電子部品パッケージおよびその製造方法

【課題】位置ずれにも拘わらず導電パッドに導電バンプを確実に接続することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＬＳＩチップパッケージ１５では、パッケージ基板１６上で導電パッド２３、２３同士の間にソルダーレジスト２９が配置される。導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１とは共通の仮想平面２６内に配置される。したがって、パッケージ基板１６に対するＬＳＩチップ２２の位置が例えばパッケージ基板１６の表面に平行に規定の位置からずれたとしても、導電バンプ２７の先端は例えば導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１との両方に受け止められる。導電パッド２３、２３同士の間への導電バンプ２７の落下は確実に防止される。その結果、導電バンプ２７の位置のずれにも拘わらず導電バンプ２７は導電パッド２３に確実に接合される。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＬＳＩ（大規模集積回路）チップパッケージといった電子部品パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩチップの裏面には複数の導電パッドが配列される。ＬＳＩチップはパッケージ基板上に実装される。実装にあたって、ＬＳＩチップの導電パッド上には例えば金バンプが予め取り付けられる。金バンプは、パッケージ基板の表面に配列される導電パッド上に位置決めされる。ＬＳＩチップの裏面およびパッケージ基板の表面の間には熱硬化樹脂材のアンダーフィル材が充填される。ＬＳＩチップがパッケージ基板に押し付けられつつアンダーフィル材は規定の温度まで加熱される。アンダーフィル材の硬化に基づきＬＳＩチップはパッケージ基板に固定される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２４３４４７号公報
【特許文献２】特開２００４−３２００４３号公報
【特許文献３】特開２００５−２０００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
パッケージ基板上ではパッケージ基板の表面と導電パッドの上端との間には段差が形成される。したがって、実装にあたってパッケージ基板上でＬＳＩチップの位置が規定の位置から少しでもずれると、金バンプは導電バンプ上からパッケージ基板の表面に向かって滑り落ちてしまう。その結果、接続対象の導電パッドとの電気的接続が確立されなかったり、接続対象の導電パッドに隣接する導電パッドとの間で誤って電気的接続が確立されてしまったりする。このままアンダーフィル材でＬＳＩチップがパッケージ基板に固定されると、不良品が製造されてしまう。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、位置ずれにも拘わらず導電パッドに導電バンプを確実に接続することができる電子部品パッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、電子部品パッケージの一具体例は、基板と、前記基板の表面に配列されて、上端にパッド面を規定する複数の導電パッドと、前記導電パッド同士の間に配置されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材と、前記基板の表面に配置されて、裏面に配置される導電バンプで前記パッド面に受け止められる電子部品とを備える。
【０００７】
開示の電子部品パッケージの製造方法の一具体例は、上端にパッド面を規定する複数の導電パッド、および、前記導電パッド同士の間で上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材を表面に配列する基板の表面に、裏面に導電バンプを配列する電子部品を配置して、前記導電パッド上に前記導電バンプを位置合わせしつつ前記基板に前記電子部品を固定する工程を備える。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように開示の電子部品パッケージおよびその製造方法によれば、位置ずれにも拘わらず導電パッドに導電バンプを確実に接続することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】電子部品の一具体例すなわちサーバコンピュータ装置の外観を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った断面図である。
【図４】電子部品パッケージの構造を概略的に示す部分分解斜視図である。
【図５】大判のパッケージ基板を概略的に示す斜視図である。
