基板およびその形成方法および半導体装置
【課題】バンプ形成を行うことで基板内配線を可能とするバンプ付の基板やテープキャリア基板等の基板およびその形成方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、各棒状のリード２ａと半導体チップとを接合するための接合用のバンプ５ａと、内部接続用の複数の十字状のリード２ｂと、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通するための導通用のバンプ５ｂとを備え、内部接続用の十字状のリード２ｂと導通用のバンプとにより任意の外部接続用の棒状のリード２ａ間を導通する基板内配線を形成する。
【解決手段】外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、各棒状のリード２ａと半導体チップとを接合するための接合用のバンプ５ａと、内部接続用の複数の十字状のリード２ｂと、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通するための導通用のバンプ５ｂとを備え、内部接続用の十字状のリード２ｂと導通用のバンプとにより任意の外部接続用の棒状のリード２ａ間を導通する基板内配線を形成する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板およびその形成方法および半導体装置に関し、半導体装置パッケージの基板やテープキャリア基板等の基板に係る技術である。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板に関し、ここでは一例としてバンプ付のテープキャリア基板の形状およびその作成方法について以下に詳細に説明する。図５の（Ａ）〜（Ｆ）は、従来のバンプ付のテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。
【０００３】
先ず、図５（Ａ）に示すように、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成し、その後に暗室工程を経てエッチング工程で電極層のエッチングを行ってテープリード２を形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【０００４】
次に、図５（Ｂ）に示すように、暗室工程においてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、ここではポジ型の感光性レジストについての説明とする。
【０００５】
この感光性レジスト３を形成した後に、図５（Ｃ）に示すように、スリット４を用いて後工程でバンプ５を形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【０００６】
この露光後に、図５（Ｄ）に示すように、現像を行ってバンプ５を形成する部分をなすテープリード２の所定領域のレジストを除去する。この段階でテープリード２はバンプ５を形成する部分以外の領域がレジストで覆われており、バンプ５をめっき方式で形成する際に、テープリード２はバンプ５を形成する部分のみがめっき液に接触する。
【０００７】
次に、図５（Ｅ）に示すように、めっき液をテープリード２に当て、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５を形成する。通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５は通常ＡｕやＣｕで形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
【０００８】
最後に、図５（Ｆ）に示すように、レジストを除去することでバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【特許文献１】特許第３５６５８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図５に示すバンプ付のテープキャリア基板では、以下に示す問題がある。１点目として、図５で示した工法による現状の基板では、テープリードの接合部分、特に他の外部出力の電極部分と接合しようとする部分にしかバンプを形成していない。しかし接合部分のみにしかバンプを形成せず、他の領域を利用しないのはプロセス工程的やコスト的な面から考えても得策では無い。
【００１０】
２点目として、現在、基板上に配線を行うことで、１層分の配線工程を追加する技術の導入をおこなっており、この配線工程に上述したバンプ形成を利用する方法もある。
本発明は、上記した問題点に鑑み、プロセス工程やコスト的な面を考慮し、バンプ形成を行うことで基板内配線を可能とするバンプ付の基板やテープキャリア基板等の基板およびその形成方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の基板は、複数の外部接続用のリードと、各外部接続用のリードと半導体チップとを接合するための接合用のバンプと、複数の内部接続用のリードと、各内部接続用のリードの相互間および前記内部接続用のリードと前記外部接続用のリードとを導通するための導通用のバンプとを備え、前記内部接続用のリードと前記導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間を導通する基板内配線を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間にマトリックス状に配置されたことを特徴とする。
【００１３】
また、前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが十字状のリードからなることを特徴とする。
また、前記外部接続用のリードにおいて、前記接合用のバンプをリード外周縁より内側のリード上面に形成したことを特徴とする。
【００１４】
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間に単列状に配置されるとともに、所定の内部接続用のリードどうしを接合してなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが直状のリードからなることを特徴とする。
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなり、基板両側の棒状のリード間に配置する前記内部接続用のリードが連接された複数の櫛歯状のリードからなり、前記内部接続用のリードが基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードと基板他側の各棒状のリードとが階段状に対向することを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記した何れかの基板を使用し、前記基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプにより前記半導体チップを外部接続用のリードに接合してなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の基板形成方法は、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別的に露光することを特徴とする。
【００１８】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、半導体チップと接合するための接合用のバンプを各棒状のリードのリード外周縁より内側のリード上面に形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光することを特徴とする。
【００１９】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間に複数の直状のリードを単列状に配置し、所定の隣接する直状のリード間を接合させてなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光し、所定数の直状のリードおよびこれらに対向する棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を帯状の開口にて一括して露光することを特徴とする。
