【課題】
半導体チップの実装に際して、半導体チップの配線回路基板上への実装時間を短縮して、半導体チップの大量生産及び低コスト化に適した半導体チップの実装を可能にする。
【解決手段】
配線回路基板上に半導体チップをフリップチップ方式で実装する半導体チップの実装方法において、フィルムの表面に剥離可能に保持されている半導体チップを該フィルムの裏面側から超音波ホーンにより押して半導体チップを突き出させ、この突き出させた半導体チップに前記超音波ホーンより超音波による振動を負荷したまま該半導体チップを同一加圧方向に対応する前記配線回路基板上に押し付けることにより、前記半導体チップを剥離すると同時に該半導体チップの電極を配線回路基板の回路に接合させる。 （もっと読む）

自己支持型アンダーフィル薄膜（１８）が表面実装集積回路パッケージ（１４）を印刷回路基板（１０）に接着により接合している。前記印刷回路基板は、前記基板の表面上に導電性トレース（１２）及び露出型導電性ランド（１３）を備える。薄膜接着剤は、前記印刷回路基板上の前記導電性ランド近傍に意図して配置され、前記表面実装集積回路パッケージは、その後、前記パッケージ上の導電性ランド（１６）が、前記基板上の前記導電性ランドと位置が合致するように前記基板上に配置される。前記パッケージが前記基板に半田付けされる時には前記薄膜接着剤は軟化し、最終的には前記薄膜はアンダーフィルとして、前記半田接合部の機械的な一体性を高めるように作用する。
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【課題】 接合時にバンプや半導体装置に過剰な力が作用するのを防ぐと共に、半導体装置と接合対象物間の安定したギャップ制御性にも優れた半導体装置の接合方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置１のバンプ配置面１ａにおけるバンプ２の配置されていない部分と接合対象物４との間に、バンプ２の高さより大きい厚さの樹脂材３を介在させてバンプ２が接合対象物４に接触しない状態で接合対象物４に対して半導体装置１を押し込む工程と、この押し込み時に樹脂材３を介して半導体装置１が受ける反力を検出する工程と、樹脂材３及びバンプ２を加熱溶融させ、反力が検出された位置から所定量だけ半導体装置１を接合対象物４に近づけて溶融したバンプ２をランド５に接合させる工程と、樹脂材３を加熱硬化させる工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】アンダーフィル材の先塗り工法を採用した際に、アンダーフィル材が配線基板に設けたフリップチップ実装用のパッド電極まで拡散しない手段を提供することを目的とする。
【解決手段】、配線基板７には、チップＩＣ用のパッド電極２が形成されている。そこで、アンダーフィル材がチップＩＣ用のパッド電極２の位置まで拡散しないように、チップＩＣ用のパッド電極２の配列の内側に沿ってアンダーフィル材を塗布する領域を囲むように溝８を形成する。溝８は、例えば、セラミック基板母材を個片の基板に分割する際に形成するブレイク溝のように、カッター、或いはレーザ加工により形成すれば良い。図１（ｂ）は、Ａ−Ａ’における断面図である。 （もっと読む）

多層回路アセンブリの生産システムおよび方法。アセンブリは、ウェビング部材、部品、およびラミネート層を含む。方法は、部品がその上に位置されたウェビング部材のロールおよびラミネート層の別のロールを提供する工程と、ウェビング部材上の部品の位置をイメージング装置でモニタする工程とを含む。方法はまた、モニタされたウェビング部材上の部品の位置に基づく部位でラミネート層の部分を改変する工程と、ラミネート層をウェビング部材に結合して多層回路の連続シートを提供する工程とを含む。多層回路は、ウェビング部材およびラミネート層の間に位置され、およびラミネート層における改変部と位置調整された部品で形成される。
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【課題】熱硬化性樹脂に含まれるフィラーが半導体素子へクラックを生じさせないよう、半導体素子と回路基板の距離を一定以上保つことができる半導体素子の実装方法およびその装置を提供する。
【解決手段】半導体素子４の電極に形成されたスタッドバンプ５と回路基板１の配線２との間に熱硬化性樹脂３を介在させ、半導体素子４を反転させ、スタッドバンプ５と配線２との位置合わせを行った後、圧着ツール８を用いて半導体素子４の間にフッ素樹脂テープよりも弾性率の高い材料を用いた保護テープ７を挟み、熱圧着を行い半導体素子４と回路基板２を電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を容易に製造することが可能な配線基板、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、ベース基板１０と、ベース基板１０に設けられた配線パターン２０と、配線パターン２０を部分的に覆う樹脂層３０とを含む。樹脂層３０は、樹脂層３０を囲む最も小さい矩形４０の内側であって矩形４０に内接する円又は楕円よりも外側の角部領域４４内に、樹脂層３０の外周に至るように設けられた凹部３２を有する。 （もっと読む）

