振動部２３と接続電極２１２，２２２が形成された保持部２４とを有する矩形状の圧電振動片２と、ベース３と、ベースの封止部で接合する蓋とが設けられ、前記ベースの搭載部に前記圧電振動片の保持部が導電性バンプＢにより超音波接合された圧電振動デバイスにおいて、前記圧電振動片の一端部の両端部に接続電極を形成しており、当該接続電極で導電性バンプを介して前記ベース上に圧電振動片の一端部の両端部の二つの保持部領域で電気的機械的に接合され、前記圧電振動片の一対の接続電極と当該一対の接続電極間の領域以外で圧電振動片の素地が露出した一つの保持部領域で導電性バンプが当接した状態で前記ベース上に圧電振動片を片保持した。 （もっと読む）

【課題】突起電極と素子電極との接続信頼性を向上させる手段を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層１０と、絶縁樹脂層１０の一方の主表面に設けられた配線層２０と、配線層２０と電気的に接続され、配線層２０から絶縁樹脂層１０側に突出している突起電極３０と、を備える。突起電極３０は、略凸状の頂部面を有し、少なくとも頂部面における周辺領域が曲面形状である。半導体基板３１０の素子電極３３０は電極部３３１と表面に積層された金属層３３２からなり、素子電極３３０と突起電極３０の凸状の頂部面が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ側の半田バンプとパッケージ基板側の予備半田を同時に加熱融解させて半導体チップとパッケージ基板と接続する場合に、半田バンプ側に予備半田が吸い取られて接続不良が発生するのを防ぐ製造方法を提供する。
【解決手段】半導体バンプ１１の材料と予備半田２１の材料を同一材料にする。半導体チップ１０に半田バンプ１１が接する開口半径（ＵＢＭ径）ｒ１と、パッケージ基板２０に予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２との比ｒ２／ｒ１を０．８以上で１．２以下とする。このとき、半田バンプ１１の高さｈ１は、予備半田２１の高さｈ２よりも高くする。また、半田バンプ１１の半田量と、予備半田２１の半田量は、「予備半田の曲率半径Ｒ２」≧「半田バンプ１１の曲率半径Ｒ１」を満たすように決められる。また、予備半田２１が接するソルダレジスト開口半径（ＳＲＯ径）ｒ２は、予備半田２１の高さｈ２以上とする。 （もっと読む）

【課題】ソルダーバンプと配線パターンの整合度を向上させ、ソルダーバンプに別途のコイニング工程が不要なソルダーバンプを持つプリント基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層１２０；前記絶縁層１２０の表面と同一の高さを持つように埋め込まれたソルダーバンプ１１６；前記ソルダーバンプ１１６の下面に形成された配線パターン１１８；及び前記配線パターン１１８に連結され、前記絶縁層１２０と同一の高さを持つように埋め込まれた回路層１０８ａを含む。 （もっと読む）

【課題】フィルム型配線基板を含む半導体パッケージを提供する。
【解決手段】本発明は、半導体パッケージを提供する。このパッケージは、第１導電リード及び第１導電リードに比べて長さが延びた第２導電リードを含む配線基板及び信号が提供される第１セル領域と、信号と同一の信号が提供される第２セル領域と、第１セル領域と電気的に接続する第１導電パッドと、第２セル領域と電気的に接続する第２導電パッドと、を含み、配線基板上に実装され、第２導電リード上に第１及び第２導電パッドを配置する半導体チップを含む。 （もっと読む）

【課題】微細化することができ、信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、一方の主面に電極端子２２を有する回路基板２１と、一方の主面に電極１２を有し、回路基板２１の一方の主面にフリップチップ実装された半導体素子１１と、を具備し、回路基板２１の電極端子２２と半導体素子１１の電極１２との間が、一端が電極端子２２或いは電極１２の一方に接続され、他端部に凹部３２を有する筒状電極３１と、筒状電極３１の凹部３２に配設された導電部材４１と、により接続される。この半導体装置１００は微細化され、信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】パッド接続面がラウンド形状であって接続パッドとの接続面積が広くて接続信頼性が向上し、バンプ形成高さが均一な半田バンプを有するプリント基板およびその製造方法の提供。
【解決手段】上下に配列された複数の回路層５３０と、前記回路層５３０の間に介在された絶縁層６００と、前記複数の回路層５３０のうち最下部回路層に形成された下部接続パッド５１５と、前記下部接続パッド５１５に電気的に接続し、パッド接続面がラウンド形状で、その他面が平坦な形状である半田バンプ３００とを含んでなる、ラウンド型半田バンプを有するプリント基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】 パッケージ化された半導体装置２を回路基板８上に実装するときに、鼓型状の接合用はんだ６を容易に形成することができる実装方法を提供すること。
【解決手段】 本方法は、第１配置工程と第２配置工程と載置工程と加熱工程と冷却工程を備えている。第１配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの中央部に環状のはんだ４を配置する。第２配置工程では、半導体装置２の実装面２ａの外周部にはんだ６を配置する。載置工程では、第１及び第２配置工程により配置したはんだ４，６を介して回路基板８上に半導体装置８を配置する。加熱工程では、はんだ４，６を加熱して溶融する。冷却工程では、はんだ４，６を冷却して固化する。加熱工程において、はんだが溶融した状態では、環状に配置したはんだ４と半導体装置と回路基板によって密閉された空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】接続バンプを応力緩和の小さい材料で微細形成したり、更には半導体チップと接合する基板に半導体チップと熱膨張係数差が大きい材料からなるものを用いる場合でも、接続バンプ部分の損壊を抑止する。
【解決手段】半導体チップ１上において、電極１１は等ピッチで均一に設けられている。一方、樹脂基板４上において、電極１２は１つおきに樹脂基板４の表面の内側へ向かって偏倚した位置に設けられている。一対の電極１１と電極１２とを接続するハンダバンプ３は、樹脂基板４上で電極１２と共に樹脂基板４の表面の外側へ偏倚し、ハンダバンプ３が傾斜する。一方、一対の電極１１と偏倚電極１２ｃとを接続するハンダバンプ３は、樹脂基板４上で電極１２と共に樹脂基板４の表面の若干内側へ偏倚して傾斜する。 （もっと読む）