【００２０】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の棒状のリード間に配置する連接された複数の櫛歯状のリードからなり、基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードが基板他側の各棒状のリードと階段状に対向する内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の櫛歯状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、内部接続用のリードと導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間に基板内配線を形成することができ、バンプ形成を配線工程に利用することでプロセス工程やコスト的な面において優位な基板内配線を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１の（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。以下に、このテープキャリア基板の製造方法について詳細に説明する。
図１（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【００２４】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００２５】
この際に使用するマスクには、図１（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、テープキャリア基板１の中央部分にマトリックス状に配置する内部接続用の複数の十字状のリード２ｂとからなる。
【００２６】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図１（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、基板の外周部に配置した複数の棒状のリード２ａと、基板の中央部分に配置した複数の十字状のリード２ｂとからなるテープリード２を形成する。
図１（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図１（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００２７】
このマスク４は、図１（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通する導通用のバンプ５ｂを形成する部分が穴状に開口している。
【００２８】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、棒状のリード２ａにおける接合用のバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、任意の十字状のリード２ｂおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が個別に露光される。
【００２９】
したがって、マスク４に形成する穴状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を十字状のリード２ｂとバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。
図１（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図１（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａ、十字状のリード２ｂに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００３０】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図１（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図１（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００３１】
上述した本実施例１におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、任意の棒状のリード２ａの間を電気的に導通するための内部接続用の十字状のリード２ｂおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、十字状のリード２ｂどうしを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂをピンポイントで任意の位置に形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００３２】
本実施例１においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図１（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００３３】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例２】
【００３４】
図２（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例２におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図２（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【００３５】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００３６】
この際に使用するマスクには、図２（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、テープキャリア基板１の中央部分にマトリックス状に配置する内部接続用の複数の十字状のリード２ｂとからなり、棒状のリード２ａは基板の外周部側に拡幅部２ｃを有している。
【００３７】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図２（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、基板の外周部側に拡幅部２ｃを有する複数の棒状のリード２ａと、基板の中央部分に配置した複数の十字状のリード２ｂとからなるテープリード２を形成する。
図２（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図２（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００３８】
このマスク４は、図２（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに形成する部分が穴状に開口するとともに、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通する導通用のバンプ５ｂを形成する部分が穴状に開口している。
【００３９】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃにバンプ５ａを形成するための所定領域と、任意の十字状のリード２ｂおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が個別に露光される。
【００４０】
したがって、マスク４に形成する穴状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を十字状のリード２ｂと導通用のバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。また、接合用のバンプ５ａをテープリード２の棒状のリード２ａの拡幅部２ｃにピンポイントで形成できる。
図２（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図２（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび、十字状のリード２ｂに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００４１】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図２（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図２（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００４２】
上述した本実施例２におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、任意の棒状のリード２ａの間を電気的に導通するための内部接続用の十字状のリード２ｂおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、十字状のリード２ｂどうしを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂをピンポイントで任意の位置に形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００４３】
