【課題】充分な電子デバイス特性が得ることのできる高品質な基板用ＧａＮ系半導体自立基板を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系半導体からなる自立基板であって、前記自立基板の表面に直接Ｎｉを金属電極としてショットキーダイオードを形成した場合、電流−電圧特性における理想因子ｎ値が１以上１．３以下となることを特徴とする自立基板。好ましくは、前記ショットキーダイオードを形成した場合、逆方向電圧−５Ｖ印加時の電流値が、熱電界放出モデルおよび熱電子放出モデルの計算値の和として計算した理論電流値の５０倍以下となることを特徴とする自立基板。 （もっと読む）

【課題】発光効率を向上させつつ多様な発光プロファイルを実現する構造体を提供する。
【解決手段】窒化物半導体発光素子は、活性層１６を有する。活性層１６は、Ｉｎ_ｘＧａ_yＡｌ_{１−（x＋y）}Ｎ（０≦x，y≦１、０≦x＋y≦１）から構成されている。活性層１６は、第一の障壁層２３と、第一の障壁層２３に積層され、島状の孔２９が設けられた第二の障壁層２４と、島状の孔２９に埋め込まれた第一の井戸層２５と、第二の障壁層２４の上面に積層されている第二の井戸層２６と、第一及び第二の井戸層２５、２６の上面に積層された第三の障壁層２７と、を備える。第一の井戸層２５及び第二の井戸層２６が、いずれもインジウムを含む。 （もっと読む）

【課題】パーティクル起因の欠陥を低減可能な、窒化ガリウム系半導体膜を成長する方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体膜１３の成長における（窒素原料の供給モル量）／（III族原料の供給モル量）は１２５０以上であり、その成長温度は摂氏１０５０度以上であり、その成長圧力は２００Ｔｏｒｒ以上である。この条件の範囲でパワー系電子デバイスに有用なIII族窒化物半導体膜１３を成長するとき、この成膜条件において（キャリアガスの流量）／（（III族原料の流量）＋（窒素原料の流量）＋（キャリアガスの流量）＋（キャリアガスの流量））が０．５以上である。この比率のキャリアガスにより反応炉１０内の原料ガスを希釈できる。この希釈により、成膜中の成長炉において、基板１１と異なる場所における望まれない原料消費による堆積物の生成を低減できる。また、キャリアガスが水素を含むとき、堆積物の分解が行われる。 （もっと読む）

プラズマ増強化学蒸着を利用して薄膜を製造する方法であって、基板領域に最高でも比較的低流束のプラズマ系アニオン種があるときに、カチオン種を基板領域に供給する工程及び基板領域に最高でも比較的低流束のカチオン種があるときに、基板領域にプラズマ系アニオン種を供給する工程を含む方法。これにより、ＰＥＣＶＤ及び／又はＲＰＥＣＶＤ系の膜成長システムにおいて、気体反応物の送出を時間的に分離でき、これらのプラズマ系膜成長技術のためにダスト粒子の形成を著しく低減する。
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【課題】 バッファ領域の漏れ電流を低減する共に、半導体領域の転位密度を低減した窒化物半導体装置形成用基板を提供し、高周波特性に優れた窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】 多層構造体のバッファ領域の一部にｐ型不純物をドーピングし、二次元電子ガス層の発生を抑制することで、転位、漏れ電流を低減する。また二次元電子ガス層の発生を抑制することで寄生容量が低減され、高周波特性を大きく改善した窒化物半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】低欠陥密度を有するエピタキシャル基材構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基層２；複数の集中した欠陥群３１およびこの集中した欠陥群３１に対応する位置に複数の第１のリセス３２を有しているエピタキシャル表面３０有する第１のエピタキシャル層３（この第１のリセス３２の大きさはそれぞれ近似している）；ならびに第１のリセス３２をそれぞれ充填しており、また磨かれた表面４１を有している複数の欠陥停止ブロック４を含む、低欠陥密度を有するエピタキシャル構造。この欠陥停止ブロック４は除去速度が第１のエピタキシャル層３のものとは異なる物質で作られている。この磨かれた表面４１は実質的にエピタキシャル表面３０と実質的に同一平面であるので、この第１のエピタキシャル層３は実質的に平坦化された結晶成長表面を有している。 （もっと読む）

