【課題】アンダーバリアメタルに起因する応力集中を緩和し、トランジスタの特性の変動を抑制することができるパッド電極構造を備える半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１の上に形成された電極パッド６と、電極パッド６の上に形成され、且つ、電極パッド６の一部が露出するような第１開口部を有する第１絶縁膜７と、第１絶縁膜の上に形成され、且つ、第１開口部における少なくとも一部が露出するような第２開口部を有する第２絶縁膜８と、第２絶縁膜８及び電極パッド６の上に形成されたアンダーバリアメタル１０とを備えている。アンダーバリアメタル１０は、第２絶縁膜８の表面における第２開口部の外側である第１領域と電極パッド６の表面における第２開口部の内側である第２領域とにより挟まれる第３領域により分離されている。 （もっと読む）

【課題】チップ積層体の外部接続用電極として機能する第１のバンプ電極間がショートしないように、第１のバンプ電極に精度よくはんだを形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングツール３４によりはんだ搭載用基板５０の他面を保持すると共に、第２のバンプ電極５５に形成されたはんだ５７を加熱により溶融させ、はんだ搭載用基板の第２のバンプ電極をチップ積層体４０の第１のバンプ電極１７と対向配置させる工程と、第２のバンプ電極に形成され、かつ溶融したはんだを、チップ積層体の第１のバンプ電極に接触させた後、チップ積層体からはんだ搭載用基板を離間させることで、第１のバンプ電極にはんだを転写させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】バンプ電極同士の横滑りを防止し、バンプ電極同士を接合する接合材料のはみ出しを抑制する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、基板１７と、基板１７の一方の面に設けられた第１のバンプ電極５０と、基板１７の他方の面に設けられた第２のバンプ電極６０と、第１のバンプ電極５０と第２のバンプ電極６０のうちの少なくとも一方の頂面に形成された導電性の接合材料層６１と、を有している。第１のバンプ電極５０の頂面は凸面５４であり、第２のバンプ電極６０の頂面は凹面６３である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ同士を積層する際に生じる曲げモーメントによる破損を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に形成された表面バンプＦＢ及び積層方向から見て表面バンプＦＢと重なるように他面に形成された裏面バンプＢＢを含むコアチップＣＣ１と、一面に形成された表面バンプＦＢ及び積層方向から見て表面バンプＦＢと重ならないように他面に形成された裏面バンプＢＢを含むインターフェースチップＩＦとを準備し、コアチップＣＣ１の裏面バンプＢＢとインターフェースチップＩＦの表面バンプＦＢが接続するように、インターフェースチップＩＦの裏面バンプＢＢに対応する位置に凹部ＧＲを有するボンディングツールＢＴを用いて積層方向に重ね合わせる。これにより、積層時にチップに曲げモーメントが発生しないことからチップの破損を防止することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】電子部品の電極間隔が狭い場合でもはんだバンプの高さを高くできるようにする。
【解決手段】ＵＢＭ１０５の長さＬｕを開口１０４の１辺の長さＬｈよりも小さくする。これにより、ＵＢＭ１０５の長さＬｕは比較例１のＵＢＭ１０５′の長さＬｕ′よりも小さくなる。したがって、はんだバンプ３００の底面部分の面積は、比較例１のはんだバンプ３００′の底面部分の面積よりも小さくなる。その結果、はんだバンプ３００の表面張力の作用によって、はんだバンプ３００の体積を増やさずともその高さをはんだバンプ３００′よりもΔｈだけ高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップを基板に実装するためのＡｕバンプとＡｌ電極との間に形成してＡｕとＡｌとの拡散を防止するため膜であって、良好な拡散バリア性を有すると共に高いエッチングレートのＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びにこの高いＷ−Ｔｉ系拡散防止膜を形成するためのスパッタリング用Ｗ−Ｔｉターゲットを提供すること。