また、先の実施例１では、棒状のリード２ａに対してスリット状の露光およびレジストの除去を行ったので、接合用のバンプ５ａがその配列方向へ横に広がり、バンプどうしがショートする恐れがあったが、本実施例２では、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに対してピンポイントの露光およびレジストの除去を行うことによって、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに接合用のバンプ５ａがピンポイントで形成され、バンプ５ａどうしがショートする恐れが無くなる効果を奏する。
【００４４】
本実施例２においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図２（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００４５】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例３】
【００４６】
図３（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例３におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図３（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【００４７】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００４８】
この際に使用するマスクには、図３（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａが基板の中央部へ向けて延び、相対向する棒状のリード２ａの間に所定間隙を介して形成する内部接続用の直状のリード２ｄを基板の中央部に単列状に配置し、所定の隣接する棒状のリード２ａの間および所定の隣接する直状のリード２ｄの間を導通部２ｅで接合してなる。
【００４９】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図３（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、複数の棒状のリード２ａ、直状のリード２ｄ、導通部２ｅからなるテープリード２を形成する。
図３（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図３（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００５０】
このマスク４は、図３（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、棒状のリード２ａと直状のリード２ｄの間を電気的に導通させるための導通用のバンプ５ｂを形成する部分が帯状に開口している。
【００５１】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、複数の棒状のリード２ａにおけるバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、所定数の棒状のリード２ａおよびこれらに対向する直状のリード２ｄにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が一括して露光される。
【００５２】
したがって、マスク４に形成する帯状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を直状のリード２ｄとバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。
図３（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図３（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび直状のリード２ｄに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００５３】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図３（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図３（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００５４】
上述した本実施例３におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、内部接続用の直状のリード２ｄおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、任意の棒状のリード２ａと直状のリード２ｄを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂを形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００５５】
また、先の実施例１では、十字状のリード２ｂに対して穴状の開口での露光およびレジストの除去を行って十字状のリード２ｂどうしを導通するバンプ５ｂをピンポイントで形成するので、露光工程でマスクの穴状の開口の位置が少しでもズレるとバンプ５の異常成長してバンプ５ｂが狙った部分以外に形成される恐れがあったが、本実施例３では、棒状のリード２ａおよび直状のリード２ｄに対して帯状の開口での露光およびレジストの除去を行うことによって、多少の露光ズレは吸収することが可能になり、露光ズレによるバンプ５ｂの異常成長の対策を行える。更に付け加えれば、マスク４が帯状に開口することで露光マージンが存在し、それほど精度の高いマスクや露光装置を使う必要が無いので、コスト的なメリットも発生する。
【００５６】
本実施例３においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図３（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００５７】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例４】
【００５８】
図４（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例４におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図４（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【００５９】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００６０】
この際に使用するマスクには、図４（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａが基板の中央部へ向けて延び、基板の中央部に配置する内部接続用のリードが相対向する棒状のリード２ａの間に配置する連接された複数の櫛歯状のリード２ｆからなり、内部接続用のリードが基板一側の何れか一つの棒状のリード２ａに接合し、かつ各櫛歯状のリード２ｆと基板他側の各棒状のリード２ａとが階段状に長さを違えて対向している。
【００６１】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図４（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、複数の棒状のリード２ａ、櫛歯状のリード２ｆからなるテープリード２を形成する。
図４（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図４（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００６２】
このマスク４は、図４（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、棒状のリード２ａと櫛歯状のリード２ｆを電気的に導通させるための導通用のバンプ５ｂを形成する部分もスリット状に開口している。
【００６３】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、複数の棒状のリード２ａにおける接合用のバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、複数の櫛歯状のリード２ｆおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が全体的に露光される。