半導体素子、発光素子及びこれの製造方法が開示される。半導体素子は、基板と、前記基板上に配置される多数個の柱と、前記柱の間及び前記基板上に配置される多数個の粒子と、前記柱上に配置される第１半導体層と、を含む。また、半導体素子の製造方法は、基板を提供する段階と、前記基板上に多数個の第１粒子を配置する段階と、前記第１粒子をエッチングマスクとして前記基板の一部をエッチングし、多数個の柱を形成する段階と、を含む。半導体素子は、粒子によって、発生される光を上方に効率的に反射させ、これによって向上された光効率を有する。また、第１粒子によって。柱が容易に形成され得る。
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【課題】Ｖ族構成元素として窒素元素及びヒ素元素を含むIII−Ｖ化合物半導体を下地のIII−Ｖ化合物半導体上に成長する際にその界面付近における窒素組成のパイルアップを低減できるIII−Ｖ化合物半導体を成長する方法を提供する。
【解決手段】Ｎソースガスを時刻ｔ２で急激に増加して、時刻ｔ２１において定常値に到達する。時刻ｔ２にＧａソースガスの供給を再び開始した後に、Ｇａソースガスの供給量をゆるやかに増加させて時刻ｔ２１の後の時刻ｔ２２において定常値に到達する。また、時刻ｔ２にＩｎソースガスの供給を開始した後に、Ｉｎソースガスの供給量をゆるやかに増加させて、例えば時刻ｔ２２において定常値に到達する。この実施例では、Ｉｎソースガスが時刻ｔ２２で定常値に到達するが、この時刻は、時刻ｔ２１よりも遅い時刻である。時刻ｔ２と時刻ｔ２２との差は時間△ｔ２０である。時間△ｔ２０は時間△ｔ２よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】内蔵電界などの生成を抑制すべくｃ軸以外の方位、例えば反転対称性を有する結晶方位などへ配向した、Al_xGa_1-x-yIn_yN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含むIII族窒化物半導体を提供する。
【解決手段】ｃ軸より８°以上傾斜した方位に配向させ、AlxGa1-x-yInyN（0≦x,y、1-x-y≦1）なる組成成分を主成分として含み、かつＢを１原子％未満で含有させる。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ耐性を向上させるとともに、光抽出効率を向上させることのできる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の窒化物半導体発光素子は、基板１１０と、基板上に形成され、上面に複数のＶ‐ピット１２０ａが形成されたｎ型窒化物半導体層１２０と、ｎ型窒化物半導体層上に形成され、複数のＶ‐ピット１２０ａによって形成された屈曲を含む活性層１３０と、活性層上に形成され、上面に複数の突出部１４０ａが形成されたｐ型窒化物半導体層１４０とを含むことを特徴とする。本発明によれば、ｎ型窒化物半導体層１２０上に複数のＶ‐ピット１２０ａが形成されており、これによってｐ型窒化物半導体層１４０上にはインシチュー（ｉｎ‐ｓｉｔｕ）工程で突出部１４０ａを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＩｎＧａＡｓＮ構造を形成するための良好な窒素源を提供する。
【解決手段】窒素原子を用いてＧａＡｓを形成するためにアンモニアを用いる方法である。この方法は、ＧａＡｓ薄膜を有する反応室内にアンモニアの分解を促進する試剤と共にアンモニアを導入する操作５０８を有する。 （もっと読む）

【課題】ダブルヘテロ構造での欠陥を減少させることで、ダブルヘテロ構造中にキャリアが拡散することを抑制して面内キャリア濃度分布を均一なものとでき、これによって発光寿命のバラツキが小さく、かつ長寿命な発光素子を製造することのできる化合物半導体基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板上に（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１）からなるダブルヘテロ構造が形成された化合物半導体基板であって、前記ＧａＡｓ基板と前記ダブルヘテロ構造との間に、組成の異なる層同士が接する成長界面を少なくとも５以上有するものであることを特徴とする化合物半導体基板。 （もっと読む）

【課題】ＥＬＯ法によって結晶成長させた窒化物系半導体発光素子における不均一な歪みの発生を抑制する。
【解決手段】本発明の窒化物系半導体発光素子は、窒化物系半導体積層構造５０を有する窒化物系半導体発光素子であって、窒化物系半導体積層構造５０は、Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_cＮ結晶層（ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ａ≧０，ｂ≧０，ｃ≧０）を含む活性層３２と、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６（ｄ＋ｅ＝１，ｄ＞０，ｅ≧０）と、Ａｌ_fＧａ_gＮ層３８（ｆ＋ｇ＝１，ｆ≧０，ｇ≧０，ｆ＜ｄ）とを含み、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６は、活性層３２とＡｌ_fＧａ_gＮ層３８との間に設けられ、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６は、濃度が１×１０¹⁶ａｔｍｓ／ｃｍ³以上１×１０¹⁹ａｔｍｓ／ｃｍ³以下のＩｎを含有する層３５を含み、Ｉｎを含有する層３５の厚さは、Ａｌ_dＧａ_eＮオーバーフロー抑制層３６の厚さの半分以下である。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの表面平坦度を改善でき、これにより発光ダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、およびＧａＰからなる電流拡散層７を順次積層するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１の製造方法において、ＧａＰからなる電流拡散層７を、まず１以上１００以下のＶ／III比で成長し（低Ｖ／III比部分８）、その後１００以上２００以下のＶ／III比で成長させる（高Ｖ／III比部分９）ものである。 （もっと読む）

