部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、配線基板
【課題】はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減でき、しかもボイドの発生を防止できる部品付き配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】はんだバンプ成形工程では、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化する。フラックス供給工程では、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５における複数の接続端子４７を、フラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置し、この状態で複数のはんだバンプ２２を加熱溶融する。これにより、はんだバンプ２２に含まれているフラックス２８は、加熱溶融工程において加熱溶融される際に気化して確実に頂部２７から外部に放出される。
【解決手段】はんだバンプ成形工程では、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化する。フラックス供給工程では、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５における複数の接続端子４７を、フラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置し、この状態で複数のはんだバンプ２２を加熱溶融する。これにより、はんだバンプ２２に含まれているフラックス２８は、加熱溶融工程において加熱溶融される際に気化して確実に頂部２７から外部に放出される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に配置されたはんだバンプを平坦化する部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、及び、はんだバンプが平坦化された配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を搭載するためのパッド上にはんだバンプが形成された配線基板（半導体パッケージ）が知られている。この種の配線基板としては、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）などの各種のタイプがある。そして、これらの配線基板の有するはんだバンプに対しては、フリップチップ方式にて電子部品が高密度に実装可能となっている。なお、はんだバンプは、例えばソルダーペースト法などにより形成される。具体的に言うと、配線基板上面のパッド上にはんだペーストを印刷してリフローする。これにより、半球状に盛り上がった形状のはんだバンプが形成される。
【０００３】
ところで、配線基板と電子部品との接合性等を高めるためには、配線基板上に形成された個々のはんだバンプの高さが揃っていることが好ましい。換言すると、個々のはんだバンプのコプラナリティ（Coplanarity ）の測定値は小さい方が好ましい。なお、はんだバンプの高さは、はんだの体積やパッドの面積等に依存している。ところが、ＬＶＳＢ（Low Volume Solder Bump）と呼ばれる体積が小さいはんだバンプが発生（現在の発生率は２〜３％）するなどして、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまうことがある。その結果、コプラナリティの測定値が大きくなってしまい、電子部品との間に接続不良が発生する可能性がある。
【０００４】
そこで図１８に示されるように、配線基板５１上に形成された各はんだバンプ５２の上方に治具６１をセットし、治具６１を用いて各はんだバンプ５２を押圧するなどして各はんだバンプ５２の頂部を平坦化（図１８の破線部分参照）する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。このようにすれば、ＬＶＳＢの発生を防止することができ、ひいては、各はんだバンプ５２のコプラナリティの測定値を低減することができる。なお、各はんだバンプ５２の頂部が平坦化された配線基板５１において、電子部品７１の搭載は以下のように行われる（図１９参照）。まず、電子部品７１側の接続端子７２と、配線基板５１側のはんだバンプ５２とを位置合わせする。そして、加熱してはんだバンプ５２をリフローすることにより、はんだバンプ５２と接続端子７２とを接合する。これにより、配線基板５１上に電子部品７１が搭載される。
【特許文献１】特開２００４−６９２６号公報（図２など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子部品７１との接合性を高めるために、通常はんだ付けの際には、はんだバンプ５２の頂部にはフラックス５３（図１９参照）が供給される。このフラックス５３は、リフロー時に気化して接続端子７２との接合界面から外部に放出されるが、上記したようにはんだバンプ５２が平坦化されていると、放出されずにはんだバンプ５２内に溜まりやすくなる。その結果、はんだバンプ５２と接続端子７２との接合界面にボイドが発生してしまい、それに起因して電子部品７１との接続に不具合が生じてしまう。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減でき、しかもボイドの発生を防止できる部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、及び、はんだバンプを有する配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法がある。
【０００８】
従って、手段１の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が平坦化されるため、コプラナリティに優れていて部品との接続に適したはんだバンプ群を備えた部品付き配線基板を、確実にかつ容易に得ることが可能となる。しかも、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、加熱溶融時に気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと部品の接続端子との接続信頼性が向上する。
【０００９】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段２の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が平坦化されるため、コプラナリティに優れていて他部品との接続に適したはんだバンプを有する配線基板を、確実にかつ容易に得ることが可能となる。しかも、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００１１】
本発明における配線基板を構成する基板（配線基板本体）としては、樹脂材料またはセラミック材料などを主体として構成された基板などを挙げることができる。樹脂材料を主体として構成された基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。また、セラミック材料を主体として構成された基板の具体例としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック材料からなる基板などがある。
【００１２】
はんだバンプの形成材料となるはんだ合金としては、搭載される部品の接続端子等の材質等に応じて適宜選択すればよいが、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、４０Ｐｂ−６０ＳｎなどのＰｂ−Ｓｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。特に、前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることが好ましい。このようにすれば、はんだバンプに鉛が含まれていないため、配線基板の環境への負荷を低くすることができる。また、鉛フリーはんだは、鉛を含有するはんだよりも濡れ性が悪く、ボイドの発生量が多くなる傾向にあるため、はんだバンプの頂部を粗化してフラックスを放出しやすくすれば、ボイドの発生をより効果的に防止できる。ここで、鉛フリーはんだとしては、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。
【００１３】
なお、はんだバンプは、前記加熱溶融工程（前記部品を接合する工程）において加熱溶融されることにより、表面張力によって球状に変化して高さが高くなる。よって、前記はんだバンプ成形工程において、はんだバンプの頂部を大きく平坦化して頂部の直径を大きくしておけば、加熱溶融工程を行う際に頂部が部品の接続端子に大きく近づくようになる。このため、はんだバンプの頂部のコプラナリティの測定値が多少大きい場合であっても、はんだバンプと接続端子とを接合しやすくなる。
【００１４】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することが好ましい。このようにすれば、上記手段１，２の配線基板を効率良く製造することができる。
【００１５】
また、はんだバンプ成形工程を行う場合、押圧治具をヒータなどの加熱手段により加熱してもよいし、加熱しなくてもよい。押圧治具を加熱する場合、はんだバンプがある程度軟化する。ゆえに、常温で行う場合と比較してはんだバンプが変形しやすくなり、押圧治具の応力をそれほど大きくすることなく、はんだバンプの頂部を確実に平坦化させることができる。一方、押圧治具を加熱しない場合、加熱手段が不要となるため、簡単な構成ではんだバンプの頂部を平坦化させることができる。
【００１６】
ここで、前記押圧治具は、チタンやステンレスなどの金属材、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素などのセラミック材、ガラス材などによって構成されることが好ましく、はんだに濡れない（または濡れにくい）ものが好ましい。特に、前記押圧治具は、加工精度が高く熱による変形が少ないセラミック材によって構成されることがよい。また、押圧治具の押圧用粗面は平面であることが好ましい。このようにすれば、各はんだバンプに押圧力が均等に加わるため、各はんだバンプの頂部を精度よく平坦化することができる。
【００１７】
さらに、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法がある。
【００１８】
従って、手段３の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００１９】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程と、粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法がある。
【００２０】
従って、手段４の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００２１】
