【課題】 バンプを有する半導体ウエハに対して、常温において大きなテンションをかけることなく貼付可能であり、ボイドのないアンダーフィルを形成できるフリップチップ実装用アンダーフィルテープおよびこれを利用した半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明に係るフリップチップ実装用アンダーフィルテープは、基材と、その上に剥離可能に形成された粘接着剤層とからなり、
回路面にバンプを有する半導体ウエハの回路面に、粘接着剤層を貼付すると同時に、該バンプが粘接着剤層を貫通し、バンプ頂部を基材内に貫入する工程を含む半導体装置の製造方法に使用され、
該バンプの平均高さ（Ｈ_B）と、粘接着剤層の厚み（Ｔ_A）との比（Ｈ_B／Ｔ_A）が１．０／０．３〜１．０／０．９５の範囲にあり、、基材の厚み（Ｔ_S）と、粘接着剤層の厚
み（Ｔ_A）との比（Ｔ_S／Ｔ_A）が０．５以上であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】シート状熱硬化性樹脂組成物を用いたアンダーフィル方式において、複数のウエハであっても、気泡の混入およびウエハ損傷をほとんど生じずに処理できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（１）バンプを有するウエハのパターン面にシート状熱硬化性樹脂組成物を貼り合わせる工程、（２）耐圧容器内で、該熱硬化性樹脂組成物の軟化点以上の温度で、気体圧縮による加圧を該ウエハに行う工程、（３）該ウエハをチップに切断する工程、および（４）該チップを配線回路基板に搭載する工程
を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】製造費用を節減することができる表示装置及びそれの製造方法を提供する。
【解決手段】表示装置は表示パネル、駆動チップ及び非導電性の接着フィルムを含む。表示パネルは導電性のパッドが形成されたパッド部を含む。駆動チップは内部に駆動回路を具備する本体部、及び本体部から突出されパッドと面接触されるバンプを含む。非導電性の接着フィルムは駆動チップをパッド部に固定させる。非導電性の接着フィルムは熱によって硬化される熱硬化性樹脂からなり、１．０ＧＰａ〜６．０ＧＰａの弾性率を有する。従って、導電ボールを含まない非導電性の接着フィルムを通じて駆動チップと表示パネルとを結合することで、製造費用を節減し、品質不良を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】シールド構造を有しノイズ防止が可能で、かつ生産性及び信頼性の高いフリップチップ実装方法及びその実装構造体を提供する。
【解決手段】シールド電極１６と電極端子１４とが配設された半導体素子１０と、外周側接続電極２６及び内部側接続電極２４が配設された配線基板２０と、はんだ粉３２、対流添加剤及びはんだ粉の熔融温度で流動性を有する樹脂３４を含む樹脂組成物３０とを準備する工程と、配線基板２０面上に樹脂組成物３０を塗布する工程と、半導体素子１０と配線基板２０とを位置合せして樹脂組成物３０表面に半導体素子１０を当接する工程と、少なくとも樹脂組成物３０を加熱してはんだ粉３２を熔融するとともに対流添加剤によりはんだ粉３２を自己集合させながら成長させて接続する工程と、樹脂３４を硬化させて半導体素子１０と配線基板２０との間にアンダーフィル樹脂を設ける工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】熱履歴が少なく、半導体素子を低荷重で回路基板に押し付けるだけで済み、回路基板と半導体素子の間に熱膨張係数の差があってもせん断歪みによって生じていた導通不良を低減できる実装方法を提供する。
【解決手段】半導体素子１に形成された凸状の第１電極２に対応して、配線基板３に凹部が形成された第２電極４とこの第２電極４の外側に配置された未硬化の絶縁膜層１１を形成し、第２電極４の凹部に第１電極２を挿入した状態で配線基板３の絶縁膜層１１を収縮させて第１電極２の外周側に第２電極４を押し付けた状態で硬化させる。 （もっと読む）

【課題】配線基板上に形成されたリード上のバンプと半導体チップの電極パッドを接合し、配線基板と半導体チップの間隙に封止樹脂で封止する場合、封止樹脂の硬化時に、封止樹脂中にボイドが残留し、信頼性の問題が発生する。
【解決手段】本発明の配線基板は、表面上に導体金属からなる複数のリード２２と、リード２２上に形成されたバンプ２５とを備えた配線基板において、リード２２はリード２２の先端方向に向かってリード幅が先細りで減少し、バンプ２５もリード２２に対応してバンプ幅が先細りしている。 （もっと読む）

