エンハンスメント・モードＧａＮ ＭＯＳＦＥＴ（１００）が、ＡｌＧａＮ（又はＩｎＡｌＧａＮ）障壁層（１１８）上のＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）を用いて形成される。ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉ_３Ｎ_４部分（１２０）は、ゲート絶縁層（１２４）と障壁層（１１８）との間の接合での界面準位の形成を低減させ、ＳｉＯ_２／Ｓｉ_３Ｎ_４ゲート絶縁層（１２４）のＳｉＯ_２部分（１２２）は、漏れ電流を著しく低減させる。

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【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を防ぎ、かつ層厚の均一性が高く、表面が平坦な窒化物半導体の多層膜を備え、高い歩留まりで電流リークのない窒化物半導体素子を提供することである。
【解決手段】窒化物半導体素子は、窒化物半導体基板の表面に形成された又は窒化物半導体基板以外の基板上に成長した窒化物半導体層の表面に形成された凹状の掘り込み領域１０２を含む加工基板１００と、加工基板１００上に最初に成膜される窒化物半導体下地層１０３を含む、窒化物半導体の多層膜からなる窒化物半導体多層膜１０１とを備え、掘り込み領域１０２の間隔が、０．１ｍｍ以上であり、掘り込み領域１０２の上端の側壁面に対する法線と、掘り込み領域１０２以外の表面に対する法線とのなす角が６０°よりも大きく、窒化物半導体下地層１０３が、ＧａＮを組成に含む化合物である構成とする。 （もっと読む）

【課題】 気相成長の際のマストランスポートを抑制する技術を提供する。
【解決手段】 表層部にトレンチ４２が形成されている窒化物の半導体下地層１０のトレンチ４２内に、窒化物の半導体成長層を気相成長させる気相成長工程を備えている。トレンチ４２に露出する半導体下地層１０の表面８ａの少なくとも一部が、In_xAl_yGa_(1-x-y)N (0≦x≦1，0.00001≦y≦0.01，0＜1-x-y≦1)で示されるAlドープ窒化物である。 （もっと読む）

【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】留まりを向上するエピタキシャル膜および発光素子を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜３０は、基板３２と、基板３２上に形成された第１導電型クラッド層と、第１導電型クラッド層上に形成された活性層３５と、活性層３５上に形成された第２導電型クラッド層とを備えている。第１および第２導電型クラッド層の少なくとも一方がＩｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ層（０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜１）であり、厚みのばらつきが６％以内である。 （もっと読む）

基板（１０２）の上に、基板に対する圧縮応力を有する応力補償スタック（１０４）を形成すること（４０２）を含む方法。この方法は、基板の上に、基板に対する引っ張り応力を有する１つ又は複数のＩＩＩ族窒化物アイランド（１０６）を形成すること（４０６）も含む。この方法は更に、応力補償スタックからの圧縮応力を用いて、１つ又は複数のＩＩＩ族窒化物アイランドからの引っ張り応力を少なくとも部分的に相殺すること（４０８）を含む。応力補償スタックを形成することは、基板の上に１つ又は複数の酸化物層（２０２，２０６）と１つ又は複数の窒化物層（２０４）を形成することを含む。１つ又は複数の酸化物層は圧縮応力を有し得、１つ又は複数の窒化物層は引っ張り応力を有し得、酸化物層と窒化物層とが共同で圧縮応力を有し得る。酸化物層及び窒化物層の厚みは、所望の量の応力補償を提供するように選択され得る。