なお、はんだバンプの表面全体は、はんだバンプよりも融点が高い酸化膜で覆われているため、加熱によりはんだバンプの融点に到達したとしても、はんだバンプが溶融（リフロー）しにくい。ゆえに、はんだバンプと他部品との接続が困難である。そこで、前記フラックスを供給する前の前記複数のはんだバンプが、前記頂部に凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜で覆われている場合、前記フラックス供給工程において、前記酸化膜が、前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給することで溶かされることが好ましい。これにより、酸化膜が溶かされた部分にはんだバンプの表面が露出する。その結果、はんだバンプの融点に到達した時点ではんだバンプが溶け始めるようになるため、はんだバンプが溶融しやすくなり、はんだバンプと他部品との接続が容易になる。また、はんだバンプの頂部は凹凸を有しているため、その部分にフラックスが確実に保持される。ゆえに、頂部にある酸化膜から優先的に溶けやすくなる。
【００２２】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段５）としては、頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板がある。
【００２３】
従って、手段５の配線基板によると、複数のはんだバンプの頂部が平坦化されてコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下となるため、他部品との接続が確実にかつ容易になる。仮に、コプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍよりも大きくなると、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまい、他部品との間に接続不良が発生する可能性がある。
【００２４】
しかも、複数のはんだバンプの頂部が粗化されて表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下となるため、はんだバンプに含まれているフラックスは、加熱溶融される際に気化して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。仮に、表面粗さＲａが０．３μｍ未満になると、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まりやすくなり、ボイドが発生しやすくなる。一方、表面粗さＲａが５μｍよりも大きくなると、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまい、コプラナリティの測定値が大きくなる可能性がある。その結果、はんだバンプと他部品との接合強度が低下するおそれがある。また、表面粗さＲａが５μｍよりも大きくなることではんだバンプの頂部に深い凹部が形成されるため、凹部に溜まったフラックスが外部に放出されにくくなるおそれがある。
【００２５】
ここで、本明細書で述べられている「コプラナリティ」とは、「日本電子機械工業会規格ＥＩＡＪ ＥＤ−７３０４ ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている端子最下面均一性を示している。そして、「コプラナリティの測定値」とは、「ＥＤ−７３０４ ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている測定値であり、配線基板本体の表面に対する複数のはんだバンプの頂部の均一性を示す指標である。また、本明細書で述べられている「表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、表面粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
［第１実施形態］
【００２７】
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図６に基づき詳細に説明する。
【００２８】
図１は、はんだバンプ平坦化装置１０の概略図である。図２はそのはんだバンプ平坦化装置１０にセットされる配線基板１１の概略平面図、図３は同じく概略断面図である。図１に示すように、はんだバンプ平坦化装置１０は、押圧治具である上治具１３、支持治具である下治具１４、及び、配線基板１１を下治具１４にセットするための移動治具１５などを備えている。
【００２９】
図２，図３等に示すように、本実施形態の配線基板１１は、ＭＰＵなどの多端子の高密度フリップチップ接続に対応可能なピングリッドアレイ（ＰＧＡ）タイプの半導体パッケージである。具体的に言うと、この配線基板１１は、ガラス繊維を含むビスマレイミド・トリアジンなどの樹脂からなるコア基板の上下面に、公知の手法により複数の樹脂絶縁層を積層した多層配線基板である。この多層配線基板は、厚さ約１ｍｍ、約４０ｍｍ角の平板状部品であり、各樹脂絶縁層間に図示しない銅配線を備えている。
【００３０】
配線基板１１を構成する配線基板本体１２の表面２０（図３では上面）において略中央の正方形領域は、バンプ形成領域ＡＲ１とされている。バンプ形成領域ＡＲ１内には、ＩＣチップ４５（図４等参照）を接合するための複数のパッド２１がほぼ格子状に整列して形成されるとともに、各パッド２１上にははんだバンプ２２が形成されている。パッド２１は、複数のめっき層によって形成されるものであり、直径が１５０μｍに設定され、厚さが２０μｍに設定されている。はんだバンプ２２は、配線基板１１の表面２０のパッド２１にはんだペーストを印刷してリフローすることで形成されるものであり、半球状に盛り上がった形状を有している。なお、本実施形態のはんだバンプ２２は、鉛フリーはんだであるＳｎ−Ａｇ系はんだからなっている。
【００３１】
また、配線基板本体１２の裏面２３（図３では下面）の全域には、複数のパッド２４がほぼ格子状に整列して形成されるとともに、各パッド２４上にはソケット実装用の複数のピン２５がはんだ付けによって接合されている。なお、配線基板１１の裏面２３側に配置される各ピン２５は、表面２０側のはんだバンプ２２より高融点のはんだではんだ付けされている。
【００３２】
図３等に示されるように、各ピン２５は、断面円形状の軸部とその軸部よりも径が大きい頭部２６とを有している。そして、頭部２６がパッド２４に対してはんだ付けされている。なお、各ピン２５は、図示しない専用の位置決め治具のピン挿入孔に一度にセットされ、一回のはんだ付け工程で配線基板１１に接合される。そのため、配線基板１１における各ピン２５同士の位置精度は比較的高くなっている。
【００３３】
図１に示す前記移動治具１５は、配線基板１１の四隅を支持した状態で、図示しない搬送装置により搬送レールに沿って水平方向に移動するとともに、垂直方向に移動する。この移動治具１５の水平・垂直移動によって配線基板１１が下治具１４にセットされる。
【００３４】
前記上治具１３の下面は平坦な押圧用粗面３０である。本実施形態において、押圧用粗面３０の平坦度は１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定されており、押圧用粗面３０の表面粗さＲａは０．４μｍに設定されている。上治具１３は、図示しない加圧装置（エアプレスや油圧プレスなど）により下方に向けて駆動され、押圧用粗面３０によって前記はんだバンプ２２を押圧する。これにより、はんだバンプ２２が平坦化されるとともに、はんだバンプ２２の頂部２７の上面が粗化される（図４参照）。なお本実施形態では、セラミック材（窒化ホウ素）によって上治具１３を構成している。
【００３５】
図１に示すように、前記下治具１４は、その中央部に四角柱状に突出した支持部３１を備えている。支持部３１の先端面（上端面）は、前記配線基板本体１２の裏面２３に接触可能な接触面３２となる。支持部３１の接触面３２には、上方に向けて開口する複数のピン逃がし穴３４が、前記ピン２５と等しいピッチで格子状に配列されている。
【００３６】
本実施形態のピン逃がし穴３４は、開口部よりも深い部分が等断面形状に形成されている一方、開口部が開口端（上端）に向かうに従って徐々に断面積が大きくなるよう形成されている。また、これらのピン逃がし穴３４の開口部は、ピン２５の頭部２６を収容可能な大きさの穴径を有し、ピン先端側の径に対しては多少の余裕がある。なお、下治具１４の支持部３１は、機械的強度の高い金属材料によって形成されることが好ましく、例えば、タングステン・カーバイド（ＷＣ）とコバルト（Ｃｏ）などからなる超硬合金を用いて形成される。
【００３７】
図１に示されるように、本実施形態のはんだバンプ平坦化装置１０には、上治具１３及び下治具１４を所定温度に加熱するための電熱ヒータ４１，４２が設けられている。この電熱ヒータ４１，４２によって各治具１３，１４を加熱した状態で、前記はんだバンプ２２の頂部２７の平坦化及び粗化が行われる。
【００３８】
図４に示される平坦化及び粗化されたはんだバンプ２２において、前記配線基板本体１２の表面２０からはんだバンプ２２の頂部２７までの高さは、本実施形態において３０μｍに設定されている。また、頂部２７の表面粗さＲａは０．４μｍに設定されており、頂部２７の平坦面には凹凸が生じている。さらに、頂部２７のコプラナリティの測定値は、上治具１３の押圧用粗面３０の平坦度と等しく、１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定されている。
【００３９】
なお、平坦化及び粗化されたはんだバンプ２２の最大径は、前記パッド２１の直径の０．５倍以上１．２倍以下に設定されることが好ましい。仮に、はんだバンプ２２の最大径がパッド２１の直径の１．２倍よりも大きいと、はんだバンプ２２を加熱溶融して前記ＩＣチップ４５を接合する際に、パッド２１からはみ出したはんだが隣接するパッド２１のはんだバンプ２２に接触し、ショートするおそれがある。一方、はんだバンプ２２の最大径がパッド２１の０．５倍未満であると、はんだバンプ２２を加熱溶融してもあまり高くならず、頂部２７がＩＣチップ４５の接続端子４７に近づきにくいため、はんだバンプ２２と接続端子４７とを接合しにくい。なお本実施形態では、パッド２１の直径が１５０μｍであるため、はんだバンプ２２の最大径は７５μｍ以上１８０μｍ以下であることが好ましい。また、はんだバンプ２２の頂部２７の直径は、はんだバンプ２２の最大径の０．５倍以上１．０未満に設定されることが好ましく、はんだバンプ２２の最大径の０．８倍以上１．０未満に設定されることがより好ましい。仮に、頂部２７の直径がはんだバンプ２２の最大径の０．５倍未満であると、ＩＣチップ４５を接合する際に必要なフラックス２８を頂部２７の平坦面にあまり溜めることができなくなる。一方、頂部２７の直径がはんだバンプ２２の最大径の１．０倍以上であると、はんだバンプ２２を加熱溶融してＩＣチップ４５を接合する際に、頂部２７を構成するはんだが隣接するパッド２１のはんだバンプ２２に接触し、ショートするおそれがある。なお本実施形態では、はんだバンプ２２の最大径が７５μｍ以上１８０μｍ以下であるため、頂部２７の直径は３７．５μｍ以上１８０μｍ未満であることが好ましい。
【００４０】
次に、本実施形態における配線基板１１（及び部品付き配線基板）の製造方法を説明する。
【００４１】
配線基板１１は以下のようにして製造される。まず、コア基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層を形成するとともに、コア基板及び樹脂絶縁層の表面に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いたセミアディティブ法によって銅配線を形成する。これにより、配線基板本体１２が形成される。なお、銅配線を、サブトラクティブ法やフルアディティブ法によって形成してもよい。
【００４２】
次に、配線基板本体１２の表面２０における複数箇所に、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施し、さらに無電解Ａｕめっきを施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき層及びＡｕめっき層からなるパッド２１を形成する。なお、配線基板本体１２の表面２０においてパッド２１が形成されない部位には、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などを用いてソルダーレジスト１９（図４等参照）を形成する。
