【課題】本願発明の目的は、半導体チップの傾きを最大限低減できる半導体装置及びその半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】本願発明に係る半導体装置は、複数のソース電極が形成された領域とドレイン電極が形成された領域とは、半導体素子を介して実質的に対称な位置に形成されている。 （もっと読む）

【課題】多ピンの半導体装置においてコストの低減化を図る。
【解決手段】フリップチップ接続タイプのＢＧＡにおいて、多層配線基板の上面の外周部に配置された複数の信号用ボンディング電極２ｋが内側と外側に振り分けて引き出されており、内側に引き出された複数の信号用配線２ｕと接続する複数の信号用スルーホール２ｑが、複数の信号用ボンディング電極２ｋの電極列と複数のコア電源用ボンディング電極が配置された中央部との間の領域に配置されていることで、チップのパッドピッチを詰めることができ、前記多層配線基板の層数を増やすことなく、前記ＢＧＡのコストの低減化を図る。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄い半導体チップを可撓性回路基板へ熱硬化樹脂を用いてフエイスダウンボンディングして製造される半導体装置の反りを小さくする。
【解決手段】半導体チップ１の中央部に位置する半導体基板の一部を、半導体チップ１と反対側に撓ませた状態で接着用樹脂４を硬化する。回路基板３は凹部６を有するボンディングステージ５上に吸着させて、排気された凹部６内に回路基板３を引き込むことで、撓ませる。硬化及び冷却時の接着用樹脂の収縮にともない回路基板３の撓みは減少して、収縮により生ずる回路基板３等への曲げ応力を相殺するので、半導体装置の反りが小さい。 （もっと読む）

【課題】フリップチップボンディングによる接続時の電子部品間の位置ずれを抑制する。
【解決手段】複数の第１バンプが配設された第１電子部品と、その複数の第１バンプに対応する位置に複数の第２バンプが配設された第２電子部品とを準備する（ステップＳ１）。第１，第２電子部品のうち、一方の第１電子部品について、その複数の第１バンプの先端がそれぞれ第１電子部品の中央から外周に向かう方向に偏心した形状となるように、バンプ成型処理を行う（ステップＳ３）。その後、第１，第２電子部品を対向配置し（ステップＳ４）、それらの第１，第２バンプを溶融することで（ステップＳ５）、第１，第２電子部品を接続する。 （もっと読む）

【課題】回路基板と半導体素子の間の接続信頼性を向上させる。
【解決手段】回路基板２０と半導体素子１０とが、その半導体素子１０に設けられた突起電極１３を介して、電気的に接続される。半導体素子１０の突起電極１３は、その先端１３ａが、回路基板２０に設けられた電極部２５における第１領域２５ａに接合される。電極部２５の第１領域２５ａ周辺の第２領域２５ｂ、及び突起電極１３の側面１３ｂには、導電部５０が接合される。 （もっと読む）

【課題】接合時の半田の非合金化に起因する再リフロー時の半田接合部の外れを防止する半田フリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１００ａを基板１００ｂに実装する方法は、半導体チップ１００aおよび基板１００ｂの接合部の何れか一方に半田バンプ１０５を形成し、他方に凹凸部ＰＲを有する金バンプ１０６を形成するステップと、半導体チップ１００ａおよび基板１００ｂを互いに押しつけて、凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５とを互いに当接させるステップと、互いに当接された凹凸部ＰＲと半田バンプ１０５を第１の所定の温度Ｔで第１の所定時間ｔだけ加熱保持して、半田バンプ１０５と金バンプ１０６との合金を形成させるステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】準ミリ波帯及びミリ波帯で動作するＣＭＯＳ−ＩＣを有効にフリップチップ実装する。
【解決手段】ＣＭＯＳ−ＩＣ部１ａは、半導体回路基板１１と、その表面に配したアルミニウムパッド１３と、バンプが形成される円形部分を残して、半導体回路基板１１及びアルミニウムパッド１３を被覆するパッシベーション膜１２と、アルミニウムパッド１３表面の前記円形部分に形成されるバリア層１４と、該バリア層１４上に円柱状に形成された銅バンプ１５と、該銅バンプ１５の先端部分に円柱状に形成されたはんだめっき１６とを備えている。実装基板部２ａは、実装基板２１と、その一方の面に配された銅パッド２２と、該銅パッド２２上に円柱状に形成されたはんだめっき２３とを備えている。これにより、銅バンプ１５及びはんだめっき１６が、はんだめっき２３のそれぞれの径と等しくなるようにＣＭＯＳ−ＩＣ部１ａと実装基板部２ａがフリップチップ実装される。 （もっと読む）