【図６】パッケージ基板上に導電パッドおよび導電パターンを形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図７】パッケージ基板上にソルダーレジストを塗布する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図８】パッケージ基板上に所定のパターンのソルダーレジストを形成する工程を概略的に示す斜視図である。
【図９】パッケージ基板上に形成されるソルダーレジストにウェットブラスト処理を実施する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１０】パッケージ基板上に所定のパターンのソルダーレジストを形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１１】図１０の１１−１１線に沿った部分拡大断面図である。
【図１２】パッケージ基板の表面に窪みを形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１３】パッケージ基板上に電子部品を配置する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１４】パッケージ基板上に電子部品を実装する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１５】パッケージ基板上に電子部品を実装する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１６】パッケージ基板上に電子部品を実装する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１７】パッケージ基板上に電子部品を実装する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１８】温度上昇に基づきパッケージ基板に反りが発生する様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図１９】温度上昇に基づきパッケージ基板に反りが発生する様子を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。
【図２１】図２０の２１−２１線に沿った部分拡大断面図である。
【図２２】パッケージ基板上に導電パッドおよび導電パターンを形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２３】パッケージ基板上に導電パッドおよび導電パターンを形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２４】導電パッド上にかさ上げ部を形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２５】導電パッド上にかさ上げ部を形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２６】導電パッド上にかさ上げ部を形成する工程を概略的に示す部分拡大断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。
【図２８】本発明の第４実施形態に係る電子部品パッケージの構造を概略的に示すプリント基板ユニットの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１１】
図１は電子機器の一具体例すなわちサーバコンピュータ装置１１の外観を概略的に示す。サーバコンピュータ装置１１は筐体１２を備える。筐体１２内には収容空間が区画される。収容空間にはマザーボードが配置される。マザーボードは例えば電子部品パッケージやメインメモリを備える。電子部品パッケージは、例えば一時的にメインメモリに保持されるソフトウェアプログラムやデータに基づき様々な演算処理を実行する。こういったサーバコンピュータ装置１１は例えばラックに搭載される。
【００１２】
図２は、一具体例に係るプリント基板ユニットすなわちマザーボード１３の構造を概略的に示す。マザーボード１３は大型のプリント配線板１４を備える。プリント配線板１４の表面には本発明の第１実施形態に係る電子部品パッケージすなわちＬＳＩ（大規模集積回路）チップパッケージ１５が実装される。ＬＳＩチップパッケージ１５は基板すなわちパッケージ基板１６を備える。パッケージ基板１６はガラスエポキシ樹脂といった樹脂製基板で形成される。パッケージ基板１６の形成にあたってガラス繊維はエポキシ樹脂に含浸される。パッケージ基板１６は例えば矩形といった多角形の輪郭を備える。
【００１３】