【００４３】
そして、はんだバンプ配置工程において、配線基板本体１２の表面２０に形成されたパッド２１の上に、図示しないメタルマスクを用いてはんだペーストを印刷する。そして、はんだペーストを印刷した配線基板本体１２をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱し、その後冷却する。これにより、半球状に盛り上がった形状の複数のはんだバンプ２２が配線基板本体１２の表面２０側に配置される。また、配線基板本体１２の裏面２３に複数のパッド２４を形成し、各パッド２４の上にピン２５をはんだ付けする。その結果、配線基板１１が完成する（図１〜図３参照）。
【００４４】
次に、配線基板１１を、表面２０側を上に向けた状態で移動治具１５にセットする。また、電熱ヒータ４１，４２によって上治具１３及び下治具１４を１１０℃に加熱する。そして、移動治具１５の搬送及びリフト動作によって、配線基板１１を下治具１４の支持部３１に支持させる。その結果、配線基板１１の裏面２３において被支持領域ＡＲ２（図１，図３参照）内にある複数のピン２５が支持部３１に形成されたピン逃がし穴３４に確実に案内され、配線基板１１が支持部３１の接触面３２に密着した状態で支持される。
【００４５】
そして、はんだバンプ成形工程において、上治具１３を下降させ、配線基板１１上の各はんだバンプ２２の頂部２７を上治具１３の押圧用粗面３０でプレスする。このとき、各頂部２７の高さが揃うようにプレスする。すると、各はんだバンプ２２の頂部２７に確実にかつ均等に圧力（本実施形態では、１バンプあたり０．０７ｋｇ）が加わり、頂部２７が押し潰される結果、はんだバンプ２２が平坦化されると同時に粗化される。その後、はんだバンプ成形工程を終えた配線基板１１は、移動治具１５の搬送及びリフト動作によって装置外部に搬送される。その後、フラックス供給工程において、平坦化及び粗化された各はんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。なお、フラックス２８を供給する方法としては、液状のフラックス２８を頂部２７に塗布する方法、液状のフラックス２８をフラックスディスペンサによって頂部２７に供給する方法、泡状のフラックス２８を頂部２７と接触させる発泡式の方法、霧状のフラックス２８を頂部２７に吹き付けるスプレー式の方法などが挙げられる。なお、フラックス２８の種類は特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。
【００４６】
さらに、加熱溶融工程において、ＩＣチップ４５の底面４６側に配置された複数の接続端子４７を、配線基板１１の表面２０側に配置されたフラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置する（図４参照）。そして、この状態で各はんだバンプ２２を加熱溶融（リフロー）することにより、フラックス２８が気化されるとともに、各はんだバンプ２２と各接続端子４７とが接合される（図５，図６参照）。これにより、ＩＣチップ４５が配線基板１１上に搭載された部品付き配線基板が完成する。
【００４７】
次に、コプラナリティ及びボイドについての評価方法及びその結果を説明する。
【００４８】
まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じはんだバンプ２２（平坦化及び粗化されたはんだバンプ）を配置した基板を準備し、これを実施例とした。また、平坦化も粗化もされていないはんだバンプ８１を配置した基板８２（図７参照）を準備し、これを比較例１とした。さらに、従来技術と同じはんだバンプ９１（平坦化されているが、粗化されていないはんだバンプ）を配置した基板９２（図１０参照）を準備し、これを比較例２とした。なお、実施例のはんだバンプ２２の頂部２７の表面粗さＲａを０．４μｍとし、比較例２のはんだバンプ９１の頂部の表面粗さＲａを０．０５μｍとした。
【００４９】
次に、各測定用サンプル（実施例、比較例１，２）に対してコプラナリティ測定を行った。また、評価の信頼度を上げるために、測定用サンプルの作成日を変更して測定を２回実施した。なお、平坦化されていないはんだバンプ８１のコプラナリティ測定と、平坦化されたはんだバンプ２２，９１のコプラナリティ測定とを、同じ測定器を用いて実施することができなかった。そこで、はんだバンプ８１のコプラナリティ測定にSolvision 社製の測定器を使用し、はんだバンプ２２，９１のコプラナリティ測定にタカノ株式会社製の測定器を使用した。
【００５０】
コプラナリティ測定を行った結果、平坦化されていない比較例１のはんだバンプ８１のコプラナリティの測定値が最も大きくなった。一方、実施例のはんだバンプ２２及び比較例１のはんだバンプ９１では、コプラナリティの測定値をともに小さくできることが確認された。また、２回目のコプラナリティ測定を行った結果も、１回目の測定と同様の結果となることが確認された。
【００５１】
また、各測定用サンプル（実施例、比較例１，２）に対してボイドの測定を行った。具体的に言うと、はんだバンプ２２，８１，９１とダミーダイ１０１の底面側に配置された接続端子１０２とを接合し、そのときの状態を観察することによりボイドの測定を行った（図８，図９，図１１，図１２等参照）。詳述すると、ダミーダイ１０１の接合前にはボイドが確認されていないが、ダミーダイ１０１の接合後にはじめてボイドが確認される箇所について、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）による観察（ＸＲＤ観察）を行ってボイドの個数をカウントした。また、はんだバンプ２２，８１，９１の断面を観察（クロス観察）することによってもボイドの個数をカウントした。また、それぞれの観察による評価の信頼度を上げるために、測定用サンプルの作成日を変更して測定を２回ずつ実施した。なお、はんだバンプ２２，８１，９１を加熱溶融させるのに必要な温度と同じ温度の熱を加えた状態で、ボイドの測定を行ってもよい。
【００５２】
ＸＲＤ観察によってボイドの個数をカウントした結果、比較例２のはんだバンプ９１には最も多くのボイド９３が発生していることが確認された。一方、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドの個数は、比較例２よりも少ないことが確認された。また、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの個数と、比較例１のはんだバンプ８１に発生したボイドの個数との差が殆どないことも確認された。なお、２回目のＸＲＤ観察によってボイドの個数を再度カウントしたが、１回目のＸＲＤ観察と同様の結果となることが確認された。
【００５３】
また、クロス観察によってボイドの個数をカウントした結果、比較例２のはんだバンプ９１には多くのボイド９３が発生した。具体的に言うと、比較例２では、９８個のうち９個のはんだバンプ９１にボイド９３が発生し、ボイド９３の発生率は９／９８＝約９．２％となった。一方、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドの個数は、比較例２よりも少ないことが確認された。具体的に言うと、実施例では、９８個のうち２個のはんだバンプ２２にボイドが発生し、ボイドの発生率は２／９８＝約２．０％となった。比較例１では、９８個のうち１個のはんだバンプ８１にボイドが発生し、ボイドの発生率は１／９８＝約１．０％となった。また、比較例２のはんだバンプ９１に発生したボイド９３は、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドよりも大きいことが確認された。なお、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの数は、比較例１のはんだバンプ８１に発生したボイドの数よりもやや多かったものの、大きさは同等であることが確認された。
【００５４】
さらに、２回目のクロス観察を行い、比較例１，２のはんだバンプ８１，９１に発生したボイドの個数を再度カウントした。なお、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの個数は、比較例１の場合と略同じであるため、２回目のクロス観察を特に行わなかった。その結果、１回目のクロス観察と同じ傾向が見られることが確認された。即ち、比較例２では、１４４個のうち３個のはんだバンプ９１にボイド９３が発生し、ボイド９３の発生率は３／１４４＝約２．０％となった。一方、比較例１では、１４４個のうち１個のはんだバンプ８１にボイドが発生し、ボイドの発生率は１／１４４＝約０．７％となった。
【００５５】
以上により、実施例及び比較例２のはんだバンプ２２，９１のコプラナリティの測定値は、比較例１のはんだバンプ８１のコプラナリティの測定値よりも大きいことが確認された。従って、実施例及び比較例２を配線基板１１に採用すれば、ダミーダイ１０１の接続端子１０２との接続に不具合が生じにくくなることが証明された。しかし、比較例２のはんだバンプ９１に発生するボイド９３は、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドよりも個数が多く、しかも大きいことが確認されている。よって、配線基板１１には、コプラナリティの測定値が小さく、しかもボイドの発生に対する懸念も小さい実施例が適することが確認された。
【００５６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５７】
（１）本実施形態の配線基板１１では、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプ２２の頂部２７が平坦化されてコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下となるため、ＩＣチップ４５の接続端子４７との接続が確実にかつ容易になる。ゆえに、はんだバンプ２２の一部と接続端子４７とが未接続状態となる問題（オープン不良）の発生を防止できる。
【００５８】
しかも、はんだバンプ成形工程において各はんだバンプ２２の頂部２７が粗化されて表面粗さＲａが０．４μｍとなり、頂部２７の平坦面に微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックス２８が溜まりやすくなる。また、頂部２７に形成された凹凸は、加熱溶融時に気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックス２８は、ガス抜き通路を通過して確実に頂部２７から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックス２８がはんだバンプ２２内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプ２２とＩＣチップ４５の接続端子４７との接続信頼性が向上する。
【００５９】
（２）本実施形態では、頂部２７の平坦面に凹凸が生じており、接続端子４７との接合性を向上させるフラックス２８が頂部２７に溜まりやすくなっているため、加熱溶融工程においてフラックス２８が接続端子４７に接触しやすくなる。ゆえに、はんだバンプ２２と接続端子４７との接合性が向上する。
【００６０】
