半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造
【課題】フリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関し、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止する。
【解決手段】表面にソルダーレジスト２２が配設されると共に、このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される部位に半導体装置２５を実装するための第１の開口部２３が形成されてなる半導体装置用実装基板において、前記ソルダーレジスト２２の第１の開口部２３の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時におけるアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する速度調整用開口部３０Ａを設ける。
【解決手段】表面にソルダーレジスト２２が配設されると共に、このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される部位に半導体装置２５を実装するための第１の開口部２３が形成されてなる半導体装置用実装基板において、前記ソルダーレジスト２２の第１の開口部２３の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時におけるアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する速度調整用開口部３０Ａを設ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に係り、特にフリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度化された半導体装置を実装基板に実装する方法として、フリップチップ接合が多用されている。このフリップチップ接合は、半導体装置の底面に外部接続端子としてはんだバンプを配設し、この半導体装置を実装基板に対してフェイスダウンの状態とし、はんだバンプを実装基板に形成されている電極に接合することにより実装を行う方法である。
【０００３】
図１は、半導体装置（半導体素子）５がフリップチップ接合を用いて実装される従来の実装基板１の一例を示している。尚、同図では、ＤＲＡＭ等のセンターパッド構造を有した半導体装置５を実装基板１に実装する例を示している。
【０００４】
実装基板１はプリント配線基板であり、その表面には所定の配線パターン及び電極等が形成されている。また、実装基板１の表面には、これらの配線パターン及び電極等を保護するため、ソルダーレジスト２が配設されている。
【０００５】
ソルダーレジスト２は絶縁性を有する樹脂であり、またはんだ付着を防止する機能を有するものである。このソルダーレジスト２の半導体装置５が実装される実装領域６で、半導体装置５に形成されたはんだバンプと接合する電極が形成された部分には開口部３が形成されている。よって、実装基板１に形成されたバンプと接合する電極は、開口部３を介して外部に露出した状態となっている。
【０００６】
ところで、実装基板１に半導体装置５をフリップチップ接合した場合、実装基板１と半導体装置５との熱膨張差が大きい場合には、加熱時にこの熱膨張差により発生する応力ははんだバンプに印加されてしまい、実装信頼性において問題が生じる。このため従来から、半導体装置５を実装基板１にフリップチップ実装した後、半導体装置５と実装基板１との間にアンダーフィル樹脂７を配設することにより、上記の熱膨張差に起因した応力の発生を抑制し、実装信頼性を高めることが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３２９７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図２は、実装基板１と半導体装置５との間にアンダーフィル樹脂７を配設する処理を示す平面図である。尚、アンダーフィル樹脂７は実装基板１と半導体装置５との間に配設するものであるため、図示の便宜上、半導体装置５については図示を省略し、その実装領域６のみを図示するものとする。
【０００８】
アンダーフィル樹脂７を配設するには、注入開始位置９から実装基板１と半導体装置５との間に液状のアンダーフィル樹脂７を注入する。同図に示す例では、開口部３の図中下部の位置が注入開始位置９とされており、この注入開始位置９から注入されたアンダーフィル樹脂７は図中上方向に流れ、実装基板１と半導体装置５との間に配設されてゆく。
【０００９】
この注入の際、アンダーフィル樹脂７の先端部である流れ端面７Ａは直線状ではなく、図示されるように凹凸を有した形状とされている。これは、液状であるアンダーフィル樹脂７の流れ速度は、開口部３のエッジ部３Ａ及び半導体装置５の外周縁部６Ａに沿った位置が他の部位よりも速いことに起因している。具体的には、図中矢印Ｖ１で示すアンダーフィル樹脂７のソルダーレジスト２上における流れ速度に対し、エッジ部３Ａにおける流れ速度Ｖ２及び外周縁部６Ａにおける流れ速度Ｖ３は大きくなっている。（Ｖ１＜Ｖ２，Ｖ１＜Ｖ３）。
【００１０】
また、図４は２列のパッド構造を持つ半導体装置を実装するため、ソルダーレジスト２に２つの開口部３，４を形成した例を示している。同図に示すように、開口部３，４を平行に配置し、これに対してアンダーフィル樹脂７を開口部３，４を直交する方向に流した場合、アンダーフィル樹脂７の回り込みは特に大きくなる。
【００１１】
このようにアンダーフィル樹脂７の流れ速度は実装基板１上で均一ではないが、従来ではこれに対する対応がされていなかった。このため、アンダーフィル樹脂７は、注入開始位置９に対する反対側まで流れる間に上記した速度差に基づき流れ端面７Ａの凹凸形状は大きくなる。そして、流れ速度の速い部分が流れ速度の遅い部分を回り込むようにして流れることにより、場合によっては図３及び図５に示されるように、アンダーフィル樹脂７の内部にボイド８が発生してしまう。
【００１２】
このようにアンダーフィル樹脂７の内部にボイド８が発生した場合、その後の加熱においてボイド８内の空気が膨張してアンダーフィル樹脂７に破損が生じたり、また実装基板１と半導体装置５との間で発生する応力を充分に吸収することができなくなったりするおそれがあり、実装信頼性が低下してしまうという問題点があった。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止しうる半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項１記載の発明は、
表面にソルダーレジストが配設されると共に、該ソルダーレジストの半導体装置が実装される部位に該半導体装置を実装するための第１の開口部が形成されてなる半導体装置用実装基板において、
前記ソルダーレジストの前記第１の開口部の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時における該アンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する調整部を設けたことを特徴とするものである。
【００１６】
上記発明によれば、ソルダーレジストの第１の開口部の周辺部に調整部を設けたため、アンダーフィル樹脂の配設時にアンダーフィル樹脂はこの調整部上を移動して半導体装置と半導体装置用実装基板との間に装填される。この移動の際、調整部はアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整するため、均一にアンダーフィル樹脂を移動させることができ、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した第２の開口部であることを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、ソルダーレジストに形成した第２の開口部により調整部を構成したため、調整部を第１の開口部と同時形成することが可能となり、容易に調整部を設けることができる。
