【課題】 半導体装置の組み立てにおいてワイヤボンディングの接続信頼性の向上を図る。
【解決手段】 パッケージ基板５の主面５ａにソルダレジスト膜５ｈの表面より凹んだ溝部５ｄが形成され、この溝部５ｄが半導体チップ１の内側から外側にまたがるように半導体チップ１を配置し、その後、半導体チップ１を押圧してフリップチップ接続することにより、半導体チップ１の下部からはみ出ようとするＮＣＰ７を溝部５ｄに流れ込ませてＮＣＰ７のはみ出し量を低減することができ、その結果、ＮＣＰ７はチップ搭載領域の外側に配置されたワイヤ接続用端子まで到達しないため、ワイヤ接続用端子にＮＣＰ７が付着することを防止でき、半導体装置におけるワイヤボンディングの接続信頼性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 ステージ又はツールに固着する樹脂を選択的且つ短時間で容易に剥離でき、半導体装置の歩留まりを向上できる製造装置及び半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子４１を保持する第１保持具１１と、半導体素子４１に接続される突起電極４５ａ，４５ｂ及び突起電極４５ａ，４５ｂの周囲に配置される封止材６０を介して半導体素子４１と接合する基板５１を保持する第２保持具１３と、第１保持具１１及び第２保持具１３の少なくとも一方に超音波振動を印加する超音波振動印加機構３０と、半導体素子４１と基板５１との接合により第１保持具１１及び第２保持具１３の少なくとも一方に付着する封止材６１ａ，６１ｂの一部に紫外光を照射する光照射機構２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】接着剤がベアチップとボンディングヘッドとの間に侵入しないようにするために、ガスの温度や噴射等の制御装置が必要とならない。ガスの保管、供給等の機器必要とならない。また、ガスの流量調整をする必要がない。
【解決手段】加圧ツール２により、ベアチップ４を吸着して保持しこの保持したベアチップ４を、接着剤５が塗布された基板６上の搭載位置に搭載する。そして、加圧ツール２によりベアチップ４を吸着して保持するときに、シート３を加圧ツール２とベアチップ４との間に挟み込む。 （もっと読む）

【課題】ズリ速度依存性の少ない（チクソトロピー性の小さい）流動特性を有し、しかも低温硬化可能で、しかも長時間の可使時間性にも優れた低粘度の一液無溶剤型のエポキシ樹脂組成物によって樹脂封止されてなる電子部品装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１に設けられた接続用電極部（半田バンプ）３と配線回路基板２に設けられた接続用電極部（半田パッド）５を対向させた状態で上記配線回路基板２上に半導体装置１が搭載された電子部品装置である。そして、上記配線回路基板２と半導体装置１との空隙が、下記の（Ａ）および（Ｂ）成分とともに下記の（Ｄ）〜（Ｅ）成分を含有する液状エポキシ樹脂組成物からなる封止樹脂層４によって樹脂封止されている。（Ａ）液状エポキシ樹脂。（Ｂ）液状フェノール樹脂。（Ｃ）固体分散型アミンアダクト系硬化促進剤粉末粒子。（Ｄ）アミン系シランカップリング剤。（Ｅ）無機質充填剤。 （もっと読む）

超音波トランスデューサ（40、70、100）は、個々のダイが結合された集積回路（42、72、102）と、この個々のダイが結合された集積回路にフリップチップバンプのアレイ（46、76、106）を介して結合された音響素子アレイ（44、74、104）とを有する。個々のダイが結合された集積回路は、第１の集積回路ダイ（48、78、108）と、前記第１の集積回路ダイに整列された少なくとも１つの更なる集積回路ダイ（50、80、（110、112））とを含んでいる。また、第１の集積回路ダイと、少なくとも１つの更なる集積回路ダイと、音響素子アレイとは一緒になって大口径のトランスデューサアレイを形成している。
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【解決手段】複数の電子デバイスを製造する方法が提供される。デバイスウエハ上に形成された複数の集積回路上の複数の第１の導電性端子のそれぞれが、キャリアウエハ上の複数の第２の導電性端子のそれぞれと連結して、コンビネーションウエハアセンブリを形成する。コンビネーションウエハアセンブリは、分離した電子アセンブリを形成する複数の集積回路の間において、複数の集積回路の間でシンギュレートされる。電子アセンブリはそれぞれ、デバイスウエハの分離した部分からの個別のダイ、およびキャリアウエハの分離した部分からのキャリアウエハを有する。複数の電子アセンブリを製造するプロセスは、ウエハレベルで、すなわち、シンギュレーションの前に、複数のダイがキャリアウエハに連結され、単純化され、コストが低減される。また、コンビネーションウエハアセンブリは、アンダーフィル材料の導入、ウエハレベルでの硬化、および分離した支持ウエハを必要とせずにウエハレベルでのデバイスウエハの薄層化を可能とする。デバイスウエハとキャリアウエハとの間の位置合わせは、デバイスウエハとキャリアウエハのそれぞれの中の第１の導電体と第２の導電体を通る電流を伝導することにより試験される。
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【課題】本発明は上記問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は下層バンプと上層バンプとの接合部でクラックや剥離が生じることを抑制できる半導体素子を提供することにある。
【解決手段】半導体基板１上に形成された下地金属層３と、下地金属層３上に形成される下層バンプ５ｘと、下層バンプ５ｘ上に形成される上層バンプ５ｙと、下層バンプ５ｘを被覆するレジスト層７とからなる半導体素子であって、上層バンプ５ｙは実質的にレジスト層７に埋設されている柱状部５ｙ_１と、この柱状部５ｙ_１上に形成されるバンプ露出部５ｙ_２とからなる。 （もっと読む）