（３）本実施形態では、はんだバンプ２２押圧時に被支持領域ＡＲ２に押圧力が集中しやすいが、全体的に被支持領域ＡＲ２を下治具１４の支持部３１によって支持することができる。このため、配線基板１１の撓みを防止することができ、コプラナリティに優れたはんだバンプ群を備える配線基板１１を確実にかつ容易に得ることができる。ゆえに、上治具１３によってバンプ形成領域ＡＲ１内にある複数のはんだバンプ２２を確実に押圧して平坦化することができる。
［第２実施形態］
【００６１】
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図１３〜図１６に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。
【００６２】
本実施形態では、フラックス２８を供給する前のはんだバンプ１１１が、頂部１１２が凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜１１３で覆われている点や、はんだバンプ平坦化装置１０により平坦化されていない点が上記第１実施形態と異なっている（図１３参照）。以下、本実施形態における配線基板１１ａ（部品付き配線基板）の製造方法を説明する。
【００６３】
まず、はんだバンプ配置工程では、パッド２１の上にはんだペーストが印刷された配線基板本体１２をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストを溶融し、半球状に盛り上がった形状のはんだバンプ１１１となる。続くはんだバンプ成形工程では、配線基板１１ａ上に金型（図示略）を配置し、はんだバンプ１１１の表面に金型の粗面を接触させた状態で、はんだバンプ１１１を冷却する。その結果、頂部１１２に凹凸が形成（粗化）されたはんだバンプ１１１が形成される（図１３参照）。また、はんだバンプ１１１の表面が酸化し、はんだバンプ１１１の表面全体が鉛からなる酸化膜１１３で覆われるようになる。なお、はんだバンプ１１１の頂部１１２を、ＣＺ処理や、研磨装置を用いた研磨などの他の方法によって粗化するようにしてもよい。
【００６４】
続くフラックス供給工程では、各はんだバンプ１１１の表面全体（頂部１１２及び側面）にフラックス２８を供給する。これにより、頂部１１２に形成された凹凸を起点として酸化膜１１３が溶かされ、凹凸を構成する突起の先端が露出する（図１４参照）。その後、配線基板本体１２の裏面２３に複数のパッド２４を形成し、各パッド２４の上にピン２５をはんだ付けすれば、配線基板１１ａが完成する。
【００６５】
さらに、加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５の複数の接続端子４７を複数のはんだバンプ１１１に対応させて配置し（図１５参照）、各はんだバンプ１１１を加熱溶融（リフロー）する。これにより、フラックス２８が気化されるとともに、各はんだバンプ１１１と各接続端子４７とが接合され（図１５，図１６参照）、部品付き配線基板が完成する。
【００６６】
従って本実施形態では、酸化膜１１３の一部が、フラックス供給工程において各はんだバンプ１１１にフラックス２８を供給することで溶かされ、溶かされた部分にはんだバンプ１１１の表面が露出する。その結果、はんだバンプ１１１の融点（本実施形態では１８３℃）に到達した時点ではんだバンプ１１１が溶け始めるようになるため、はんだバンプ１１１が溶融しやすくなり、はんだバンプ１１１とＩＣチップ４５との接続が容易になる。
【００６７】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００６８】
・上記第１実施形態では、はんだバンプ成形工程において、はんだバンプ２２の頂部２７を平坦化すると同時に粗化していた。しかし、はんだバンプ成形工程において、頂部２７を平坦化する平坦化工程と、頂部２７を粗化する粗化工程とを別々に行ってもよい。
【００６９】
・上記第１実施形態では、上治具１３を用いて複数のはんだバンプ２２の頂部２７をプレスすることにより、頂部２７を平坦化及び粗化するようになっていた。しかし、平面研磨によってはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化するようにしてもよい。例えば、複数のはんだバンプ２２を有する配線基板１１を多数の貫通孔を有する真空吸着板上に載置し、真空吸着板の下面側の気圧を低減して、配線基板１１を真空吸着によって固定する。次に、グラインダーのような回転研磨板を有する研磨装置を用いて、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を一括して研磨する。具体的には、粗さが＃１０００の円板状の回転研磨板を、１２０ｒｐｍで回転させつつ、０．２ｍｍ／秒の速度で下降させて、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を一括して研磨し、平坦化及び粗化する。なお、研磨方式としては、乾式及び湿式の両方を用いることができる。
【００７０】
・上記第２実施形態では、頂部１１２が平坦化されていないはんだバンプ１１１を有する配線基板１１ａ（部品付き配線基板）を製造していたが、図１７に示されるように、頂部１２２が平坦化されたはんだバンプ１２１を有する配線基板１１ｂ（部品付き配線基板）を製造してもよい。
【００７１】
・上記実施形態のはんだバンプ２２，１１１は、配線基板１１，１１ａとＩＣチップ４５との接合に用いられるものに適用されていたが、例えば、配線基板１１，１１ａとマザーボードとの接合に用いられるものに適用してもよい。
【００７２】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７３】
（１）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスして平坦化する平坦化工程と、複数のはんだバンプの頂部を粗化する粗化工程と、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプの頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７４】
（２）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含んでおり、前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化し、前記押圧治具は、同押圧治具を加熱するための加熱手段を有していることを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７５】
（３）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含んでおり、前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有するセラミック製の押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化し、前記押圧治具は、同押圧治具を加熱するための加熱手段を有していることを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７６】
（４）頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であり、前記配線基板本体の表面から前記頂部までの高さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板。
【００７７】
（５）表面側に複数のはんだバンプが設けられた配線基板を支持治具上に支持し、この状態で押圧治具により前記複数のはんだバンプを押圧して平坦化する装置において、前記支持治具は、前記配線基板本体の裏面に接触可能な接触面を有する支持部を備え、前記押圧治具は、表面粗さＲａが０．３μｍ以上２μｍ以下の押圧用粗面を備えることを特徴とするはんだバンプ平坦化装置。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】第１実施形態のはんだバンプ平坦化装置を示す概略構成図。
【図２】はんだバンプ成形工程実施前の配線基板の概略平面図。
【図３】はんだバンプ成形工程実施前の配線基板の概略断面図。
【図４】ＩＣチップとはんだバンプ成形工程実施後の配線基板とを示す要部断面図。
【図５】加熱溶融工程の説明図。
【図６】加熱溶融工程の説明図。
【図７】比較例１の説明図。
【図８】比較例１の説明図。
【図９】比較例１の説明図。
【図１０】比較例２の説明図。
【図１１】比較例２の説明図。
【図１２】比較例２の説明図。
【図１３】第２実施形態におけるはんだバンプ成形工程実施後の配線基板を示す要部断面図。
【図１４】同じく、フラックス供給工程実施時の配線基板を示す要部断面図。
【図１５】同じく、加熱溶融工程の説明図。
【図１６】同じく、加熱溶融工程の説明図。
【図１７】他の実施形態におけるはんだバンプ成形工程実施後の配線基板を示す要部断面図。
【図１８】従来技術におけるはんだバンプを成形する工程の説明図。
【図１９】同じく、ＩＣチップとはんだバンプ成形後の配線基板とを示す要部断面図。
【符号の説明】
【００７９】
１１，１１ａ，１１ｂ…配線基板
１２…配線基板本体
１３…押圧治具としての上治具
２０…配線基板本体の表面
２２，１１１，１２１…はんだバンプ
２７，１１２，１２２…頂部
２８…フラックス
３０…押圧用粗面
４５…部品としてのＩＣチップ
４６…部品の底面
４７…接続端子
１１３…酸化膜
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に配置されたはんだバンプを平坦化する部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、及び、はんだバンプが平坦化された配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品を搭載するためのパッド上にはんだバンプが形成された配線基板（半導体パッケージ）が知られている。この種の配線基板としては、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）、ピングリッドアレイ（ＰＧＡ）などの各種のタイプがある。そして、これらの配線基板の有するはんだバンプに対しては、フリップチップ方式にて電子部品が高密度に実装可能となっている。なお、はんだバンプは、例えばソルダーペースト法などにより形成される。具体的に言うと、配線基板上面のパッド上にはんだペーストを印刷してリフローする。これにより、半球状に盛り上がった形状のはんだバンプが形成される。
【０００３】
ところで、配線基板と電子部品との接合性等を高めるためには、配線基板上に形成された個々のはんだバンプの高さが揃っていることが好ましい。換言すると、個々のはんだバンプのコプラナリティ（Coplanarity ）の測定値は小さい方が好ましい。なお、はんだバンプの高さは、はんだの体積やパッドの面積等に依存している。ところが、ＬＶＳＢ（Low Volume Solder Bump）と呼ばれる体積が小さいはんだバンプが発生（現在の発生率は２〜３％）するなどして、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまうことがある。その結果、コプラナリティの測定値が大きくなってしまい、電子部品との間に接続不良が発生する可能性がある。
【０００４】
そこで図１８に示されるように、配線基板５１上に形成された各はんだバンプ５２の上方に治具６１をセットし、治具６１を用いて各はんだバンプ５２を押圧するなどして各はんだバンプ５２の頂部を平坦化（図１８の破線部分参照）する技術が提案されている（例えば特許文献１参照）。このようにすれば、ＬＶＳＢの発生を防止することができ、ひいては、各はんだバンプ５２のコプラナリティの測定値を低減することができる。なお、各はんだバンプ５２の頂部が平坦化された配線基板５１において、電子部品７１の搭載は以下のように行われる（図１９参照）。まず、電子部品７１側の接続端子７２と、配線基板５１側のはんだバンプ５２とを位置合わせする。そして、加熱してはんだバンプ５２をリフローすることにより、はんだバンプ５２と接続端子７２とを接合する。これにより、配線基板５１上に電子部品７１が搭載される。
