【課題】電圧を印加することにより均一に電流を流すことができ、均一で大きな発光出力を得ることができる発光素子を提供することができるエピタキシャル基板を提供する。また、当該エピタキシャル基板を用いた発光素子、発光素子を備える発光装置、および上記エピタキシャル基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る発光素子２００は、透明支持基板１と、透明支持基板１の一方の主表面上に配置された接着層２と、接着層２の、透明支持基板１と対向する主表面と反対側の主表面上に配置された透明導電層３と、透明導電層３の、接着層２と対向する主表面と反対側の主表面上に配置されたエピタキシャル層４とを備える。透明導電層３の、接着層２と対向する第１の主表面と反対側の第２の主表面の一部が露出されている。発光素子２００は、露出された第２の主表面上および、エピタキシャル層４の透明導電層３と対向する主表面と反対側の主表面上に形成された電極９、１０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に膜を堆積させるにあたって、寄生堆積物を抑制することができるシステムおよび方法の提供。
【解決手段】基板（２０）上に膜を堆積させるための堆積システム（１００）において、寄生堆積物を制御し、その型の堆積システムは、基板を収容するための反応室を画定し、および反応室の中のプロセスガス（Ｐ）および反応室と隣接する内部表面を含む。ガスバリア層が内部表面とプロセスガスの成分との間の接触を阻止するように、内部表面とプロセスガスの少なくとも一部との間にバッファガス（Ｂ）を流すことによってガスバリア層を形成して、そのような制御を与える。 （もっと読む）

【課題】発光素子に供給される電流を制限する。
【解決手段】シリコンを含むベース基板と、ベース基板に接して形成された複数のシード体と、各々対応するシード体に格子整合または擬格子整合する複数の３−５族化合物半導体とを備え、複数の３−５族化合物半導体のうちの少なくとも１つには、供給される電流に応じて発光する発光素子が形成されており、複数の３−５族化合物半導体のうち、発光素子が形成された３−５族化合物半導体以外の少なくとも１つの３−５族化合物半導体には、前記発光素子に供給される電流を制限する電流制限素子が形成されている発光デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生が防止されるとともに、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成される窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子の製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を０．８以下とする。このことにより、クラックを防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成できる。 （もっと読む）

【課題】この発明は、光能動素子のリーク電流を少なく抑えることができる光導波路集積型半導体光素子およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】光導波路集積型半導体光素子１０１は、レーザ部２０と光導波路部２１を備える。レーザ部２０は、クラッド層２上に、活性層３およびクラッド層４を備える。光導波路部２１は、クラッド層２上に、光導波層６およびアンドープ型ＩｎＰ層７を備える。光導波層６の上面およびクラッド層４の側面と、アンドープ型ＩｎＰ層７の表面との間に、高抵抗層１５が設けられる。 （もっと読む）

【課題】インジウムを含有するIII族窒化物の膜の表面にインジウムを含有するパーティクルが付着することを抑制することができるエピタキシャル基板の製造方法及び気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】障壁層１１０を形成した後に、パーティクル抑制処理を行う（ステップＳ１０６）。パーティクル抑制処理は、原料の供給を停止した後に、窒素ガスの供給を継続することにより行う。 （もっと読む）

