【課題】格子欠陥が発生することを防止した光取り出し効率の高い発光ダイオードを提供する。
【解決手段】発光ダイオードは、第一半導体層１２０と、第二半導体層１４０と、活性層１３０と、第一電極１５０及び第二電極１６０と、を含む。第一半導体層、活性層及び第二半導体層が、第一電極から離れる方向に沿って、基板に順に積層して設置され、第一半導体層が、第一電極に接続され、第二電極が、第二半導体層に電気的に接続され、第一半導体層の第一電極と隣接する表面が、複数の溝を含むパターン化表面１２２であり、第一半導体層のパターン化表面が、第一電極に接続される。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族基板表面の混合結晶上に結晶性を向上させたＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】立方晶のＩＶ族基板材料のＩＶ族基板表面を有する基板上にエピタキシャル堆積されている、ＩＩＩ族窒化物層構造を有する窒化物半導体素子であって、ＩＶ族基板表面が、Ｃ２対称性の単位格子を有するが、Ｃ２対称性より高度の回転対称性の単位格子は有さない｛ｎｍｌ｝表面［式中、ｎ、ｍはゼロ以外の整数であり、かつｌ≧２］であるようにする。 （もっと読む）

【課題】光閉じ込め性の低下を縮小しながら駆動電圧の低減を可能にする窒化物半導体レーザを提供する。
【解決手段】半導体領域１９では、発光層１３の活性層２５、第１のクラッド領域２１及び第２のクラッド領域２３は主面１７ａ上に設けられる。第２のクラッド領域２３は、第１ｐ型III族窒化物半導体層２７及び第２ｐ型III族窒化物半導体層２９を含む。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。このＩｎＡｌＧａＮ層は非等方的な歪みを内包する。第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。第２ｐ型III族窒化物半導体層２９の比抵抗ρ２９は第１ｐ型III族窒化物半導体層２７の比抵抗ρ２７より低い。 （もっと読む）

【課題】製造工程の煩雑化を伴うことなく製造中におけるウエハの割れを防止すること。
【解決手段】窒化物半導体素子形成用ウエハは、基板の上に、下地層、第１導電型窒化物半導体層、活性層、および第２導電型窒化物半導体層が順に積層されて構成されている。基板は、窒化物半導体素子材料とは異なる材料からなる。また、下地層および／または第１導電型窒化物半導体層の膜厚は、基板の中央側と基板の周縁側とで異なっており、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて大きくても良いし、基板の周縁側からその基板の中央側へ向かうにつれて小さくても良い。窒化物半導体素子は、窒化物半導体素子形成用ウエハを用いて作製されたものである。 （もっと読む）

【課題】薄切りしたＳｉＣウェハの歪み、反り、全厚さ変動（ＴＴＶ）を低減する。
【解決手段】直径が少なくとも約７５ミリメートル（３インチ）のＳｉＣブールを、ＳｉＣの種結晶使用昇華成長により成長させ、該ＳｉＣブールを薄切りにして少なくとも１つのウェハを得る。その後、内層面損傷がウェハの各側において同一となるように、ラッピング下方力を、前記ウェハを折り曲げる下方力未満の量に制限しつつ、ＳｉＣウェハをラッピングし、ＳｉＣウェハを研磨する。これにより、高品質のＳｉＣ単結晶ウェハ１６が得られる。該ウェハ１６上には複数の窒化物エピタキシャル層１８等が形成される。 （もっと読む）