【特許文献１】特開２００４−６９２６号公報（図２など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、電子部品７１との接合性を高めるために、通常はんだ付けの際には、はんだバンプ５２の頂部にはフラックス５３（図１９参照）が供給される。このフラックス５３は、リフロー時に気化して接続端子７２との接合界面から外部に放出されるが、上記したようにはんだバンプ５２が平坦化されていると、放出されずにはんだバンプ５２内に溜まりやすくなる。その結果、はんだバンプ５２と接続端子７２との接合界面にボイドが発生してしまい、それに起因して電子部品７１との接続に不具合が生じてしまう。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだバンプのコプラナリティの測定値を低減でき、しかもボイドの発生を防止できる部品付き配線基板の製造方法、はんだバンプを有する配線基板の製造方法、及び、はんだバンプを有する配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法がある。
【０００８】
従って、手段１の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が平坦化されるため、コプラナリティに優れていて部品との接続に適したはんだバンプ群を備えた部品付き配線基板を、確実にかつ容易に得ることが可能となる。しかも、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、加熱溶融時に気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと部品の接続端子との接続信頼性が向上する。
【０００９】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法がある。
【００１０】
従って、手段２の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が平坦化されるため、コプラナリティに優れていて他部品との接続に適したはんだバンプを有する配線基板を、確実にかつ容易に得ることが可能となる。しかも、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００１１】
本発明における配線基板を構成する基板（配線基板本体）としては、樹脂材料またはセラミック材料などを主体として構成された基板などを挙げることができる。樹脂材料を主体として構成された基板の具体例としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）基板、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）基板、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド・トリアジン樹脂）基板、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）基板などがある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板等を使用してもよい。また、セラミック材料を主体として構成された基板の具体例としては、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ほう素、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック材料からなる基板などがある。
【００１２】
はんだバンプの形成材料となるはんだ合金としては、搭載される部品の接続端子等の材質等に応じて適宜選択すればよいが、９０Ｐｂ−１０Ｓｎ、９５Ｐｂ−５Ｓｎ、４０Ｐｂ−６０ＳｎなどのＰｂ−Ｓｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。特に、前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることが好ましい。このようにすれば、はんだバンプに鉛が含まれていないため、配線基板の環境への負荷を低くすることができる。また、鉛フリーはんだは、鉛を含有するはんだよりも濡れ性が悪く、ボイドの発生量が多くなる傾向にあるため、はんだバンプの頂部を粗化してフラックスを放出しやすくすれば、ボイドの発生をより効果的に防止できる。ここで、鉛フリーはんだとしては、Ｓｎ−Ｓｂ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ａｕ−Ｇｅ系はんだ、Ａｕ−Ｓｎ系はんだ、Ａｕ−Ｓｉ系はんだなどが挙げられる。
【００１３】
なお、はんだバンプは、前記加熱溶融工程（前記部品を接合する工程）において加熱溶融されることにより、表面張力によって球状に変化して高さが高くなる。よって、前記はんだバンプ成形工程において、はんだバンプの頂部を大きく平坦化して頂部の直径を大きくしておけば、加熱溶融工程を行う際に頂部が部品の接続端子に大きく近づくようになる。このため、はんだバンプの頂部のコプラナリティの測定値が多少大きい場合であっても、はんだバンプと接続端子とを接合しやすくなる。
【００１４】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することが好ましい。このようにすれば、上記手段１，２の配線基板を効率良く製造することができる。
【００１５】
また、はんだバンプ成形工程を行う場合、押圧治具をヒータなどの加熱手段により加熱してもよいし、加熱しなくてもよい。押圧治具を加熱する場合、はんだバンプがある程度軟化する。ゆえに、常温で行う場合と比較してはんだバンプが変形しやすくなり、押圧治具の応力をそれほど大きくすることなく、はんだバンプの頂部を確実に平坦化させることができる。一方、押圧治具を加熱しない場合、加熱手段が不要となるため、簡単な構成ではんだバンプの頂部を平坦化させることができる。
【００１６】
ここで、前記押圧治具は、チタンやステンレスなどの金属材、アルミナ、窒化珪素、炭化珪素、窒化ホウ素などのセラミック材、ガラス材などによって構成されることが好ましく、はんだに濡れない（または濡れにくい）ものが好ましい。特に、前記押圧治具は、加工精度が高く熱による変形が少ないセラミック材によって構成されることがよい。また、押圧治具の押圧用粗面は平面であることが好ましい。このようにすれば、各はんだバンプに押圧力が均等に加わるため、各はんだバンプの頂部を精度よく平坦化することができる。
【００１７】
さらに、上記課題を解決するための別の手段（手段３）としては、配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法がある。
【００１８】
従って、手段３の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００１９】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段４）としては、配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程と、粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法がある。
【００２０】
従って、手段４の製造方法によると、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプの頂部が粗化されて微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックスが溜まりやすくなる。また、はんだバンプの頂部に形成された凹凸は、はんだバンプを加熱溶融すると気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックスは、ガス抜き通路を通過して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプと他部品との接続信頼性が向上する。
【００２１】
なお、はんだバンプの表面全体は、はんだバンプよりも融点が高い酸化膜で覆われているため、加熱によりはんだバンプの融点に到達したとしても、はんだバンプが溶融（リフロー）しにくい。ゆえに、はんだバンプと他部品との接続が困難である。そこで、前記フラックスを供給する前の前記複数のはんだバンプが、前記頂部に凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜で覆われている場合、前記フラックス供給工程において、前記酸化膜が、前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給することで溶かされることが好ましい。これにより、酸化膜が溶かされた部分にはんだバンプの表面が露出する。その結果、はんだバンプの融点に到達した時点ではんだバンプが溶け始めるようになるため、はんだバンプが溶融しやすくなり、はんだバンプと他部品との接続が容易になる。また、はんだバンプの頂部は凹凸を有しているため、その部分にフラックスが確実に保持される。ゆえに、頂部にある酸化膜から優先的に溶けやすくなる。
【００２２】
また、上記課題を解決するための別の手段（手段５）としては、頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板がある。
【００２３】
従って、手段５の配線基板によると、複数のはんだバンプの頂部が平坦化されてコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下となるため、他部品との接続が確実にかつ容易になる。仮に、コプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍよりも大きくなると、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまい、他部品との間に接続不良が発生する可能性がある。
【００２４】
しかも、複数のはんだバンプの頂部が粗化されて表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下となるため、はんだバンプに含まれているフラックスは、加熱溶融される際に気化して確実に頂部から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。仮に、表面粗さＲａが０．３μｍ未満になると、気化したフラックスがはんだバンプ内に溜まりやすくなり、ボイドが発生しやすくなる。一方、表面粗さＲａが５μｍよりも大きくなると、個々のはんだバンプの高さにバラツキが生じてしまい、コプラナリティの測定値が大きくなる可能性がある。その結果、はんだバンプと他部品との接合強度が低下するおそれがある。また、表面粗さＲａが５μｍよりも大きくなることではんだバンプの頂部に深い凹部が形成されるため、凹部に溜まったフラックスが外部に放出されにくくなるおそれがある。
【００２５】
