【課題】半導体チップの半田バンプとパッケージ基板ユニットの半田バンプとの接続信頼性の向上及び半田バンプ間での狭ピッチ化を図れるパッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法を提供する。
【解決手段】パッケージ基板ユニット１の半導体チップ実装層２０は、絶縁層２１と、絶縁層２１の上面に形成された導電めっきシート層２２ａと、導電めっきシート層２２ａの上面に形成された導電パッド２３と、導電パッド２３の上面のほぼ中央部に形成される金属ポスト２４と、導電パッド２３及び金属ポスト２４とを包囲するように形成されたソルダーレジスト層２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップをＣＯＧ実装する際に、ＡＣＦ熱圧着時のＡＣＦ流動による流動圧力を均一にし、実装の信頼性を向上させる。
【解決手段】 ＩＣチップ１の出力バンプの配列において、ＡＣＦ流動の流動圧力が均等にかかるように、右上がりに千鳥配列されたバンプ群１２と左上がりに千鳥配列されたバンプ群１１を形成し、ＩＣチップ１上に左右均等に配置する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で精度よく微細な接合対象物同士を位置あわせができる構造体を提供する。
【解決手段】第１の接合部１を有する第１の接合対象物の所定の箇所に開口１２を形成する。第２の接合部２を有する第２の接合対象物の前記開口１２と対向する位置に、前記開口１２の径よりも小さい径を有し加熱により体積膨張する性質を有する球状構造体３を配置する。前記球状構造体３が前記開口１２内に位置するように、前記第１の接合対象物と前記第２の接合対象物を仮配置する。加熱により、前記球状構造体３を前記開口１２内で前記開口１２の径の大きさまで体積膨張させることによって、前記第１の接合部１と前記第２の接合部２とを自己整合的に位置あわせする。 （もっと読む）

【課題】より多くの導電粒子を電極間に捕捉可能な導電接合構造と、導電接合構造によって実装基板に実装部品を接合した実装構造体、及び、この導電接合構造によって２つの被接合部材を接合するための導電接合方法を得る。
【解決手段】基板側電極１８には接合用凹部２４が形成され、部品側電極２０には接合用凸部２６が形成される。接合用凹部２４と、接合用凸部２６の間に、異方性導電接合材２２の導電粒子２２Ｐを捕捉する捕捉間隙３０が構成されている。 （もっと読む）

【課題】
熱容量の異なる半導体素子接続パッドに半田バンプを介して半導体素子の電極を接続する際、半田バンプ同士の短絡を防ぎ半導体素子の正常作動が可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
ビア導体２ａが充填された多数のビアホール１ｃを有する絶縁層１ｂの表面にビア導体２ａと一体的に形成された導体層２から成る第１の半導体素子接続パッド３ａと、絶縁層１ｂ上に形成された導体層２のみから成る第２の半導体素子接続パッド３ｂとが、第１の半導体素子接続パッド３ａの配列中に第２の半導体素子接続パッド３ｂが分散して配設されるとともに第１および第２の半導体素子接続パッド３ａおよび３ｂに半田バンプ５が溶着されて成る配線基板１０であって、第２の半導体素子接続パッド３ｂに溶着された半田バンプ５の体積が第１の半導体素子接続パッド３ａに溶着された半田バンプ５の体積より小さい配線基板１０である。 （もっと読む）

【課題】ドライバの半導体集積回路装置の出力端子数が増加しても、半導体集積回路装置内部の配線層による電圧降下を防止する。
【解決手段】第１の配線層と第２の配線層とが形成されたフィルム基板と、前記フィルム基板上にチップオンフィルム方式で実装された半導体チップとを有し、前記第１の配線層と前記半導体チップの出力端子とが電気的に接続され、前記第２の配線層によって、前記半導体チップの複数の端子同士が電気的に接続されており、前記第２の配線層を介して、前記半導体チップの電源、或いはクロックが伝達される。前記第２の配線層は、前記半導体チップと前記フィルム基板との間に形成される。 （もっと読む）

