【課題】良好なオーミック接触を有するIII族窒化物半導体発光素子が提供される。
【解決手段】このIII族窒化物半導体発光素子では、接合ＪＣが窒化ガリウム系半導体層のｃ軸に直交する基準面に対して傾斜しており、電極がこの窒化ガリウム系半導体層の半極性面に接合する。しかしながら、この窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度が、接合ＪＣを形成するように成長された窒化ガリウム系半導体層における酸素濃度は低減される。この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。 （もっと読む）

【課題】非常に優れた形態的特徴を有し、例えばマイクロエレクトロニクスおよび／またはオプトエレクトロニクスデバイスおよびデバイス前駆体構造体を製作するための基板として使用される（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品の製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルに適合できる犠牲型板１２を設けるステップと、単結晶（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６を型板１２上に堆積して、犠牲型板１２と（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６との間の界面１４を含む複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を形成するステップと、複合犠牲型板／（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を界面修正して、犠牲型板１２を（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ材料１６から分割し、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品１０を生じるステップにより、独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ物品を製造する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に第１エピタキシャル層を形成し且つ該層をエッチングして複数の分離領域を形成することを包含する方法を提供する。
【解決手段】本方法は、エッチングした第１エピタキシャル層１０６ａ上に第２エピタキシャル層１０６ｂを形成することを含む。１０６ａ，ｂ層は少なくとも１個のIII族窒化物を含み、１０６ａ，ｂ層は一緒になって１個のバッファ１０６を形成する。本方法は、更に、該バッファ上に装置層１０８を形成し、且つ該装置層を使用して半導体装置を製造することを包含している。１０６ｂ層は、実質的に１０６ａ領域上にのみ存在する１０６ｂ領域を包含することが可能である。１０６ｂ層は、又、１０６ａ領域及び該基板を被覆することが可能であり、且つ１０６ｂ層はエッチングするか又はしない場合がある。該装置層は１０６ｂ層を形成するために使用するのと同じ操作期間中に形成することが可能である。 （もっと読む）

【課題】高効率に近紫外光を発光する半導体発光素子、ウェーハ及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、第１層と第２層と発光部と第１積層構造体と第２積層構造体とを備えた半導体発光素子が提供される。第１層は、ｎ形ＧａＮ及びｎ形ＡｌＧａＮの少なくともいずれかを含む。第２層は、ｐ形ＡｌＧａＮを含む。発光部は、第１層と第２層との間に設けられ、障壁層と井戸層とを含む。第１積層構造体は、第１層と発光部との間に設けられる。第１積層構造体は、ＡｌＧａＩｎＮを含む複数の第３層と、複数の第３層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第４層と、を含む。第２積層構造体は、第１層と第１積層構造体との間に設けられる。第２積層構造体は、ＧａＮを含む複数の第５層と、複数の第５層と交互に積層されＧａＩｎＮを含む複数の第６層と、を含む。 （もっと読む）

【課題】大面積化が可能な非極性基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この半導体基板の製造方法は、サファイア基板１０上に、ＧａＮ層１１と、Ａｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２とが交互に積層された半導体成長層２０を形成する工程と、半導体成長層２０を、半導体成長層２０の成長面と交差する方向に沿って分割することにより、ＧａＮ層１１からなる第１領域１１ａとＡｌ_ＸＧａ_{（１−Ｘ）}Ｎ（０＜Ｘ≦１）層１２からなる第２領域１２ａとが縞状に配置された非極性面からなる主表面（切り出し面１００ａ）を有する半導体基板１００を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】高輝度、高信頼性、良好な表面状態を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、及びｐ型ｐ型電流分散層７を有する発光ダイオード用エピタキシャルウェハ１であって、ｐ型ｐ型電流分散層７中の水素濃度の平均値を１．０×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にしたものである。 （もっと読む）