ここで、本明細書で述べられている「コプラナリティ」とは、「日本電子機械工業会規格ＥＩＡＪ ＥＤ−７３０４ ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている端子最下面均一性を示している。そして、「コプラナリティの測定値」とは、「ＥＤ−７３０４ ＢＧＡ規定寸法の測定方法」で定義されている測定値であり、配線基板本体の表面に対する複数のはんだバンプの頂部の均一性を示す指標である。また、本明細書で述べられている「表面粗さＲａ」とは、ＪＩＳ Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。なお、表面粗さＲａの測定方法はＪＩＳ Ｂ０６５１に準じるものとする。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
［第１実施形態］
【００２７】
以下、本発明を具体化した第１実施形態を図１〜図６に基づき詳細に説明する。
【００２８】
図１は、はんだバンプ平坦化装置１０の概略図である。図２はそのはんだバンプ平坦化装置１０にセットされる配線基板１１の概略平面図、図３は同じく概略断面図である。図１に示すように、はんだバンプ平坦化装置１０は、押圧治具である上治具１３、支持治具である下治具１４、及び、配線基板１１を下治具１４にセットするための移動治具１５などを備えている。
【００２９】
図２，図３等に示すように、本実施形態の配線基板１１は、ＭＰＵなどの多端子の高密度フリップチップ接続に対応可能なピングリッドアレイ（ＰＧＡ）タイプの半導体パッケージである。具体的に言うと、この配線基板１１は、ガラス繊維を含むビスマレイミド・トリアジンなどの樹脂からなるコア基板の上下面に、公知の手法により複数の樹脂絶縁層を積層した多層配線基板である。この多層配線基板は、厚さ約１ｍｍ、約４０ｍｍ角の平板状部品であり、各樹脂絶縁層間に図示しない銅配線を備えている。
【００３０】
配線基板１１を構成する配線基板本体１２の表面２０（図３では上面）において略中央の正方形領域は、バンプ形成領域ＡＲ１とされている。バンプ形成領域ＡＲ１内には、ＩＣチップ４５（図４等参照）を接合するための複数のパッド２１がほぼ格子状に整列して形成されるとともに、各パッド２１上にははんだバンプ２２が形成されている。パッド２１は、複数のめっき層によって形成されるものであり、直径が１５０μｍに設定され、厚さが２０μｍに設定されている。はんだバンプ２２は、配線基板１１の表面２０のパッド２１にはんだペーストを印刷してリフローすることで形成されるものであり、半球状に盛り上がった形状を有している。なお、本実施形態のはんだバンプ２２は、鉛フリーはんだであるＳｎ−Ａｇ系はんだからなっている。
【００３１】
また、配線基板本体１２の裏面２３（図３では下面）の全域には、複数のパッド２４がほぼ格子状に整列して形成されるとともに、各パッド２４上にはソケット実装用の複数のピン２５がはんだ付けによって接合されている。なお、配線基板１１の裏面２３側に配置される各ピン２５は、表面２０側のはんだバンプ２２より高融点のはんだではんだ付けされている。
【００３２】
図３等に示されるように、各ピン２５は、断面円形状の軸部とその軸部よりも径が大きい頭部２６とを有している。そして、頭部２６がパッド２４に対してはんだ付けされている。なお、各ピン２５は、図示しない専用の位置決め治具のピン挿入孔に一度にセットされ、一回のはんだ付け工程で配線基板１１に接合される。そのため、配線基板１１における各ピン２５同士の位置精度は比較的高くなっている。
【００３３】
図１に示す前記移動治具１５は、配線基板１１の四隅を支持した状態で、図示しない搬送装置により搬送レールに沿って水平方向に移動するとともに、垂直方向に移動する。この移動治具１５の水平・垂直移動によって配線基板１１が下治具１４にセットされる。
【００３４】
前記上治具１３の下面は平坦な押圧用粗面３０である。本実施形態において、押圧用粗面３０の平坦度は１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定されており、押圧用粗面３０の表面粗さＲａは０．４μｍに設定されている。上治具１３は、図示しない加圧装置（エアプレスや油圧プレスなど）により下方に向けて駆動され、押圧用粗面３０によって前記はんだバンプ２２を押圧する。これにより、はんだバンプ２２が平坦化されるとともに、はんだバンプ２２の頂部２７の上面が粗化される（図４参照）。なお本実施形態では、セラミック材（窒化ホウ素）によって上治具１３を構成している。
【００３５】
図１に示すように、前記下治具１４は、その中央部に四角柱状に突出した支持部３１を備えている。支持部３１の先端面（上端面）は、前記配線基板本体１２の裏面２３に接触可能な接触面３２となる。支持部３１の接触面３２には、上方に向けて開口する複数のピン逃がし穴３４が、前記ピン２５と等しいピッチで格子状に配列されている。
【００３６】
本実施形態のピン逃がし穴３４は、開口部よりも深い部分が等断面形状に形成されている一方、開口部が開口端（上端）に向かうに従って徐々に断面積が大きくなるよう形成されている。また、これらのピン逃がし穴３４の開口部は、ピン２５の頭部２６を収容可能な大きさの穴径を有し、ピン先端側の径に対しては多少の余裕がある。なお、下治具１４の支持部３１は、機械的強度の高い金属材料によって形成されることが好ましく、例えば、タングステン・カーバイド（ＷＣ）とコバルト（Ｃｏ）などからなる超硬合金を用いて形成される。
【００３７】
図１に示されるように、本実施形態のはんだバンプ平坦化装置１０には、上治具１３及び下治具１４を所定温度に加熱するための電熱ヒータ４１，４２が設けられている。この電熱ヒータ４１，４２によって各治具１３，１４を加熱した状態で、前記はんだバンプ２２の頂部２７の平坦化及び粗化が行われる。
【００３８】
図４に示される平坦化及び粗化されたはんだバンプ２２において、前記配線基板本体１２の表面２０からはんだバンプ２２の頂部２７までの高さは、本実施形態において３０μｍに設定されている。また、頂部２７の表面粗さＲａは０．４μｍに設定されており、頂部２７の平坦面には凹凸が生じている。さらに、頂部２７のコプラナリティの測定値は、上治具１３の押圧用粗面３０の平坦度と等しく、１ｃｍ２あたり１０μｍ以下に設定されている。
【００３９】
なお、平坦化及び粗化されたはんだバンプ２２の最大径は、前記パッド２１の直径の０．５倍以上１．２倍以下に設定されることが好ましい。仮に、はんだバンプ２２の最大径がパッド２１の直径の１．２倍よりも大きいと、はんだバンプ２２を加熱溶融して前記ＩＣチップ４５を接合する際に、パッド２１からはみ出したはんだが隣接するパッド２１のはんだバンプ２２に接触し、ショートするおそれがある。一方、はんだバンプ２２の最大径がパッド２１の０．５倍未満であると、はんだバンプ２２を加熱溶融してもあまり高くならず、頂部２７がＩＣチップ４５の接続端子４７に近づきにくいため、はんだバンプ２２と接続端子４７とを接合しにくい。なお本実施形態では、パッド２１の直径が１５０μｍであるため、はんだバンプ２２の最大径は７５μｍ以上１８０μｍ以下であることが好ましい。また、はんだバンプ２２の頂部２７の直径は、はんだバンプ２２の最大径の０．５倍以上１．０未満に設定されることが好ましく、はんだバンプ２２の最大径の０．８倍以上１．０未満に設定されることがより好ましい。仮に、頂部２７の直径がはんだバンプ２２の最大径の０．５倍未満であると、ＩＣチップ４５を接合する際に必要なフラックス２８を頂部２７の平坦面にあまり溜めることができなくなる。一方、頂部２７の直径がはんだバンプ２２の最大径の１．０倍以上であると、はんだバンプ２２を加熱溶融してＩＣチップ４５を接合する際に、頂部２７を構成するはんだが隣接するパッド２１のはんだバンプ２２に接触し、ショートするおそれがある。なお本実施形態では、はんだバンプ２２の最大径が７５μｍ以上１８０μｍ以下であるため、頂部２７の直径は３７．５μｍ以上１８０μｍ未満であることが好ましい。
【００４０】
次に、本実施形態における配線基板１１（及び部品付き配線基板）の製造方法を説明する。
【００４１】
配線基板１１は以下のようにして製造される。まず、コア基板上にエポキシ樹脂からなる樹脂絶縁層を形成するとともに、コア基板及び樹脂絶縁層の表面に、無電解銅めっき及び電解銅めっきを用いたセミアディティブ法によって銅配線を形成する。これにより、配線基板本体１２が形成される。なお、銅配線を、サブトラクティブ法やフルアディティブ法によって形成してもよい。
【００４２】
次に、配線基板本体１２の表面２０における複数箇所に、無電解Ｎｉ−Ｐめっきを施し、さらに無電解Ａｕめっきを施すことにより、Ｎｉ−Ｐめっき層及びＡｕめっき層からなるパッド２１を形成する。なお、配線基板本体１２の表面２０においてパッド２１が形成されない部位には、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などを用いてソルダーレジスト１９（図４等参照）を形成する。
【００４３】
そして、はんだバンプ配置工程において、配線基板本体１２の表面２０に形成されたパッド２１の上に、図示しないメタルマスクを用いてはんだペーストを印刷する。そして、はんだペーストを印刷した配線基板本体１２をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱し、その後冷却する。これにより、半球状に盛り上がった形状の複数のはんだバンプ２２が配線基板本体１２の表面２０側に配置される。また、配線基板本体１２の裏面２３に複数のパッド２４を形成し、各パッド２４の上にピン２５をはんだ付けする。その結果、配線基板１１が完成する（図１〜図３参照）。
【００４４】
次に、配線基板１１を、表面２０側を上に向けた状態で移動治具１５にセットする。また、電熱ヒータ４１，４２によって上治具１３及び下治具１４を１１０℃に加熱する。そして、移動治具１５の搬送及びリフト動作によって、配線基板１１を下治具１４の支持部３１に支持させる。その結果、配線基板１１の裏面２３において被支持領域ＡＲ２（図１，図３参照）内にある複数のピン２５が支持部３１に形成されたピン逃がし穴３４に確実に案内され、配線基板１１が支持部３１の接触面３２に密着した状態で支持される。
【００４５】
そして、はんだバンプ成形工程において、上治具１３を下降させ、配線基板１１上の各はんだバンプ２２の頂部２７を上治具１３の押圧用粗面３０でプレスする。このとき、各頂部２７の高さが揃うようにプレスする。すると、各はんだバンプ２２の頂部２７に確実にかつ均等に圧力（本実施形態では、１バンプあたり０．０７ｋｇ）が加わり、頂部２７が押し潰される結果、はんだバンプ２２が平坦化されると同時に粗化される。その後、はんだバンプ成形工程を終えた配線基板１１は、移動治具１５の搬送及びリフト動作によって装置外部に搬送される。その後、フラックス供給工程において、平坦化及び粗化された各はんだバンプ２２の頂部２７にフラックス２８を供給する。なお、フラックス２８を供給する方法としては、液状のフラックス２８を頂部２７に塗布する方法、液状のフラックス２８をフラックスディスペンサによって頂部２７に供給する方法、泡状のフラックス２８を頂部２７と接触させる発泡式の方法、霧状のフラックス２８を頂部２７に吹き付けるスプレー式の方法などが挙げられる。なお、フラックス２８の種類は特に限定されず、従来公知のものを使用することができる。
【００４６】
さらに、加熱溶融工程において、ＩＣチップ４５の底面４６側に配置された複数の接続端子４７を、配線基板１１の表面２０側に配置されたフラックス供給済みの複数のはんだバンプ２２に対応させて配置する（図４参照）。そして、この状態で各はんだバンプ２２を加熱溶融（リフロー）することにより、フラックス２８が気化されるとともに、各はんだバンプ２２と各接続端子４７とが接合される（図５，図６参照）。これにより、ＩＣチップ４５が配線基板１１上に搭載された部品付き配線基板が完成する。
【００４７】
次に、コプラナリティ及びボイドについての評価方法及びその結果を説明する。
【００４８】