【課題】バンプ付半導体素子がフェイスダウン構造で配線回路基板上に搭載された半導体装置をノーフロー方式で製造するための半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）１分子中に２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有する化合物、（Ｃ）フラックス活性剤、および（Ｄ）最大粒子径が30μm以下かつ平均粒子径の標準偏差が5μm以下の粒子であり、下記一般式（１）：


（式中、X₁〜X₅は水素、Ｃ1〜9のアルキル基またはフッ素）で表される硬化促進剤を含有してなる半導体封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】薄型で信頼性の高いセンサーモジュールを提供する。
【解決手段】センサーモジュールを、センサーチップと、このセンサーチップの表面のアクティブ面に空隙部を介して対向するように配設された保護材と、開口部内に前記保護材を挿入するように前記センサーチップをフリップチップ方式で実装した配線基板とを備えるものとし、センサーチップはアクティブ面の外側領域に複数の引き出し配線を介して電極パッドを有するものとし、保護材はセンサーチップのアクティブ面の外側領域であって電極パッドの内側領域にリブを介して配設されたものとし、配線基板は開口部の周縁部に配設された複数の回路端子電極と、これらの回路端子電極上に突設された導電性バンプを有するものとし、導電性バンプとセンサーチップの電極パッドとが接合された構成とした。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置を容易に製造することが可能な配線基板、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 配線基板は、ベース基板１０と、ベース基板１０に設けられた配線パターン２０と、配線パターン２０を部分的に覆う樹脂層３０とを含む。樹脂層３０は、樹脂層３０を囲む最も小さい矩形４０の内側であって矩形４０に内接する円又は楕円よりも外側の角部領域４４内に、２つ以上の離れた部分３２を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップの狭ピッチ化に伴い金スタッドバンプの高さが減少しても、チップ−基板間へアンダーフィル樹脂を完全充填し、微小塵によるチップアクティブ面の損傷を防止できるフリップチップ接続方法を提供する。
【解決手段】 PO−SRmax-10≦Fmax≦PO-SRmaxかつPO-SRmax-15≦Fave≦PO-SRmax〔単位μｍ、Fmax：最大フィラー粒径、Fave：平均フィラー粒径、PO：チップパッド開口幅、SRmax：ソルダレジスト層最大厚さ〕を満たすフィラー粒子を含有するアンダーフィル樹脂を、基板上のフリップチップ接続予定位置に滴下して樹脂液丘とし、その上から半導体チップを押し付けて樹脂液丘を押し広げつつ、チップ−基板間に挟持したフィラー粒子をスペーサとしてチップ−基板間を所定間隔に保持し、アンダーフィル樹脂を硬化させ、チップスタッドバンプと基板はんだバンプを接合する。 （もっと読む）

【課題】 速硬化性に優れているだけでなく、接合すべき部材間の接合の信頼性を高めることができ、塩素等の不純物による接合の信頼性の低下が生じ難い、エポキシ系硬化性組成物を提供する。
【解決手段】 エポキシ化合物と、該エポキシ化合物の硬化剤と、該硬化剤による硬化を促進する硬化促進剤とを含み、前記硬化促進剤として、マイクロカプセル型硬化促進剤とアミンアダクト型硬化促進剤との少なくとも一方の硬化促進剤と、イミダゾール系硬化促進剤とを含む、並びに電子部品素子２と、電子部品素子２が実装される基板４とを備え、基板４上に上記エポキシ系硬化性組成物からなる硬化物６を用いて該電子部品素子が接合されている、電子部品１。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置を回路基板に固定する接着剤が半導体装置の周囲から食み出す量を規制する半導体装置及び半導体装置の実装構造を提供する。
【解決手段】 半導体装置１の実装面に形成される保護膜８の周辺部に溝５又は角部の面取りを設ける。半導体装置１を回路基板１０に向けて加圧及び加熱して突起電極４を基板電極１１に接合するとき、半導体装置１と回路基板１０との間の間隙に供給された接着剤７は溶融して周囲に広がり、間隙の容積を上回る余剰接着剤７は溝５又は面取りによって確保された容積に収容されるので、半導体装置１の周囲から食み出す接着剤７の量は大幅に抑制される。 （もっと読む）