【解決手段】 Ｔｉ：５〜２０質量％、Ｆｅ：１５〜２５ｐｐｍ、Ｃｒ：１〜５ｐｐｍを含有し、残部がＷ及び不可避不純物からなる組成を有することを特徴とするＷ−Ｔｉ系拡散防止膜、並びに同じ成分組成を有するＷ−Ｔｉ系拡散防止膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 Ｐｂを含まないＢｉ系はんだ合金により電子部品と基板を接合する際に、電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層のＮｉとＢｉ系はんだ合金のＢｉとの反応を抑制し、確実な接合が可能な電子部品及び基板を提供する。
【解決の手段】 Ｐｂを含まずＢｉを８０質量％以上含有するＢｉ系はんだ合金を用いて接合する電子部品又は基板において、その電子部品又は基板の最上層であるＮｉ含有層の上に、厚さ０.０５〜８.００μｍのＺｎメタライズ層若しくは厚さ０.０５〜３.００μｍのＳｎメタライズ層を形成する。好ましくは、Ｚｎメタライズ層若しくはＳｎメタライズ層の上に、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕから選ばれる厚さ０.０５〜１.００μｍの第２のメタライズ層を成形する。 （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。
【解決手段】電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）を、電極層ＥＬの一端と開口部ＯＰの一端との間の平面的な距離（Ｌ１）よりも大きくする。これにより、ワイヤＷの接続位置が電極層ＥＬの端部側にずれる場合であっても、電極層ＥＬの一端とパッドＰＡＤの一端との間の平面的な距離（Ｌ２）が大きくなっているため、電極層ＥＬの段差部にワイヤＷが接続することに起因した応力がパッドＰＡＤの端部にまで伝わることを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】強度を維持し且つバンプ同士の間の狭ピッチ化に耐え得るバンプ及びアンダーバリアメタル構造を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体チップ１と、半導体チップ１の上に形成された電極パッド２と、電極パッド２の上に形成されたアンダーバリアメタル１０と、アンダーバリアメタル１０の上に形成されたはんだバンプ６と、アンダーバリアメタル１０及びはんだバンプ６の周囲を覆うように形成されたアンダーフィル材１８とを有している。はんだバンプ６は、アンダーバリアメタル１０との接合界面が該アンダーバリアメタル１０の上面であり、アンダーフィル材１８は、バンプ６の側面とアンダーバリアメタル１０の端面との接合部分における角度が直角又は鈍角である。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ用のパッド部の段差部上のアンダーバリアメタル（ＵＢＭ）による応力低減構造として、段差部に応力が発生しにくい応力設定、および構造として段差の抑制、絶縁膜の収縮抑制を行い低応力化構造とする。
【解決手段】基板１上に形成された第３の配線層６と、第３の配線層６上に形成され、かつ第３の配線層６の一部が露出するような第１の開口部を有する第１の絶縁膜７と、第１の絶縁膜７上に形成され、かつ前記第１の開口部における少なくとも一部が露出するような第２の開口部を有する第２の絶縁膜８と、第２の絶縁膜８および第３の配線層６の上に形成されたＵＢＭ層１０とを備えたデバイスの構成にし、このデバイスの第３の配線層６は、樹脂基板のパッドと接続されて組立され、デバイスの使用温度範囲内において、組立後のパッド部の応力の最大値および最小値の応力方向が逆であるように設定する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の実装後において、半導体チップと基板の接合部の融点が高くなる半導体装置の実装方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１を基板１５へフリップチップ実装する半導体装置の実装方法であって、半導体チップ１１のＡｕバンプとＳｎ−Ｂｉ系はんだ１８を接触させる工程と、Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ１８を融点以上１８０℃以下に３０分以上加熱する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の実装方法。 （もっと読む）

