本発明の電極間接続構造体形成方法では、表面（１１０ａ）に第１電極部（１１１）を有する第１接続対象物（１１０）に対して、開口部（１３０ａ）を有する接着層（１３０）を、開口部（１３０ａ）から第１電極部（１１１）が露出し、かつ、表面（１１０ａ）の少なくとも一部を覆うように形成する工程と、第２電極部（１２１）を有する第２接続対象物（１２０）を、第１接続対象物（１１０）に対して、第１電極部（１１１）と第２電極部（１２１）が対向しつつ接着層（１３０）が第２接続対象物（１２０）に接するように配置する工程と、第１電極部（１１１）および第２電極部（１２１）が導体部（１４０）を介して電気的に接続されるとともに接着層（１３０）が硬化するように加熱処理を行う接続工程とが含まれている。
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【課題】 接続対象が多数の微細な半導体チップであっても、機械的、電気的な接続信頼性を向上させ、低コストで効率的、かつ精度良く配線接続を行うことができるようする。
【解決手段】 第１および第２の外部接続用電極１１，１２を有する半導体チップ１を、それぞれの接続対象となる第１および第２の配線２１，２２の接続部分２３，２４の近傍に配置し、接着層３を介して仮固定する。次いで、第１および第２の外部接続用電極１１，１２と接続部分２３，２４とに無電解めっき法により金属体４を成長させ、その成長した金属析出構造体を合体、一体化することにより、半導体チップ１を第１および第２の配線２１，２２に接続する。 （もっと読む）

【課題】 常温での接合が可能であり、実装の位置精度も向上する半導体チップのフリップチップ実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップ５２のフリップチップ実装方法において、半導体チップ５２の基板５０への搭載前もしくは接合時に、絶縁性接着剤５１に熱以外の硬化トリガーを与える工程と、該硬化トリガーを与えたことにより絶縁性接着剤５１の硬化が進行する間に、半導体チップ５２のバンプを基板５０のパッドに圧接方法もしくは金属間結合方法により接合する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信頼性をもって容易に操作できる半導体パッケージと配線板の電気接続方法。
【解決手段】はんだバンプ２を有するバンプアレイパッケージ１の表面に熱流動性でかつ熱硬化性の接着フィルム３を配置し、前記はんだバンプと前記接着フィルムとからなる平坦な表面を有するバンプアレイパッケージを形成すること、前記はんだバンプと接着フィルムとからなる平坦な表面を配線板５上に配置し、前記接着フィルムの硬化を完了させるのに十分な温度であってかつ前記はんだの融解温度より高い温度に加熱することで、バンプアレイパッケージを配線板に接続するバンプアレイパッケージを配線板に電気接続するための方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の導電部間を接合する際に、加熱加圧による接着剤の漏れ出しを防止することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１導電部１２ａと、これと対向する第２導電部１２ｂとが接合されてなる半導体装置の製造方法であって、前記第１導電部１２ａと前記第２導電部１２ｂとを、金属酸化物粒子を含む接着材５により接合させる接合工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】合成樹脂からなるフィルムを基板とし、この基板上に形成されたリードとチップのバンプとが電気的に接続され、前記チップと基板の隙間と、チップの側面とチップ周囲の基板面との間を、異なる樹脂で封止する方法として、両樹脂による封止が確実に行われ、温度サイクルテストでリードにクラックが生じないようにできる方法を提供する
【解決手段】チップ５とポリイミドフィルムからなる基板１との間に第１の封止樹脂４を、平面視でチップの全外形線５１より外側に至るように供給した後、第１の封止樹脂４より線膨張係数が小さい第２の封止樹脂７を用いて、チップ５の側面と基板１との間を封止する。 （もっと読む）

【課題】 回路基板に実装部品を接続する方法であって、これらの接続後に生じる回路基板の反りを防止できる実装方法を提供する。
【解決手段】 第一電極１２を有する回路基板１０と第二電極３１を有する実装部品３０とを、第一電極１２と第二電極３１を対向させ、回路基板１０と実装部品３０の間に接着剤２０を介在させてステージ４１上に配置する位置決め工程と、ステージ４１に対向して設置してあるヘッド４２をステージ４１方向に移動させ、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加圧する加圧工程と、加圧状態を保持しながら、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０を加熱する加熱工程と、ヘッド４２を移動し、回路基板１０、実装部品３０及び接着剤２０の加圧状態を解除する圧力解除工程と、を有する実装方法。 （もっと読む）