【００６４】
したがって、マスク４に形成するスリット状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を、櫛歯状のリード２ｆと導通用のバンプｂによって形成する配線形状によって自在に変更することができる。
図４（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図４（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび櫛歯状のリード２ｆに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００６５】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図４（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図４（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００６６】
上述した本実施例４におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、内部接続用の櫛歯状のリード２ｆおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、接続する棒状のリード２ａの組み合わせが容易に変更できるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００６７】
また、先の実施例１では、十字状のリード２ｂに対して穴状の開口での露光およびレジストの除去を行って十字状のリード２ｂどうしを導通するバンプ５ｂをピンポイントで形成するので、露光工程でマスクの穴状の開口の位置が少しでもズレるとバンプ５の異常成長してバンプ５ｂが狙った部分以外に形成される恐れがあったが、本実施例４では、棒状のリード２ａおよび櫛歯状のリード２ｆに対してスリット状の開口での露光およびレジストの除去を行うことによって、露光ズレを容易に吸収することが可能になり、露光ズレによるバンプ５ｂの異常成長の対策を行える。
【００６８】
本実施例４においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図４（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００６９】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は半導体装置の基板やテープキャリア基板、この基板やテープキャリア基板の形成方法およびこの基板やテープキャリア基板を使用した半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図４】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は従来のテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【符号の説明】
【００７２】
１ テープキャリア基板
２ テープリード
２ａ 棒状のリード
２ｂ 十字状のリード
２ｃ 拡幅部
２ｄ 直状のリード
２ｅ 導通部
２ｆ 櫛歯状のリード
３ 感光性レジスト
４ マスク
５ａ、５ｂ バンプ
【技術分野】
【０００１】
本発明は基板およびその形成方法および半導体装置に関し、半導体装置パッケージの基板やテープキャリア基板等の基板に係る技術である。
【背景技術】
【０００２】
この種の基板に関し、ここでは一例としてバンプ付のテープキャリア基板の形状およびその作成方法について以下に詳細に説明する。図５の（Ａ）〜（Ｆ）は、従来のバンプ付のテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。
【０００３】
先ず、図５（Ａ）に示すように、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成し、その後に暗室工程を経てエッチング工程で電極層のエッチングを行ってテープリード２を形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【０００４】
次に、図５（Ｂ）に示すように、暗室工程においてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、ここではポジ型の感光性レジストについての説明とする。
【０００５】
この感光性レジスト３を形成した後に、図５（Ｃ）に示すように、スリット４を用いて後工程でバンプ５を形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【０００６】
この露光後に、図５（Ｄ）に示すように、現像を行ってバンプ５を形成する部分をなすテープリード２の所定領域のレジストを除去する。この段階でテープリード２はバンプ５を形成する部分以外の領域がレジストで覆われており、バンプ５をめっき方式で形成する際に、テープリード２はバンプ５を形成する部分のみがめっき液に接触する。
【０００７】
次に、図５（Ｅ）に示すように、めっき液をテープリード２に当て、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５を形成する。通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５は通常ＡｕやＣｕで形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
【０００８】
最後に、図５（Ｆ）に示すように、レジストを除去することでバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【特許文献１】特許第３５６５８３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図５に示すバンプ付のテープキャリア基板では、以下に示す問題がある。１点目として、図５で示した工法による現状の基板では、テープリードの接合部分、特に他の外部出力の電極部分と接合しようとする部分にしかバンプを形成していない。しかし接合部分のみにしかバンプを形成せず、他の領域を利用しないのはプロセス工程的やコスト的な面から考えても得策では無い。
【００１０】
２点目として、現在、基板上に配線を行うことで、１層分の配線工程を追加する技術の導入をおこなっており、この配線工程に上述したバンプ形成を利用する方法もある。
本発明は、上記した問題点に鑑み、プロセス工程やコスト的な面を考慮し、バンプ形成を行うことで基板内配線を可能とするバンプ付の基板やテープキャリア基板等の基板およびその形成方法および半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の基板は、複数の外部接続用のリードと、各外部接続用のリードと半導体チップとを接合するための接合用のバンプと、複数の内部接続用のリードと、各内部接続用のリードの相互間および前記内部接続用のリードと前記外部接続用のリードとを導通するための導通用のバンプとを備え、前記内部接続用のリードと前記導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間を導通する基板内配線を形成することを特徴とする。
【００１２】
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間にマトリックス状に配置されたことを特徴とする。
【００１３】
また、前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが十字状のリードからなることを特徴とする。
また、前記外部接続用のリードにおいて、前記接合用のバンプをリード外周縁より内側のリード上面に形成したことを特徴とする。
【００１４】
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間に単列状に配置されるとともに、所定の内部接続用のリードどうしを接合してなることを特徴とする。
【００１５】
また、前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが直状のリードからなることを特徴とする。
また、前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなり、基板両側の棒状のリード間に配置する前記内部接続用のリードが連接された複数の櫛歯状のリードからなり、前記内部接続用のリードが基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードと基板他側の各棒状のリードとが階段状に対向することを特徴とする。