ＬＳＩチップパッケージ１５は、パッケージ基板１６の輪郭の内側でプリント配線板１４の表面に配置される複数個の導電バンプすなわち導電バンプ１７を備える。導電バンプ１７はＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）ボールから形成される。導電バンプ１７ははんだ材から形成される。例えばはんだ材にはいわゆる無鉛はんだが用いられる。無鉛はんだは例えば錫、銀および銅の合金で構成される。導電バンプ１７は、プリント配線板１４の表面に配列される導電パッド１８と、パッケージ基板１６の裏面に配列される導電パッド１９とを接続する。導電パッド１８は導電パッド１９に１対１で対応する。
【００１４】
導電バンプ１７はプリント配線板１４上で封止される。すなわち、プリント配線板１４の表面とパッケージ基板１６の裏面との間で導電バンプ１７を含む空間は固体の封止材すなわちアンダーフィル材２１で充填される。アンダーフィル材２１は絶縁性樹脂材料から形成される。同時に、アンダーフィル材２１は熱硬化性樹脂材料から形成される。ここでは、アンダーフィル材２１には例えばエポキシ樹脂が用いられる。こうしたアンダーフィル材２１の働きで、ＬＳＩチップパッケージ１５はプリント配線板１４の表面に固定される。ＬＳＩチップパッケージ１５およびプリント配線板１４の間で電気的接続が確立される。
【００１５】
パッケージ基板１６の表面には電子部品すなわちＬＳＩチップ２２が実装される。ＬＳＩチップ２２は例えば矩形といった多角形の輪郭を備える。ＬＳＩチップ２２は例えばシリコンから形成される。パッケージ基板１６の表面には複数の導電パッド２３が配列される。ＬＳＩチップ２２の輪郭の各辺に沿って配列される複数の導電パッド２３でパッド群２４が確立される。パッド群２４はＬＳＩチップ２２の輪郭の各辺およびパッケージ基板１６の輪郭の各辺に沿って延びる。各パッド群２４では導電パッド２３は等間隔で配列される。
【００１６】
パッケージ基板１６の表面に直交する垂直方向に規定される導電パッド２３の断面は台形形状に規定される。その結果、導電パッド２３の両側面は、パッケージ基板１６の表面から高さを増大させるにつれて相互に近づく。導電パッド２３は上端に平坦なパッド面２５を規定する。パッド面２５、２５…は共通の仮想平面２６内に配置される。仮想平面２６は例えばパッケージ基板１６の表面に平行に規定される。導電パッド２３は例えば銅といった導電材料から形成される。銅の表面にはニッケルめっき膜や金めっき膜が形成される。
【００１７】
導電パッド２３のパッド面２５上には導電バンプ２７が配置される。導電バンプ２７上にＬＳＩチップ２２の裏面に配列される導電パッド２８が受け止められる。導電パッド２８は導電パッド２３に１対１で対応する。導電バンプ２７は例えば金といった導電材料から形成される。導電バンプ２７は例えば超音波接合に基づき導電パッド２５に接合される。その一方で、導電バンプ２４は導電パッド２３のパッド面２５上に受け止められる。導電パッド２５は例えばアルミニウムといった導電材料から形成される。
【００１８】
パッケージ基板１６の表面には所定の膜厚で絶縁材すなわちソルダーレジスト２９が形成される。ソルダーレジスト２９は、パッケージ基板１６の表面の輪郭に沿って延びる厚膜部２９ａと、厚膜部２９ａの内側に広がる薄膜部２９ｂとを区画する。厚膜部２９ａの膜厚は薄膜部２９ｂの膜厚より大きく設定される。薄膜部２９ｂの膜厚は、パッケージ基板１６の表面から導電パッド２３の高さに等しく設定される。こうして薄膜部２９ｂ上にはパッド面２５に連続する頂上面３１が規定される。頂上面３１は前述の仮想平面２６内に配置される。ソルダーレジスト２９は絶縁性の樹脂材料から形成される。樹脂材料には例えば感光性を有するエポキシ樹脂が含まれる。
【００１９】
導電バンプ２７はパッケージ基板１６上で封止される。ＬＳＩチップ２２とパッケージ基板１６との間で導電バンプ２７を含む空間は固体の封止材すなわちアンダーフィル材３２で満たされる。アンダーフィル材３２は例えば熱硬化性の樹脂材料から形成される。樹脂材料は例えばエポキシ樹脂を含む。樹脂材料には例えばシリカといった無機フィラーが含まれる。無機フィラーは例えば５μｍ程度の粒径を有する。アンダーフィル材３２の働きでＬＳＩチップ２２はパッケージ基板１６の表面に固定される。ＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間で電気的接続が確立される。
【００２０】
図３に示されるように、ＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間にはＬＳＩチップ２２の輪郭に沿って４列のパッド群２４が確立される。２対のパッド群２４はそれぞれ相互に平行に延びる。パッド群２４、２４同士の間でソルダーレジスト２９の薄肉部２９ｂには例えば矩形の開口３３が形成される。開口３３内にはパッケージ基板１６の表面が露出する。図４を併せて参照し、開口３３内でパッケージ基板１６にはパッケージ基板１６の表面から所定の深さで窪む窪み３４が形成される。窪み３４は例えば矩形の輪郭を規定する。窪み３４の底面は仮想平面２６に平行に広がる。窪み３４はＬＳＩチップ２２の裏面に向かって開放される。