【課題】電子機器の実装品質を向上することができる。
【解決手段】電子部品１は、半導体基板２と、半導体基板２に配された電極３と、半導体基板２の一面を覆うように配された絶縁樹脂層４と、絶縁樹脂層４の一部を覆うように配された複数の金属パッド５と、金属パッド５に載置される半田バンプ７とから構成される。金属パッド５は、外縁部５ａが仮想円８に内接する略十字型を成しており、この仮想円８に内接する第一部位と、仮想円８から仮想円８の内側に離間した第二部位とを交互に有し、外縁部５ａの全長が仮想円８の外周よりも長い。複数の金属パッドは同じ形状である。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置の製造時又は製造後において、半導体装置に含まれるはんだの溶融時における移動の防止を図った半導体装置の製造方法及びその方法により製造した半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体チップが実装される基板の電極にはんだ部を形成する工程と、はんだ部の頭頂部分が露出するような厚さで基板上に樹脂層を塗布する工程と、樹脂層を硬化させる工程と、半導体チップの実装領域にわたって熱硬化性のアンダーフィル材を供給する工程と、半導体チップをはんだ部に向かい合わせて搭載する工程と、アンダーフィル材及びはんだ部を加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
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【課題】フリップチップ実装のための回路基板の銅配線をセミアディティブ法で形成した場合、その接続パッド部にすずなどの溶融金属を付着形成する工程で、特にシード膜が溶食し、接続パッドが細って断線障害などを生じるケースがある。
【解決手段】絶縁基板上に銅シード膜上に感光樹脂パターンを形成し、その開口部へ銅の埋め込み配線パターンを形成した後、ウエットブラスト法での選択的エッチングで、埋め込み配線パターンの頂部及び側面部を感光性樹脂膜から露出させる。その露出部に無電解置換めっき法ですずめっきパターンを付着形成する。次いで、そのめっきパターンをマスクに再度ウエットブラスト法で残りの感光性樹脂膜を除去する。この工程で溶融金属はシード膜に触れず溶食されない。また本工程の結果、実装工程でも両者は接触しないため構造のため、シード膜の溶食が発生せず、実装時でのパターンの細りも抑制される。 （もっと読む）

【課題】２つの電子部品を接合するための方法を提供すること。
【解決手段】中空開口挿入部（５０）を挿入部の硬度より低い硬度の充填凸面要素（１４）に挿入することによって２つの電子部品（１２、１６）を接合する本方法は、挿入部（５０）が充填要素（１４）の中に挿入されると、挿入部（５０）の中に含まれたガスの排出通路をつくるために、挿入部（５０）の開口端（５４）の少なくとも１つの表面（５２）が解放されたままであることに存する。 （もっと読む）

【課題】電気的信頼性を向上させる要求に応えるバンプ付き配線基板、バンプ付き電子部品及び実装構造体を提供する。
【解決手段】バンプ付き配線基板は、絶縁層１０と絶縁層１０上に設けられた導電層１１とを有する配線基板３と、導電層１１上に設けられ、導電層１１と電気的に接続されたバンプ４と、配線基板３の表面からバンプ４の表面にかけて連続的に設けられた無機絶縁構造体１３と、を備えていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位置ずれにも拘わらず導電パッドに導電バンプを確実に接続することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩチップパッケージ１５では、パッケージ基板１６上で導電パッド２３、２３同士の間にソルダーレジスト２９が配置される。導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１とは共通の仮想平面２６内に配置される。したがって、パッケージ基板１６に対するＬＳＩチップ２２の位置が例えばパッケージ基板１６の表面に平行に規定の位置からずれたとしても、導電バンプ２７の先端は例えば導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１との両方に受け止められる。導電パッド２３、２３同士の間への導電バンプ２７の落下は確実に防止される。その結果、導電バンプ２７の位置のずれにも拘わらず導電バンプ２７は導電パッド２３に確実に接合される。 （もっと読む）