【００１９】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した凸部であることを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、ソルダーレジストに形成した凸部により調整部を構成したため、調整部をソルダーレジストの形成時に同時形成することが可能となり、容易に調整部を設けることができる。
【００２１】
また、請求項４記載の発明は、
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に矩形状であることを特徴とするものである。
【００２２】
上記発明によれば、調整部を簡単な形状である矩形状としたことにより、調整部の形成を簡単に行うことができる。
【００２３】
また、請求項５記載の発明は、
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に多角形状であることを特徴とするものである。
【００２４】
上記発明によれば、調整部を多角形状としたことにより、小さいスペースでアンダーフィル樹脂の流れ速度を大きく低減することができる。
【００２５】
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記第１の開口部の前記アンダーフィル樹脂の注入開始位置に対する反対側に設けたことを特徴とするものである。
【００２６】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂が過剰に第１の開口部の反対側から流出することを防止できる。
【００２７】
また、請求項７記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記半導体装置が実装され実装領域の外周縁を含む位置に形成したことを特徴とするものである。
【００２８】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂の流れ速度が速い実装領域の外周縁に調整部を設けたことにより、アンダーフィル樹脂をより均一な状態で配設することが可能となる。
【００２９】
また、請求項８記載の発明は、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板に対して半導体装置がフリップチップ接合されており、
かつ、前記半導体装置と前記半導体装置用実装基板との間にアンダーフィル樹脂が配設された半導体装置の実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂が、少なくとも前記第１の開口部及び前記調整部の配設位置を含む位置に配設されていることを特徴とするものである。
【００３０】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂の配設時においては、このアンダーフィル樹脂はこの調整部上を移動するため流れ速度を調整され、よってアンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。また、アンダーフィル樹脂の配設後においては、アンダーフィル樹脂は調整部を含む位置に配設されるため、調整部によるアンカー効果によりアンダーフィル樹脂は半導体装置用実装基板に確実に保持される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、調整部はアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整するため、均一にアンダーフィル樹脂を移動させることができ、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００３３】
図６は、本発明の第１実施例である半導体装置用実装基板２０（以下、実装基板２０という）を示している。この実装基板２０は、半導体装置（半導体素子）２５がフリップチップ接合により実装されるものである。尚、同図では、ＤＲＡＭ等のセンターパッド構造を有した半導体装置２５を実装する例を示している。
【００３４】
実装基板２０は単層或いは多層のプリント配線基板であり、その表面には例えば銅よりなる所定の配線パターン及び電極等（図示せず）が形成されている。また、実装基板２０の表面には、これらの配線パターン及び電極等を保護するため、また後述するはんだ付けを良好に行うためにソルダーレジスト２２が配設されている。
【００３５】
ソルダーレジスト２２は絶縁性を有する樹脂であり、またはんだ付着を防止する機能を有するものである。このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される実装領域２６で、半導体装置２５に形成されたはんだバンプと接合する電極が形成された部分には開口部２３（請求項に記載の第１の開口部に相当する）が形成されている。よって、実装基板２０に形成されたバンプと接合する電極は、開口部２３を介して外部に露出した状態となっている。
【００３６】
このソルダーレジスト２２は、実装基板２０に対してスクリーン印刷法或いは写真法を用いて形成される。ここで、写真法は、感光剤を含むソルダーレジスト２２を実装基板２０上に塗布した後、例えば紫外線を用いて露光、現像処理を行うことにより、所望のパターンを形成するものである。上記のスクリーン印刷法或いは写真法のいずれを用いても、ソルダーレジスト２２を容易に形成することができる。
【００３７】
また本実施例では、ソルダーレジスト２２の開口部２３の周辺部に第２の開口部となる開口部３０Ａを形成した構成としている。この開口部３０Ａは、後に詳述するように、アンダーフィル樹脂２７の配設時における流れ速度を調整する機能を奏するものである（以下、開口部３０Ａを速度調整用開口部３０Ａという）。
【００３８】
本実施例では、速度調整用開口部３０Ａの形状は、実装基板２０を平面視した状態で矩形状（長方形）となるよう設定している。また、速度調整用開口部３０Ａの配設位置は、開口部２３の長辺と対峙する位置で、かつ半導体装置２５の実装領域２６の外周縁部２６Ａを含む（重なる）位置に設定されている。
【００３９】
この速度調整用開口部３０Ａの形成は、ソルダーレジスト２２に対して上記したスクリーン印刷法或いは写真法により開口部２３を形成する際、同時に形成することができ、容易にかつ製造工程を複雑化することなく形成することができる。また、速度調整用開口部３０Ａの形状は、スクリーン印刷法或いは写真法で用いるマスクを変更することにより容易に変更可能なものである。特に本実施例では、速度調整用開口部３０Ａの形状が簡単な形状である矩形状であるため、速度調整用開口部３０Ａの形成を簡単に行うことができる。
【００４０】
上記構成とされた実装基板２０には、半導体装置２５がフリップチップ接合される。即ち、半導体装置２５の底面（回路形成面）にははんだバンプや金バンプ等の各種バンプ（図に現れず）が配設されており、このはんだバンプを実装基板２０に形成され開口部２３から露出している電極に接合することにより、半導体装置２５を実装基板２０に実装する。
【００４１】
