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Fターム[5F044KK17]の内容

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Fターム[5F044KK17]に分類される特許

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【課題】バンプを介して基板上に素子を搭載した電子部品において、素子をバンプに接合する際に生じる応力が素子に作用することを抑制し、電子部品の品質のばらつきを抑え、製造歩留まりを向上させる。
【解決手段】第1平面を有する基板11と、前記基板11の第1平面に固定された第1バンプ14と、前記基板11の第1平面に固定され、第1バンプ14の周囲に配置された第2バンプ18と、前記基板11の第1平面に非接触かつ相対する位置で、前記第1バンプ14及び前記第2バンプ18に固定された素子12と、前記第1バンプ14、前記基板11及び前記素子12に接触する接着領域とを備える。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の貫通電極の接続状態を、容易に検査し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板1に開口面積が大、中、小の少なくとも3種類の貫通孔3、4、5a、5b、5cを形成する工程と、開口面積が異なる少なくとも3種類の貫通孔に導電層を形成し貫通電極4、5a、5b、5cを作成する工程と、3種類の貫通電極のうち、開口面積が大の貫通孔を有する貫通電極及び小の貫通孔を有する貫通電極の接続抵抗をそれぞれ測定することにより貫通電極の接続状態を判定する工程と、を有する。 (もっと読む)


【課題】容易に確実な接続を行うことが可能とする構造を有する電極、この電極を有する半導体パッケージ、基板を提供する。
【解決手段】電極は、パッド11b、21bと、パッド11b、21bの面上に形成された複数の突起部11a、21aとを具備し、突起部11a、21aの材質はハンダとする。または、電極のパッド11b、21bの面上に導電部材である突起部11a、21aを形成し、この突起部11a、21aにハンダメッキを施す。 (もっと読む)


【課題】導電部の高さの異なる電子部品を実装する場合であっても、接触抵抗及びインダクタンスを小さくすることができ、かつ導電性に優れ、低コスト化が図れる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】平板状の弾性体からなる基体1、基体1の厚さ方向に所定の間隔で並んで配された複数の貫通孔2、貫通孔2内に本体部3cが充填され、一端と他端とにそれぞれ第一突出部3aと第二突出部3bとを有し、第一突出部3aが基体1の一面1aに、第二突出部3bが基体1の他面1bに突出するように配された導電部材3、基体1の一面1aにあって、第一突出部3aがそれぞれ貫通するような第一開口部4cを設けてなる可撓性の基板4、及び基板4上に複数配され、各々に第一突出部3aが貫通するような第二開口部5dが一端3a側の近傍に設けてなる長丸状の電極5、から少なくともなり、電極5は互いに離間部をもって配されていること。 (もっと読む)


【課題】対向する2個の部材にそれぞれバンプを設け、これら両部材のバンプの先端部同士を接触させた状態で当該両バンプを接合するにあたって、バンプサイズを大きくすることなく、当該接触時における両バンプの相対的な位置ずれを規制する。
【解決手段】第1のバンプ31の先端部に、当該先端部より第2のバンプ32側へ向かって突出する突起40を設けておき、その後、突起40を第2のバンプ32の先端部に突き刺して両バンプ31、32の先端部同士を接触させる。 (もっと読む)


【課題】BGAとプリント回路基板とを接合する際に用いられる接着剤の接合部への浸透性を好適に向上させることができるようにする。
【解決手段】本発明の携帯端末においては、一面に複数のBGA電極3が配列されて設けられるBGA2と、BGA2に設けられたぞれぞれのBGA電極3に対応して、複数の第1の基板電極パッド4−1乃至4−3および4−5が設けられるとともに、BGA電極3が存在しない部分に対応して複数の第2の基板電極パッド4−4が設けられる回路基板1と、BGA電極3と基板電極パッド4とがはんだ接合された状態で、BGA2と回路基板1との間で、複数の第2の基板電極パッド4−4上にはんだ5−4により所定の厚さをもって形成される突起部と、BGA2と回路基板1との間に設けられた樹脂からなる接着剤とを備える。 (もっと読む)