【課題】導電部材のバリを有さない半導体装置を提供する。
【解決手段】配線基板２と、機能素子４が形成された機能面３ａを有し、この機能面３ａを配線基板２の一方表面に対向させて、この一方表面との間に所定間隔を保持して接合されかつ電気的に接続された半導体チップ３と、配線基板２の一方表面上に形成され、配線基板２の端面２ｅとほぼ面一の端面を有する導電膜６と、配線基板２と半導体チップ３との間および導電膜６上に形成された封止樹脂層７とを含み、半導体チップ３において、機能面３ａと反対側の面は露出している半導体装置。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、集積回路素子の電極パッドと、金バンプと半田で形成されたボールとの接合強度の低下のない電子装置を提供することを課題とする。
【解決手段】
本発明の電子装置は、集積回路素子と、集積回路素子の回路の形成された面の電極パッド上に固着される金バンプと、金バンプを包む半田と、集積回路素子の電極パッドが金バンプと半田を介して接合される素子搭載部材と、素子搭載部材に配置された集積回路素子搭載用パターンとを備え、半田の体積に対する金バンプの体積比率を１２パーセント以上１６パーセント以下とした。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体ダイの表面上に形成された複数のバンプを有する、半導体ダイを提供するステップと、基板を提供するステップと、露出側壁を有し、ＳＲＯ＋２＊ＳＲＲ−２Ｘによって定義される設計規則に従ってサイズ決定される相互接続部位を伴って、前記基板上に複数の伝導性トレースを形成するステップであって、式中、ＳＲＯは、前記相互接続部位上の開口部であり、ＳＲＲは、製造工程のための位置合わせであり、Ｘは、接触パッドの前記露出側壁の厚さの関数である、ステップと、前記バンプが前記相互接続部位の頂面および側面を覆うように、前記バンプを前記相互接続部位に接着するステップと、前記半導体ダイと基板との間で前記バンプの周囲に封入材を堆積させるステップとを含む、半導体素子を作製する方法。 （もっと読む）

【課題】先アンダーフィル方式のフリップチップボンディングにおいて、接続不良が少ない電子部品を提供する。
【解決手段】電子部品２０の基板２１上に形成されたフリップチップボンディング用の突起電極２４の上面に形成された窪み２６と、窪み２６に埋め込まれたフラックス２５と、突起電極２４の外側の基板２１上に形成され、突起電極２４を突起電極２４上面まで埋め込む接着材２２とを有する。ボンディングの際にフラックスが蒸発して接合面の気圧が上昇し、溶融した接合樹脂の接合面への侵入が防止される。このため、接合面に絶縁性接着材の皮膜が形成されず接続不良を生じない。 （もっと読む）

【課題】挟ピッチかつ高い接続信頼性を確保した簡易な構造の半導体装置、および製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１の電極端子１ｂ上に突起状電極１ａを形成する。突起状電極１ａよりも大きくし、位置を合わせた転写用の金型４に、粘着層５を供給し半田粒子３を付与する。金型４と半導体素子１の対向する位置を合わせ、加熱・加圧して半田粒子３を突起状電極１ａ上に付与、金型４を引き剥がして半導体素子１を個片化する。半導体素子１の突起状電極１ａに対向して回路基板２の電極端子２ａの位置を合わせて、加熱、荷重し半導体素子１を回路基板２上へ搭載する。半導体素子１の端部の回路基板２との距離が最も大きな電極同士でも、微細半田が鼓状に伸びて接合し平行度の悪化を吸収する。端部電極の熱応力集中を微小半田接合体（半田接合部３ｃ）が受けて、電極直下の脆弱な絶縁膜の熱応力を低減して剥離や亀裂を防ぎ、高い接続信頼性を確保する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体装置３１は、回路基板１の所定位置に形成された電極パッド１０を有し、電極パッド１０には、半導体装置２１のハンダバンプ２６が接合されている。ハンダバンプ２６は、半導体装置２１の電極２５上に形成され、そのハンダ材料には鉛フリーハンダが用いられている。回路基板１の電極パッド１０は、複数の凸部１０Ａと溝１０Ｂが形成されており、ハンダバンプ２６は、その一部が電極パッド１０の溝１０Ｂを埋めるように入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを積層化した構造で、低背化が可能な手段を提供する。
【解決手段】半導体デバイス１０の導電体１２に複数の微小な金属塊１３を形成、樹脂よりもヤング率が大きい半導体インターポーザ１５の導電体１７に複数の微小な金属塊１８を形成しフリップチップ接続することで、導電体同士が微少な金属塊で接続されることになり低背化が達成された。また、積層化プロセスが容易になるように、前記金属塊の形状、大きさ、配置などを最適化した。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージにおいて長期接続信頼性を向上させ、エレクトロマイグレーション耐性を改善する。
【解決手段】半導体素子１の電極パッドと基板２１上の電極パッド２０とをはんだボールによって接続する。はんだボールは、金属製コア部１１と、金属製コア部１１の周囲に設けられ、前記コア部１１よりも剛性が低く融点が低いはんだ部１０とで構成されている。はんだボールを半導体素子１にリフローによって接続する。その後、半田ボールが付いた半導体素子１と基板２１を超音波にて接続し、基板２１側において、金属コア１１と電極２０を直接接続する。これによって熱ストレスの少ない、かつ、抵抗の小さい接続を可能とする。 （もっと読む）