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【課題】Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ結晶（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ≦１）の厚みを均一にし、かつ成長速度を向上する結晶の製造方法および発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮ結晶を成長する工程では、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において主表面に近い側に位置する第１のガス供給部１１ａからＶ族元素の原料を含む第１原料ガスＧ１を基板２０の主表面２０ａ上に供給するとともに、基板２０の主表面２０ａに垂直な方向において第１のガス供給部１１ａより主表面２０ａから遠い側に位置する第２のガス供給部１１ｂから、複数のＩＩＩ族元素の原料である有機金属を含む第２原料ガスＧ２を基板２０の主表面２０ａ上に供給し、第１原料ガスＧ１の流速を第２原料ガスＧ２の流速の０．５以上０．８以下にし、反応容器３内の圧力を２０ｋＰａ以上６０ｋＰａ未満にする。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に、面内と周縁部の膜厚の均一な塗布膜を形成することを目的とする。
【解決手段】単結晶ウエハ１と半導体層４と、その間の結晶格子の不整合を緩和するバッファ層３を備えた半導体基板の製造方法であって、前記単結晶ウエハの外周端部１ａを被覆材２で被覆した後、前記バッファ層３を前記単結晶ウエハ１の一面側に形成する工程と、前記被覆材２を取り除いた後、前記半導体層４を前記バッファ層３上の一面側に形成すると共に、前記単結晶ウエハ１の外周端部１ａから前記半導体層４の外周部４ｂにかけて前記半導体層４の構成材料からなる堆積物４ａを堆積させる工程と、前記半導体層４上に塗布液をスピンコート法により塗布する工程と、を具備してなることを特徴とする半導体基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】異なる組成の半導体層のそれぞれを、高面内均一性及び高再現性で形成できる気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室に接続された複数のガス供給管の前記反応室内の複数の出口からIII族原料ガスとＶ族原料ガスとを前記反応室内に供給して前記反応室内に配置された基板上に窒化物系半導体層を成膜する気相成長方法であって、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを互いに異なる出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント以上の窒化物系半導体を含む第１半導体層を成長させる工程と、III族原料ガスとＶ族原料ガスとを混合して同じ出口から基板に向けて供給して、III族中におけるＡｌ組成比が１０原子パーセント未満の窒化物系半導体を含む第２半導体層を成長させる工程と、を備えた気相成長方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＧａＮ基板上に結晶成長する各半導体層の平坦性が、半導体素子の寸法相当において向上した半導体基板を提供し、更には、この半導体基板を基礎として、特性の高性能化された半導体発光素子、半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１１と、この基板１１上に積層された窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２と、基板１１と窒化物系III−Ｖ族化合物半導体単結晶層１２との間に設けられた、不純物元素を５ｘ１０¹⁷ｃｍ^-3以上２ｘ１０¹⁹ｃｍ^-3以下含有する層１０とを備える。 （もっと読む）