【００２１】
パッケージ基板１６の表面には導電パッド２３に個別に接続される導電パターン３５が形成される。ここでは、導電パターン３５は例えば導電パッド２３の外端からパッケージ基板１６の輪郭に向かって外側に延びる。導電パッド２３や導電パターン３５は薄膜部２２９ｂに埋め込まれる。パッケージ基板１６の表面から導電パターン３５の高さは同様に導電パッド２３の高さに一致する。パッケージ基板１６の表面から導電パターン３５の高さは薄膜部２９ｂの膜厚に等しく設定される。導電パターン３５はソルダーレジスト２９の厚膜部２９ａ内に向かって延びる。導電パターン３５は例えばスルーホールに基づき導電パッド１９に接続される。導電パターン３５は例えば銅といった導電材料から形成される。
【００２２】
次に、ＬＳＩチップパッケージ１５の製造方法を説明する。まず、図５に示されるように、大判のパッケージ基板３６が用意される。パッケージ基板３６上には複数のＬＳＩチップ２２の実装領域３６ａが形成される。図６に示されるように、各実装領域３６ａでパッケージ基板３６の表面には例えば導電パッド２３および導電パターン３５が形成される。形成にあたって例えば無電解めっき処理および電解めっき処理が実施される。その後、図７に示されるように、パッケージ基板３６の表面には全面に液体のソルダーレジスト２９が塗布される。導電パッド２３や導電パターン３５はソルダーレジスト２９で覆われる。パッケージ基板３６の表面でソルダーレジスト２９には露光現像処理が実施される。未露光のソルダーレジスト２９は除去される。
【００２３】
その一方で、図８に示されるように、露光に基づき硬化したソルダーレジスト２９には前述の開口３３を象る空隙３７が形成される。空隙３７内にはパッケージ基板３６の表面が露出する。図９に示されるように、空隙３７の輪郭に沿って所定の領域でソルダーレジスト２９には例えばウェットブラスト処理が実施される。その結果、図１０に示されるように、ソルダーレジスト２９は所定の領域で削り取られる。こうして薄膜部２９ｂが形成される。開口３３が形成される。図１１に示されるように、薄膜部２９ｂの上端には平坦な頂上面３１が規定される。導電パッド２３、２３同士の間にはソルダーレジスト２９が配置される。導電パッド２３の上端にはパッド面２５が規定される。薄膜部２９ｂの頂上面３１および導電パッド２３のパッド面２５は共通の仮想平面２６内に配置される。
【００２４】
図１２に示されるように、各実装領域３６ａでは空隙３７内に露出するパッケージ基板３６の表面で所定の領域にウェットブラスト処理が実施される。ウェットブラスト処理に基づき所定の領域でパッケージ基板３６は削り取られる。こうしてパッケージ基板３６の表面には前述の窪み３４が形成される。なお、窪み３４の形成にあたって、前述のウェットブラスト処理に代えて、例えばエンドミルに基づき切削加工処理が実施されてもよい。その後、各実装領域３６ａでは厚膜部２９ａの内側でパッケージ基板３６の表面に液体のアンダーフィル材３２が予め塗布される。アンダーフィル材３２には例えばシリカといった無機フィラーが含まれる。
【００２５】
図１３に示されるように、パッケージ基板３６の各実装領域３６ａ上にはＬＳＩチップ２２が個別に配置される。ＬＳＩチップ２２の裏面には導電パッド２８が形成される。導電パッド２８には予め導電バンプ２７が接合される。接合にあたって例えば超音波接合が実施される。周知の通り、導電パッド２８への導電バンプ２７の接合時、導電バンプ２７には先端に尖りが形成される。ＬＳＩチップ２２はパッケージ基板３６の各実装領域３６ａに位置決めされる。その後、ＬＳＩチップ２２の下降に基づき導電バンプ２７はパッケージ基板３６の導電パッド２３上に受け止められる。こうしてパッケージ基板３６の表面およびＬＳＩチップ２２の裏面の間にはアンダーフィル材３２が挟み込まれる。
【００２６】
図１４に示されるように、ＬＳＩチップ２２はパッケージ基板３６の表面に向かって所定の押し付け力で押し付けられる。導電バンプ２７の先端の尖りは導電パッド２３との間で押し潰される。このとき、ＬＳＩチップ２２やパッケージ基板３６には熱処理が実施される。アンダーフィル材３２の硬化温度以上の規定の温度までアンダーフィル材３２は加熱される。その結果、アンダーフィル材３２は硬化する。硬化に基づきアンダーフィル材３２はパッケージ基板３６の表面にＬＳＩチップ２２を固定する。その後、パッケージ基板３６からＬＳＩチップ２２ごとにパッケージ基板１６すなわちＬＳＩチップパッケージ１５が切り出される。こうしてＬＳＩチップパッケージ１５が製造される。
【００２７】