【課題】小さな圧力を用い電極同士を接合可能とすること。
【解決手段】規則性を有し配列した複数の突起１４を備えた第１電極１２を含む第１基体１０と、前記複数の突起１４とそれぞれ嵌合した複数の嵌合部２６を備え、前記第１電極１２と機械的かつ電気的に接続された第２電極２２を含む第２基体２０と、を具備する電子装置。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスを基板に実装した後に熱負荷が加えられても位置ずれが生じない半導体デバイス実装体を提供する。
【解決手段】基板２には３つの電極４ａ，４ｂ，４ｃが設けられており、光半導体素子３には、基板２の電極４ａ，４ｂ，４ｃと対向する位置に電極５ａ，５ｂ，５ｃが設けられている。シリコン基板２の電極４ａ，４ｂと光半導体素子３の電極５ａ，５ｂは金製のスタッドバンプ７によって接合されており、シリコン基板２の電極４ｃと光半導体素子３の電極５ｃは、半田６によって接合されている。スタッドバンプ７は予めシリコン基板２の電極４ａ，４ｂに設けられていたものであり、このスタッドバンプ７の先部が、光半導体素子３の金メッキされた電極５ａ，５ｂに固相接合されている。 （もっと読む）

【課題】電極本体と電子部品又は基板との接合面積の低下を抑制できる電極、電子部品及び基板の提供を課題とする。
【解決手段】本発明は、電子部品１２にはんだ付けされて設けられ、電子部品１２が基板１３に実装される際に、基板１２にはんだ付けされる電極１０である。この電極１０は、電子部品１２及び基板１２にはんだ付けされる柱状の電極本体１１を有している。電極本体１１が電子部品１２又は基板１３にはんだ付けされる際に、電極本体１１の接合面１１ａ，１１ｂと電子部品１２又は基板１３との間におけるはんだ１４内に発生する空気溜まり１５内の空気１５ａを排出する空気排出手段としての溝２０を備えている。 （もっと読む）

本発明は、電子集積回路パッケージの製作、より具体的には３次元でパッケージされた集積回路を製造する際の静電放電ダメージの軽減に関する。一実施形態では、第２層ダイが第１層ダイと接触して配置されるとき、第２層ダイおよび第１層ダイ上の他の信号導電バンプおよびパワー導電バンプが電気的に接触する前に、第２層の基板と電気的に結合された第２層の周辺部付近の導電バンプが、第１層の基板と電気的に結合された第１層の対応する導電バンプと接触する。
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【課題】複数の半導体素子を有する半導体装置と樹脂基板をバンプ接続する際、半導体素子のバンプに対する熱応力の作用によって接続部にクラックが生じて、機器の長期信頼性が低くなること。
【解決手段】複数の半導体素子を搭載されるインターポーザー配線基板の裏面に複数のランドとバンプを備える半導体装置と、複数のランドが配列された樹脂基板とを接続する電子部品の実装構造であって、前記インターポーザー配線基板の前記半導体素子と重なる位置にあるバンプの中で、半導体装置の中心から最も離れた位置に配列された位置及びその周辺にあるバンプと、前記バンプと隣接するバンプとが並列接続されていることを特徴とすることにより、応力集中が最も発生する位置のバンプが、冗長接続となり、一つのバンプが破断しても他方のバンプの接続が保たれ、故障を起こす期間を延伸することができる。 （もっと読む）

チップ回路への電気的接続を可能にする複数のボンディングパッドを含む集積回路基板を含む半導体装置が記載される。ボンディングパッドは、予め製造された孔を有するパッシベーション層によって少なくとも部分的に覆われる。装置は、ボンディングパッド上部に複数のバンプを有するチップを含み、バンプの領域はパッシベーション層の協働する孔の各々の領域と比較して大きい。
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