【課題】非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料および窒化物半導体デバイスを形成するための方法を提供する。
【解決手段】１つ以上の非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層が、金属・有機化学気相成長ＭＯＣＶＤを使用して、ｒ平面（１１０２）サファイア基板上で成長される。これらの非極性（１１２０）ａ平面ＧａＮ層は、非極性（Ａｌ，Ｂ，Ｉｎ，Ｇａ）Ｎ量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイスを製造するためのテンプレートを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化距離のばらつきが小さい酸化装置を提供する。
【解決手段】水蒸気を発生させる水蒸気発生装置と、該水蒸気発生装置で発生した水蒸気を酸化温度近くまで加熱する水蒸気加熱装置５０３０と、該水蒸気加熱装置５０３０で加熱された水蒸気が供給され、該水蒸気の温度を維持するヒータを有する酸化反応器５０４０と、開閉可能な隔壁５０６０を介して酸化反応器５０４０と連結された準備室５０５０と、酸化対象物を加熱するヒータを有し、酸化対象物が載置されるテーブル装置と、該テーブル装置を駆動し、酸化開始時に酸化対象物を準備室５０５０から酸化反応器５０４０に移動させ、酸化終了後に酸化対象物を酸化反応器５０４０から準備室５０５０に移動させる駆動装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低減された化合物半導体基板及び化合物半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｓｉから構成される基板１１と、基板１１上に形成され、ＡｌＮから構成される第１の半導体層１２とＧａＮから構成され鉄（Ｆｅ）がドーピングされた第２の半導体層１３とを交互に積層して形成されるバッファ層１４（積層構造体）と、バッファ層１４上に形成され、ＧａＮから構成される第１の成長層としてのチャネル層１５と、チャネル層１５上に形成され、ＡｌＧａＮから構成される第２の成長層としてのバリア層１６と、バリア層１６上に形成され、所定の開口を有する絶縁膜１８と、絶縁膜１８の開口を介してバリア層１６上に形成されるゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄと、を備える。 （もっと読む）

【課題】珪素基板の上に、バッファ層として多層構造層を制御性良く結晶成長させることにより、多層構造層の上に、クラックを生じることなく、窒化物半導体層を厚く結晶成長する。
【解決手段】窒化物半導体多層構造体の製造方法は、珪素基板の上に窒化アルミニウム層を結晶成長させる工程（ａ）と、窒化アルミニウム層の上に、窒化ホウ素層と窒化ガリウム層とを交互に繰り返して結晶成長させて、窒化ホウ素層と窒化ガリウム層とを交互に積層する多層構造層を形成する工程（ｂ）と、多層構造層の上に、窒化物半導体層を成長させる工程（ｃ）と、を備える。 （もっと読む）

【課題】選択成長において、露出しているコア層の端面の酸化を抑制し、選択成長前にハリゲン系ガスを用いる必要をなくし、端面の酸化に起因する異常成長を抑制する。
【解決手段】半導体基板の上に、Ａｌを含まない化合物半導体からなる第１のコア層２０を形成する。半導体基板の上に形成すべき導波路の導波方向に関する一部分である第１の領域Ａ１に接する第２の領域Ａ２の第１のコア層を除去し、第１の領域と第２の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第２の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第２のコア層３０を形成する。第１の領域を基準として第２の領域とは反対側に配置され、第１の領域に接する第３の領域Ａ３内の第１のコア層を除去し、第１の領域と第３の領域との境界に第１のコア層の端面を露出させる。第１のコア層が除去された第３の領域に、Ａｌを含む化合物半導体からなる第３のコア層３５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ハイドライド気相成長法を用いてＧａＰ電流拡散層を厚く形成する際にＧａＰ電流拡散層にピットが形成されることを抑制し、反りを生じた状態で研磨やダイシングなどの素子化加工を行った際に該ピットを基点とした割れ等を生じにくくする。
【解決手段】 ＧａＡｓ単結晶基板１上に、２種以上のＩＩＩ族元素を含む（Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘ）_ｙＩｎ_１−ｙＰ（ただし、０≦ｘ≦１，０＜ｙ≦１）にて構成される発光層部２４と、第一ＧａＰ層７ａとをこの順序にて有機金属気相成長法により形成する。そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。第二ＧａＰ層７は、発光層部に近い側に位置するＧａＰ高速成長層７ｂと該ＧａＰ高速成長層７ｂに続くＧａＰ低速成長層７ｃとを有するものとして、ＧａＰ高速成長層７ｂを第一成長速度により、ＧａＰ低速成長層７ｃを第一成長速度よりも低い第二成長速度により、それぞれ成長する。 （もっと読む）