ところで、実装基板２０に半導体装置２５をフリップチップ接合した場合、実装基板２０と半導体装置２５との熱膨張差が大きい場合には、加熱時にこの熱膨張差により発生する応力ははんだバンプに印加されてしまい、実装信頼性において問題が生じることは前述した通りである。このため本実施例においても、半導体装置２５を実装基板２０にフリップチップ実装した後、半導体装置２５と実装基板２０との間にアンダーフィル樹脂２７を配設することにより、上記の熱膨張差に起因した応力の発生を抑制して実装信頼性の向上を図っている。
【００４２】
続いて、本実施例に係る実装基板２０を用いた場合におけるアンダーフィル樹脂２７の配設処理について説明する。図７乃至図１０は、実装基板２０と半導体装置２５との間にアンダーフィル樹脂２７を注入したときのアンダーフィル樹脂２７の流れを示す平面図である。
【００４３】
尚、アンダーフィル樹脂２７は実装基板２０と半導体装置２５との間に配設するものであるため、図示の便宜上、半導体装置２５については図示を省略し、その実装領域２６のみを図示するものとする。
【００４４】
アンダーフィル樹脂２７を配設するには、注入開始位置２９から実装基板２０と半導体装置２５との間に液状のアンダーフィル樹脂２７を注入する。同図に示す例では、開口部２３の図中下部の位置が注入開始位置２９とされており、この注入開始位置２９から注入されたアンダーフィル樹脂２７は、毛細管現象により図中上方向（図中、矢印Ｘで示す方向）に流れ、実装基板２０と半導体装置２５との間に配設されてゆく。
【００４５】
この注入の際、アンダーフィル樹脂２７の流れが速度調整用開口部３０Ａに到達する前までは、図７に示すように、アンダーフィル樹脂２７の流れは従来と変わるところはない。即ち、アンダーフィル樹脂２７の先端部である流れ端面２７Ａは直線状ではなく、図７に示されるように凹凸を有した形状とされている。
【００４６】
これは、液状であるアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は、開口部２３のエッジ部２３Ａ及び半導体装置２５の外周縁部２６Ａに沿った位置が他の部位よりも速いことに起因していることは前述した通りである。このため、図中矢印Ｖ１で示すアンダーフィル樹脂２７のソルダーレジスト２２上における流れ速度に対し、エッジ部２３Ａにおける流れ速度Ｖ２及び外周縁部２６Ａにおける流れ速度Ｖ３は大きくなっている。（Ｖ１＜Ｖ２，Ｖ１＜Ｖ３）。
【００４７】
図７に示す位置よりも更にアンダーフィル樹脂２７が進み、速度調整用開口部３０Ａに至ると、アンダーフィル樹脂２７は速度調整用開口部３０Ａ内に進入する。この際、本実施例では速度調整用開口部３０Ａはアンダーフィル樹脂２７の流れ速度の速い外周縁部２６Ａを含む位置に形成されているため、この流れ速度の速いアンダーフィル樹脂２７が速度調整用開口部３０Ａ内に流入する。
【００４８】
速度調整用開口部３０Ａ内に進入したアンダーフィル樹脂２７は、その流れ端面２７Ａが速度調整用開口部３０Ａの外周縁に沿って流れるため、その流れる距離（外周縁の距離）は長くなる。また、アンダーフィル樹脂２７は凹形状とされた速度調整用開口部３０Ａ内を流れるため、この速度調整用開口部３０Ａを埋めるまでは、速度調整用開口部３０ＡよりＸ方向には進行しない。
【００４９】
即ち、速度調整用開口部３０Ａを形成することにより、この速度調整用開口部３０Ａを通過するアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を他の部位に比べて遅くすることが可能となる。このように速度調整用開口部３０Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度の調整が行われるため、アンダーフィル樹脂２７が速度調整用開口部３０Ａを通過した時点でアンダーフィル樹脂２７の流れ端面２７Ａは、図８に示すように、略均一な滑らかな端面となる。
【００５０】
図９は、更にアンダーフィル樹脂２７がＸ方向に進んだ状態を示している。同図に示すように、実装領域２６の中央には開口部２３が存在するため、その長辺側のエッジ部２３Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は速く、外周縁部２６Ａにおいては速度調整用開口部３０Ａの存在によりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は遅い。このため図９に示されるように、アンダーフィル樹脂２７は全体として卵型の形状を呈しながら進行する（流れ端面２７Ａが、中央部分が突出した曲線状となる）。
【００５１】
図１０は、アンダーフィル樹脂２７の配設処理が終了した状態を示している。図９に示したように、本実施例では実装基板２０に速度調整用開口部３０Ａを設けたことにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ分布は、その流れ端面２７Ａが略均一で滑らかな形状を呈するような分布となる。
【００５２】
具体的には、図９に示すように、中央部分が若干先行し、両側部がそれより若干遅く追随するような流れとなる。これにより、従来のようにアンダーフィル樹脂が中央部分を残して回り込むような流れを呈することを防止でき、よってアンダーフィル樹脂２７内にボイドが発生することを防止できる。このように、アンダーフィル樹脂２７内におけるボイドの発生が抑制されることにより、半導体装置２５を実装基板２０に実装する実装信頼性を高めることができる。
【００５３】
更に、配設処理が終了した後においても、アンダーフィル樹脂２７は速度調整用開口部３０Ａ内に残存する。このため、速度調整用開口部３０Ａ内のアンダーフィル樹脂２７は、実装基板２０に対するアンカー効果を奏するため、アンダーフィル樹脂２７は実装基板２０に確実に保持される。よって、これによっても実装基板２０と半導体装置２５との実装信頼性を高めることができる。
【００５４】
尚、本実施例では、開口部２３の長辺と対向するよう、かつ開口部２３を挟んで２個の速度調整用開口部３０Ａが配設されているが、速度調整用開口部３０Ａの配設数は２個に限定されるものではなく、複数であっても構わない。
【００５５】
また、配設位置も本実施例で示す位置に限定されるものではなく、アンダーフィル樹脂２７の流れに対応させて適宜選定可能なものである。例えば、速度調整用開口部を開口部２３の注入開始位置２９と反対側に設けた構成としてもよい。この構成することにより、アンダーフィル樹脂２７が実装領域２６から過剰に外部に流出することを防止できる。
【００５６】
次に、図１１乃至図１６を参照し、本発明の第２乃至第６実施例について説明する。尚、図１１乃至図１６において、第１実施例の説明に使用した図６乃至図１０に示した構成と同一構成については同一符号を付して、その説明を省略するものとする。
【００５７】
図１１は、本発明の第２実施例である実装基板２０を示している。本実施例では、２列のパッド構造を有する半導体装置を実装するため、ソルダーレジスト２２に２つの開口部２３，２４を形成した例を示している。この開口部２３，２４は、互いに平行に配置されており、アンダーフィル樹脂７はこの開口部３，４の延在方向（図中、左右方向）に対して直交する方向に注入される。
【００５８】
また本実施例では、開口部２３と開口部２４との間に速度調整用開口部３０Ａを形成した構成としている。本実施例のように、アンダーフィル樹脂２７の進行方向に二つの開口部２３，２４が延在し、アンダーフィル樹脂２７が回り込みやすい構成であっても、速度調整用開口部３０Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整することにより、アンダーフィル樹脂２７の回り込みを抑制し、ボイドの発生を防止することができる。
【００５９】