【課題】従来の圧着装置を用いた熱硬化性樹脂ペーストによる半導体ベアチップ実装では、半導体ベアチップの外周辺中央付近に集中して樹脂ペーストが１．０ｍｍ程度はみ出すため、それより内側に周辺部品を搭載することができず、モジュール部品の小型化の弊害となっていた。本発明では樹脂ペーストのはみ出しを最小限に抑えることを目的としている。
【解決手段】本発明の圧着装置では、半導体ベアチップ２の外周辺中央付近に位置する部分が低温部１ｂとなった圧着ツール１を用いることにより、半導体ベアチップ２に熱と圧力を加えた時に、半導体ベアチップ２の外周辺中央付近では温度上昇が少なく、樹脂ペースト３も加熱される部分に比べて粘度が高くなり、流動が抑制されて、はみ出しが減少し、従来よりも半導体ベアチップ２に近接して周辺部品を搭載できるようになり、モジュール部品の更なる小型化が可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置と回路基板との間の接続部位におけるショートの防止。
【解決手段】端子電極２を有する半導体装置１００が、入出力端子電極８を有する回路基板９に実装され、端子電極２と入出力端子電極８とが対向配置されて電気接合層１３を介して電気接続されている。ＩＣ基板１の一面１ａに設けられた端子電極２と、一面１ａに設けられたパッシベーション４と、パッシベーション４を覆う保護膜５とを有する。端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。電気接合層１３は、その周囲が凹部４５によって囲まれることで周囲への流出が阻止される。
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【課題】 本発明は、厚み精度、位置精度が高く、ボイドの発生が少ない非液状の樹脂材料を使用し、実装時間の短縮を可能とする半導体チップの実装方法を提供とする。
【解決手段】 半導体チップを配線基板に非液状の樹脂材料を介して実装する半導体チップの実装方法において、半導体チップの裏面又は配線基板における半導体チップの実装面の少なくともいずれか一方に非液状の樹脂材料を配置し、半導体チップと配線基板とを圧着すると同時に又は半導体チップと配線基板とを圧着した後に、上記樹脂材料に振動を与えることを特徴とする半導体チップの実装方法であり、また、半導体チップの裏面又は配線基板における半導体チップの実装面の少なくともいずれか一方に非液状の樹脂材料を配置し、上記樹脂材料に振動を与えた後に、半導体チップと配線基板とを圧着することを特徴とする半導体チップの実装方法である。 （もっと読む）