【課題】RFIDタグ等の半導体装置における半導体チップの実装に関して、従来のACP実装等に代えて、安価かつ高接続強度の半導体チップの実装を行うことで、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プリント配線基板の基板電極には少なくとも一つの凸部を、半導体チップのバンプ電極には少なくとも一つの凹部を形成し、前記凸部の少なくとも一つと前記凹部の少なくとも一つを嵌合して電気的接続をさせることで、安価かつ高強度にて半導体チップの基板電極への実装を行う。その結果、低価格・高歩留まり・高信頼性の、半導体装置を提供できるようになる。 (もっと読む)


【課題】 配線基板の接続パッドと半導体素子の電極端子とが金バンプを介して良好に接続された半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【解決手段】 配線基板10上の接続パッド7と半導体素子20の電極端子21に設けた金バンプ22とが接合されて成る半導体装置であって、前記金バンプ22は前記電極端子21に接合された径大の基部22aと該基部22a上に立設され、前記接続パッド7に接合された径小の突起部22bとを有し、前記接続パッド7は前記突起部22bと接合された部位の幅が前記突起部22bの直径よりも狭い半導体装置である。 (もっと読む)


本発明は、別の構成部品と電気的に接続された一組の導電性中空インサート(1)を備えた接続構成部品(2)の製造方法に関する。
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【課題】接続電極との接続信頼性を向上させることができる電子部品実装用基板を提供すること。
【解決手段】機能片11に電極12、13が形成された電子部品1が実装される。電極と導電接触するバンプ電極14を有する。バンプ電極が、弾性を有するコア部24と、コア部の表面に設けられコア部の弾性変形により電極と導電接触する導電膜25、26とを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体チップのチップバンプとパッケージ基板のハンダバンプとの間に接合信頼性を向上させることができるパッケージ基板の製造方法及び半導体パッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】チップバンプの形成された半導体チップが実装されるパッケージ基板を製造する方法であって、電極パッドが形成された回路基板を提供する段階S100と、電極パッドにハンダバンプを形成する段階S200と、チップバンプの形状に対応して凸部または凹部が形成された治具の凸部または凹部をハンダバンプに対向するようにして、治具を基板に熱加圧S300する段階と、治具を離型する段階と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】圧電振動素子が容器体の凹部空間内に常に接触するのを防ぎ、周波数を安定させる圧電デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】基板部と枠部によって形成された凹部空間が設けられた容器体と、凹部空間内の基板部に設けられた圧電振動素子搭載パッドに導電性接着剤により搭載され、励振用電極が設けられている圧電振動素子と、凹部空間を気密封止する蓋体とを備え、圧電振動素子搭載パッドには、容器体の中央側に寄るように容器体の短辺方向に伸びるバンプが設けられており、導電性接着剤が、バンプの上面の幅方向の半分まで形成されていることを特徴とするものである。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の特性低下を抑制しながら、半導体装置を薄型化することを目的とする。
【解決手段】第1の配線基板22に半導体素子3を接続し、第2の配線基板23に形成された開口部5に半導体素子3が収納されるように第1の配線基板22を第2の配線基板23に設置することにより、半導体素子3と第2の配線基板23との電気的接続が、金属細線を用いることなく、第1の配線基板22に形成された配線パターン27により短い配線長で実現させることができるため、半導体装置21の特性低下を抑制しながら、半導体装置21を薄型化することができる。 (もっと読む)


【課題】電極数を極力低減すると共に、実装時に実装基板との平行度を保って接続不良の防止を図り、且つ半導体回路の破壊をも抑制した半導体チップを提供すること。
【解決手段】例えば、所定の間隙を持って対向させた各メモリバンク22A〜22D間により形成された十字状の接続バンプ配置領域23が設けられている。そして、十字状の接続バンプ配置領域23における領域23Aに、信号入出力用接続バンプ21A(第1の電極)が群をなして配設させている。一方で、当該信号入出力用接続バンプ21Aが群をなす領域23Aに直交する領域23B内に電力・接地用接続バンプ21Bの群を配設させることで、記憶装置チップ20を配線チップ10に実装した際、当該記憶装置チップ20が傾くのを当該電力・接地用接続バンプ21Bが支持し(半田を介して支持し)、最小限のバンプ数で平行度が保たれる。このように、例えば記憶装置チップ20を構成する。 (もっと読む)