【課題】簡単な製造方法を有し、コストが低く、高品質のエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つの結晶面を有する基板１００を提供する第一ステップと、前記基板１００の結晶面１０１に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層１０２を配置し、前記基板１００の結晶面１０１の一部を前記カーボンナノチューブ層１０２の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板１００の結晶面１０１にエピタキシャル層１０４を成長させ、前記カーボンナノチューブ層１０２を覆う第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層１０２を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】電子移動度の低下が抑制され、かつ二次元電子ガスの閉じ込めが高められた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_1-(a+b)Ｎ（０≦ａ，ｂ≦１、０≦ａ＋ｂ≦１）から成り、第２の窒化物半導体層３よりもバンドギャップが大きい第１の窒化物半導体層２、Ａｌ_cＩｎ_dＧａ_1-(c+d)Ｎ（０≦ｃ，ｄ≦１、０≦ｃ＋ｄ≦１）から成る第２の窒化物半導体層３、Ｉｎ_eＧａ_1-eＮ（０＜ｅ≦１）から成り、第２の窒化物半導体層３よりもバンドギャップが小さいバックバリア層４、Ａｌ_fＩｎ_gＧａ_1-(f+g)Ｎ（０≦ｆ，ｇ≦１、０≦ｆ＋ｇ≦１）から成り、第２の窒化物半導体層３とバンドギャップが等しいチャネル層５、Ａｌ_hＩｎ_iＧａ_1-(h+i)Ｎ（０≦ｈ，ｉ≦１、０≦ｈ＋ｉ≦１）から成り、チャネル層５よりもバンドギャップが大きいバリア層６を、この順に基板１に積層する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、表面に凹凸を加工した基板上に、低転位で均一な窒化物半導体層を形成できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、主面上に凹凸構造が設けられた基板と、前記主面の全面に設けられ、ｐ型不純物およびｎ型不純物の少なくともいずれかがドープされた、多結晶および非晶質の少なくともいずれかである窒化物層と、前記窒化物層の上に設けられた窒化物半導体層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体素子の製造方法は、（ａ）成長基板を準備する工程と、（ｂ）前記成長基板上に半導体層を形成する工程と、（ｃ）前記半導体層を複数の素子部に分割するとともに、各素子部間の半導体層の少なくとも一部を犠牲層として残す工程と、（ｄ）前記半導体層上に金属層を形成する工程と、（ｅ）前記半導体層に、前記金属層を介して支持基板を設ける工程と、（ｆ）前記成長基板に、前記素子部の全部を覆い、かつ前記犠牲層の外縁内に収まるようにレーザーを照射することにより、前記成長基板を前記半導体層から剥離する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】シリコンなどの基板上に形成した高品質な結晶を有するウェーハ、結晶成長方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板と、ベース層と、下地層と、中間層と、機能部と、を備えたウェーハが提供される。前記ベース層は、前記基板の主面上に設けられシリコン化合物を含む。前記下地層は、前記ベース層の上に設けられＧａＮを含む。前記中間層は、前記下地層の上に設けられＡｌＮを含む層を含む。前記機能部は、前記中間層の上に設けられ窒化物半導体を含む。前記下地層の前記ベース層の側の第１領域におけるシリコン原子の濃度は、前記下地層のうちの前記中間層の側の第２領域におけるシリコン原子の濃度よりも高い。前記下地層は、前記第１領域に設けられた複数の空隙を有する。 （もっと読む）

【課題】原子レベルで平坦な表面またはヘテロ界面を有する窒化物半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化物半導体基板１０１は、（１１−２０）面を主方位面とするＧａＮであり、らせん成分を含む貫通転位１０４の密度は１×１０^５ｃｍ^−２であった。該基板上に複数の開口部１０３（１辺が２０ミクロンの正方形）を有するマスク材１０２（酸化シリコン薄膜、厚さ１００ｎｍ）が形成されている。該開口部には、ｎ型ＧａＮ層１０６ａ、アンドープＡｌＮ層１０６ｂ、アンドープＧａＮ層１０６ｃ、アンドープＡｌＮ層１０６ｄ、および、ｎ型ＧａＮ層１０６ｅが順次形成されている。様々な条件下で貫通転位１０４の密度と開口部１０３の面積との関係を検討すると、貫通転位密度がＮｃｍ^−２である場合、各開口部１０３の面積が１／Ｎｃｍ^２以下であれば各開口部１０３内に形成した窒化物半導体多層薄膜の少なくとも一つの界面が平坦になることを見出した。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体積層体の結晶欠陥密度が低減可能な窒化物半導体の積層構造およびその製造方法並びに窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体の積層構造は、基板１０、第１バッファ層１２、第１結晶層１４、第２バッファ層１６、第２結晶層２０とを備える。基板１０には、段差部１０ｄが形成されている。第１バッファ層１２は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、段差下面１０ｂと段差側面１０ｃとを覆う。第１結晶層１４は、前記第１バッファ層１２の上に設けられ、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記基板１０の上面１０ａよりも上方に設けられた上面１４ａを有する。第２バッファ層１６は、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１結晶層１４の前記上面１４ａと前記基板１０の前記上面１０ａとを連続して覆う。第２結晶層２０は、前記第２バッファ層１６を覆い、ＩｎＡｌＧａＮを含み、前記第１の面２０ａを有する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＡｌＮ下地層の上面における凹凸をマスクするように平滑な上面を有する高Ａｌ組成比のＡｌＧａＮ層形成し、ＡｌＮ下地層の表面凹凸に起因するＶ字欠陥を上面に含まない窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】窒化物半導体デバイス用エピタキシャルウエハ（１０）は、Ｓｉ基板上（１）にＭＯＣＶＤで順次積層されたＡｌＮ下地層（２）、Ａｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０．６≦ｘ＜１）のモフォロジー改善層（３）、ＡｌＧａＮバッファ層（４）を含み、そのモフォロジー改善層（３）は熱拡散を利用して平滑化された上面を有することと特徴としている。 （もっと読む）