【００１６】
本発明の半導体装置は、上記した何れかの基板を使用し、前記基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプにより前記半導体チップを外部接続用のリードに接合してなることを特徴とする。
【００１７】
本発明の基板形成方法は、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別的に露光することを特徴とする。
【００１８】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、半導体チップと接合するための接合用のバンプを各棒状のリードのリード外周縁より内側のリード上面に形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光することを特徴とする。
【００１９】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間に複数の直状のリードを単列状に配置し、所定の隣接する直状のリード間を接合させてなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光し、所定数の直状のリードおよびこれらに対向する棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を帯状の開口にて一括して露光することを特徴とする。
【００２０】
また、基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の棒状のリード間に配置する連接された複数の櫛歯状のリードからなり、基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードが基板他側の各棒状のリードと階段状に対向する内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の櫛歯状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、内部接続用のリードと導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間に基板内配線を形成することができ、バンプ形成を配線工程に利用することでプロセス工程やコスト的な面において優位な基板内配線を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【００２３】
図１の（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。以下に、このテープキャリア基板の製造方法について詳細に説明する。
図１（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【００２４】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００２５】
この際に使用するマスクには、図１（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、テープキャリア基板１の中央部分にマトリックス状に配置する内部接続用の複数の十字状のリード２ｂとからなる。
【００２６】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図１（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、基板の外周部に配置した複数の棒状のリード２ａと、基板の中央部分に配置した複数の十字状のリード２ｂとからなるテープリード２を形成する。
図１（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図１（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００２７】
このマスク４は、図１（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通する導通用のバンプ５ｂを形成する部分が穴状に開口している。
【００２８】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、棒状のリード２ａにおける接合用のバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、任意の十字状のリード２ｂおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が個別に露光される。
【００２９】
したがって、マスク４に形成する穴状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を十字状のリード２ｂとバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。
図１（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図１（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａ、十字状のリード２ｂに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００３０】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図１（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図１（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００３１】
上述した本実施例１におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、任意の棒状のリード２ａの間を電気的に導通するための内部接続用の十字状のリード２ｂおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、十字状のリード２ｂどうしを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂをピンポイントで任意の位置に形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００３２】
本実施例１においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図１（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００３３】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例２】
【００３４】
図２（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例２におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図２（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造をなすベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性物質であるＣｕが広く用いられている。
【００３５】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００３６】
この際に使用するマスクには、図２（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａと、テープキャリア基板１の中央部分にマトリックス状に配置する内部接続用の複数の十字状のリード２ｂとからなり、棒状のリード２ａは基板の外周部側に拡幅部２ｃを有している。
【００３７】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図２（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、基板の外周部側に拡幅部２ｃを有する複数の棒状のリード２ａと、基板の中央部分に配置した複数の十字状のリード２ｂとからなるテープリード２を形成する。
図２（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図２（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００３８】