複数の前駆体及びインジウム表面賦活剤を用いて１つ以上のｎ型層またはｐ型層を多重量子井戸(ＭＱＷ)サブアセンブリに重ねて形成するため、ＭＱＷサブアセンブリが低温気相成長プロセスにかけられる、光電発光半導体素子を作製する方法が提供される。前駆体及びインジウム表面賦活剤は１つ以上のキャリアガスを用いてそれぞれの流量で気相成長プロセスに導入され、キャリアガスの少なくとも１つはＨ_２を含む。インジウム表面賦活剤は低温気相成長プロセス中に形成されるｐ型層の結晶品質を向上させるに十分な量のインジウムを含み、それぞれの前駆体の流量及びキャリアガスのＨ_２含有量はｎ型層またはｐ型層内のインジウム表面賦活剤からのインジウムのモル分率をほぼ１％未満に維持するように選ばれる。別の実施形態において、低温気相成長プロセスは低温Ｔ_Ｇにおいて実行され、ここで、Ｔ_Ｇ≦Ｔ_Ｂ±５％であり、Ｔ_ＢはＭＱＷ障壁層成長温度である。他の実施形態も開示され、特許請求される。
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【課題】個々の半導体発光装置を区画する素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜の側面の所定位置で終端している保護膜を安定的に形成することにより、高い歩留りを確保する。
【解決手段】成長用基板の上に半導体膜２０を形成し、半導体膜２０に成長用基板に達する素子分割溝を形成し、素子分割溝を形成することによって表出した半導体膜２０の側面を部分的に覆い且つ成長用基板から離間している保護膜５０を形成する。素子分割溝を形成する工程は、エッチングによる表出面の半導体膜２０の主面に対する傾斜角が第１の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後に、エッチングによる表出面の半導体膜２０に対する傾斜角が第１の傾斜角よりも大きい第２の傾斜角を有するように半導体膜２０をエッチングして傾斜角が異なる表出面を形成する第２エッチング工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の成長温度を高くすることなく、低い酸素原子濃度を有し、表面欠陥の小突起が発生しにくいＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体の製造方法、およびそれにより得られるＡｌＧａＩｎＰ化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】筐体の内部に配置された反応炉の内部で化合物半導体基板を製造する方法であって、前記筐体の内部を酸素濃度が４５ｐｐｍ以下の雰囲気に保ったまま、ベース基板を筐体の内部であって反応炉の外部から、反応炉の内部に移動し、前記ベース基板を前記反応炉の内部に配置する段階（１）と、前記反応炉の内部に配置されたベース基板の上に化合物半導体を７００℃以下でエピタキシャル成長させる段階（２）とを含む化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、窒化物半導体素子の製造方法に関する。本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、第１支持基板上に窒化ガリウムエピ層を形成する段階と、前記窒化ガリウムエピ層上に第２支持基板を形成する段階と、前記第１支持基板を除いた残りの領域の表面にパッシベーション層を形成する段階と、前記パッシベーション層をマスクとして前記第１支持基板をエッチングする段階と、前記パッシベーション層を除去して前記第２支持基板および前記窒化ガリウムエピ層を露出させる段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】III族窒化物の露出エリアを絶縁膜の開口に対して良好な位置制御性で形成できる、III族窒化物半導体発光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】コンタクト層２７及びクラッド層２５を含むIII族窒化物半導体領域２９をマスク３５ａを用いてエッチングして、III族窒化物領域３３ｃ及びエピタキシャル領域２９ｂを形成する。次いで、マスク３５ａ、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａ及びパターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に絶縁膜３９を成長する。絶縁膜３９は、マスク３５ａ上に成膜される第１の部分３９ａと、パターン形成されたIII族窒化物半導体領域３３ｃ上に成膜される第２の部分３９ｂとを含む。引き続き、パターン形成されたIII族窒化物リフトオフ層３１ａを絶縁膜３９に対してエッチャントを用いて選択的に除去して、リフトオフ法により、開口３９ｃを有する絶縁膜３９ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】成膜に用いる原料ガス同士の気相反応を抑制し、均一な成膜速度で均一な膜厚のエピタキシャル膜を形成するためのエピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）において、基板１５に近いほうから順に配置された、窒素ガスとＶ族元素ガスとが混合された第１の混合ガスを流す第１ガスライン１０と、窒素ガスとＩＩＩ族元素ガスとが混合された第２の混合ガスを流す第２ガスライン２０と、サブフロー窒素ガスを流す第３ガスライン３０から、基板の主表面に対向する領域へガスを流す。ＩｎＡｌＧａＮエピタキシャル膜を形成する工程（Ｓ２０）における、基板１５が配置される反応室内５０の圧力は１５ｋＰａ以上２５ｋＰａ以下であり、第２の混合ガス中に含まれる窒素ガスの流速が３．２５ｍ／ｓ以上３．３５ｍ／ｓ以下である。 （もっと読む）

【課題】デポ膜の剥がれを防止し、生産性向上させることができるＭＯＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】基反応炉１０内に基板１２を保持するサセプタ１４が設けられ、導入部１８から、原料ガスを反応炉１０内に導入することにより基板１２上にＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）膜をＭＯＣＶＤ法によってエピタキシャル成長させる気相成長装置において、基板１２と対向するように反応炉１０の内壁に取り付けられている天板３０（防着板）の基板１２側の表面に、ＧａＮ膜とＡｌＮ膜が交互に積層された多層膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ−プロセスで基板の上に製造された素子単位をチップ分離する際に研磨、切断などの工程を減らすことができ、基板を繰り返し使用できる窒化物半導体デバイス作製方法によって作製したデバイスを提供する。
【解決手段】 閉曲線をなす結晶成長速度の遅い欠陥の集合した欠陥集合領域Ｈと結晶成長速度の速い低欠陥の領域ＺＹの位置が予め決まっている窒化物半導体欠陥位置制御基板Ｓを用い、低欠陥領域ＺＹにデバイスの内部が、欠陥集合領域Ｈに境界線が来るように窒化ガリウム基板の上に窒化物半導体層（上層部Ｂ）をエピタキシャル成長させ、レーザ照射或いは機械的手段で欠陥位置制御基板Ｓと成長層（上層部Ｂ）を上下方向横方向に同時分離し、基板は繰り返し使用する。作製されたデバイスは端面が成長によるファセットで形成されている。 （もっと読む）