【課題】 成膜工程時における基板の温度分布を改善することができる実用的なサセプタおよび半導体製造装置を提供すること。
【解決手段】 サセプタ（１０）は、基板（１００）上に半導体層を成膜する成膜工程で用いられるサセプタであって、上面に、基板が載置される載置面（１３）を備え、外周側面から載置面の外周縁の下方に至るまで延在し、その上下が壁で挟まれた溝（１２）をさらに有している。このサセプタによれば、成膜工程時における基板の温度分布を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体膜内部における電流拡散を阻害することなく半導体膜内部を伝搬する光の自己吸収を抑制することができる半導体発光装置を提供すること。
【解決手段】支持体上の反射電極と、反射電極上の第１クラッド層と、第１クラッド層上の発光層と、発光層の上に設けられ、凹部及び凸部からなるテラス構造を有し、凸部の頂面及び凹部の底面に凹凸形状の光取り出し構造が形成された第２クラッド層と、凸部の頂面上の表面電極と、を有し、第２クラッド層は、発光層上に、第１電流拡散層、第１電流拡散層上に設けられ凹部の底面の光取り出し構造を備える第１光取り出し層、第１光取り出し層上に設けられた第２電流拡散層、及び第２電流拡散層上に設けられ凸部の頂面の光取り出し構造を備える第２光取り出し層を含む積層構造を有し、第１光取り出し層及び第２光取出し層は、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも小なる光吸収率と、第１電流拡散層及び第２電流拡散層よりも大なる抵抗値と、を有すること。 （もっと読む）

【課題】直径１００ｍｍ以上の大口径であっても結晶欠陥部分が少なく、化合物半導体層のエピタキシャル形成に適した高品質かつ低コストのサファイア単結晶基板、および、かかる基板上に化合物半導体層を成膜した高品質の半導体発光素子を安定的に提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族化合物半導体層を有する半導体発光素子の製造方法であって、サファイア単結晶のインゴットからウエーハを切り出す基板切り出し工程Ｓ２００と、切り出したウエーハについてラング法によるＸ線トポグラフィ測定を行い、（１１−２０）面のＸ線回折像が得られるＸ線の入射角度ωに対し、±０．１５°の範囲内を判断基準とする湾曲補正値Δωにより補正したＸ線によりＸ線回折像が得られる結晶欠陥部分を含むウエーハを選別する選別工程Ｓ５００と、選別されたウエーハの被成膜面上にＩＩＩ族化合物半導体層を成膜する半導体層成膜工程Ｓ８００と、を有する。 （もっと読む）