チップおよびパッケージ型式基板を有する集積回路チップ構造の種々の特性を助長する。種々の実施例において、カーボンナノチューブ充填材料（１１０）を、集積回路チップ（２２０，３４０）とパッケージ型基板（２１０，３５０）と間の構成に使用する。カーボンナノチューブ充填材料は、パッケージの封入（モールド化合物（３３０）として）、ダイ接着（３７４）、フリップチップのアンダーフィル（２４０）など多様な用途に使用される。カーボンナノチューブは、強度、熱伝導性、導電性、耐久性、流動性など、多様な特性を助長する。
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【課題】 簡易な工程が可能で、かつ薄型化が可能な半導体装置および半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】 基板上に電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターンが形成された基板に、電子部品である集積回路を位置決めされた所定の電気絶縁樹脂で被覆された金属配線パターン電極と対向させる。ここに、電子部品は、基板の電極と接合するために接合部電極上にある電気絶縁樹脂を排除する。集積回路がフリップチップボンデイング装置のヘッドに吸着され熱及び荷重及び超音波振動を印加することにより所定の電極上にある電気絶縁樹脂を排除し、導電バンプが金属配線パターンと接合または接触して導通を得る。 （もっと読む）

【課題】
柱状部の上面のみに接合されたボール状の低融点層を有する柱状電極を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】
柱状電極２０が形成されたウェハ１３の主面側をウェハ逆置きジグ５２上に載置し、低融点層２４を下に向けた状態でリフロー炉５０内に設置する。そして、この状態で低融点層２４の加熱を行う。その結果、溶融した低融点層２４に下向きの重力が加わり、柱状部２２の側面に触れない状態で低融点層２４がボール状に加工される。この手法によれば、低融点層２４の体積が多くても、ボール状の低融点層２４が柱状部２２の上面のみで接合された柱状電極２０を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子が放出した熱の放熱性に優れる半導体装置およびその半導体装置を備える電子機器を提供する。
【解決手段】 半導体装置に、半導体素子１等の発熱部材が放出する熱の放熱性を向上させる金属製の放熱板１０を配置する。詳細には、放熱板１０を、絶縁フィルム３の半導体素子１側と反対側の表面における、半導体素子１に対応する箇所に配置する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置をガラス基板等に実装する際の該半導体装置と相手側の基板との接続の信頼性を高めると共に電気光学装置等の製造コストの低減を図ることのできる半導体装置、その半導体装置を用いた実装構造体、その半導体装置を用いた電気光学装置、その電気光学装置の製造方法及びその電気光学装置を用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】半導体装置例えば液晶駆動用ＩＣ４２３は、第２突出部の実装面２８からの高さが、第１突出部４３０の実装面２８からの高さより低くなるように形成したので、実装時の相手基板と第２突出部との間に形成される隙間を調整することができ、もっとも適切な接着剤の流量を確保できる。また、完全に第２突出部を除去する場合に比べ、少なくとも片側に設けられた第２突出部３３により支えられるので第１突出部４３０がより適切に実装時に変形し、かつその状態を安定して維持できることとなる。 （もっと読む）

【課題】
安定的な電気的接続が可能な半導体装置、該半導体装置を備えた実装構造体、該半導体装置を備えた電気光学装置、該電気光学装置の製造方法及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】
コア２７、３１の頂部２７ａ、３１ａの周縁が弧状であると共に弾性を有しているので、例えば基板４上に設けられた出力端子１８、入力端子４７に金属配線２９、３３を押し付けて接続するときに、圧力に応じて基板４上の出力端子１８、入力端子４７と金属配線２９、３３との接触面積を調整して確実に接続することができる。また、金属配線２９、３３の被覆部２９ｂ、３３ｂは実装面２４ａから離れた端部２９ｃ、３３ｃを備えているため、コア２７、３１の自由度が増すことにより、金属配線２９、３３に生じる応力を減少させることができ、金属配線２９、３３が破断することを防止し安定的な接続を確保することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 小型で高信頼性のある半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 基板６と、基板６に形成された配線パターン８，１０と、基板６に搭載され、配線パターン８，１０に電気的に接続された半導体チップ１２、基板６の半導体チップ１２が搭載される面とは反対の面に設けられ、基板６と半導体チップ１２との位置合わせに用いるアライメントマーク１６と、を有してなる。アライメントマーク１６は、半導体チップ１２搭載領域に対向する位置に設けられてなる。 （もっと読む）