以上のようなＬＳＩチップパッケージ１５では、パッケージ基板１６上で導電パッド２３、２３同士の間にソルダーレジスト２９が配置される。導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１とは共通の仮想平面２６内に配置される。したがって、図１５に示されるように、パッケージ基板１６に対するＬＳＩチップ２２の位置が例えばパッケージ基板１６の表面に平行に規定の位置からずれたとしても、導電バンプ２７の先端は例えば導電パッド２３のパッド面２５とソルダーレジスト２９の頂上面３１との両方に受け止められる。導電パッド２３、２３同士の間への導電バンプ２７の落下は確実に防止される。その結果、導電バンプ２７の位置のずれにも拘わらず導電バンプ２７は導電パッド２３に確実に接合される。
【００２８】
その一方で、パッケージ基板１６の表面でソルダーレジスト２９すなわち薄膜部２９ｂが形成されない場合を想定する。図１６に示されるように、パッケージ基板１６に対するＬＳＩチップ２２の位置が例えばパッケージ基板１６の表面に平行に規定の位置からずれると、導電バンプ２７の先端は接合対象の導電パッド２３の側面に沿って滑り落ちる。導電バンプ２７は導電パッド２３、２３同士の間に落下してしまう。その結果、図１７に示されるように、導電バンプ２７の先端は例えば導電パッド２３、２３同士の間でパッケージ基板１６の表面に受け止められる。導電バンプ２７と接合対象の導電パッド２３との間で接続不良が生じる。しかも、位置ずれが大きいと、導電バンプ２７は、接合対象ではない導電パッド２３に誤って接続されてしまう。
【００２９】
以上のようなマザーボード１３ではＬＳＩチップ２２は動作中に発熱する。発熱に基づきパッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２では熱膨張が引き起こされる。樹脂製のパッケージ基板１６の熱膨張率はシリコン製のＬＳＩチップ２２の熱膨張率の約４倍程度であることから、図１８に示されるように、パッケージ基板１６では反りが発生する。パッド群２４、２４同士の間でＬＳＩチップ２２の裏面およびパッケージ基板１６の表面の距離は縮まる。パッケージ基板１６にはＬＳＩチップ２２の裏面に向き合う窪み３４が形成されることから、パッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２の間でアンダーフィル材３２中の無機フィラーのＬＳＩチップ２２への接触はできる限り回避される。ＬＳＩチップ２２の裏面の損傷は回避される。
【００３０】
その一方で、パッケージ基板１６の表面に窪み３４が形成されない場合、窪み３４が形成される場合に比べてパッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２の距離は窪み３４の深さ分だけ縮まる。図１９に示されるように、パッケージ基板１６の反りに基づきパッケージ基板１６の表面はＬＳＩチップ２２の裏面に接触することが想定される。その結果、パッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２の間にアンダーフィル材３２中の無機フィラーが挟み込まれる。無機フィラーはＬＳＩチップ２２の裏面に衝突する。衝突に基づきＬＳＩチップ２２の裏面は損傷する。ＬＳＩチップ２２は破壊されてしまう。ＬＳＩチップパッケージ１５の薄型化に伴ってＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の距離が縮小される傾向にあることから、本発明の作用効果は一層際立つ。
【００３１】
図２０は本発明の第２実施形態に係るＬＳＩチップパッケージ１５ａの構造を概略的に示す断面図である。このＬＳＩチップパッケージ１５ａでは、各導電パッド２３は、パッケージ基板１６の表面に配置されるパッド本体４１と、パッド本体４１上に配置されるかさ上げ部４２とを区画する。パッド本体４１が第１実施形態の導電パッド２３に対応する。かさ上げ部４２の上端には前述のパッド面２５が規定される。かさ上げ部４２は例えば銅といった導電材料から形成される。かさ上げ部４２同士の間には前述のソルダーレジスト２９が配置される。ソルダーレジスト２９の頂上面３１は仮想平面２６内に配置される。図２１を併せて参照し、パッケージ基板１６の表面からかさ上げ部４２のパッド面２５までの高さはパッド本体４１や導電パターン３５の高さより大きく設定される。パッケージ基板１６の表面では窪み３４は省略される。
【００３２】
こうしたＬＳＩチップパッケージ１５ａでは、かさ上げ部４２の働きでＬＳＩチップ２２の裏面およびパッケージ基板１６の表面の間の距離は増大する。その結果、ＬＳＩチップ２２の熱膨張率とパッケージ基板１６の熱膨張率との差に基づきパッケージ基板１６に反りが発生しても、パッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２の間でアンダーフィル材３２中の無機フィラーのＬＳＩチップ２２への接触はできる限り回避される。ＬＳＩチップ２２の裏面の損傷は回避される。その他、ＬＳＩチップパッケージ１５ａでは前述と同様の作用効果が実現される。なお、前述のＬＳＩチップパッケージ１５と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００３３】
