【課題】樹脂フィルム内での気泡の発生を抑制できるようにした半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置、押圧治具、樹脂フィルムの提供を目的とする。
【解決手段】ＩＣチップ１をインターポーザ５にフリップチップ実装する実装装置１００であって、インターポーザ５の表面にＡＣＦ３の下面を接着する接着ツール３０と、ＡＣＦ３の上面に平面視で放射状の溝部を形成する溝形成ツール４０と、放射状の溝部が形成されたＡＣＦ３の上面にＩＣチップ１を押し当てて、ＩＣチップ１をインターポーザ５に実装する熱圧着ツール５０と、を備える。熱圧着工程で、ＩＣチップ１とＡＣＦ３との間から放射状の溝部を通して空気を効率良く排出することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の狭ピッチ化が可能で、かつ、信頼性の高い電子機器を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子機器の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された複数の配線１２と、を有する配線基板を用意する工程と、複数の導電部２２を有する電子部品を用意する工程と、配線１２の第１の面と導電部２２とを対向させて電気的に接続する工程と、ベース基板１０を部分的に除去して、配線１２の第１の面とは反対側を向く第２の面１３における少なくとも導電部２２とオーバーラップする部分を露出させる工程と、ベース基板１０よりも吸湿性の低い材料を利用して、第２の面１３におけるベース基板１０からの露出部１５を覆う被覆部４０を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】放射状に延伸されたリード電極と突出電極との間のクリアランスを増加させる。
【解決手段】千鳥配列された内側の突出電極４２ａの配列に対して、外側の突出電極４２ｂ'を片寄らせて配列し、外側の突出電極４２ｂ'の位置を突出電極４２ｂ''の位置にずらすとともに、突出電極４２ａ、４２ｂの接合面を正方形とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的接続の信頼性と耐衝撃性とを向上させる。
【解決手段】携帯電話機用のＲＦパワーモジュール１は、配線基板３の上面３ａに、半導体チップ２が半田バンプ５を介してフリップチップ実装され、受動部品４が半田１７を介して実装されている。半田バンプ５間には、低弾性のシリコーン樹脂からなる第１樹脂部６が充填され、更に、半導体チップ２の側面と配線基板３の上面３ａとの間を固定する第２樹脂部７が、第１樹脂部６よりも高弾性率のエポキシ樹脂からなる第２樹脂部７が形成されている。低弾性の第１樹脂部６により、ＲＦパワーモジュール１の２次実装時の半田バンプ５の再溶融による体積膨張に起因した端子間の短絡を防止し、高弾性の第２樹脂部７により、耐衝撃性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子搭載領域に樹脂保護膜の開口部を有する配線基板に対し、半導体素子をフリップチップ実装した半導体装置であって、樹脂保護膜の開口部内に存在する表層配線の強度と絶縁性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】封止樹脂シートを樹脂保護膜３の開口部の大きさより大きくカットして、開口部を覆うように貼り付け、半導体素子５をフリップチップ実装する際に、封止樹脂シート７の樹脂を流動させ、樹脂保護膜３の開口部内に隙間なく充填する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ハンダ等による電気的導通の確実性の向上、高密度実装の達成、短サイクル時間、ボイドフリー実装、基板の反りの低減等を解決することを目的とする。
【解決手段】 金属バンプが形成された電子部品２６の実装方法であって、基板２１上に熱硬化性樹脂３０を塗布する工程と、前記電子部品２６を加熱圧着装置２７に保持した状態で、この方法における最高温度まで加熱する工程と、前記最高温度にて、前記電子部品のバンプ２９を前記基板の電極２２に押し付ける接合工程と、この状態を保ちながら、前記最高温度から最終温度まで温度を低下させ、その間に前記熱硬化性樹脂３０を硬化させる樹脂硬化工程と、最終温度に達したときに、前記加熱圧着装置２７を電子部品２６から離す工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】バンプを介して２つの基板を実装する際に、バンプに位置ずれを生じず、且つ接続部に非導電性接着材を挟み込まない実装方法、及びその実装方法で実装された半導体装置を提供する。
【解決手段】第１、第２の基板１０、１１の一面側に設けられた第１、第２の電極パッド２０、２１の少なくとも一方にバンプ３０を形成する第１の工程と、バンプ３０が形成された第１、第２の基板１０、１１の一面側に、バンプ３０の高さよりも薄い厚みを有する非導電性接着材４０を、バンプ３０の先端部が突出するように配置する第２の工程と、第１、第２の基板１０、１１の少なくとも一方に超音波振動を与え、非導電性接着材４０を介して第１、第２の基板１０、１１の一面側を対向して圧着し、バンプ３０同士、若しくはバンプ３０とバンプが形成されていない第１又は第２の電極パッド２０、２１とが超音波振動の摩擦によって接続する第３の工程と、を含んで実装する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをフリップチップ実装する場合の実装の信頼性が良好である実装基板と、当該実装基板に半導体チップが実装されてなる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップをフリップチップ実装する実装基板であって、前記半導体チップが接続される複数の接続パッドと、前記接続パッドの一部を覆うように形成される絶縁パターンと前記半導体チップの下に浸透されるアンダーフィルの流れを制御する複数のダミーパターンと、を有し、前記複数のダミーパターンが、互い違いの格子状に配列されていることを特徴とする実装基板。 （もっと読む）