図１２及び図１３は、本発明の第３及び第４実施例である実装基板２０を示している。第３及び第４実施例に係る実装基板２０は、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整する調整部として、平面視した状態で多角形状としたことを特徴とするものである。図１２は、十字形状の速度調整用開口部３０Ｂを一つの開口部２３を有する実装基板２０に適用した例を示している。また、図１３は、十字形状の速度調整用開口部３０Ｂを二つの開口部２３，２４を有する実装基板２０に適用した例を示している。
【００６０】
このように、速度調整用開口部３０Ｂの形状を多角形状としたことにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を大きく低減させることができる。よって、小さいスペースでアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を大きく低減することが可能となり、速度調整用開口部３０Ｂを設けることによりデッドスペースが実装基板２０上に発生することを防止できる。
【００６１】
これにより、実装基板２０の小型化を図りつつ、実装信頼性の向上を図ることができる。尚、本実施例では、多角形状として十字形状を例に挙げているが、特にこの形状に限定されるものではない。
【００６２】
図１４乃至図１６は、本発明の第５及び第６実施例である実装基板２０を示している。
【００６３】
前記した各実施例では、ソルダーレジスト２２に開口部２３，２４を形成し、実装基板２０の表面に凹部を形成することでアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を遅くする構成としていた。これに対して第５及び第６実施例である実装基板２０は、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整する調整部として、ソルダーレジスト２２に速度調整用凸部３１を形成したことを特徴とする。
【００６４】
この速度調整用凸部３１は、図１４に示すようにソルダーレジスト２２に一体的に形成され凸部であり、ソルダーレジスト２２の形成時に同時形成されるものである。具体的には、ソルダーレジスト２２上に、スクリーン印刷等で凸状にソルダーレジストを設けることで形成される。また、速度調整用凸部３１の高さは、通常半導体装置２５が実装基板２０にフリップチップ接合された際に両者間に形成されるクリアランスと略等しいか、それより若干低い高さとされている。
【００６５】
図１４及び図１５は、速度調整用凸部３１を一つの開口部２３を有する実装基板２０に適用した例を示している。また、図１６は、速度調整用凸部３１を二つの開口部２３，２４を有する実装基板２０に適用した例を示している。各図に示すように、ソルダーレジスト２２に形成した凸状の速度調整用凸部３１形成することにより、アンダーフィル樹脂２７がこの速度調整用凸部３１まで流れた際に、速度調整用凸部３１はアンダーフィル樹脂２７の流れを阻止するダムとして機能する。これにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を低減することが可能となり、アンダーフィル樹脂２７内にボイドが発生することを防止できる。
【００６６】
また、図１４及び図１５に示すように、速度調整用凸部３１を実装領域２６の注入開始位置２９とは反対側のコーナ部に形成することにより、アンダーフィル樹脂２７が実装領域２６から不要に外部に流出することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は、従来の実装基板の第１従来例を示す斜視図である。
【図２】図２は、第１従来例に係る実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である。
【図３】図３は、第１従来例に係る実装基板で発生する問題点を説明するための図である。
【図４】図４は、第２従来例に係る実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である。
【図５】図５は、第２従来例に係る実装基板で発生する問題点を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施例である実装基板を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その１）。
【図８】図８は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その２）。
【図９】図９は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その３）。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その４）。
【図１１】図１１は、本発明の第２実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５実施例である実装基板の斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の第５実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第６実施例である実装基板の要部平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２０ 実装基板
２２ ソルダーレジスト
２３，２４ 開口部
２３Ａ，２４Ａ エッジ部
２５ 半導体装置
２６ 実装領域
２６Ａ 外周縁部
２７ アンダーフィル樹脂
２７Ａ 流れ端面
２９ 注入開始位置
３０Ａ，３０Ｂ 速度調整用開口部
３１ 速度調整用凸部
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に係り、特にフリップチップ接合された半導体装置との間にアンダーフィル樹脂が装填される半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
高密度化された半導体装置を実装基板に実装する方法として、フリップチップ接合が多用されている。このフリップチップ接合は、半導体装置の底面に外部接続端子としてはんだバンプを配設し、この半導体装置を実装基板に対してフェイスダウンの状態とし、はんだバンプを実装基板に形成されている電極に接合することにより実装を行う方法である。
【０００３】
図１は、半導体装置（半導体素子）５がフリップチップ接合を用いて実装される従来の実装基板１の一例を示している。尚、同図では、ＤＲＡＭ等のセンターパッド構造を有した半導体装置５を実装基板１に実装する例を示している。
【０００４】
実装基板１はプリント配線基板であり、その表面には所定の配線パターン及び電極等が形成されている。また、実装基板１の表面には、これらの配線パターン及び電極等を保護するため、ソルダーレジスト２が配設されている。
【０００５】
ソルダーレジスト２は絶縁性を有する樹脂であり、またはんだ付着を防止する機能を有するものである。このソルダーレジスト２の半導体装置５が実装される実装領域６で、半導体装置５に形成されたはんだバンプと接合する電極が形成された部分には開口部３が形成されている。よって、実装基板１に形成されたバンプと接合する電極は、開口部３を介して外部に露出した状態となっている。
【０００６】
ところで、実装基板１に半導体装置５をフリップチップ接合した場合、実装基板１と半導体装置５との熱膨張差が大きい場合には、加熱時にこの熱膨張差により発生する応力ははんだバンプに印加されてしまい、実装信頼性において問題が生じる。このため従来から、半導体装置５を実装基板１にフリップチップ実装した後、半導体装置５と実装基板１との間にアンダーフィル樹脂７を配設することにより、上記の熱膨張差に起因した応力の発生を抑制し、実装信頼性を高めることが行われている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３２９７４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図２は、実装基板１と半導体装置５との間にアンダーフィル樹脂７を配設する処理を示す平面図である。尚、アンダーフィル樹脂７は実装基板１と半導体装置５との間に配設するものであるため、図示の便宜上、半導体装置５については図示を省略し、その実装領域６のみを図示するものとする。