まず、測定用サンプルを次のように準備した。本実施形態と同じはんだバンプ２２（平坦化及び粗化されたはんだバンプ）を配置した基板を準備し、これを実施例とした。また、平坦化も粗化もされていないはんだバンプ８１を配置した基板８２（図７参照）を準備し、これを比較例１とした。さらに、従来技術と同じはんだバンプ９１（平坦化されているが、粗化されていないはんだバンプ）を配置した基板９２（図１０参照）を準備し、これを比較例２とした。なお、実施例のはんだバンプ２２の頂部２７の表面粗さＲａを０．４μｍとし、比較例２のはんだバンプ９１の頂部の表面粗さＲａを０．０５μｍとした。
【００４９】
次に、各測定用サンプル（実施例、比較例１，２）に対してコプラナリティ測定を行った。また、評価の信頼度を上げるために、測定用サンプルの作成日を変更して測定を２回実施した。なお、平坦化されていないはんだバンプ８１のコプラナリティ測定と、平坦化されたはんだバンプ２２，９１のコプラナリティ測定とを、同じ測定器を用いて実施することができなかった。そこで、はんだバンプ８１のコプラナリティ測定にSolvision 社製の測定器を使用し、はんだバンプ２２，９１のコプラナリティ測定にタカノ株式会社製の測定器を使用した。
【００５０】
コプラナリティ測定を行った結果、平坦化されていない比較例１のはんだバンプ８１のコプラナリティの測定値が最も大きくなった。一方、実施例のはんだバンプ２２及び比較例１のはんだバンプ９１では、コプラナリティの測定値をともに小さくできることが確認された。また、２回目のコプラナリティ測定を行った結果も、１回目の測定と同様の結果となることが確認された。
【００５１】
また、各測定用サンプル（実施例、比較例１，２）に対してボイドの測定を行った。具体的に言うと、はんだバンプ２２，８１，９１とダミーダイ１０１の底面側に配置された接続端子１０２とを接合し、そのときの状態を観察することによりボイドの測定を行った（図８，図９，図１１，図１２等参照）。詳述すると、ダミーダイ１０１の接合前にはボイドが確認されていないが、ダミーダイ１０１の接合後にはじめてボイドが確認される箇所について、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）による観察（ＸＲＤ観察）を行ってボイドの個数をカウントした。また、はんだバンプ２２，８１，９１の断面を観察（クロス観察）することによってもボイドの個数をカウントした。また、それぞれの観察による評価の信頼度を上げるために、測定用サンプルの作成日を変更して測定を２回ずつ実施した。なお、はんだバンプ２２，８１，９１を加熱溶融させるのに必要な温度と同じ温度の熱を加えた状態で、ボイドの測定を行ってもよい。
【００５２】
ＸＲＤ観察によってボイドの個数をカウントした結果、比較例２のはんだバンプ９１には最も多くのボイド９３が発生していることが確認された。一方、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドの個数は、比較例２よりも少ないことが確認された。また、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの個数と、比較例１のはんだバンプ８１に発生したボイドの個数との差が殆どないことも確認された。なお、２回目のＸＲＤ観察によってボイドの個数を再度カウントしたが、１回目のＸＲＤ観察と同様の結果となることが確認された。
【００５３】
また、クロス観察によってボイドの個数をカウントした結果、比較例２のはんだバンプ９１には多くのボイド９３が発生した。具体的に言うと、比較例２では、９８個のうち９個のはんだバンプ９１にボイド９３が発生し、ボイド９３の発生率は９／９８＝約９．２％となった。一方、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドの個数は、比較例２よりも少ないことが確認された。具体的に言うと、実施例では、９８個のうち２個のはんだバンプ２２にボイドが発生し、ボイドの発生率は２／９８＝約２．０％となった。比較例１では、９８個のうち１個のはんだバンプ８１にボイドが発生し、ボイドの発生率は１／９８＝約１．０％となった。また、比較例２のはんだバンプ９１に発生したボイド９３は、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドよりも大きいことが確認された。なお、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの数は、比較例１のはんだバンプ８１に発生したボイドの数よりもやや多かったものの、大きさは同等であることが確認された。
【００５４】
さらに、２回目のクロス観察を行い、比較例１，２のはんだバンプ８１，９１に発生したボイドの個数を再度カウントした。なお、実施例のはんだバンプ２２に発生したボイドの個数は、比較例１の場合と略同じであるため、２回目のクロス観察を特に行わなかった。その結果、１回目のクロス観察と同じ傾向が見られることが確認された。即ち、比較例２では、１４４個のうち３個のはんだバンプ９１にボイド９３が発生し、ボイド９３の発生率は３／１４４＝約２．０％となった。一方、比較例１では、１４４個のうち１個のはんだバンプ８１にボイドが発生し、ボイドの発生率は１／１４４＝約０．７％となった。
【００５５】
以上により、実施例及び比較例２のはんだバンプ２２，９１のコプラナリティの測定値は、比較例１のはんだバンプ８１のコプラナリティの測定値よりも大きいことが確認された。従って、実施例及び比較例２を配線基板１１に採用すれば、ダミーダイ１０１の接続端子１０２との接続に不具合が生じにくくなることが証明された。しかし、比較例２のはんだバンプ９１に発生するボイド９３は、実施例及び比較例１のはんだバンプ２２，８１に発生したボイドよりも個数が多く、しかも大きいことが確認されている。よって、配線基板１１には、コプラナリティの測定値が小さく、しかもボイドの発生に対する懸念も小さい実施例が適することが確認された。
【００５６】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５７】
（１）本実施形態の配線基板１１では、はんだバンプ成形工程において複数のはんだバンプ２２の頂部２７が平坦化されてコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下となるため、ＩＣチップ４５の接続端子４７との接続が確実にかつ容易になる。ゆえに、はんだバンプ２２の一部と接続端子４７とが未接続状態となる問題（オープン不良）の発生を防止できる。
【００５８】
しかも、はんだバンプ成形工程において各はんだバンプ２２の頂部２７が粗化されて表面粗さＲａが０．４μｍとなり、頂部２７の平坦面に微小な凹凸が形成されるため、その部分にフラックス２８が溜まりやすくなる。また、頂部２７に形成された凹凸は、加熱溶融時に気化したフラックスのガス抜き通路となるため、気化したフラックス２８は、ガス抜き通路を通過して確実に頂部２７から外部に放出される。ゆえに、気化したフラックス２８がはんだバンプ２２内に溜まることに起因したボイドの発生を防止することができる。よって、はんだバンプ２２とＩＣチップ４５の接続端子４７との接続信頼性が向上する。
【００５９】
（２）本実施形態では、頂部２７の平坦面に凹凸が生じており、接続端子４７との接合性を向上させるフラックス２８が頂部２７に溜まりやすくなっているため、加熱溶融工程においてフラックス２８が接続端子４７に接触しやすくなる。ゆえに、はんだバンプ２２と接続端子４７との接合性が向上する。
【００６０】
（３）本実施形態では、はんだバンプ２２押圧時に被支持領域ＡＲ２に押圧力が集中しやすいが、全体的に被支持領域ＡＲ２を下治具１４の支持部３１によって支持することができる。このため、配線基板１１の撓みを防止することができ、コプラナリティに優れたはんだバンプ群を備える配線基板１１を確実にかつ容易に得ることができる。ゆえに、上治具１３によってバンプ形成領域ＡＲ１内にある複数のはんだバンプ２２を確実に押圧して平坦化することができる。
［第２実施形態］
【００６１】
次に、本発明を具体化した第２実施形態を図１３〜図１６に基づいて詳細に説明する。ここでは第１実施形態と相違する部分を中心に説明し、共通する部分については同じ部材番号を付す代わりに説明を省略する。
【００６２】
本実施形態では、フラックス２８を供給する前のはんだバンプ１１１が、頂部１１２が凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜１１３で覆われている点や、はんだバンプ平坦化装置１０により平坦化されていない点が上記第１実施形態と異なっている（図１３参照）。以下、本実施形態における配線基板１１ａ（部品付き配線基板）の製造方法を説明する。
【００６３】
まず、はんだバンプ配置工程では、パッド２１の上にはんだペーストが印刷された配線基板本体１２をリフロー炉内に配置して、はんだの融点より１０〜４０℃高い温度に加熱する。この時点で、はんだペーストを溶融し、半球状に盛り上がった形状のはんだバンプ１１１となる。続くはんだバンプ成形工程では、配線基板１１ａ上に金型（図示略）を配置し、はんだバンプ１１１の表面に金型の粗面を接触させた状態で、はんだバンプ１１１を冷却する。その結果、頂部１１２に凹凸が形成（粗化）されたはんだバンプ１１１が形成される（図１３参照）。また、はんだバンプ１１１の表面が酸化し、はんだバンプ１１１の表面全体が鉛からなる酸化膜１１３で覆われるようになる。なお、はんだバンプ１１１の頂部１１２を、ＣＺ処理や、研磨装置を用いた研磨などの他の方法によって粗化するようにしてもよい。
【００６４】
続くフラックス供給工程では、各はんだバンプ１１１の表面全体（頂部１１２及び側面）にフラックス２８を供給する。これにより、頂部１１２に形成された凹凸を起点として酸化膜１１３が溶かされ、凹凸を構成する突起の先端が露出する（図１４参照）。その後、配線基板本体１２の裏面２３に複数のパッド２４を形成し、各パッド２４の上にピン２５をはんだ付けすれば、配線基板１１ａが完成する。
【００６５】
さらに、加熱溶融工程では、ＩＣチップ４５の複数の接続端子４７を複数のはんだバンプ１１１に対応させて配置し（図１５参照）、各はんだバンプ１１１を加熱溶融（リフロー）する。これにより、フラックス２８が気化されるとともに、各はんだバンプ１１１と各接続端子４７とが接合され（図１５，図１６参照）、部品付き配線基板が完成する。
【００６６】
従って本実施形態では、酸化膜１１３の一部が、フラックス供給工程において各はんだバンプ１１１にフラックス２８を供給することで溶かされ、溶かされた部分にはんだバンプ１１１の表面が露出する。その結果、はんだバンプ１１１の融点（本実施形態では１８３℃）に到達した時点ではんだバンプ１１１が溶け始めるようになるため、はんだバンプ１１１が溶融しやすくなり、はんだバンプ１１１とＩＣチップ４５との接続が容易になる。
【００６７】
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。
【００６８】
・上記第１実施形態では、はんだバンプ成形工程において、はんだバンプ２２の頂部２７を平坦化すると同時に粗化していた。しかし、はんだバンプ成形工程において、頂部２７を平坦化する平坦化工程と、頂部２７を粗化する粗化工程とを別々に行ってもよい。
【００６９】
・上記第１実施形態では、上治具１３を用いて複数のはんだバンプ２２の頂部２７をプレスすることにより、頂部２７を平坦化及び粗化するようになっていた。しかし、平面研磨によってはんだバンプ２２の頂部２７を平坦化及び粗化するようにしてもよい。例えば、複数のはんだバンプ２２を有する配線基板１１を多数の貫通孔を有する真空吸着板上に載置し、真空吸着板の下面側の気圧を低減して、配線基板１１を真空吸着によって固定する。次に、グラインダーのような回転研磨板を有する研磨装置を用いて、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を一括して研磨する。具体的には、粗さが＃１０００の円板状の回転研磨板を、１２０ｒｐｍで回転させつつ、０．２ｍｍ／秒の速度で下降させて、複数のはんだバンプ２２の頂部２７を一括して研磨し、平坦化及び粗化する。なお、研磨方式としては、乾式及び湿式の両方を用いることができる。
