【課題】 ＳＯＩと呼ばれる半導体装置の実装構造において、実装面積を小さくする。
【解決手段】 半導体装置１のシリコン基板３の一辺部上面全体、その近傍のアンダーフィル材２４の外面およびその近傍のグランド用配線２３の上面には、銀ペースト等の導電性ペーストからなる接続部材２５が設けられている。この場合、接続部材２５のアンダーフィル材２４の外側に突出する突出長を可及的に小さくすることができるので、半導体装置１の実質的な実装面積を、ボンディングワイヤを用いる場合と比較して、小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電子モジュールを提供する。
【解決手段】電子モジュールは、電極を有する半導体チップ１０と、半導体チップ１０の電極が形成された面に形成された樹脂突起２０と、電極と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０と、を含む半導体装置１を含む。電子モジュールは、半導体装置１が搭載された、配線パターン４４を有する配線基板４０を含む。電子モジュールは、半導体装置１と配線基板４０とを接着する接着剤５０を含む。半導体装置１は、配線基板４０に、配線３０における樹脂突起２０とオーバーラップする部分が配線パターン４４の電気的接続部４５と接触するように搭載されてなる。接着剤５０は、樹脂突起２０に接触しないように形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 電子部品素子を支持部材等に接合する際に好適に用いることができ、側方への接着剤のはみ出しが生じ難く、被着体同士を確実に接合し得るシート状接着剤、該シート状接着剤を用いた電子部品装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 熱硬化性樹脂を含むシート状接着剤であって、コーンプレート粘度計を用いて回転数１Ｈｚ及び昇温速度１０℃／分で２５℃から昇温した場合の最小溶融粘度が９７ＰａＳ〜５１００ＰａＳの範囲にあり、上記最小溶融粘度を示した温度＋５０℃の温度における溶融粘度が０．１ＭＰａＳ以上であるシート状接着剤１０３、並びにシート状接着剤の電子部品素子１０５の一面と該電子部品素子が搭載される支持部材１０２または他の電子部品素子との間に介在させ、電子部品素子を支持部材または他の電子部品素子に圧接させた後、該シート状接着剤を硬化させる、電子部品装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 金属接合部どうしの超音波振動などによる摩擦接合を図って部品を実装対象物に実装するのに、金属接合部を所定の高さにできるようにする。
【解決手段】 部品取り扱いツール１４で部品３を保持し、この部品３の金属接合部５を実装対象物４の金属接合部５に対向させて加圧し、部品取り扱いツール１４に超音波振動を与えて、電気接合部５、６どうしを加圧状態で摩擦させ超音波接合し部品３を実装対象物４に実装するのに、部品取り扱いツール１４が電気接合部５、６どうしを圧接させたときの位置Ｈｓから、電気接合部５、６どうしの超音波接合が終了するまでの部品取り扱いツール１４の進出量Ｈを制御して、接合後の電気接合部５、６の高さを揃え、かつ、金属接合部５、６どうしの接合面積の大きさに対応して超音波振動による接合エネルギの大きさを制御する。 （もっと読む）

【課題】 接続端子に対する大電流の通電を容易に行うことのできる半導体素子の接続構造を提供する。
【解決手段】 基板２の端子形成部２ａに形成されている接続端子３に金からなるバンプ４を形成し、この接続端子３のバンプ４に半導体素子５のバンプ６を密着して接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の実装において位置ズレ不良のない装置と方法を提供する。
【解決手段】加熱加圧ツール５が仮止め中の半導体素子１に近接して押圧する工程では、半導体素子１に隣接する実装部品１ｂ，１ｃとの間に熱遮蔽部２４ａ，２４ｂを介装して加熱加圧ツール５から前記実装部品１ｂ，１ｃへの熱伝導を遮蔽して実装する。 （もっと読む）