【課題】はんだ付けリフロー時の封止樹脂の吸湿水分の急激な体積膨張による実装部の破壊や接合部の品質低下を防止する。
【解決手段】半導体素子１と回路基板３とを、半導体素子１の電極上に形成したバンプ２と、前記回路基板３上に設けた配線４とを介して電気的に接合し、半導体素子１と回路基板３の間に封止樹脂５を介在させた半導体装置において、半導体素子１の隣接する２辺から０．６ｍｍ以内の隅部に形成した貫通穴１１により、封止樹脂５に含まれる吸湿水を脱湿可能とした。 （もっと読む）

【課題】 所定形状に切り出して被着体に仮貼り付けされたフィルム状封止接着材の剥離フィルムを、簡単で安価な手段により、確実、且つ迅速に剥離することができるフィルム状封止接着材の剥離フィルムの剥離方法を提供する。
【解決手段】 接着剤層２の少なくとも一面に剥離フィルム３／剥離可能に貼り付けられてなるフィルム状封止接着材１が、任意の形状に切り出して被着体１０に接着剤層２により仮貼り付けされ、剥離用接着フィルム４の粘着面を、弾性変形可能な加圧ローラ７により剥離フィルム３に押し付けて接着させたのち、加圧ローラ７を、弾性変形した状態を保持しながら、剥離用接着フィルム４が剥離フイルム３の全面に接するように転動させて、剥離フィルム３を剥離用接着フィルム４に接着して接着剤層２から剥離する。 （もっと読む）

【課題】高歩留まりで高信頼性の接続に対応した超音波接合用のフリップチップ実装装置（ＦＣＢ装置）を実現する。
【解決手段】絶縁性樹脂（ＮＣＰ：Non Conductive Paste）を用いた超音波接合用のＦＣＢ装置において、光ファイバー１７を用いて接合ヘッド６の上面に光照射して加熱することにより、照射光１８が漏れて半導体素子１の搭載前の樹脂５に当たり硬化してしまうことがないため、電極間への樹脂残りによる電気的な接続不良の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の微細接続を可能にする半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１のトランジスタから引上げてきた配線を外部結線へと導き、周囲をシリコン酸化膜Ｉ６で囲まれているビア接続端子５上に、付根部が窒化保護膜３で覆われ半導体チップ１から突出した微細接続端子４を形成する構成を有する。具体的には、半導体チップ１のシリコン酸化膜６上に設けられた接続端子５に複数の微細接続端子４が電気的に接続されている。微細接続端子４の付根部に窒化系保護膜３が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 接合部を保護する樹脂材の充填性を高め、且つ信頼性にも優れた半導体装置の接合方法及び接合構造を提供すること。
【解決手段】 バンプ２を半導体装置１に形成する工程と、バンプ２を覆うように第１の樹脂材３を半導体装置１のバンプ形成面１ａに形成した後、第１の樹脂材３を硬化させる工程と、バンプ２の先端部２ｂを第１の樹脂材３から露出させる工程と、露出された先端部２ｂを接合対象物１１に形成された導体部１２に押し当てた状態で溶融させて接合させる工程と、未硬化状態で先端部２ｂを覆った後、接合時に硬化されて第１の樹脂材３の厚さよりも小さい第１の樹脂材３と接合対象物１１の導体部形成面１１ａとの間の間隙を充填する第２の樹脂材４を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 半田バンプ付き半導体接合における、接合タクトの問題、フラックス使用による問題、熱硬化性樹脂の注入に関する問題、信頼性の低下問題を解決することを目的としている。
【解決手段】 少なくとも、熱硬化性樹脂７を予め基板２に供給する工程と、該熱硬化性樹脂７上に半田バンプ付き半導体１を供給する工程と、非接触の熱源９による局部加熱で前記半田バンプ付き半導体１を加熱して半田バンプ３を溶融させ基板２上の電極４と接合を行なう工程を有する半田バンプ付き半導体接合方法とする。 （もっと読む）

【課題】 液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面に突起電極を有する半導体チップを封止する半導体装置の製造方法において、特にリフロー条件での接続、封止工程に対しても良好なはんだ接続性が得られる液状樹脂組成物を用いて信頼性の高い半導体装置を得る。
【解決手段】 ２５℃で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂（Ａ）、及びフラックス活性を有し２５℃で固形であり、融点の異なる少なくとも２種類以上の硬化剤（Ｂ）を含んでなる液状樹脂組成物であり、２種類以上の硬化剤（Ｂ）の融点の、最も高い融点と最も低い融点の差が１０℃以上であることが好ましい。また、回路面にはんだ突起電極が形成された半導体チップと回路基板とを、前記の液状樹脂組成物を介してはんだの融点以上に加熱し、該突起電極と回路基板とを電気的に接合し、樹脂を硬化させて製造する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）