【０００８】
アンダーフィル樹脂７を配設するには、注入開始位置９から実装基板１と半導体装置５との間に液状のアンダーフィル樹脂７を注入する。同図に示す例では、開口部３の図中下部の位置が注入開始位置９とされており、この注入開始位置９から注入されたアンダーフィル樹脂７は図中上方向に流れ、実装基板１と半導体装置５との間に配設されてゆく。
【０００９】
この注入の際、アンダーフィル樹脂７の先端部である流れ端面７Ａは直線状ではなく、図示されるように凹凸を有した形状とされている。これは、液状であるアンダーフィル樹脂７の流れ速度は、開口部３のエッジ部３Ａ及び半導体装置５の外周縁部６Ａに沿った位置が他の部位よりも速いことに起因している。具体的には、図中矢印Ｖ１で示すアンダーフィル樹脂７のソルダーレジスト２上における流れ速度に対し、エッジ部３Ａにおける流れ速度Ｖ２及び外周縁部６Ａにおける流れ速度Ｖ３は大きくなっている。（Ｖ１＜Ｖ２，Ｖ１＜Ｖ３）。
【００１０】
また、図４は２列のパッド構造を持つ半導体装置を実装するため、ソルダーレジスト２に２つの開口部３，４を形成した例を示している。同図に示すように、開口部３，４を平行に配置し、これに対してアンダーフィル樹脂７を開口部３，４を直交する方向に流した場合、アンダーフィル樹脂７の回り込みは特に大きくなる。
【００１１】
このようにアンダーフィル樹脂７の流れ速度は実装基板１上で均一ではないが、従来ではこれに対する対応がされていなかった。このため、アンダーフィル樹脂７は、注入開始位置９に対する反対側まで流れる間に上記した速度差に基づき流れ端面７Ａの凹凸形状は大きくなる。そして、流れ速度の速い部分が流れ速度の遅い部分を回り込むようにして流れることにより、場合によっては図３及び図５に示されるように、アンダーフィル樹脂７の内部にボイド８が発生してしまう。
【００１２】
このようにアンダーフィル樹脂７の内部にボイド８が発生した場合、その後の加熱においてボイド８内の空気が膨張してアンダーフィル樹脂７に破損が生じたり、また実装基板１と半導体装置５との間で発生する応力を充分に吸収することができなくなったりするおそれがあり、実装信頼性が低下してしまうという問題点があった。
【００１３】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生することを防止しうる半導体装置用実装基板及び半導体装置の実装構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題を解決するために本発明では、次に述べる各手段を講じたことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項１記載の発明は、
表面にソルダーレジストが配設されると共に、該ソルダーレジストの半導体装置が実装される部位に該半導体装置を実装するための第１の開口部が形成されてなる半導体装置用実装基板において、
前記ソルダーレジストの前記第１の開口部の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時における該アンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する調整部を設けたことを特徴とするものである。
【００１６】
上記発明によれば、ソルダーレジストの第１の開口部の周辺部に調整部を設けたため、アンダーフィル樹脂の配設時にアンダーフィル樹脂はこの調整部上を移動して半導体装置と半導体装置用実装基板との間に装填される。この移動の際、調整部はアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整するため、均一にアンダーフィル樹脂を移動させることができ、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。
【００１７】
また、請求項２記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した第２の開口部であることを特徴とするものである。
【００１８】
上記発明によれば、ソルダーレジストに形成した第２の開口部により調整部を構成したため、調整部を第１の開口部と同時形成することが可能となり、容易に調整部を設けることができる。
【００１９】
また、請求項３記載の発明は、
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した凸部であることを特徴とするものである。
【００２０】
上記発明によれば、ソルダーレジストに形成した凸部により調整部を構成したため、調整部をソルダーレジストの形成時に同時形成することが可能となり、容易に調整部を設けることができる。
【００２１】
また、請求項４記載の発明は、
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に矩形状であることを特徴とするものである。
【００２２】
上記発明によれば、調整部を簡単な形状である矩形状としたことにより、調整部の形成を簡単に行うことができる。
【００２３】
また、請求項５記載の発明は、
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に多角形状であることを特徴とするものである。
【００２４】
上記発明によれば、調整部を多角形状としたことにより、小さいスペースでアンダーフィル樹脂の流れ速度を大きく低減することができる。
【００２５】
また、請求項６記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記第１の開口部の前記アンダーフィル樹脂の注入開始位置に対する反対側に設けたことを特徴とするものである。
【００２６】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂が過剰に第１の開口部の反対側から流出することを防止できる。
【００２７】
また、請求項７記載の発明は、
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記半導体装置が実装され実装領域の外周縁を含む位置に形成したことを特徴とするものである。
【００２８】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂の流れ速度が速い実装領域の外周縁に調整部を設けたことにより、アンダーフィル樹脂をより均一な状態で配設することが可能となる。
【００２９】
また、請求項８記載の発明は、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板に対して半導体装置がフリップチップ接合されており、
かつ、前記半導体装置と前記半導体装置用実装基板との間にアンダーフィル樹脂が配設された半導体装置の実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂が、少なくとも前記第１の開口部及び前記調整部の配設位置を含む位置に配設されていることを特徴とするものである。
【００３０】