【課題】気密封止性を高めた封止構造を適用した上で、パッケージサイズを縮小することを可能にした樹脂封止型電子部品装置を提供する。
【解決手段】樹脂封止型電子部品装置は、金属バンプ５の内側に金属ダム８を設け、この金属ダム８で素子機能部１を取り囲むようにして気密封止する空隙９を形成している。このような封止構造によって、素子機能部１の動作に必要な所定の空間を形成した上で気密封止性を高め、さらにはパッケージを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極パッド上の金属突起と配線基板の配線パターンとの熱共晶による合金形成接続法において、接続信頼性が高く、ボイド発生不良や接続不良が発生しない半導体装置の製造方法とそれ用の接着剤を提供する。
【解決手段】電極パッド２上に金属突起３を有する半導体素子１と、電極パッドに相対する配線パターン５を有する配線基板４との間に、微細フィラーを含むエポキシ樹脂系の接着剤６を介在させ、半導体素子上の金属突起と配線基板上の配線パターンを位置合せした後、加熱加圧７し、金属突起と配線パターンを共晶合金形成により電気的接続を得るとともに、接着剤を硬化６′させて、半導体素子と配線基板とを固定する半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】回路基板５の裏面に後から実装する半導体ベアチップ加圧時の反りを矯正し、半導体ベアチップの破壊を防止し、位置合せ認識時の認識不良及び誤認識を防止すること。
【解決手段】回路基板５の少なくとも１箇所以上を基板矯正ツール１２と基板矯正ガイド１３で挟み込み、押圧して回路基板５の矯正を行いながら、半導体ベアチップ押圧ツール１４にて押圧し、加熱加圧を行うことにより、後から実装する半導体ベアチップの破壊防止、認識不良及び誤認識の防止が可能となる。 （もっと読む）

【課題】液晶パネルの接続電極に対して集積回路チップのバンプ電極を確実に接続する。
【解決手段】複数のバンプ電極２５が設けられた回路面２３を有するベアチップ５と、ベアチップ５の各バンプ電極２５にそれぞれ接続される複数の接続電極２６を有する液晶パネル１０とを備えた液晶表示装置であって、各バンプ電極２５は、回路面２３に対する高さが調整可能に構成され、ベアチップ５は、その高さが調整されたバンプ電極２５と接続電極２６とが接続された状態で、アンダーフィル層１８によって液晶パネル１０に固定されている。 （もっと読む）

【課題】 ＡＣＦまたはファインピッチＡＣＦを接着部材として使用する従来型のボンディング技術に伴う、ショートまたは高コストの問題を解決すること。
【解決手段】 第一のサブストレートと第二のサブストレートとの間に形成されており、その構造は、第一のサブストレート上に形成され開口部を有する緩衝層と、緩衝層上に形成される伝導性層と、ボンディング構造のためのボンディング手段として、伝導性層と第二のサブストレートとの間に形成される非伝導性フィルムから成る。 （もっと読む）

本発明は、印刷回路基板パネルなどの電気基板（１５０）にバンプ付きフリップチップ（１１０）などのエリアアレイデバイスを取り付ける方法を提供する。電気基板（１５０）の一部分にアンダーフィル材料（１４０）を塗布し、このアンダーフィル材料（１４０）をアンダーフィル材料ステージ温度まで加熱する。相互接続表面（１１２）を備えるバンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）が設けられる。バンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）の相互接続表面（１１２）を塗布済みアンダーフィル材料（１４０）の近くに位置決めする。このバンプ付きエリアアレイデバイス（１１０）を加熱して、電気基板（１５０）に接続バンプ（１２０）を電気的に接続する。
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【課題】フリップチップ実装方法において、半導体素子と実装基板との距離や平行度を高い精度で制御し、半導体装置としての信頼性を確保すると同時に、汎用的で平易に実用化できる技術を提供する。
【解決手段】突起電極を除く半導体素子、又は実装基板の回路面全面に、突起電極と同じ高さであり、前記半導体素子と前記実装基板との距離や平行度を規定する絶縁性、耐熱性があるスペーサーを具備することを特徴とする。また、半導体素子と実装基板とを突起電極を介して接合する前に、液状のスペーサーとなる材料を前記半導体素子、又は前記実装基板に塗布して硬化した後にフリップチップ実装を行う順序であることを特徴とする。加えて、フリップチップ実装機と半導体素子、又は実装基板との間に緩衝材を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い電子デバイスを、効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】 電子デバイスの製造方法は、熱硬化性のペースト３０を介して、基板１０に電子部品２０を搭載すること、開口４４を有する金属層４２を含むプレート４０と基板１０とを、プレート４０が基板１０の第１の面１３と対向するように、かつ、開口４４がペースト３０とオーバーラップするように配置すること、及び、基板１０の第２の面１５側からマイクロ波１００を照射して、マイクロ波加熱によってペースト３０を硬化させることを含む。 （もっと読む）