このマスク４は、図２（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに形成する部分が穴状に開口するとともに、各十字状のリード２ｂの相互間および十字状のリード２ｂと棒状のリード２ａとを導通する導通用のバンプ５ｂを形成する部分が穴状に開口している。
【００３９】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃにバンプ５ａを形成するための所定領域と、任意の十字状のリード２ｂおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が個別に露光される。
【００４０】
したがって、マスク４に形成する穴状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を十字状のリード２ｂと導通用のバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。また、接合用のバンプ５ａをテープリード２の棒状のリード２ａの拡幅部２ｃにピンポイントで形成できる。
図２（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図２（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび、十字状のリード２ｂに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００４１】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図２（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図２（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００４２】
上述した本実施例２におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、任意の棒状のリード２ａの間を電気的に導通するための内部接続用の十字状のリード２ｂおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、十字状のリード２ｂどうしを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂをピンポイントで任意の位置に形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００４３】
また、先の実施例１では、棒状のリード２ａに対してスリット状の露光およびレジストの除去を行ったので、接合用のバンプ５ａがその配列方向へ横に広がり、バンプどうしがショートする恐れがあったが、本実施例２では、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに対してピンポイントの露光およびレジストの除去を行うことによって、棒状のリード２ａの拡幅部２ｃに接合用のバンプ５ａがピンポイントで形成され、バンプ５ａどうしがショートする恐れが無くなる効果を奏する。
【００４４】
本実施例２においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図２（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００４５】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例３】
【００４６】
図３（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例３におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図３（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【００４７】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００４８】
この際に使用するマスクには、図３（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａが基板の中央部へ向けて延び、相対向する棒状のリード２ａの間に所定間隙を介して形成する内部接続用の直状のリード２ｄを基板の中央部に単列状に配置し、所定の隣接する棒状のリード２ａの間および所定の隣接する直状のリード２ｄの間を導通部２ｅで接合してなる。
【００４９】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図３（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、複数の棒状のリード２ａ、直状のリード２ｄ、導通部２ｅからなるテープリード２を形成する。
図３（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図３（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００５０】
このマスク４は、図３（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、棒状のリード２ａと直状のリード２ｄの間を電気的に導通させるための導通用のバンプ５ｂを形成する部分が帯状に開口している。
【００５１】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、複数の棒状のリード２ａにおけるバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、所定数の棒状のリード２ａおよびこれらに対向する直状のリード２ｄにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が一括して露光される。
【００５２】
したがって、マスク４に形成する帯状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を直状のリード２ｄとバンプ５ｂによって任意の形状に自在に形成することができる。
図３（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図３（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび直状のリード２ｄに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００５３】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図３（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図３（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００５４】
上述した本実施例３におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、内部接続用の直状のリード２ｄおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、任意の棒状のリード２ａと直状のリード２ｄを電気的に導通する導通用のバンプ５ｂを形成することが可能であるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００５５】
また、先の実施例１では、十字状のリード２ｂに対して穴状の開口での露光およびレジストの除去を行って十字状のリード２ｂどうしを導通するバンプ５ｂをピンポイントで形成するので、露光工程でマスクの穴状の開口の位置が少しでもズレるとバンプ５の異常成長してバンプ５ｂが狙った部分以外に形成される恐れがあったが、本実施例３では、棒状のリード２ａおよび直状のリード２ｄに対して帯状の開口での露光およびレジストの除去を行うことによって、多少の露光ズレは吸収することが可能になり、露光ズレによるバンプ５ｂの異常成長の対策を行える。更に付け加えれば、マスク４が帯状に開口することで露光マージンが存在し、それほど精度の高いマスクや露光装置を使う必要が無いので、コスト的なメリットも発生する。
【００５６】
本実施例３においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図３（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００５７】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【実施例４】
【００５８】