【課題】半導体発光素子用エピタキシャルウェハの電流拡散層における結晶欠陥の発生を抑制し、該エピタキシャルウェハの表面平坦性を向上させたAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】本発明に係るAlGaInP系半導体発光素子用エピタキシャルウェハの製造方法は、n型GaAs単結晶基板上に、n型AlGaInP系クラッド層、AlGaInP系活性層、p型AlGaInP系活性層およびGaP系電流拡散層を少なくとも有する半導体発光素子用エピタキシャルウェハを有機金属気相成長法で製造する方法であって、前記GaP系電流拡散層を形成する工程は、Ｖ族原料ガスとIII族原料ガスのモル比（Ｖ/III比）を１以上100未満に制御して第１のGaP系電流拡散層を成長する工程と、その後に前記Ｖ/III比を100以上300以下に制御して第２のGaP系電流拡散層を成長する工程とからなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ハイドライド気相成長において、III族塩化物ガスの供給を迅速にＯＮ／ＯＦＦ制御可能な窒化物半導体の製造装置および窒化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】III族原料とＨＣｌガスが反応して生成されるIII族塩化物ガスを導入するIII族塩化物ガス導入管７，３３に、真空を利用して弁体２２が作動し、基板へのIII族塩化物ガスの供給のＯＮ／ＯＦＦが切り替わる石英製の弁２０が設けられる。真空管路２６が真空に引かれていないときには、弁体２２は自重で下降し、反応室３へのＧａＣｌガスの供給が遮断される（ａ）。一方、真空管路２６が真空に引かれたときには、弁体２２は真空管路２６に接続された管３２側に吸引されて上昇し、管３１と管３３とが連通接続されて、ＧａＣｌガス導入管７側から管３３を通って反応室３へとＧａＣｌガスの供給が行われるようになる（ｂ）。 （もっと読む）

【課題】成長温度が1050℃以下のAlGaNやGaNやGaInNだけでなく、成長温度が高い高Al組成のAl_xGa_1-xNにおいても結晶性の良いIII族窒化物半導体エピタキシャル基板、III族窒化物半導体素子、III族窒化物半導体自立基板およびこれらを製造するためのIII族窒化物半導体成長用基板、ならびに、これらを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも表面部分がAlを含むIII族窒化物半導体からなる結晶成長基板と、前記表面部分上に形成されたスカンジウム窒化物膜とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆するＳｉＯ_２と、（３）該ＳｉＯ_２に接して積層された導電性材料と、（４）該ＳｉＯ_２と該導電性材料との積層体で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】光吸収半導体層のヘテロ接合における格子整合度が高く且つエネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。
【解決手段】太陽電池１０は、ｎ型半導体であるｎ層１１と、ｐ型半導体であるｐ層１２と、ｎ層１１及びｐ層１２に挟まれたi層１３とを備え、i層１３は、第１のエネルギーギャップＥｇ１を有する第１化合物半導体層１４と、第１化合物半導体層１４とヘテロ接合して積層され、且つ第１のエネルギーギャップＥｇ１よりも小さい第２のエネルギーギャップＥｇ２を有する第２化合物半導体層１５と、を有し、第１化合物半導体層１４と第２化合物半導体層１５とは格子整合しており、第１化合物半導体層１４の伝導帯の下端と第２化合物半導体層１５の伝導帯の下端との間のエネルギーギャップは、室温での熱エネルギー以下である。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような異なる種類の複数デバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】第１半導体１１０と、第１半導体上に形成された、電子捕獲中心または正孔捕獲中心を有するキャリアトラップ層１３０と、キャリアトラップ層上にエピタキシャル成長され、自由電子または自由正孔が移動するチャネルとして機能する第２半導体１４４と、第２半導体上にエピタキシャル成長したＮ型半導体／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体で表される積層体、または前記第２半導体上にエピタキシャル成長したＰ型半導体／Ｎ型半導体／Ｐ型半導体で表される積層体を含む第３半導体１６０とを備える半導体基板。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）ＧａＮ層上にＧａＡｌＮを積層した構造である第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆する導電性材料と、（３）該導電性材料で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下である３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７及びｐ型ＧａＡｓキャップ層８を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７は、ｐ型不純物としてＣをドーピングしたＣドープ層７ａと、ＭｇをドーピングしたＭｇドープ層７ｂとを有し、かつｐ型クラッド層７は、Ｃドープ層７ａが活性層５に近い側に形成され、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８のｐ型不純物はＺｎであり、活性層５中のＣ原子濃度、Ｍｇ原子濃度、Ｚｎ原子濃度は、それぞれ５．０×１０¹⁵ｃｍ^-3以下、１．０×１０¹⁶ｃｍ^-3以上１．６×１０¹⁶ｃｍ^-3以下、１．１×１０¹⁶ｃｍ^-3以上５．０×１０¹⁸ｃｍ^-3以下であるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶材料としてＡｌＧａＩｎＮを用いた発光層の内部量子効率の向上を図れる窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】発光層６における障壁層６ｂとしての第１の窒化物半導体層が、成長時に第１の不純物であるＳｉが濃度Ａ（例えば、５×１０¹⁶ｃｍ^-3）で意図的に添加されたＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）からなるとともに、井戸層６ａとしての第２の窒化物半導体層が、成長時に第２の不純物であるＳｉが濃度Ｂ（０≦Ｂ＜Ａ）で意図的に添加され第１の窒化物半導体層よりもＡｌの組成の小さなＡｌ_cＧａ_dＩｎ_(1-c-d)Ｎ層（０＜ｃ＜１、０＜ｄ＜１、１−ｃ−ｄ＞０）からなり、第１の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度が第２の窒化物半導体層の意図的に添加しない酸素の濃度よりも低くなっている。 （もっと読む）