【課題】 プリアプライド用封止において、半導体チップにアンダーフィル材を塗布して乾燥させる際の乾燥時の溶剤除去効率を向上させ、乾燥工程時間を短縮することである。また、別の課題は、加熱時間の短縮による長期間ポットライフやフラックス特性維持に優れた樹脂組成物を提供することである。
【解決手段】 本発明の樹脂組成物は、プリアプライド用封止樹脂に用いる樹脂組成物であって、熱硬化性樹脂と、硬化剤と、前記熱硬化性樹脂に対する良溶媒性であり、かつ前記硬化剤に対して貧溶媒性である第一の溶剤と、前記第一の溶剤よりも沸点が低い第二の溶剤と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 物理的な衝撃や振動によりアンテナの回路端子部とＩＣチップのバンプ間の導通が遮断されないようにＩＣチップとバンプとの間の接触抵抗が低い状態でＩＣチップをアンテナ回路に信頼性高く固定するＩＣチップの実装方法を提供すること。
【解決手段】 基材１に形成されたアンテナ回路２の一対の端子部上に接着層を形成して、この端子部の上方からキノコ形状のバンプ４を突き刺して、ＩＣチップを配置した後、接着剤３を加熱硬化してＩＣチップを実装すること。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子をフリップチップ接続によって基板に実装する際に、アンダーフィル樹脂中にボイドが発生することを抑制し、半導体素子の電極パッドが腐蝕したりすることを防止し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 基板１０にアンダーフィル樹脂１８を供給し、次いで、前記基板に位置合わせして半導体素子２０Ａをフリップチップ接続により実装する半導体素子の実装方法において、ボンディングツール３０に、チップ本体に設けられた電極パッド２１と該電極パッドに接合されたバンプ２２との接合部に露出する前記電極パッド２１の露出部分が、電気的絶縁性を有するコーティング材１８ａによって被覆された半導体素子２０Ａを支持し、前記ボンディングツール３０により前記半導体素子２０Ａを加熱した状態で前記基板１０に前記半導体素子２０Ａを加圧し、前記接続電極１２とバンプ２２とを電気的に接続するとともに前記アンダーフィル樹脂１８を熱硬化させて前記半導体素子２０Ａを前記基板１０に実装する。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】 端子部と電極部との導通を安定させることができ、かつ、基板と電子部品との接合強度を確保することができる電子部品の接合装置の具体的な構成を提供すること。
【解決手段】 接合装置１は、基板２上の端子部と電子部品４上の電極部とを圧接接合する振動ヘッド７と、基板搭載テーブル１０とを備え、端子部と電極部とを振動を利用して圧接接合するとともに、絶縁樹脂を熱硬化させて、基板２と電子部品４とを接着接合するように構成されている。基板搭載テーブル１０は、基板２の搭載面３２ａが形成された搭載治具３２と、搭載治具３２を加熱するヒータ３３とを備えている。この接合装置１では、搬送方向Ｖにおける端子部と電極部との圧接接合時の位置Ａより上流側の搭載面３２ａの搬送方向の幅Ｈ１が、基板２上の絶縁樹脂の配置間隔Ｐ以下に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電子部品と回路基板を、接着剤を介して接続する際に、電子部品の突起電極と回路基板の配線電極の接続信頼性を向上することができる電子部品の実装方法を提供する。
【解決手段】電子部品の実装方法は、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤を介して、加熱加圧処理を行うことにより、熱硬化性樹脂を硬化させ、電子部品の突起電極を回路基板の配線電極に接続する工程を含む電子部品の実装方法において、接着剤の硬化時間ｔ１が経過し、接着剤の加熱加圧処理が終了後、接着剤を構成する熱硬化性樹脂の冷却処理を行う際に、加熱加圧処理時の圧力Ｐ１を、予め設定した時間ｔ２の間、維持するとともに、熱硬化性樹脂の冷却速度を制御する構成としている。 （もっと読む）