【課題】 ランド状接続端子とバネ状接触子を電気的に接合して安定的な接続状態を形成する導電性接合構造を提供する。
【解決手段】 ランド状接続端子３ａと、ランド状接続端子３ａに付勢力を施してランド状接続端子３ａと電気的に接触するバネ状接触子２とを備え、ランド状接続端子３ａは、スパイラル状接触子２、板バネ形状接触子、コイルバネ形状接触子などのバネ状接触子２との接触面にＳｎ―Ａｇメッキ３ａｃが施され、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを少なくとも一対設け、ランド状接続端子３ａとバネ状接触子２とを対面させて重ね合わせることによって、接触面に金属間接合部９が生成され、電子部品３などに熱履歴を加えることなく、Ｓｎ―Ａｇメッキ３ａｃとＡｕメッキ７ｂとの間に金属間接合部９を生成させ安定的に接合することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を配線基板にフリップチップ接合する際に、半導体素子に作用するダメージを緩和できる構造の半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体素子（１）は、第一の電極（２）が配置されている面と同一面上で第一の電極（２）とは離れて搭載された部品（４）と、第一の電極（２）が配置されている面と同一面上で第一の電極（２）と部品（４）との間に搭載されたダミー電極（５）とを備えており、半導体素子（１）を配線基板（７）にフリップチップ接合する際の配線基板（７）に対する半導体素子（１）の傾きを補正する支持体（６）がダミー電極（５）と配線基板（７）との間に介装されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上する。
【解決手段】主面３ａに複数のパッド２１が形成されたマイコンチップ（半導体チップ）３が、主面３ａを配線基板２の上面２ａと対向させた状態で搭載される。上面２ａには、複数の端子（ボンディングリード）１１が形成されるパッド２１は、他のパッド２１とは異なる固有の電流が流れる複数の第１パッド２１Ａ、および複数のパッド２１に共通する電流が流れる、または電流が流れない複数の第２パッド２１Ｂからなる。第１パッド２１Ａの隣に第１パッド２１Ａまたは第２パッド２１Ｂが配置され、複数の第１パッド２２Ａは、複数のバンプ（第１導電性部材）２２Ａを介して複数のボンディングリード１１とそれぞれ電気的に接続され、複数の第２パッド２１Ｂは、複数のバンプ（第２導電性部材）２２Ｂを介して複数の端子１１と接合されている。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を基板に接合する際の半導体素子の損傷を抑えながら、半導体素子から基板への高い放熱性と、強固な接合性とを達成することができる実装構造体、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体素子４の端子５と、基板２の電極３とが対向した状態で、接合部６により接合されて、半導体素子４が基板２に実装される。接合部６は、バルク金属材料からなるバンプ８と、金属粒子１６の焼結体１２とから構成される。端子５と、電極３とはそれぞれバンプ８および焼結体１２の両方と直接に接触しており、その両方を通じての半導体素子４からの基板２への放熱が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 はんだバンプのクラック発生に伴う電気抵抗の増加を抑制できる。
【解決手段】 第１基板と、第１基板上に形成された第１電極と、所定の温度で液体となり、Ｓｎ（錫）と合金を形成する第１導電性物質と、第１電極上に備えられ、第１導電性物質を内部に備える第１カプセルと、第１カプセルを覆い、Ｓｎを含むはんだバンプと、を備え、第２電極を備えた第２基板と、第２電極上に備えられ、はんだバンプに覆われ、所定の温度で破壊される第２カプセルと、第２カプセル内に備えられ、所定の温度で液体となり、Ｓｎ（錫）と合金を形成する第２導電性物質と、を備える。 （もっと読む）