図４（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明の実施例４におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図である。このテープキャリア基板の製造方法は、実施例１と基本的には同様であるが、相違点を含めて再度の説明を行う。
図４（Ａ）の工程
まず、ポリイミド製のテープキャリア基板１と電極層の２層構造になっているベースのテープを形成する。通常、電極層は導電性のある物質のＣｕが広く用いられている。
【００５９】
次に、テープキャリア基板１のテープ上面の全体に感光性の電極エッチングレジストを印刷方法などにより形成する。その後に、マスク（露光）、現像工程を経ることでテープリード２を形成する部分以外のレジストの除去を行う。
【００６０】
この際に使用するマスクには、図４（Ａ）に示すテープリード２の形状をパターニングしており、テープリード２の形状は、テープキャリア基板１の外周部に配置する外部接続用の複数の棒状のリード２ａが基板の中央部へ向けて延び、基板の中央部に配置する内部接続用のリードが相対向する棒状のリード２ａの間に配置する連接された複数の櫛歯状のリード２ｆからなり、内部接続用のリードが基板一側の何れか一つの棒状のリード２ａに接合し、かつ各櫛歯状のリード２ｆと基板他側の各棒状のリード２ａとが階段状に長さを違えて対向している。
【００６１】
次に、エッチング工程で電極層のエッチングを行って上述した形状にテープリード２をパターニングし、その後、不要となった電極エッチングレジストの除去を行う。
以上の工程を経て、図４（Ａ）に示すように、テープキャリア基板１の表面に、複数の棒状のリード２ａ、櫛歯状のリード２ｆからなるテープリード２を形成する。
図４（Ｂ）の工程
先の工程で、テープリード２を形成したテープキャリア基板１に対し、暗室工程にてテープキャリア基板１の全面に感光性レジスト３を形成する。通常、この感光性レジスト３は印刷方式で形成を行う。感光性レジスト３にはポジ型、ネガ型の二種類があるが、本実施例においてはポジ型の感光性レジスト３についての説明とする。
図４（Ｃ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３を形成したテープキャリア基板１に対し、マスク４を用いて、後工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する部分をなすテープリード２の所定領域以外を覆って露光を行う。
【００６２】
このマスク４は、図４（Ｃ）に示すように、後工程の組立工程で半導体チップの電極と接合させる接合用のバンプ５ａを棒状のリード２ａに形成する部分がスリット状に開口し、棒状のリード２ａと櫛歯状のリード２ｆを電気的に導通させるための導通用のバンプ５ｂを形成する部分もスリット状に開口している。
【００６３】
このマスク４を用いることで、テープリード２を覆う感光性レジスト３は、複数の棒状のリード２ａにおける接合用のバンプ５ａを形成するための所定領域が全体的に露光され、複数の櫛歯状のリード２ｆおよび棒状のリード２ａにおける導通用のバンプ５ｂを形成する所定領域が全体的に露光される。
【００６４】
したがって、マスク４に形成するスリット状の開口の配置パターンを調整することにより、任意の棒状のリード２ａどうしを電気的に導通するための配線を、櫛歯状のリード２ｆと導通用のバンプｂによって形成する配線形状によって自在に変更することができる。
図４（Ｄ）の工程
先の工程で、感光性レジスト３の所定領域を露光したテープキャリア基板１を現像し、バンプ５ａ、５ｂを形成する部分においてテープリード２上のレジストを除去する。
図４（Ｅ）の工程
先の工程で、所定領域の感光性レジスト３を除去したテープキャリア基板１に対して、めっき工程でバンプ５ａ、５ｂを形成する。このめっき工程では、めっき液をテープリード２の棒状のリード２ａおよび櫛歯状のリード２ｆに当てるとともに、加えてテープリード２に電流を供給することでバンプ５ａ、５ｂを形成する。
【００６５】
通常、めっき方式には電解めっきを用いる。バンプ５ａ、５ｂは通常ＡｕやＣｕを用いて形成する。また、ある程度の硬度が必要ならばＮｉを混ぜる方法もある。
図４（Ｆ）の工程
最後に、不要のレジストを除去することで、図４（Ｆ）に示すバンプ付のテープキャリア基板が完成する。
【００６６】
上述した本実施例４におけるバンプ付のテープキャリア基板によれば、接合用のバンプ５ａを形成する棒状のリード２ａ、内部接続用の櫛歯状のリード２ｆおよび導通用のバンプ５ｂを備えることで基板内配線が可能であるとともに、接続する棒状のリード２ａの組み合わせが容易に変更できるので、配線形成に十分な融通性を確保できる。
【００６７】
また、先の実施例１では、十字状のリード２ｂに対して穴状の開口での露光およびレジストの除去を行って十字状のリード２ｂどうしを導通するバンプ５ｂをピンポイントで形成するので、露光工程でマスクの穴状の開口の位置が少しでもズレるとバンプ５の異常成長してバンプ５ｂが狙った部分以外に形成される恐れがあったが、本実施例４では、棒状のリード２ａおよび櫛歯状のリード２ｆに対してスリット状の開口での露光およびレジストの除去を行うことによって、露光ズレを容易に吸収することが可能になり、露光ズレによるバンプ５ｂの異常成長の対策を行える。
【００６８】
本実施例４においては、テープキャリア基板について説明したが、本発明は半導体パッケージの基板の製造方法においても適用可能であり、テープキャリア基板１を半導体パッケージ基板、テープリード２を配線に置き換えれば基本プロセスは図４（Ａ）〜（Ｆ）に示した方法と同様である。
【００６９】
そして、本発明の半導体装置は、この半導体パッケージの基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプ５ａにより半導体チップの電極を外部接続用のリードをなす棒状リード２ａに接合してなる。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
本発明は半導体装置の基板やテープキャリア基板、この基板やテープキャリア基板の形成方法およびこの基板やテープキャリア基板を使用した半導体装置として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図２】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図４】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明の実施例１におけるテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は従来のテープキャリア基板の製造工程のフローを示す平面図
【符号の説明】
【００７２】
１ テープキャリア基板
２ テープリード
２ａ 棒状のリード
２ｂ 十字状のリード
２ｃ 拡幅部
２ｄ 直状のリード
２ｅ 導通部
２ｆ 櫛歯状のリード
３ 感光性レジスト
４ マスク
５ａ、５ｂ バンプ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の外部接続用のリードと、各外部接続用のリードと半導体チップとを接合するための接合用のバンプと、複数の内部接続用のリードと、各内部接続用のリードの相互間および前記内部接続用のリードと前記外部接続用のリードとを導通するための導通用のバンプとを備え、前記内部接続用のリードと前記導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間を導通する基板内配線を形成することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間にマトリックス状に配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが十字状のリードからなることを特徴とする請求項２記載の基板。
【請求項４】
前記外部接続用のリードにおいて、前記接合用のバンプをリード外周縁より内側のリード上面に形成したことを特徴とする請求項２又は３記載の基板。
【請求項５】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間に単列状に配置されるとともに、所定の内部接続用のリードどうしを接合してなることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項６】
前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが直状のリードからなることを特徴とする請求項５記載の基板。