上記発明によれば、アンダーフィル樹脂の配設時においては、このアンダーフィル樹脂はこの調整部上を移動するため流れ速度を調整され、よってアンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。また、アンダーフィル樹脂の配設後においては、アンダーフィル樹脂は調整部を含む位置に配設されるため、調整部によるアンカー効果によりアンダーフィル樹脂は半導体装置用実装基板に確実に保持される。
【発明の効果】
【００３１】
本発明によれば、調整部はアンダーフィル樹脂の流れ速度を調整するため、均一にアンダーフィル樹脂を移動させることができ、アンダーフィル樹脂内にボイドが発生するのを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
次に、本発明を実施するための最良の形態について図面と共に説明する。
【００３３】
図６は、本発明の第１実施例である半導体装置用実装基板２０（以下、実装基板２０という）を示している。この実装基板２０は、半導体装置（半導体素子）２５がフリップチップ接合により実装されるものである。尚、同図では、ＤＲＡＭ等のセンターパッド構造を有した半導体装置２５を実装する例を示している。
【００３４】
実装基板２０は単層或いは多層のプリント配線基板であり、その表面には例えば銅よりなる所定の配線パターン及び電極等（図示せず）が形成されている。また、実装基板２０の表面には、これらの配線パターン及び電極等を保護するため、また後述するはんだ付けを良好に行うためにソルダーレジスト２２が配設されている。
【００３５】
ソルダーレジスト２２は絶縁性を有する樹脂であり、またはんだ付着を防止する機能を有するものである。このソルダーレジスト２２の半導体装置２５が実装される実装領域２６で、半導体装置２５に形成されたはんだバンプと接合する電極が形成された部分には開口部２３（請求項に記載の第１の開口部に相当する）が形成されている。よって、実装基板２０に形成されたバンプと接合する電極は、開口部２３を介して外部に露出した状態となっている。
【００３６】
このソルダーレジスト２２は、実装基板２０に対してスクリーン印刷法或いは写真法を用いて形成される。ここで、写真法は、感光剤を含むソルダーレジスト２２を実装基板２０上に塗布した後、例えば紫外線を用いて露光、現像処理を行うことにより、所望のパターンを形成するものである。上記のスクリーン印刷法或いは写真法のいずれを用いても、ソルダーレジスト２２を容易に形成することができる。
【００３７】
また本実施例では、ソルダーレジスト２２の開口部２３の周辺部に第２の開口部となる開口部３０Ａを形成した構成としている。この開口部３０Ａは、後に詳述するように、アンダーフィル樹脂２７の配設時における流れ速度を調整する機能を奏するものである（以下、開口部３０Ａを速度調整用開口部３０Ａという）。
【００３８】
本実施例では、速度調整用開口部３０Ａの形状は、実装基板２０を平面視した状態で矩形状（長方形）となるよう設定している。また、速度調整用開口部３０Ａの配設位置は、開口部２３の長辺と対峙する位置で、かつ半導体装置２５の実装領域２６の外周縁部２６Ａを含む（重なる）位置に設定されている。
【００３９】
この速度調整用開口部３０Ａの形成は、ソルダーレジスト２２に対して上記したスクリーン印刷法或いは写真法により開口部２３を形成する際、同時に形成することができ、容易にかつ製造工程を複雑化することなく形成することができる。また、速度調整用開口部３０Ａの形状は、スクリーン印刷法或いは写真法で用いるマスクを変更することにより容易に変更可能なものである。特に本実施例では、速度調整用開口部３０Ａの形状が簡単な形状である矩形状であるため、速度調整用開口部３０Ａの形成を簡単に行うことができる。
【００４０】
上記構成とされた実装基板２０には、半導体装置２５がフリップチップ接合される。即ち、半導体装置２５の底面（回路形成面）にははんだバンプや金バンプ等の各種バンプ（図に現れず）が配設されており、このはんだバンプを実装基板２０に形成され開口部２３から露出している電極に接合することにより、半導体装置２５を実装基板２０に実装する。
【００４１】
ところで、実装基板２０に半導体装置２５をフリップチップ接合した場合、実装基板２０と半導体装置２５との熱膨張差が大きい場合には、加熱時にこの熱膨張差により発生する応力ははんだバンプに印加されてしまい、実装信頼性において問題が生じることは前述した通りである。このため本実施例においても、半導体装置２５を実装基板２０にフリップチップ実装した後、半導体装置２５と実装基板２０との間にアンダーフィル樹脂２７を配設することにより、上記の熱膨張差に起因した応力の発生を抑制して実装信頼性の向上を図っている。
【００４２】
続いて、本実施例に係る実装基板２０を用いた場合におけるアンダーフィル樹脂２７の配設処理について説明する。図７乃至図１０は、実装基板２０と半導体装置２５との間にアンダーフィル樹脂２７を注入したときのアンダーフィル樹脂２７の流れを示す平面図である。
【００４３】
尚、アンダーフィル樹脂２７は実装基板２０と半導体装置２５との間に配設するものであるため、図示の便宜上、半導体装置２５については図示を省略し、その実装領域２６のみを図示するものとする。
【００４４】
アンダーフィル樹脂２７を配設するには、注入開始位置２９から実装基板２０と半導体装置２５との間に液状のアンダーフィル樹脂２７を注入する。同図に示す例では、開口部２３の図中下部の位置が注入開始位置２９とされており、この注入開始位置２９から注入されたアンダーフィル樹脂２７は、毛細管現象により図中上方向（図中、矢印Ｘで示す方向）に流れ、実装基板２０と半導体装置２５との間に配設されてゆく。
【００４５】
この注入の際、アンダーフィル樹脂２７の流れが速度調整用開口部３０Ａに到達する前までは、図７に示すように、アンダーフィル樹脂２７の流れは従来と変わるところはない。即ち、アンダーフィル樹脂２７の先端部である流れ端面２７Ａは直線状ではなく、図７に示されるように凹凸を有した形状とされている。
【００４６】
これは、液状であるアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は、開口部２３のエッジ部２３Ａ及び半導体装置２５の外周縁部２６Ａに沿った位置が他の部位よりも速いことに起因していることは前述した通りである。このため、図中矢印Ｖ１で示すアンダーフィル樹脂２７のソルダーレジスト２２上における流れ速度に対し、エッジ部２３Ａにおける流れ速度Ｖ２及び外周縁部２６Ａにおける流れ速度Ｖ３は大きくなっている。（Ｖ１＜Ｖ２，Ｖ１＜Ｖ３）。
【００４７】
図７に示す位置よりも更にアンダーフィル樹脂２７が進み、速度調整用開口部３０Ａに至ると、アンダーフィル樹脂２７は速度調整用開口部３０Ａ内に進入する。この際、本実施例では速度調整用開口部３０Ａはアンダーフィル樹脂２７の流れ速度の速い外周縁部２６Ａを含む位置に形成されているため、この流れ速度の速いアンダーフィル樹脂２７が速度調整用開口部３０Ａ内に流入する。
【００４８】
速度調整用開口部３０Ａ内に進入したアンダーフィル樹脂２７は、その流れ端面２７Ａが速度調整用開口部３０Ａの外周縁に沿って流れるため、その流れる距離（外周縁の距離）は長くなる。また、アンダーフィル樹脂２７は凹形状とされた速度調整用開口部３０Ａ内を流れるため、この速度調整用開口部３０Ａを埋めるまでは、速度調整用開口部３０ＡよりＸ方向には進行しない。
【００４９】
即ち、速度調整用開口部３０Ａを形成することにより、この速度調整用開口部３０Ａを通過するアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を他の部位に比べて遅くすることが可能となる。このように速度調整用開口部３０Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度の調整が行われるため、アンダーフィル樹脂２７が速度調整用開口部３０Ａを通過した時点でアンダーフィル樹脂２７の流れ端面２７Ａは、図８に示すように、略均一な滑らかな端面となる。