【課題】 樹脂製の突起体４の吸湿を防止して、相手側部材との電気的接続の信頼性を向上させることが可能な、半導体装置を提供する。
【解決手段】 電極２と、電極２よりも外側に突出して形成された樹脂材料からなる突起体４と、電極２上から突起体４の頂部に延設されるとともに電極２と電気的に接続された導電膜５とを有する半導体装置であって、突起体４の表面全体が、非透湿性部材を含む導電膜５で覆われていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線部が破断する心配のない信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】電極２よりも突出した樹脂製のコア４と、このコアを被覆する配線部５とからなるバンプ電極８を設け、このバンプ電極のコアの頂部側の弾性率を底部側の弾性率よりも小さくする。 （もっと読む）

本発明は、支持体上でのシリコンチップ等の電子コンポーネントの組立てプロセスに係わり、その方法は、予め定められた少なくとも１つのパッド（４１Ａ）に１つのバンプ（４２）が備わっている、複数の接続用パッドを有する電子コンポーネント（４０）を提供する手順と；前記バンプを介して前記予め定められたパッドに電気的に接続すべき少なくとも１つの端子（３１）を有する支持体（３０）を提供する手順と；バンプが備わった前記予め定められたパッドと前記端子を対面させて置き、前記バンプと前記端子を接触させ、既定の温度及び圧力条件下でこれらを互いに組み立てる手順と；を具備する。前記バンプと前記端子を接触させ固定する前に、前記端子の表面を絶縁層（３２）で被覆し、前記絶縁層は、前記温度及び圧力条件下で前記バンプが横断できるように選択された材料でできている。
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（ａ）熱可塑性樹脂、（ｂ）２以上の（メタ）アクリロイル基を有するラジカル重合性化合物、（ｃ）１５０〜７５０ｎｍの光照射及び／又は８０〜２００℃の加熱によりラジカルを発生する硬化剤、及び（ｄ）単独での２５℃における粘度が１０〜１０００Ｐａ・ｓである液状ゴムを含有する接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】 チップ搭載基板のバンプとベース基板のバンプとを積層し接続する半導体装置において積層時の位置ずれを抑制する構造を提供する。
【解決手段】 半導体チップ１が搭載され、この搭載された半導体チップの周辺に沿って設けられたバンプ１０が複数個形成されたチップ搭載基板２と、配線パターン５が形成され、この配線パターンと電気的に接続されたバンプ７が複数個形成されたベース基板３とは積層され、チップ搭載基板側バンプの各個は、対応するベース基板側バンプのそれぞれに積層されて接続され、ベース基板側バンプにおいて、対向する２辺に対向して配置された１対のベース基板側バンプにはその上に積層された１対のチップ搭載基板側バンプが、１対のベース基板側バンプ間の外側もしくは内側にずれるように積層され、これを前記プレス時まで仮固定する事により、積層時の位置ずれを抑制する。 （もっと読む）

【課題】低コストで高さが均一且つ平滑であり、低荷重で接続される金属端子の形成が可能であり、低ダメージの実装を可能とし、高信頼性を有する半導体装置を実現する。
【解決手段】電極５及び絶縁膜６を共に常温では固体であり接着性を示さず、これより高温の第１の温度以上で接着性を発現し、これよりも高温の第２の温度以上で硬化する性質を有する材料から形成し、ダイヤモンド等からなる硬質のバイトを用いて、半導体チップ１ａの電極５の表面及び絶縁膜６の表面が連続して平坦となるように切削加工し、平坦化処理する。 （もっと読む）