【課題】半田端子により回路基板に実装した半導体装置の接続信頼性を向上する。
【解決手段】表面に外部接続用の半田端子が設けられた柱状電極を有する半導体装置の実装構造である。半導体装置を実装する回路基板は、配線の端部に設けられた接続パッドと、配線を被覆する保護絶縁層とを備える。保護絶縁層には接続パッドを露出させる開口部が設けられ、開口部の直径Ｒは、柱状電極の直径Ｄに対し、０．９Ｄ≦Ｒ≦０．９８Ｄである。 （もっと読む）

【課題】半導体素子に設けられた突起電極と回路基板に設けられたはんだ電極とを接合する際に、突起電極とはんだ電極との位置ずれを低減し、突起電極を被覆した鼓状の接合電極を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】突起電極１５が設けられた半導体素子１０と、固相液相共存領域を有する組成のはんだ電極２５ｃが設けられた回路基板２０とを、突起電極とはんだ電極とが対向するように位置合わせする第１工程と、はんだ電極を固相液相共存領域まで加熱し、所定時間保持する第２工程と、第２工程の後、はんだ電極を液相領域まで加熱する第３工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】物理的な曲げや熱膨張係数の違いによる応力が加わっても、機能的に最小限な構成要素のみで、特定のバンプへの応力の集中を緩和し、半田バンプの破断を抑制できる半導体パッケージを実現する。
【解決手段】半導体パッケージ１０は、平板形状のダイ１１を有し、ダイ１１の実装面１１Ｆに複数のボンディングパッド１２は配列形成されている。また、実装面１１Ｆには、パッシべーション膜１３と保護膜１４とがボンディングパッド１２の中央領域を開口するように形成されている。この開口部には、ボンディングパッド１２に接合するＵＢＭ１５が形成されており、各ＵＢＭ１５の表面には半田バンプ１６が形成されている。この際、ダイ１１の角部に形成されたＵＢＭ１５Ｅは、ダイ１１の中央位置に形成されたＵＢＭ１５Ｃよりも小さい径で形成され、バネ係数が低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が確保された鉛フリーの電子デバイスを提供する。
【解決手段】電子デバイス１００を形成する方法は、電子デバイス基板上に配置されたハンダ・バンプ・パッド１３０を有する電子デバイス基板を提供する。ニッケル含有層がハンダ・バンプ・パッドの上に配置され、電子デバイスをリフロー・プロセスにかける前に、銅含有層がニッケル含有層上に形成される。 （もっと読む）

【課題】半田バンプ同士の接続性を良好に保ちつつ、溶融後の半田バンプ内に発生するボイドを抑制した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の半田バンプ１を有する第１の基板２と第２の半田バンプ３を有する第２の基板４とを、半田バンプ１、３同士を仮固定しつつ積層した後に炉内に配置する。炉内を排気して減圧雰囲気とした後にカルボン酸ガスを導入する。カルボン酸ガスの導入後の炉内の温度を上昇させつつ、カルボン酸ガスによる酸化膜の還元温度以上で、かつ半田バンプ１、３の溶融温度未満の温度域にて、炉内を排気して減圧雰囲気とする。炉内の温度を半田バンプ１、３の溶融温度以上の温度域まで上昇させ、第１の半田バンプ１と第２の半田バンプ３とを溶融させて接合する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルによって引っ張り応力が発生することがあっても、層間絶縁膜にクラックが発生することを防止すると共に、層間絶縁膜と該層間絶縁膜の上に接して形成された膜との界面に剥離が発生することを防止する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１の上に形成された層間絶縁膜２，３と、層間絶縁膜２，３の上に形成された電極パッド４と、層間絶縁膜２，３の上に電極パッド４の周縁部を覆うように形成され、電極パッド４の中央部を露出する第１の開口部５を有する保護膜６と、電極パッド４における第１の開口部５から露出する部分の上に形成され、第１の開口部５を複数の第２の開口部５ｄに分割する分割体７と、保護膜６の上に第２の開口部５ｄ内を埋め込むように形成されたバリアメタル８と、バリアメタル８の上に形成されたバンプ電極とを有している。分割体は、電極パッドとバリアメタルとの間に介在している。 （もっと読む）

【課題】半導体チップに形成するはんだバンプの形成方法を限定することなく、はんだバンプによる複数の接続部の面積をいずれも同程度に保ったままで、接続信頼性が高い実装を可能とする半導体装置を得られるようにする。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも１つの素子が形成された素子形成面と該素子形成面に形成された複数の電極パッド２とを有する半導体チップ１と、主面が半導体チップ１の素子形成面と対向し、且つそれぞれが主面の各電極パッド２と対向する位置に形成された複数の接続パッド１５を有する配線基板１０と、各電極パッド２と各接続パッド１５との間にそれぞれ設けられ、それらを電気的に接続する複数のはんだバンプ４とを備えている。各はんだバンプ４における、電極パッド２側の組成と接続パッド１５側の組成とは同一である。 （もっと読む）