はんだ接続（１８）でキャリア基板（１０）の第１面（１１）に取り付けられた電子装置（２０）を含む組立部品。前記基板（１０）の前記第１面（１１）は、接続パッド（１５）及びはんだレジスト層（１６）を備える。前記基板（１０）と前記電子装置（２０）の間のどの空間にも封止材料（１９）が充填される。前記基板（１０）は、さらに、外部のボードに対する接続のためのコンタクトパッドを含む。前記はんだレジスト層（１６）は、第１接続パッド（１５）に隣接する開口（１６）を含むパターンに従ってパターニングされる。この開口（１６１）はリング状で、前記第１接続パッドの外周を形成する。このようにして、ビア（１４２）が接続パッド（１５）の下の基板（１０）内に存在する場合にも、層間剥離を防ぐ。
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【課題】 ＩＣチップのバンプ面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップの効果により、従来のＩＣチップを配線基盤に実装する作業工程に比較しロス率の低下の改善を実現する。
【解決手段】 ＩＣチップの端子（バンプ）面に剥離性粘着剤を塗布加工したことを特徴とする粘着剤付きＩＣチップ及び粘着剤付きＩＣチップの実装方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】負荷のかかる部分の下にＭＯＳトランジスタを置いた場合にＭＯＳトランジスタの特性、特に電気特性が変動してしまうことを逆に利用することで半導体装置の電気的な特性を制御する方法やその組立方法について提供する。
【解決手段】半導体チップ(1)基板内に金属酸化物半導体（ＭＯＳ）トランジスタ(2)を含む半導体装置であって、電流能力及びしきい値電圧が所定値と異なるＭＯＳトランジスタ(2)の上部に、バンプ(6a)を形成し、前記バンプ(6a)を基板に固定する。これにより、従来は電気特性異常であった半導体装置の電気特性改善が可能となる。また、半導体特性の向上や能力ＵＰさせる方法や組立方法の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子上、もしくは、半導体装置下面に熱可塑性樹脂層を形成する際、熱可塑性樹脂層の量と厚みを制御することができる。
【解決手段】 パッケージ回路基板７と、パッケージ回路基板７上に搭載された半導体素子８と、パッケージ回路基板７の配線と半導体素子８とを電気的に接続した接続手段と、パッケージ回路基板７上の半導体素子８の外囲を封止した樹脂１０と、パッケージ回路基板７の底面に設けられた突起電極１１と、パッケージ回路基板７の底面外周部に設けられた突起部１２ａと、突起電極１１間および突起電極１１と突起部１２ａとの間に設けられたフラックスを含有する熱可塑性樹脂１３とを備えた。これにより、熱可塑性樹脂１３の塗布量と厚みを制御することが容易である。また、熱可塑性樹脂１３によるフィレットの形成を抑え、隣接する電子部品を横転させる可能性を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 フラックス機能を有し、かつ接着時の作業性が向上する接着フィルムおよびそれを用いた半導体パッケージおよび半導体装置を提供すること。また、製造が容易、かつ歩留まりの少ない半導体パッケージおよび半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本発明の接着フィルムは、半導体素子または半導体装置を実装する際に用いる接着フィルムであって、少なくとも１つ以上のフェノール性水酸基を有する第１の樹脂と、第２の樹脂と、前記第２の樹脂よりも重量平均分子量の低い第３の樹脂とを含むことを特徴とするものである。また、本発明の半導体パッケージは、半導体素子とインターポーザとが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。また、本発明の半導体装置は、半導体パッケージとプリント配線板とが上述の接着フィルムで実装されているものであることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップがリッドに覆われてなるフリップチップ接続構造の半導体装置において、半導体チップとリッドとの間の熱伝導性樹脂の厚みにバラツキが生じたり、その熱伝導性樹脂による接合部分に剥離が生じたりすることを防止して、半導体チップで生じた熱を確実にリッドに逃がせるようにする。
【解決手段】配線基板１上の半導体チップ２をリッド３によって覆うとともに、前記リッド３の凹部底面３ａと前記半導体チップ１との間に熱伝導性樹脂４を介在させ、かつ、前記リッド３の凹部頂面３ｂと前記配線基板１との間に接着剤５を介在させ、これらを加圧して前記凹部底面３ａと前記半導体チップ２との間隔を均一化した状態で前記接着剤５を硬化させる。そして、その加圧の解除後に前記熱伝導性樹脂４および前記接着剤５を完全硬化させて、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】 高周波用半導体装置の半導体チップのバンプ間ピッチの微細化に伴い、簡易な方法でバンプ間のショートの発生を防止し、かつ、半導体チップと回路基板とのフリップチップ接続時に、低ストレスで接合信頼性の高い半導体装置の製造方法が要望される。
【解決手段】 複数の突起金属電極を有する半導体素子を、回路基板にフェイスダウン実装する半導体装置の製造方法において、突起金属電極の頭頂部を平坦かつ平滑にする工程と、少なくとも突起金属電極の表面部全面を固化した絶縁膜により被覆する工程と、半導体素子の突起金属電極と回路基板上に形成された電極端子を対向配置する工程と、半導体素子に荷重を印加して突起金属電極と回路基板の電極端子とを接合する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において短時間で硬化し、ボイドレスの優れた接着性を備えた硬化樹脂層を形成できるエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂及び硬化剤を含有すると共に室温で液状であるエポキシ樹脂組成物に関する。硬化剤として、２−メチルイミダゾールと下記化学式（１）で示される脂環式エポキシとの付加反応物を用いる。このエポキシ樹脂組成物を用いてフリップチップ実装を行えば、動作信頼性の高い半導体装置を効率よく製造することができる。
【化１】
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【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、
（Ｂ）芳香族アミン系硬化剤、
（Ｃ）酸無水物をマイクロカプセル化したマイクロカプセル型硬化促進剤
を必須成分とすることを特徴とする液状エポキシ樹脂組成物。
【効果】 本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、保存性を維持しつつ硬化時間を短縮することができる。また、シリコンチップの表面、特に感光性ポリイミド樹脂や窒化膜との密着性に優れた硬化物を与え、吸湿後のリフローの温度が従来温度２４０℃付近から２６０〜２７０℃に上昇しても不良が発生せず、更にＰＣＴ（１２０℃／２：１ａｔｍ）等の高温多湿の条件下でも劣化せず、６５℃／１５０℃の温度サイクルにおいて数百サイクルを超えても剥離、クラックが起こらない半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

複数の担体（４）、特にスマートカード又はフレックスカードに半導体チップを付与するデバイス及び方法に関する。本発明によると、接着剤付与デバイス（１）を前記担体（４）上の規定位置に接着剤を付与するために使用し、嵌合デバイス（２）を前記担体（４）上の位置に前記半導体チップ（５）を付与するために使用し、そして、硬化デバイス（３）を前記接着剤の硬化のために使用する。前記硬化デバイス（３）及び／又はその他のデバイスは、クランピングデバイス（１３，１４）により、前記デバイスと共に、前記担体（４）の輸送用のコンベヤーベルト（６）へ連結することができて、そして、リフティングデバイス（１５）により、前記コンベヤーベルト（６）の速度で、輸送方向に置き換えることができる。
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