【００５０】
図９は、更にアンダーフィル樹脂２７がＸ方向に進んだ状態を示している。同図に示すように、実装領域２６の中央には開口部２３が存在するため、その長辺側のエッジ部２３Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は速く、外周縁部２６Ａにおいては速度調整用開口部３０Ａの存在によりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度は遅い。このため図９に示されるように、アンダーフィル樹脂２７は全体として卵型の形状を呈しながら進行する（流れ端面２７Ａが、中央部分が突出した曲線状となる）。
【００５１】
図１０は、アンダーフィル樹脂２７の配設処理が終了した状態を示している。図９に示したように、本実施例では実装基板２０に速度調整用開口部３０Ａを設けたことにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ分布は、その流れ端面２７Ａが略均一で滑らかな形状を呈するような分布となる。
【００５２】
具体的には、図９に示すように、中央部分が若干先行し、両側部がそれより若干遅く追随するような流れとなる。これにより、従来のようにアンダーフィル樹脂が中央部分を残して回り込むような流れを呈することを防止でき、よってアンダーフィル樹脂２７内にボイドが発生することを防止できる。このように、アンダーフィル樹脂２７内におけるボイドの発生が抑制されることにより、半導体装置２５を実装基板２０に実装する実装信頼性を高めることができる。
【００５３】
更に、配設処理が終了した後においても、アンダーフィル樹脂２７は速度調整用開口部３０Ａ内に残存する。このため、速度調整用開口部３０Ａ内のアンダーフィル樹脂２７は、実装基板２０に対するアンカー効果を奏するため、アンダーフィル樹脂２７は実装基板２０に確実に保持される。よって、これによっても実装基板２０と半導体装置２５との実装信頼性を高めることができる。
【００５４】
尚、本実施例では、開口部２３の長辺と対向するよう、かつ開口部２３を挟んで２個の速度調整用開口部３０Ａが配設されているが、速度調整用開口部３０Ａの配設数は２個に限定されるものではなく、複数であっても構わない。
【００５５】
また、配設位置も本実施例で示す位置に限定されるものではなく、アンダーフィル樹脂２７の流れに対応させて適宜選定可能なものである。例えば、速度調整用開口部を開口部２３の注入開始位置２９と反対側に設けた構成としてもよい。この構成することにより、アンダーフィル樹脂２７が実装領域２６から過剰に外部に流出することを防止できる。
【００５６】
次に、図１１乃至図１６を参照し、本発明の第２乃至第６実施例について説明する。尚、図１１乃至図１６において、第１実施例の説明に使用した図６乃至図１０に示した構成と同一構成については同一符号を付して、その説明を省略するものとする。
【００５７】
図１１は、本発明の第２実施例である実装基板２０を示している。本実施例では、２列のパッド構造を有する半導体装置を実装するため、ソルダーレジスト２２に２つの開口部２３，２４を形成した例を示している。この開口部２３，２４は、互いに平行に配置されており、アンダーフィル樹脂７はこの開口部３，４の延在方向（図中、左右方向）に対して直交する方向に注入される。
【００５８】
また本実施例では、開口部２３と開口部２４との間に速度調整用開口部３０Ａを形成した構成としている。本実施例のように、アンダーフィル樹脂２７の進行方向に二つの開口部２３，２４が延在し、アンダーフィル樹脂２７が回り込みやすい構成であっても、速度調整用開口部３０Ａによりアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整することにより、アンダーフィル樹脂２７の回り込みを抑制し、ボイドの発生を防止することができる。
【００５９】
図１２及び図１３は、本発明の第３及び第４実施例である実装基板２０を示している。第３及び第４実施例に係る実装基板２０は、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整する調整部として、平面視した状態で多角形状としたことを特徴とするものである。図１２は、十字形状の速度調整用開口部３０Ｂを一つの開口部２３を有する実装基板２０に適用した例を示している。また、図１３は、十字形状の速度調整用開口部３０Ｂを二つの開口部２３，２４を有する実装基板２０に適用した例を示している。
【００６０】
このように、速度調整用開口部３０Ｂの形状を多角形状としたことにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を大きく低減させることができる。よって、小さいスペースでアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を大きく低減することが可能となり、速度調整用開口部３０Ｂを設けることによりデッドスペースが実装基板２０上に発生することを防止できる。
【００６１】
これにより、実装基板２０の小型化を図りつつ、実装信頼性の向上を図ることができる。尚、本実施例では、多角形状として十字形状を例に挙げているが、特にこの形状に限定されるものではない。
【００６２】
図１４乃至図１６は、本発明の第５及び第６実施例である実装基板２０を示している。
【００６３】
前記した各実施例では、ソルダーレジスト２２に開口部２３，２４を形成し、実装基板２０の表面に凹部を形成することでアンダーフィル樹脂２７の流れ速度を遅くする構成としていた。これに対して第５及び第６実施例である実装基板２０は、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を調整する調整部として、ソルダーレジスト２２に速度調整用凸部３１を形成したことを特徴とする。
【００６４】
この速度調整用凸部３１は、図１４に示すようにソルダーレジスト２２に一体的に形成され凸部であり、ソルダーレジスト２２の形成時に同時形成されるものである。具体的には、ソルダーレジスト２２上に、スクリーン印刷等で凸状にソルダーレジストを設けることで形成される。また、速度調整用凸部３１の高さは、通常半導体装置２５が実装基板２０にフリップチップ接合された際に両者間に形成されるクリアランスと略等しいか、それより若干低い高さとされている。
【００６５】
図１４及び図１５は、速度調整用凸部３１を一つの開口部２３を有する実装基板２０に適用した例を示している。また、図１６は、速度調整用凸部３１を二つの開口部２３，２４を有する実装基板２０に適用した例を示している。各図に示すように、ソルダーレジスト２２に形成した凸状の速度調整用凸部３１形成することにより、アンダーフィル樹脂２７がこの速度調整用凸部３１まで流れた際に、速度調整用凸部３１はアンダーフィル樹脂２７の流れを阻止するダムとして機能する。これにより、アンダーフィル樹脂２７の流れ速度を低減することが可能となり、アンダーフィル樹脂２７内にボイドが発生することを防止できる。
【００６６】
また、図１４及び図１５に示すように、速度調整用凸部３１を実装領域２６の注入開始位置２９とは反対側のコーナ部に形成することにより、アンダーフィル樹脂２７が実装領域２６から不要に外部に流出することを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】図１は、従来の実装基板の第１従来例を示す斜視図である。
【図２】図２は、第１従来例に係る実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である。
【図３】図３は、第１従来例に係る実装基板で発生する問題点を説明するための図である。