【請求項７】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなり、基板両側の棒状のリード間に配置する前記内部接続用のリードが連接された複数の櫛歯状のリードからなり、前記内部接続用のリードが基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードと基板他側の各棒状のリードとが階段状に対向することを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項記載の基板を使用し、前記基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプにより前記半導体チップを外部接続用のリードに接合してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別的に露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１０】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、半導体チップと接合するための接合用のバンプを各棒状のリードのリード外周縁より内側のリード上面に形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１１】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間に複数の直状のリードを単列状に配置し、所定の隣接する直状のリード間を接合させてなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光し、所定数の直状のリードおよびこれらに対向する棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を帯状の開口にて一括して露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１２】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の棒状のリード間に配置する連接された複数の櫛歯状のリードからなり、基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードが基板他側の各棒状のリードと階段状に対向する内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の櫛歯状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１】
複数の外部接続用のリードと、各外部接続用のリードと半導体チップとを接合するための接合用のバンプと、複数の内部接続用のリードと、各内部接続用のリードの相互間および前記内部接続用のリードと前記外部接続用のリードとを導通するための導通用のバンプとを備え、前記内部接続用のリードと前記導通用のバンプとにより任意の外部接続用のリード間を導通する基板内配線を形成することを特徴とする基板。
【請求項２】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間にマトリックス状に配置されたことを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項３】
前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが十字状のリードからなることを特徴とする請求項２記載の基板。
【請求項４】
前記外部接続用のリードにおいて、前記接合用のバンプをリード外周縁より内側のリード上面に形成したことを特徴とする請求項２又は３記載の基板。
【請求項５】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置され、前記内部接続用のリードが基板両側の前記外部接続用のリード間に単列状に配置されるとともに、所定の内部接続用のリードどうしを接合してなることを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項６】
前記外部接続用のリードが棒状のリードからなり、前記内部接続用のリードが直状のリードからなることを特徴とする請求項５記載の基板。
【請求項７】
前記外部接続用のリードが基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなり、基板両側の棒状のリード間に配置する前記内部接続用のリードが連接された複数の櫛歯状のリードからなり、前記内部接続用のリードが基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードと基板他側の各棒状のリードとが階段状に対向することを特徴とする請求項１記載の基板。
【請求項８】
請求項１から７の何れか１項記載の基板を使用し、前記基板上に半導体チップを搭載し、接合用のバンプにより前記半導体チップを外部接続用のリードに接合してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別的に露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１０】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間にマトリックス状に配置する複数の十字状のリードからなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、半導体チップと接合するための接合用のバンプを各棒状のリードのリード外周縁より内側のリード上面に形成し、各十字状のリードの相互間および前記十字状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記十字状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光するとともに、複数の十字状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を穴状の開口にて個別に露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１１】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の前記棒状のリード間に複数の直状のリードを単列状に配置し、所定の隣接する直状のリード間を接合させてなる内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記直状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光し、所定数の直状のリードおよびこれらに対向する棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域を帯状の開口にて一括して露光することを特徴とする基板形成方法。
【請求項１２】
基板両側の外周部に沿って配置する複数の棒状のリードからなる外部接続用のリードと、基板両側の棒状のリード間に配置する連接された複数の櫛歯状のリードからなり、基板一側の何れかの棒状のリードに接合し、かつ各櫛歯状のリードが基板他側の各棒状のリードと階段状に対向する内部接続用のリードとを基板面上に形成し、各棒状のリードに半導体チップと接合するための接合用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記棒状のリードとを導通する導通用のバンプを形成し、前記櫛歯状のリードと前記導通用のバンプとにより任意の棒状のリード間に基板内配線を形成するものであって、前記接合用のバンプおよび前記導通用のバンプを形成する工程において基板面を覆って形成したレジストに対してマスクを通して露光するのに際し、複数の棒状のリードにおける前記接合用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光するとともに、複数の櫛歯状のリードおよび棒状のリードにおける前記導通用のバンプを形成する所定領域をスリット状の開口にて全体的に露光することを特徴とする基板形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００７−１４９７１４（Ｐ２００７−１４９７１４Ａ）
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３３７９２４（Ｐ２００５−３３７９２４）
【出願日】平成１７年１１月２４日（２００５．１１．２４）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月１４日（２００７．６．１４）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月２４日（２００５．１１．２４）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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