【課題】 簡易な方法により、基板上に高密度実装が可能な半導体装置の実装方法を提供すること。
【解決手段】 導電部を有する基板上に、複数の接続端子を有する半導体装置をフィルム状の接着材を介して電気的に接続するとともに、フリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、半導体装置１１の外形より小さく、かつ、半導体装置１１の複数の接続端子１２の最外周Ａより大きい接着材３３を半導体装置１１の複数の接続端子１２と基板の導電部との間に挟持させ、ボンディングツールにより半導体装置１１を加熱及び加圧して実装することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 マザーボード上に実装された後に加熱処理されても信頼性が損なわれない電子回路モジュールを提供すること。
【解決手段】 電子回路モジュール１０は、ベアチップ１１と、このベアチップ１１の底面の周縁部に配設された複数の接続用バンプ１２と、天面にベアチップ１１がフリップチップ実装されたセラミック系基板である中間基板１３と、ベアチップ１１と中間基板１３間の略中央部に介在させたスペーサ１４と、ベアチップ１１と中間基板１３間の周縁部に充填させた樹脂材料からなるアンダーフィル材１５とによって主に構成されており、スペーサ１４はアンダーフィル材１５よりも熱膨張係数が十分に小さい材料、好ましくはシリコンまたはセラミックからなる。この電子回路モジュール１０はマザーボード２０上に実装して使用され、中間基板１３を介してベアチップ１１がマザーボード２０と接続される。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル樹脂の流れ出しを効果的に防止することのできる配線基板への半導体チップ実装構造を提供する。
【解決手段】配線基板のチップ搭載エリア１４内に半導体チップ３０がフリップチップ接続して搭載され、該半導体チップ３０とチップ搭載エリア１４との間の隙間にアンダーフィル樹脂３２が充填され、該アンダーフィル樹脂３２が半導体チップ３０側壁部を這い上がってフィレット部３４が形成されると共に、保護レジスト層１８上に流れ出たアンダーフィル樹脂３２が枠状樹脂ダム２０によって堰き止められていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多数個取り基板に区画された複数個の単位基板に電子部品を熱圧着して実装する際に、未実装の単位基板上の熱硬化性接合材に熱圧着ツールの輻射熱が熱的悪影響を及ぼすことを回避できる電子部品の熱圧着ツールおよび電子部品の実装装置ならびに実装方法を提供することを目的とする。
【解決手段】吸着部５２を偏位させて突設した吸着ツール５０を作業ヘッド２０に装着し、基板８０に区画された複数個の単位基板８０ａ、８０ｂ、８０ｃ・・・に所定の順番で実装を行うことにより、実装対象の単位基板８０ｆに隣接する未実装の単位基板８０ｉ上に予め施された熱硬化性接合材８３に輻射熱Ｈによる熱的影響が及ぶことを回避し、吸着ツール５０の輻射熱Ｈに起因する熱硬化性接合材８３の変質等の熱的悪影響を排除する。 （もっと読む）

本発明は、集積回路（１）と基板（２）との間および集積回路（１）に対して縁に配置された接着剤（３）によって、集積回路（１）をその下に位置された少なくとも１つの基板（２）に永続的に接続する方法およびデバイスに関する。接着剤（３）を硬化させるために、２８０〜９００ｎｍの範囲の波長を有する光（１９）が、接着剤（３）を重合させるように、基板（２）および集積回路（１）のうちの１つを備えているアセンブリの上面または／および底面に放射される。
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【課題】フリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関し、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止する。
【解決手段】表面にソルダーレジスト２２が配設されると共に、このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される部位に半導体装置２５を実装するための第１の開口部２３が形成されてなる半導体装置用実装基板において、前記ソルダーレジスト２２の第１の開口部２３の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時におけるアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する速度調整用開口部３０Ａを設ける。 （もっと読む）

【課題】 プリアプライド用封止において、封止樹脂組成物をウェハーに塗布してＢ−ステージ化した場合に樹脂が脆くなるのを防ぎ、ダイシング時に封止樹脂組成物が損傷するのを防ぐことである。
【解決手段】 （Ａ）２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、（Ｂ）２５℃で固体であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フラックス活性を有する硬化剤を含むプリアプライド用封止樹脂組成物による。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップどうし或いは半導体チップと配線基板とをフリップチップボンディング方式で接合する際に、チップ自体にダメージを及ぼすことなく電気的に確実な導通をとって接合できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ１１（あるいは配線基板）の電極形成面をそれぞれ同一成分からなる液状の絶縁性封止樹脂５，１５で突起電極３，１３を覆うように被覆する工程と、被覆した封止樹脂５，１５を固化させる工程と、封止樹脂５，１５と突起電極３，１３の頭部とを一様の高さに研削する工程と、第１の半導体チップ１と第２の半導体チップ１１とを突起電極３，１３どうし当接させ、それぞれの封止樹脂５，１５を昇温させて一体に硬化させるとともに、それに伴って昇温する突起電極３，１３の当接部を熱結合させる工程とを有する。 同一成分からなる封止樹脂を用いるので、剥離やボイドが発生し難い。 （もっと読む）