【課題】面取りが施されていないＧａＮウエハを用いてウエハ割れを低減できるエピタキシャルウエハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウエハＥ２は、ＧａＮウエハ１１と、Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ（０＜Ｘ１＜１、０≦Ｘ２＜１、０＜Ｘ１＋Ｘ２＜１）緩衝層１３とを備える。ＧａＮ層１７は、ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間に設けられている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂ上に成長されている。ＧａＮ層１７はＧａＮウエハ１１の主面１１ｂとホモ接合１９を成す。ＧａＮウエハ１１とＩｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３との間には、活性層といった光学利得を有する半導体領域は設けられていない。Ｉｎ_Ｘ１Ａｌ_Ｘ２Ｇａ_{１−Ｘ１−Ｘ２}Ｎ緩衝層１３はＧａＮ層１７にヘテロ接合２１を成す。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、ＩＩＩ族窒化物結晶基板１の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定から得られる特定結晶格子面の面間隔において、０．３μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₁と５μｍのＸ線侵入深さにおける面間隔ｄ₂とから得られる｜ｄ₁−ｄ₂｜／ｄ₂の値で表される結晶基板の表面層の均一歪みが１．７×１０^-3以下であり、主表面の面方位が、結晶基板のｃ軸を含む面から［０００１］方向に−１０°以上１０°以下の傾斜角を有する。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＮ層表面のピット状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】シリコン基板１０の表面を、熱処理温度が７００℃以上１０６０℃以下、熱処理時間が５分以上１５分以下、水素が含まれた雰囲気中においてサーマルクリーニングする工程と、前記サーマルクリーニングの後、前記シリコン基板表面に、Ｎ原料を供給せずにＡｌ原料を供給するステップと、前記Ａｌ原料を供給するステップの後に前記Ａｌ原料と前記Ｎ原料とを供給するステップとを行って、前記シリコン基板上に第１ＡｌＮ層１１を第１のV/III原料比を用い成長する工程と、前記第１ＡｌＮ層上に、前記第１のV/III原料比より大きな第２のV/III原料比を用い第２ＡｌＮ層１２を成長する工程と、前記第２ＡｌＮ層上にＧａＮ系半導体層を成長する工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板の端部近傍から作製する素子、例えば発光素子の発光波長が長波長にならず、基板中心部から作製する発光素子との違いを小さくすることができる、基板中心部と基板周辺部から作製する素子の特性差を小さくすることができる化合物半導体膜の気相成長に好適な化合物半導体膜気相成長用サセプタを提供する。
【解決手段】化合物半導体膜の気相成長の際に基板を支持するサセプタであって、該サセプタは、前記基板が配置されるザグリ部を少なくとも１つ以上備え、該ザグリ部は、底部底面がすり鉢状に湾曲しており、該湾曲部の凹部の最大深さが２５０〜５００μｍとなっているものであることを特徴とする化合物半導体膜気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】ＬＥＤや高電子移動度トランジスタなどのデバイス用として有用なＩＩＩ−Ｖ族窒化物品の提供。
【解決手段】自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板上に堆積したＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層を含むホモエピタキシャルＩＩＩ−Ｖ族窒化物品であって、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が１Ｅ６／ｃｍ²未満の転位密度を有しており、（ｉ）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間に酸化物を有するか、（ii）前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層と前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板の間にエピ中間層を有するか、
（iii）前記自立ＩＩＩ−Ｖ族窒化物基板がオフカットされており、前記ＩＩＩ−Ｖ族窒化物ホモエピタキシャル層が非（０００１）ホモエピタキシャルステップフロー成長結晶を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の化合物半導体基板に比べて反りが小さく、これによって割れにくく、またハンドリングが容易であるという化合物半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、ＧａＡｓ基板１１上に発光層１３をエピタキシャル成長させる工程と、該発光層の前記ＧａＡｓ基板と反対側となる片方の主表面（第一主面）にｐ型ＧａＰ窓層１４を気相成長させる工程とを有する化合物半導体基板の製造方法において、前記ｐ型ＧａＰ窓層を気相成長させた後に、該ｐ型ＧａＰ窓層の表面上に厚さ１μｍ以上のＧａＡｓ層１５を気相成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ｐ型層を形成する際に混入するＳｉによって発生する順方向電圧（Ｖｆ）の不良を従来より低減させ、順方向電圧が良好なエピタキシャルウエーハの製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、化合物半導体からなる基板上に、ハイドライド気相成長法によってｐ型層をエピタキシャル成長させる工程を有するエピタキシャルウエーハの製造方法であって、前記ｐ型層のエピタキシャル成長を開始する前の前記基板の昇温時に、ＨＶＰＥ炉内に窒素ガスを流すことを特徴とするエピタキシャルウエーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、基板上に順に形成されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層に対して選択的にエッチング処理を施すことによってメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層を形成する工程と、前記ｐ型半導体層上に、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層を形成する工程と、を含み、前記平面部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０^１９ｎｍ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】表面に凹凸部を設けた半導体成膜用基板の、真の製造効率を向上させるための製造方法を提供すること。
【解決手段】基板の表面に部分的にマスクを形成する工程と、ドライエッチング法を用いて前記基板の表面の前記マスクに覆われていない部分をエッチング除去して凹部を形成する工程とを、この順に行うことにより、基板の表面に凹凸部を設ける。凹部を形成する工程においては、少なくとも最後に基板のエッチング速度をマスクのエッチング速度の半分〜２倍とすることによりデポジションを抑制しながらエッチングを行ったところでエッチングを終了する。半導体の成膜に適さない不良基板の発生が抑えられるので、基板の真の製造効率が改善される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、反応炉にて成膜を開始した直後から、排気トラップによるリンの捕集効率を高くできる成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる成膜装置は、リンを含む排気ガスを排出する反応炉と、ハウジングと、該ハウジングの内部に該排気ガスを導入する排気ガス導入口と、該ハウジングの内部から該排気ガスを導出する排気ガス導出口と、該ハウジング内に設けられ該排気ガス中のリンを凝固付着させる金属製の冷却コイルと、を有する排気トラップと、該冷却コイルを冷却する冷却装置と、該ハウジング内部の排気ガスを密閉するように設けられたバルブと、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ表面平坦度およびダイオードチップを製造する際の発光強度の歩留まりを向上できるＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】Ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、Ｎ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層４、ＡｌＧａＩｎＰ系活性層５、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６、及びＧａＰからなる電流拡散層７を有するＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光素子用エピタキシャルウェハ１において、電流拡散層７が、Ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ系クラッド層６上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１以上１００以下の低Ｖ／ＩＩＩ比部分８と、低Ｖ／ＩＩＩ比部分上に形成されたＶ／ＩＩＩ比が１００以上５００以下の高Ｖ／ＩＩＩ比部分９とからなるものである。 （もっと読む）