【課題】チップの側面とコーナとを完全に密封し、チップへの水分や埃の侵入を防止することによってチップを保護するスロット付基板の提供。
【解決手段】スロット付基板は、一つの能動面３１と複数の金属板３３、３４、３５、３６とを有する。金属板３３、３４、３５、３６は能動面３１に形成されている。各金属板３３、３４、３５、３６は、第一表面と第二表面とを有し、第一表面は能動面３１に接続されている。少なくとも一つの金属板は、第二表面に形成された少なくとも一つのスロット３５３、３５４を有する。スロット付基板によれば、チップ３２と金属板３３、３４、３５、３６とを接続させる樹脂３７は、チップ３２の側面とコーナとを完全に封止することができるので、チップ３２への水や埃の侵入が防止されてチップが保護される。 （もっと読む）

【課題】 バンプ形成領域における各導電粒子の密度を低下させることにより、隣位するバンプ間または電極間におけるリークの発生を低下させる。
【解決手段】 駆動用ＩＣチップ７の基板８における回路形成面９の全面に、バンプ１０を覆うように導電粒子を含有しない無導電接着材１３を配設し、回路形成面９におけるバンプ形成領域１１の無導電接着材１３上に導電粒子１４ａを含有する導電接着材１４を配設する。 （もっと読む）

【課題】 バンプの破断を防止できるとともに、はんだ近傍領域におけるボイドの残留を抑制できる半導体装置の製造方法、及びその製造方法に使用する接着剤を提供する。
【解決手段】 はんだ２が形成されている領域近傍の回路基板３には、硬化速度が遅い第１接着剤８ａを塗布し、それ以外の領域の回路基板３には、硬化速度が速い第２接着剤８ｂを塗布する（ａ）。回路基板３と、電極４にバンプ５を設けた半導体素子６とを、電極１及び電極４が対向するように位置合わせした後、ボンディング用ヘッド７を用い、はんだ２を溶融させてバンプ５とはんだ２とを接合する（ｂ）。接合直後において、はんだ２が形成されている辺縁領域での第１接着剤８ａは未硬化の状態となり、中央領域の第２接着剤８ｂは硬化状態となる。接合体を恒温槽に収納して、はんだ２の融点より低い温度で後硬化処理を行って、第１接着剤８ａも硬化させて完全な硬化物を得る（ｃ）。 （もっと読む）

【課題】 突起電極とランドの位置ずれを生じずかつその接続部に封止樹脂が空房を生じることなく充填されて電気的接続に高い信頼性を確保できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体素子１を回路基板２上にフリップチップ実装し、半導体素子１と回路基板２との間に封止樹脂７を充填して成る半導体装置において、半導体素子１の電極３に突起電極４を設け、回路基板２の突起電極４を接合するランド５に、突起電極４の先端部が挿入される凹孔８と凹孔８の内部空間を側方に開放する開放溝９を形成する断続環状突部などの位置規制突部６を設け、位置規制突部６にて突起電極４の位置ずれを防止し、開放溝９にて封止樹脂７が空房を生じることなく充填されるようにした。 （もっと読む）

【課題】
半導体チップを強固に固定でき、かつ温度変化による応力の影響を低減できる半導体チップの実装構造、及びその実装方法を提供する。
【解決手段】
半導体チップの実装構造は、ＳｉチップやＩＣチップ等の半導体チップ１と、セラミックスや樹脂等から形成された絶縁基板２０の一面に金、ニッケル、銅等の薄膜の電極が形成されてなる実装基板２との接合に、エポキシ系樹脂等の高弾性材料の接着剤４を用いるものであり、半導体チップ１の一辺側を高弾性材料の接着剤４により実装基板２に接合することによって半導体チップ１を実装基板２に実装している。 （もっと読む）

【課題】 ＩＣチップに設けられたバンプと、基板に設けられた配線パターンとの接合信頼性を十分に確保することができるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 回路面にバンプ２２を有するＩＣチップ２０をボンディング領域の内側から外側にかけて配線パターン１２を有するフィルム基板１０上に取り付けて半導体装置１００を製造する方法であって、フィルム基板１０のボンディング領域上にＮＣＰ樹脂３０を塗布する工程と、ＮＣＰ樹脂３０が塗布されたボンディング領域上にＩＣチップ２０の回路面を押し当てて、ＩＣチップ２０のバンプ２２をフィルム基板１０の配線パターン１２に接合する工程と、を含み、バンプ２２を配線パターン１２に接合する工程では、接合温度を２００［℃］以上、半導体装置１００の耐熱温度値以下とし、かつ、接合荷重を２５［ｋｇｆ／ｍｍ^２］以上、半導体装置１００の耐圧荷重値以下とする。 （もっと読む）