次に、ＬＳＩチップパッケージ１５ａの製造方法を説明する。前述と同様に、パッケージ基板３６上に導電パッド２３および導電パターン３５が形成される。形成にあたって、図２２に示されるように、パッケージ基板３６の表面には無電解めっき処理に基づき銅の薄膜４５が形成される。薄膜４５はパッケージ基板３６の表面にべた膜で広がる。薄膜４５の表面には所定のパターニングでドライフィルムレジスト４６が形成される。ドライフィルムレジスト４６には、パッド本体４１および導電パターン３５の輪郭を象る空隙４７が形成される。図２３に示されるように、パッケージ基板３６の表面では銅の電解めっき処理に基づき空隙４７内にパッド本体４１および導電パターン３５が形成される。その後、ドライフィルムレジスト４６は除去される。
【００３４】
図２４に示されるように、パッケージ基板３６の表面には所定のパターニングでドライフィルムレジスト４８が形成される。ドライフィルムレジスト４８にはかさ上げ部４２の輪郭を象る空隙４９が形成される。図２５に示されるように、パッケージ基板３６の表面では銅の電解めっき処理に基づき空隙４９内にかさ上げ部４２が形成される。その後、ドライフィルムレジスト４８は除去される。除去後、図２６に示されるように、エッチング処理に基づき導電パッド２３および導電パターン３５の輪郭の外側でパッケージ基板３６の表面から薄膜４５が除去される。こうして導電パッド２３および導電パターン３５が形成される。エッチング処理にあたって導電パッド２３上や導電パターン３５上にはレジスト（図示されず）が形成されればよい。その後、前述と同様に、ソルダーレジスト２８の形成からパッケージ基板１６の切り出しまでの処理が実施される。
【００３５】
図２７は本発明の第３実施形態に係るＬＳＩチップパッケージ１５ｂの構造を概略的に示す断面図である。このＬＳＩチップパッケージ１５ｂでは、前述のＬＳＩチップパッケージ１５ａのパッケージ基板１６の表面に窪み３４が形成される。窪み３４の働きで、前述のＬＳＩチップパッケージ１５ｂに比べてＬＳＩチップ２２およびパッケージ基板１６の間の距離は一層増大する。その結果、パッケージ基板１６に反りが発生しても、パッケージ基板１６およびＬＳＩチップ２２の間でアンダーフィル材３２中の無機フィラーのＬＳＩチップ２２への接触はできる限り回避される。ＬＳＩチップ２２の裏面の損傷は回避される。その他、ＬＳＩチップパッケージ１５ａでは前述と同様の作用効果が実現される。なお、前述のＬＳＩチップパッケージ１５、１５ａと均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００３６】
図２８は本発明の第４実施形態に係るＬＳＩチップパッケージ１５ｃの構造を概略的に示す断面図である。このＬＳＩチップパッケージ１５ｃでは、前述のＬＳＩチップパッケージ１５ｂの窪み３４の底面で電子部品５１が実装される。窪み３４の底面から電子部品５１の高さは窪み３４の深さより小さく設定されることが好ましい。こうした電子部品５１には例えばチップキャパシタやチップ抵抗が含まれる。電子部品５１の実装にあたって、電子部品５１は、窪み３４の底面でパッケージ基板１６に形成される導電パッド（図示されず）上に例えばはんだ材に基づき接合されればよい。その他、前述のＬＳＩチップパッケージ１５〜１５ｂと均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。
【００３７】
こうしたＬＳＩチップパッケージ１５ｃによれば、これまでＬＳＩチップ２２の輪郭の周囲でパッケージ基板１６の表面に実装される電子部品５１がＬＳＩチップ２２の輪郭の内側でパッケージ基板１６の表面に実装される。その結果、ＬＳＩチップ２２の輪郭の周囲でパッケージ基板１６の表面の面積は縮小されることができる。こうしたパッケージ基板１６はＬＳＩチップパッケージ１５ｃの小型化に貢献する。しかも、電子部品５１の高さが窪み３４の深さより小さく設定されれば、パッケージ基板１６の反りにも拘わらずＬＳＩチップ２２への電子部品５１の接触はできる限り回避される。ＬＳＩチップ２２の裏面の損傷は回避される。その他、前述と同様の作用効果が実現される。
【００３８】
以上の実施形態に関し出願人はさらに以下の付記を開示する。
【００３９】
（付記１）基板と、
前記基板の表面に配置されて、上端にパッド面を規定する複数の導電パッドと、
前記導電パッド同士の間に配置されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材と、
前記基板の表面に配置されて、裏面に配置される導電バンプで前記パッド面に受け止められる電子部品とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４０】