【課題】結晶成長時に結晶中に取り込まれる不純物量を低減して、Ａｌ含有率が高いIII族窒化物半導体を品質よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表され、Ａ＋Ｂ＋Ｃ＝１．０，Ｂ≧０，Ｃ≧０，０．５≦Ａ≦１．０である関係を満足するＡｌＧａＩｎＮ層１３が形成されたIII族窒化物半導体を製造する方法であって、反応炉１内に設置したダミー基板上に、組成式Ａｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮで表され、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１．０，Ｙ≧０，Ｚ≧０，０．５≦Ｘ≦１．０であり、かつＹ≦Ｂ、Ｚ≦Ｃである関係を満足するダミー層を１１００℃以上の温度で形成する準備処理工程と、反応炉内からダミー基板を取り出し、ダミー基板とは異なる基板１１を反応炉１内に設置し、該基板１１上に、組成式Ａｌ_ＡＧａ_ＢＩｎ_ＣＮで表される前記ＡｌＧａＩｎＮ層を形成する第一製造工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高品質のＡｌＧａＩｎＮ層からなる窒化物半導体層を形成することが可能な窒化物半導体層の製造方法、および、より高品質のＡｌＧａＩｎＮ層からなる窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】単結晶基板１の上記一表面側にｎ形窒化物半導体層３と窒化物半導体発光層６とｐ形窒化物半導体層７とを有し、窒化物半導体発光層６およびｐ形窒化物半導体層７がＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層（０＜ａ＜１、０＜ｂ＜１、１−ａ−ｂ＞０）を有する窒化物半導体発光素子の製造方法であって、窒化物半導体発光層６およびｐ形窒化物半導体層７それぞれの窒化物半導体層であるＡｌ_aＧａ_bＩｎ_(1-a-b)Ｎ層を成長速度が０．０９μｍ／ｈよりも小さくなる条件で成長させている。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を防止し、各窒化物半導体薄膜の各膜厚が均一で、表面平坦性が良好な成長面を得ることで、諸特性にばらつきが無く、歩留まり良く作製できる窒化物半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】掘り込み領域２内において、側面部と底面部の境界に窪み７を形成するとともに、丘３の両端部に突起部５を形成することで、丘と掘り込み領域との間において、窒化物半導体薄膜の原料となる原子・分子がマイグレーションなどで行き来することを抑制することにより、丘上において表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層４が形成でき、歩留まり良く窒化物半導体発光素子を製造できる。 （もっと読む）

【課題】蓄積された製造技術やノウハウを活かしつつ、ｐ型不純物の拡散を抑えた発光素子用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３、活性層５、ｐ型クラッド層７およびｐ型ＧａＡｓキャップ層８を順次積層したダブルヘテロ構造を有する発光素子用エピタキシャルウェハにおいて、ｐ型クラッド層７中のｐ型不純物が炭素とマグネシウムであり、ｐ型ＧａＡｓキャップ層８中のｐ型不純物が炭素と亜鉛であるものである。 （もっと読む）