【課題】半導体装置1と基板7とを接続するバンプ5、6のうち外縁部に配置された第1のバンプ5が破壊されることなく、また、半導体装置1に振動や機械的外力が印加されても半導体装置1と基板7とがずれない半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】半導体装置1と基板7とを接続する接続部のうち、半導体装置1と基板7とによる大きな熱応力が繰り返し印加される外縁部に、半導体装置1の作動温度範囲内に融点を有し、半導体装置1が作動している間に少なくとも一度は液相状態になる材質で構成された第1のバンプ5を配置し、外縁部の内側、つまり第1のバンプ5が配置される内側に、半導体装置1の作動温度範囲より高い温度に融点を有し、半導体装置1が作動している間においても固相状態である材質で構成された第2のバンプ6を配置する。 (もっと読む)


【課題】 薄いガラス基板で構成される液晶表示装置では、COG実装時の熱ひずみによって液晶表示パネルが反り、この反りによる表示ムラが発生している。
【解決手段】 液晶表示装置が、ガラス基板とICチップに挟まれた領域の中央部にICチップのバンプと同じ高さの突起を設ける。突起は、ACF樹脂が熱硬化後冷却収縮する際にICチップと液晶表示パネルの間隔が狭まるのを防ぐスペーサの役割をする。 (もっと読む)


【課題】フリップチップや裏面実装型半導体チップが、高機能化に伴い、バンプや電極の数が多く、サイズが小さくなってきても、実装基板に実装する際に、実装基板側の電極との位置合わせを容易に行うことができる半導体装置および実装基板を提供する。
【解決手段】実装基板10に実装される半導体チップ12の側面に相当する部分に、第2の電極22Aである半田ボールを設ける。半田ボールは、チップの内側に向かって下降しているので、半導体チップの位置規制が可能となる。 (もっと読む)


【課題】突起構造と半導体素子の電極とを接続する構造において、突起構造への熱応力の集中を緩和する。
【解決手段】素子搭載用基板10は、絶縁樹脂層12と、絶縁樹脂層12の一方の主表面S1に設けられた配線層14と、配線層14と電気的に接続され、配線層14から絶縁樹脂層12側に突出している突起電極16と、を備える。突起電極16の側面は、突起電極16の中心軸16zを含む断面視で中心軸16z方向に湾曲するとともに、側面の曲率半径が配線層側端部16aから先端側端部16bにかけて連続的に変化している。 (もっと読む)


【課題】二つの電子部品のバンプ電極同士が小さい荷重によって十分な機械的強度をもって接合された実装構造を提供する
【解決手段】実装構造100はMEMSチップ110と配線基板130とを有している。MEMSチップ110はバンプ電極150Aを有し、配線基板130はバンプ電極150Bを有している。バンプ電極150A,150Bは互いに対応する位置に設けられて配置されている。バンプ電極150A,150Bは、それぞれ、山型突起152A,152Bを有している。MEMSチップ110と配線基板130は、バンプ電極150Aとバンプ電極150Bとが互いに対向するように配置されて加圧される。これにより、互いに接触した山型突起152A,152Bが塑性変形し、バンプ電極150A,150Bが互いに接合される。 (もっと読む)


【課題】複数個のバンプを介して2枚の半導体チップを超音波接合するにあたり、数のバンプを一括して超音波接合するにときに、各バンプの接合状態を均一化するのに適した製造方法を提供する。
【解決手段】それぞれ複数個のバンプ31、32が一面側に平面的に配置された第1の半導体チップ10、第2の半導体チップ20を用意し、第1の半導体チップ10の他面に、超音波を発振するホーン100を当てて、両半導体チップ10、20の各バンプ31、32同士を接触させ、ホーン100によって第1の半導体チップ10のバンプ31に超音波を印加する半導体装置の製造方法において、第1の半導体チップ10の一面のうち超音波による第1の半導体チップ10の振動方向Xにおける中央部に位置するバンプ31よりも周辺部に位置するバンプ31の方が、印加される超音波エネルギーが大きくなるようにする。 (もっと読む)


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