【００７０】
・上記第２実施形態では、頂部１１２が平坦化されていないはんだバンプ１１１を有する配線基板１１ａ（部品付き配線基板）を製造していたが、図１７に示されるように、頂部１２２が平坦化されたはんだバンプ１２１を有する配線基板１１ｂ（部品付き配線基板）を製造してもよい。
【００７１】
・上記実施形態のはんだバンプ２２，１１１は、配線基板１１，１１ａとＩＣチップ４５との接合に用いられるものに適用されていたが、例えば、配線基板１１，１１ａとマザーボードとの接合に用いられるものに適用してもよい。
【００７２】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００７３】
（１）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスして平坦化する平坦化工程と、複数のはんだバンプの頂部を粗化する粗化工程と、平坦化及び粗化された複数のはんだバンプの頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７４】
（２）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含んでおり、前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化し、前記押圧治具は、同押圧治具を加熱するための加熱手段を有していることを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７５】
（３）配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程とを含んでおり、前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有するセラミック製の押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化し、前記押圧治具は、同押圧治具を加熱するための加熱手段を有していることを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【００７６】
（４）頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であり、前記配線基板本体の表面から前記頂部までの高さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板。
【００７７】
（５）表面側に複数のはんだバンプが設けられた配線基板を支持治具上に支持し、この状態で押圧治具により前記複数のはんだバンプを押圧して平坦化する装置において、前記支持治具は、前記配線基板本体の裏面に接触可能な接触面を有する支持部を備え、前記押圧治具は、表面粗さＲａが０．３μｍ以上２μｍ以下の押圧用粗面を備えることを特徴とするはんだバンプ平坦化装置。
【図面の簡単な説明】
【００７８】
【図１】第１実施形態のはんだバンプ平坦化装置を示す概略構成図。
【図２】はんだバンプ成形工程実施前の配線基板の概略平面図。
【図３】はんだバンプ成形工程実施前の配線基板の概略断面図。
【図４】ＩＣチップとはんだバンプ成形工程実施後の配線基板とを示す要部断面図。
【図５】加熱溶融工程の説明図。
【図６】加熱溶融工程の説明図。
【図７】比較例１の説明図。
【図８】比較例１の説明図。
【図９】比較例１の説明図。
【図１０】比較例２の説明図。
【図１１】比較例２の説明図。
【図１２】比較例２の説明図。
【図１３】第２実施形態におけるはんだバンプ成形工程実施後の配線基板を示す要部断面図。
【図１４】同じく、フラックス供給工程実施時の配線基板を示す要部断面図。
【図１５】同じく、加熱溶融工程の説明図。
【図１６】同じく、加熱溶融工程の説明図。
【図１７】他の実施形態におけるはんだバンプ成形工程実施後の配線基板を示す要部断面図。
【図１８】従来技術におけるはんだバンプを成形する工程の説明図。
【図１９】同じく、ＩＣチップとはんだバンプ成形後の配線基板とを示す要部断面図。
【符号の説明】
【００７９】
１１，１１ａ，１１ｂ…配線基板
１２…配線基板本体
１３…押圧治具としての上治具
２０…配線基板本体の表面
２２，１１１，１２１…はんだバンプ
２７，１１２，１２２…頂部
２８…フラックス
３０…押圧用粗面
４５…部品としてのＩＣチップ
４６…部品の底面
４７…接続端子
１１３…酸化膜
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、
複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、
平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、
前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程と
を含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することを特徴とする請求項１に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項１または２に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【請求項４】
配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することを特徴とする請求項４に記載のはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項４または５に記載のはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板。
【請求項８】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項７に記載のはんだバンプを有する配線基板。
【請求項９】
配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項１０】
配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、
複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程と、
粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と
を含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フラックスを供給する前の前記複数のはんだバンプは、前記頂部に凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜で覆われており、
前記フラックス供給工程において、前記酸化膜は、前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給することで溶かされる
ことを特徴とする請求項１０に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【請求項１】
配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、
複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程と、
平坦化及び粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と、
前記部品における前記複数の接続端子を、フラックス供給済みの前記複数のはんだバンプに対応させて配置し、この状態で前記複数のはんだバンプを加熱溶融する加熱溶融工程と
を含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することを特徴とする請求項１に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項１または２に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【請求項４】
配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を平坦化及び粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記はんだバンプ成形工程では、押圧用粗面を有する押圧治具を用いて複数のはんだバンプの頂部をその高さが揃うようにプレスすることにより、前記頂部を平坦化すると同時に粗化することを特徴とする請求項４に記載のはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項４または５に記載のはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項７】
頂部が平坦化及び粗化された複数のはんだバンプが配線基板本体の表面上に配置されるとともに、前記頂部のコプラナリティの測定値が１ｃｍ２あたり１０μｍ以下かつ表面粗さＲａが０．３μｍ以上５μｍ以下であることを特徴とするはんだバンプを有する配線基板。
【請求項８】
前記複数のはんだバンプは鉛フリーはんだからなることを特徴とする請求項７に記載のはんだバンプを有する配線基板。
【請求項９】
配線基板本体の表面側に複数のはんだバンプを配置するはんだバンプ配置工程と、前記複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程とを含むことを特徴とするはんだバンプを有する配線基板の製造方法。
【請求項１０】
配線基板本体の表面側に配置された複数のはんだバンプと、部品の底面側に配置された複数の接続端子とが接合された部品付き配線基板の製造方法であって、
複数のはんだバンプの頂部を粗化するはんだバンプ成形工程と、
粗化された前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給するフラックス供給工程と
を含むことを特徴とする部品付き配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記フラックスを供給する前の前記複数のはんだバンプは、前記頂部に凹凸を有するとともに表面全体が酸化膜で覆われており、
前記フラックス供給工程において、前記酸化膜は、前記複数のはんだバンプの前記頂部にフラックスを供給することで溶かされる
ことを特徴とする請求項１０に記載の部品付き配線基板の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００８−２０５４４６（Ｐ２００８−２０５４４６Ａ）
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１１１１０（Ｐ２００８−１１１１０）
【出願日】平成２０年１月２２日（２００８．１．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月４日（２００８．９．４）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１月２２日（２００８．１．２２）
【出願人】（０００００４５４７）日本特殊陶業株式会社 (2,912)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]