【図４】図４は、第２従来例に係る実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である。
【図５】図５は、第２従来例に係る実装基板で発生する問題点を説明するための図である。
【図６】図６は、本発明の第１実施例である実装基板を示す斜視図である。
【図７】図７は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その１）。
【図８】図８は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その２）。
【図９】図９は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その３）。
【図１０】図１０は、本発明の第１実施例である実装基板におけるアンダーフィル樹脂の流れを説明するための図である（その４）。
【図１１】図１１は、本発明の第２実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１３】図１３は、本発明の第４実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５実施例である実装基板の斜視図である。
【図１５】図１５は、本発明の第５実施例である実装基板の要部平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第６実施例である実装基板の要部平面図である。
【符号の説明】
【００６８】
２０ 実装基板
２２ ソルダーレジスト
２３，２４ 開口部
２３Ａ，２４Ａ エッジ部
２５ 半導体装置
２６ 実装領域
２６Ａ 外周縁部
２７ アンダーフィル樹脂
２７Ａ 流れ端面
２９ 注入開始位置
３０Ａ，３０Ｂ 速度調整用開口部
３１ 速度調整用凸部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にソルダーレジストが配設されると共に、該ソルダーレジストの半導体装置が実装される部位に該半導体装置を実装するための第１の開口部が形成されてなる半導体装置用実装基板において、
前記ソルダーレジストの前記第１の開口部の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時における該アンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する調整部を設けたことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した第２の開口部であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した凸部であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項４】
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に矩形状であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項５】
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に多角形状であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項６】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記第１の開口部の前記アンダーフィル樹脂の注入開始位置に対する反対側に設けたことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記半導体装置が実装され実装領域の外周縁を含む位置に形成したことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板に対して半導体装置がフリップチップ接合されており、
かつ、前記半導体装置と前記半導体装置用実装基板との間にアンダーフィル樹脂が配設された半導体装置の実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂が、少なくとも前記第１の開口部及び前記調整部の配設位置を含む位置に配設されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１】
表面にソルダーレジストが配設されると共に、該ソルダーレジストの半導体装置が実装される部位に該半導体装置を実装するための第１の開口部が形成されてなる半導体装置用実装基板において、
前記ソルダーレジストの前記第１の開口部の周辺部に、アンダーフィル樹脂配設時における該アンダーフィル樹脂の流れ速度を調整する調整部を設けたことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した第２の開口部であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は、前記ソルダーレジストに形成した凸部であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項４】
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に矩形状であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項５】
請求項２または３記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部は平面視した際に多角形状であることを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項６】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記第１の開口部の前記アンダーフィル樹脂の注入開始位置に対する反対側に設けたことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板において、
前記調整部を、前記半導体装置が実装され実装領域の外周縁を含む位置に形成したことを特徴とする半導体装置用実装基板。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置用実装基板に対して半導体装置がフリップチップ接合されており、
かつ、前記半導体装置と前記半導体装置用実装基板との間にアンダーフィル樹脂が配設された半導体装置の実装構造において、
前記アンダーフィル樹脂が、少なくとも前記第１の開口部及び前記調整部の配設位置を含む位置に配設されていることを特徴とする半導体装置の実装構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００６−３４４８２２（Ｐ２００６−３４４８２２Ａ）
【公開日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１６９８９４（Ｐ２００５−１６９８９４）
【出願日】平成１７年６月９日（２００５．６．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１２月２１日（２００６．１２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年６月９日（２００５．６．９）
【出願人】（０００１９０６８８）新光電気工業株式会社 (1,516)
【Ｆターム（参考）】
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