（付記２）付記１に記載の電子部品パッケージにおいて、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４１】
（付記３）付記１または２に記載の電子部品パッケージにおいて、前記基板の表面で前記基板の表面から窪みつつ周囲に前記導電パッドを配置し、前記電子部品の裏面に向き合う窪みとを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４２】
（付記４）上端にパッド面を規定する複数の導電パッド、および、前記導電パッド同士の間で上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材を表面に配置する基板の表面に、裏面に導電バンプを配置する電子部品を配置して、前記導電パッド上に前記導電バンプを位置合わせしつつ前記基板に前記電子部品を固定する工程を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００４３】
（付記５）付記４に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００４４】
（付記６）付記４または５に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記基板の表面には、前記基板の表面から窪みつつ周囲に前記導電パッドを配置し、前記電子部品の裏面に向き合う窪みが形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００４５】
（付記７）基板と、
前記基板の表面に配置されて、上端にパッド面を規定する複数の導電パッドと、
前記導電パッド同士の間に充填されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材とを備えることを特徴とするプリント基板。
【００４６】
（付記８）基板と、
前記基板の表面に形成されて前記基板の表面から窪む窪みと、
前記窪みの周囲で前記基板の表面に配置される複数の導電パッドと、
前記基板の表面に配置されて、裏面に配置される導電バンプで前記導電パッド上に受け止められる電子部品とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４７】
（付記９）付記８に記載の電子部品パッケージにおいて、前記導電パッドは、前記基板の表面に配置されるパッド本体と、前記パッド本体上に配置されて上端でパッド面を規定するかさ上げ部とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４８】
（付記１０）付記８または９に記載の電子部品パッケージにおいて、熱硬化性樹脂材から形成されて前記電子部品および前記基板の間に充填される封止材を備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００４９】
（付記１１）表面から窪む窪みの周囲に配置される複数の導電パッドを有する基板の表面に、裏面に導電バンプを配置する電子部品を配置して、前記導電パッド上に前記導電バンプを位置合わせしつつ前記基板に前記電子部品を固定する工程を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００５０】
（付記１２）付記１１に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記導電パッドには、前記基板の表面に配置されるパッド本体と、前記パッド本体上に配置されて上端でパッド面を規定するかさ上げ部とが区画されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００５１】
（付記１３）付記１１または１２に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記電子部品の固定にあたって、前記電子部品および前記基板の間に熱硬化性樹脂材の封止材を充填しつつ規定の温度まで前記封止材を加熱することを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００５２】
（付記１４）基板と、
前記基板の表面に形成されて前記基板の表面から窪む窪みと、
前記窪みの周囲で前記基板の表面に配置される複数の導電パッドとを備えることを特徴とするプリント基板。
【００５３】
（付記１５）基板と、
前記基板の表面に配置される複数の導電パッドと、
前記導電パッドに区画されて前記基板の表面に配置されるパッド本体と、
前記導電パッドに区画されて前記パッド本体上に配置されるかさ上げ部と、
前記基板の表面に配置されて、裏面に配置される導電バンプで前記かさ上げ部上に受け止められる電子部品とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００５４】