【課題】第ＩＩＩ−Ｖ族含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】実施態様において、二成分化合物のエピタキシャル薄膜を形成するためのシステムと方法を含むエピタキシャル薄膜形成ためのシステムと方法が提供されている。本発明の実施形態の方法とシステムは、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮおよびＡｌＮ、ならびにこれらの化合物の混合合金、例えば、（Ｉｎ， Ｇａ）Ｎ、（Ａｌ， Ｇａ）Ｎ、（Ｉｎ， Ｇａ， Ａｌ）Ｎのような直接の禁止帯半導体二元素化合物エピタキシャル薄膜形成のために用いられる。前記方法および装置は、準単分子層薄膜蒸着の急速反復を可能にする多段階蒸着プロセスおよびシステムを含む。 （もっと読む）

【課題】第一ｎ型半導体層のドーパント濃度に起因する結晶性の低下が生じにくく、かつ、高い出力の得られるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第一有機金属化学気相成長装置において、基板上に第一ｎ型半導体層を形成する第一工程と、第二有機金属化学気相成長装置において、前記第一ｎ型半導体層上に、前記第一ｎ型半導体層のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する前記第一ｎ型半導体層の再成長層、第二ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層を順次積層する第二工程と、を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法および光電変換素子。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、ｐ型シリコン基板２上に、ガリウムヒ素を含む第１半導体層３を成長させる工程と、第１半導体層３を成長させたｐ型シリコン基板２を、リンを含む第１ガスの雰囲気内において第１温度で加熱することにより、第１半導体層３を経由させてｐ型シリコン基板２内にリンを拡散させる工程と、第１半導体層３上に、格子定数が、シリコンよりもガリウムヒ素に近い第２半導体層４を成長させる工程とを有する。そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】ドレインリーク電流を低減することが可能な窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ヘテロ電界効果トランジスタ１の製造方法は、ドリフト層２０ａを支持基板１０上にエピタキシャル成長させる工程と、水素ガスをキャリアガスとして用いて、ｐ型半導体層である電流ブロック層２０ｂをドリフト層２０ａ上に１０００℃以上でエピタキシャル成長させる工程と、窒素ガス、アルゴンガス、ヘリウムガス及びネオンガスからなる群より選ばれる少なくとも一種のガスをキャリアガスとして用いて、コンタクト層２０ｃを電流ブロック層２０ｂ上にエピタキシャル成長させる工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】
多品種の成長基板上の成膜における反り量に対応可能なサセプタ装置を提供する。
【解決手段】
成長基板が載置される搭載領域を有するサセプタ装置は、搭載領域を分割して得られた区分領域の各々に配されかつ各々が成長基板に対向する熱輻射面を有し、成長基板の厚さ方向に可動である複数の熱輻射部からなる搭載部を有する。 （もっと読む）

【課題】 良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、エピタキシャルウエハの製造方法および当該エピタキシャルウエハを得る。
【解決手段】 半導体の基板を準備する工程と、基板の上に、ペアをなす一方の層または両方の層にアンチモン（Ｓｂ）を含むタイプＩＩの多重量子井戸構造を、ペア数５０以上７００以下で、形成する工程と、ＩｎＰ表面層を形成する工程とを備え、多重量子井戸構造の形成工程の開始からＩｎＰ表面層の形成工程の終了まで、再成長界面が含まれないように一つの成長槽内で処理し、すべての層を有機金属原料を用いる全有機気相成長法により形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】サファイア、ＧａＡｓ、シリコンまたは炭化ケイ素といった異種基板上で第３族窒化物の半導体材料の層を１層以上成長させる上で遭遇する、少なくともいくつかの問題に対処する。
【解決手段】ラミネート基板システムは、Ａｌ_xＧａ_1-xＮ（５）と支持基板材料（４）（または当該材料と一般化学組成が同一である材料）とが交互に積層された多数の層からなる変成遷移領域（２）を含む。転位密度が低い第３族窒化物半導体素子（２）がラミネート基板システム上に形成される。変成遷移領域（２）の多数の層（４、５）は、格子定数が支持基板（１）（支持基板付近）の格子定数から素子（３）（素子付近）の格子定数へと成長方向に沿って変化する超格子構造を形成する。 （もっと読む）