【課題】 フリップチップ接続が終了した後において半導体チップと配線基板間にアンダーフィル樹脂層を形成し、これを硬化させた後でも配線基板や半導体チップの反り上がり、接続部の破断が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 チップ搭載エリアを有する配線基板の複数個から構成された基板９を上面が真空吸着面となるステージ１の上面に吸着させる工程と、ステージ１により保持された基板９の前記チップ搭載エリア１４に半導体チップを搭載して基板９に半導体チップをフリップチップ接続する工程と、その後基板９を真空吸着により保持した状態でステージ１上で基板９と半導体チップ間に液状樹脂１２を流し込む工程と、基板１を真空吸着により保持した状態でステージ１上で流し込んだ液状樹脂１２を加熱硬化させてアンダーフィル樹脂層１５を形成する工程とを行う。その後チップの積層、ボンディングワイヤ、樹脂封止等を行う。 （もっと読む）

本発明は、接続する電子部品の上・下接続部の電極を整列する段階、
前記上・下接続部の電極の間に存在する接着剤に超音波エネルギーを印加して硬化する段階を包含することを特徴とする電子部品間の接続方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】フラックスを使用せずに良好な接続が得られ、はんだバンプの電子部品電極への接触面積を常に一定になるように制御でき、リフロー時のバンプ間ショートが起きず、接続部の信頼性が高い半導体バンプ接続構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の電子部品の電極２と第２の電子部品の電極６とをはんだバンプ３により接続するフリップチップ接続構造体において、はんだバンプ３の電極２及び電極６との接合界面に金属化合物層４及び７が形成されており、はんだバンプ３の側面には第１の電子部品側及び第２の電子部品側の少なくとも一方の接合部における金属間化合物層に隣接するはんだ母相側の位置でくびれ１０が形成されている。このくびれ１０によって熱膨張係数差により発生する応力がはんだ母相側で緩和される。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子機器及びこれを効率よく製造する方法、並びに、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を提供する。
【解決手段】電子機器の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された、電気的接続部１４を有する配線パターン１２と、配線パターン１２を部分的に覆うレジスト層１６とを含む配線基板１００を用意する工程と、導電部３２を有する電子部品３０と配線基板１００とを、樹脂材料４０を介して対向させる工程と、配線基板１００と電子部品３０とを近接させて、電気的接続部１４と導電部３２とを対向させて電気的に接続する工程と、樹脂材料４０を硬化させて樹脂部４５を形成する工程とを含む。レジスト層１６は、電気的接続部１４の上端面１５を露出させるように、かつ、電気的接続部１４の側面１７の少なくとも基端部を覆うように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品の小型化や高密度実装によってもリークやショートなどを引き起こすことが無く、かつ導電性を充分に確保しつつ導電粒子を効率的に利用可能な異方性導電材を有する電子部品実装基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 異方性導電材１８、１８‥、１８‥は、電子部品１７の電気接点１７ａと、導電膜１２とが電気的にコンタクトされる位置に開口穴１６を形成し、この開口穴１６を埋めるように形成される。これにより、電子部品１７は、異方性導電材１８、１８‥、１８‥を介して導電膜１２の所定位置に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】上層再配線を有する半導体装置の製造方法に際し、上層再配線を電解メッキ以外の方法で形成して、工程数を低減する。
【解決手段】ベース板１の上面中央部にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体２を接着層３を介して接着する。ベース板１の上面には樹脂からなる矩形枠状の絶縁層１４をその上面が半導体構成体２の上面とほぼ面一となるように形成する。半導体構成体２および絶縁層１４の上面にはプリプレグ材からなる絶縁膜１５をその上面を平坦として形成する。絶縁膜１５の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線１６を形成する。この場合、上層再配線１６の下面に一体的に形成された裁頭円錐形状の突起電極１７は、絶縁膜１５に食い込むように柱状電極１２の上面中央部に接続する。 （もっと読む）