（付記１６）付記１５に記載の電子部品パッケージにおいて、前記基板の表面に形成されて前記導電パッドに接続され、前記基板の表面から前記パッド本体と同一の高さを有する導電パターンを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００５５】
（付記１７）付記１５または１６に記載の電子部品パッケージにおいて、
前記かさ上げ部の上端に規定されて前記導電バンプを受け止めるパッド面と、
前記かさ上げ部同士の間に配置されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００５６】
（付記１８）付記１７に記載の電子部品パッケージにおいて、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージ。
【００５７】
（付記１９）パッド本体、および、前記パッド本体上に配置されるかさ上げ部を区画する導電パッドを表面に配置する基板の表面に、裏面に導電バンプを配置する電子部品を配置して、前記かさ上げ部上に前記導電バンプを位置合わせしつつ前記基板に前記電子部品を固定する工程を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００５８】
（付記２０）付記１９に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記かさ上げ部の上端には前記導電バンプを受け止めるパッド面が規定され、前記かさ上げ部同士の間には上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材が配置されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００５９】
（付記２１）付記２０に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【００６０】
（付記２２）基板と、
前記基板の表面に配置される複数の導電パッドと、
前記導電パッドに区画されて前記基板の表面に配置されるパッド本体と、
前記導電パッドに区画されて前記パッド本体上に形成されるかさ上げ部とを備えることを特徴とするプリント基板。
【符号の説明】
【００６１】
１５電子部品パッケージ（ＬＳＩチップパッケージ）、１６基板・プリント基板（パッケージ基板）、２２電子部品（ＬＳＩチップ）、２３導電パッド、２５パッド面、２６平面（仮想平面）、２７導電バンプ、２９絶縁材（ソルダーレジスト）、３１頂上面、３２封止材（アンダーフィル材）、３４窪み、３５導電パターン、４１パッド本体、４２かさ上げ部。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に配置されて、上端にパッド面を規定する複数の導電パッドと、
前記導電パッド同士の間に配置されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材と、
前記基板の表面に配置されて、裏面に配置される導電バンプで前記パッド面に受け止められる電子部品とを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージにおいて、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品パッケージにおいて、前記基板の表面で前記基板の表面から窪みつつ周囲に前記導電パッドを配置し、前記電子部品の裏面に向き合う窪みとを備えることを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
上端にパッド面を規定する複数の導電パッド、および、前記導電パッド同士の間で上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材を表面に配置する基板の表面に、裏面に導電バンプを配置する電子部品を配置して、前記導電パッド上に前記導電バンプを位置合わせしつつ前記基板に前記電子部品を固定する工程を備えることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記パッド面および前記頂上面は共通の平面内に配置されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項４または５に記載の電子部品パッケージの製造方法において、前記基板の表面には、前記基板の表面から窪みつつ周囲に前記導電パッドを配置し、前記電子部品の裏面に向き合う窪みが形成されることを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板の表面に配置されて、上端にパッド面を規定する複数の導電パッドと、
前記導電パッド同士の間に充填されて、上端に前記パッド面に連続する頂上面を規定する絶縁材とを備えることを特徴とするプリント基板。

【図１】