【課題】角速度検出用のセンサチップと回路チップとが積層されバンプ接続されてなるセンサ装置において、センサチップのセンシング部を樹脂フィルムで覆いつつ回路チップに対向させた場合に、センサチップと樹脂フィルムとの線膨張係数の差によるセンサチップの変形を抑制する。
【解決手段】半導体チップとしてのセンサチップ１０を、センシング部としての振動体１１を回路チップ２０の一面に対向させた状態でバンプ４０を介して回路チップ２０に積層し、センサチップ１０の一面に、振動体１１を被覆する樹脂よりなる第１のフィルム５１を接合し、センサチップ１０における一面とは反対側の他面に、樹脂よりなる第２のフィルム５２を接合した。 （もっと読む）

【課題】 接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路板の製造を可能とする接着剤を提供する。
【解決手段】 フェノキシ樹脂、アクリルゴムを酢酸エチルに溶解し溶液を得た。マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシこの溶液に加え、撹拌し、溶融シリカ、ニッケル粒子フィルム塗工用溶液を得、溶液から接着フィルムを作製した。接着フィルムをＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板に貼付けチップを対向し、チップのバンプとＮｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板の位置あわせを行い、加熱、加圧を行い接続を行う。 （もっと読む）

【課題】本発明によれば、半導体チップの仮搭載時において空気巻き込みが少なく、作業性や信頼性にすぐれたプリアプライド用封止樹脂組成物を提供することができる。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物であって、Ｂ−ステージ化後のタック値が０ｇｆ／５ｍｍφ以上５ｇｆ／５ｍｍφ以下であり、かつ、１３０℃における溶融粘度が０．０１Ｐａ・ｓ以上１．０Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とするプリアプライド用封止樹脂組成物を用いる。
なし （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】複数の基板側端子１２ａを有する配線基板３の半導体チップ２搭載予定領域に、フィラーを３０〜５０重量％含有しフラックス活性機能を有する樹脂２２を供給してから、複数の半田バンプ２ａを有する半導体チップ２を配線基板３上に配置した後、熱処理を行う。この熱処理により半田リフローと樹脂２２の硬化が行われ、半導体チップ２の半田バンプ２ａと配線基板３の基板側端子１２ａとが接続される。この熱処理の際には、半田バンプ２ａが溶融している間、棒状の部材２４で半導体チップ２の裏面２ｂを押すことによって半導体チップ２に荷重を印加する。 （もっと読む）

本発明は、それぞれキャリア基板上に大規模集積回路（「ＬＳＩ」）などの半導体チップを有する、チップサイズまたはチップスケールパッケージ（「ＣＳＰ」）、ボールグリッドアレイ（「ＢＧＡ」）、ランドグリッドアレイ（「ＬＧＡ」）などの半導体デバイスを、回路基板上へ取り付けるのに有用な熱硬化性樹脂組成物に関する。同様に、これらの組成物は、半導体チップ自体を、回路基板上へ取り付けるのにも有用である。適切な条件下にあるとき、本発明の組成物の反応生成物は、制御可能にリワークすることができる。また、多くの市販の急速硬化型アンダーフィル封止剤（「スナップ硬化（ｓｎａｐ ｃｕｒｅ）アンダーフィル」）と異なり、本発明の組成物は、発熱量が３００Ｊ／ｇ未満であり、かつ／または７日間にわたって５５℃でのパッケージ安定性を実証し、したがって、航空便で輸送するための特殊なパッケージング、またはそのような航空輸送を許可する米国運輸省などの国際輸送当局からの特別な承認を必要としない。
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【課題】ボイド防止型回路基板及びそれを有する半導体パッケージを提供する。
【解決手段】上部面に形成された電極パターン１２２を覆って保護し、上記電極パターン１２２に載せられるソルダボール１２８周辺に露出部を形成するように塗布される保護層１２４を含み、上記露出部側に注入されるアンダーフィル材が上記電極パターン１２２より先に接する露出部で上記露出部を通して露出される電極パターン１２２の厚さとほぼ同一な少なくとも一つの間隙補償部を具備する。半導体チップ１１０と基板１２０との間に液状のアンダーフィル材を注入する工程において、相互異なる毛細管現象によって大気中の空気が包囲されるボイドの発生を防止し、製品不良を予防し、かつ製品信頼性を高めることができる。 （もっと読む）