【課題】製造コストを低く抑えつつ、ウェハ全面を均一な温度に加熱できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応炉１０内に、上面にウェハ１２を保持するウェハポケット１６を有するトレイ１４が配置されている。トレイ１４の下面側にＲＦコイル１８及び被加熱体２４が配置されている。このＲＦコイル１８により加熱された被加熱体２４は、トレイ１４を介してウェハ１２を加熱する。ガス供給部２０は、ウェハ１２の表面に薄膜を形成するためのガスを反応炉１０内に供給する。ウェハ１２の下面とウェハポケット１６の底面の間に高熱伝導部材２２が配置されている。高熱伝導部材２２は、トレイ１４よりも熱伝導率が高い材料からなる。 （もっと読む）

【課題】特性のよい半導体デバイスの製造が可能な主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外のＧａＮ基板の保存方法などを提供する。
【解決手段】本ＧａＮ基板の保存方法は、平坦な第１の主面１ｍを有し、第１の主面１ｍ上でその外縁から３ｍｍ以上離れた任意の点Ｐにおける面方位が、その任意の点Ｐにおける（０００１）面または（０００−１）面１ｃに対して５０°以上９０°以下で傾斜している任意に特定される結晶面１ａの面方位に対して、−１０°以上１０°以下のずれ傾斜角Δαを有するＧａＮ基板１を、酸素濃度が１５体積％以下および水蒸気濃度が２０ｇ／ｍ³以下の雰囲気中で保存する。 （もっと読む）

【課題】発光のブルーシフトが抑制された発光デバイスの製造に好適なＩＩＩ族窒化物結晶基板、エピ層付ＩＩＩ族窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶基板１は、結晶基板の任意の特定結晶格子面のＸ線回折条件を満たしながら結晶基板の主表面１ｓからのＸ線侵入深さを変化させるＸ線回折測定により得られる結晶基板の表面層の均一歪みが１．９×１０^-3以下であり、結晶基板の表面層の特定結晶格子面の面方位ずれが３５０ａｒｃｓｅｃ以下であり、主表面の面方位が結晶基板の（０００１）面または（０００−１）面１ｃから＜１０−１０＞方向に１０°以上８０°以下で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】発光強度及び歩留を高度に両立することが可能なＩＩＩ族窒化物半導体基板、エピタキシャル基板及び半導体デバイスを提供する。
【解決手段】半導体デバイス１００では、Ｓ換算で３０×１０^１０個／ｃｍ^２〜２０００×１０^１０個／ｃｍ^２の硫化物、及び、Ｏ換算で２ａｔ％〜２０ａｔ％の酸化物が表面層１２に存在することにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面においてＣがパイルアップすることを抑制できる。このようにＣのパイルアップを抑制することで、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面における高抵抗層の形成が抑制される。これにより、エピタキシャル層２２とＩＩＩ族窒化物半導体基板１０との界面の電気抵抗を低減することができると共に、エピタキシャル層２２の結晶品質を向上させることができる。したがって、半導体デバイス１００の発光強度及び歩留を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】反りが抑制された、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を積層形成した半導体素子用のエピタキシャル基板１０において、III族窒化物層群が、少なくとも２層以上のIII族窒化物層が積層された緩衝層２と、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（０≦ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１、０＜ｚ１≦１、ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（０≦ｘ２≦１、０＜ｙ２≦１、０≦ｚ２≦１、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成のIII族窒化物からなる障壁層４と、を備え、緩衝層２の少なくとも１つが、格子空孔を有する格子空孔内在層２３であるようにする。 （もっと読む）

【課題】複数種類の面方位のＹＡＧ（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２）のいずれにも簡易な工程でＩＩＩ族窒化物半導体層を形成する半導体素子の製造方法の提供。
【解決手段】半導体素子１０において、ＹＡＧ基板１２は、面方位（１００）、（１１０）、（１１１）のいずれかの単結晶基板として形成される。半導体素子１０を製造する場合、まずＹＡＧ基板上にＴＭＡｌガスを供給し、ＩＩＩ族元素であるアルミニウムにより核形成層１８を形成する。次に核形成層１８の表面にＮＨ_３ガスを供給して核形成層１８の表面をＶ族化してＡｌＮからなるＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４を形成する。次にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２４上にＴＭＡｌガスとＮＨ_３ガスとの混合ガスを供給してＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０を形成する。最後にＩＩＩ−Ｖ族化合物層２０上にＩＩＩ族窒化物半導体層１６を成長結晶させる。 （もっと読む）

【課題】ショットキー接合の逆方向特性についての信頼性が高い半導体素子を実現可能な、半導体素子用のエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板１の上にIII族窒化物層群を（０００１）結晶面が基板面に対し略平行となるよう積層形成した半導体素子用エピタキシャル基板１０が、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１、ｚ１＞０）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層３と、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＝１、ｘ２＞０、ｙ２＞０）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層５とを備え、第２のIII族窒化物が、短距離規則度パラメータαが０＜α＜１の範囲をみたす短距離規則混晶であるようにする。 （もっと読む）

３９０−４１５ｎｍの波長で発光する発光ダイオードデバイスは、活性領域を有したバルクガリウム及び窒素含有基板を有している。このデバイスは約１７５Ａｍｐｓ／ｃｍ^２を超える電流密度を有している。また、このデバイスは、ロールオフが約５％未満の絶対効率である外部量子効率を有している。 （もっと読む）

【課題】大電流が印加されることにより高い発光出力が得られる半導体発光素子を製造できる半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１有機金属化学気相成長装置において、基板１１上に、第１ｎ型半導体層１２ａを積層する第１工程と、第２有機金属化学気相成長装置において、第１ｎ型半導体層１２ａ上に、第１ｎ型半導体層１２ａの再成長層１２ｄと第２ｎ型半導体層１２ｂと発光層１３とｐ型半導体層１４とを順次積層する第２工程とを具備し、第２工程において、第２ｎ型半導体層１２を形成する際の基板温度を、発光層１３を形成する際の基板温度よりも低くする半導体発光素子の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜をドープする方法を提供する。
【解決手段】ａ）堆積チャンバー内に基体を提供し、ｂ）第ＩＩＩＡ族金属化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｃ）第ＶＡ族化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｄ）式Ｒ_ｘＧｅＨ_ｙのゲルマニウムドーパント化合物を気相で堆積チャンバーに運び、ｅ）第ＩＩＩＡ族金属化合物、第ＶＡ族化合物およびゲルマニウムドーパント化合物を堆積チャンバー内で分解し、ｆ）ゲルマニウムをドープした第ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体膜を基体上に堆積させる。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上に、少なくともＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成し、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を、表面近傍部におけるＩｎ組成比が表面近傍部以外の部分におけるＩｎ組成比よりも大きくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】ショットキーコンタクト特性が優れており、かつ、良好なデバイス特性を有する半導体素子を実現することができるエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上に、少なくともＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成し、チャネル層の上に、少なくともＩｎとＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を、表面近傍部におけるＩｎ組成比が表面近傍部以外の部分におけるＩｎ組成比よりも小さくなるように形成する。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）

ヘテロ界面周辺のミスフィット転位を空間的に制限することによって、緩和された格子定数を有する、転位のない高品質テンプレート。これは、高Ｉｎ組成の素子のためのテンプレート層として使用することができる。具体的には、本発明は、高品質ＩｎＧａＮテンプレート（Ｉｎ組成は、約５〜１０％である）を調製し、別様に可能であるよりも非常に高いＩｎ組成のＩｎＧａＮ量子井戸（ＱＷ）（または多重量子井戸（ＭＱＷ））を、これらのテンプレート上に成長させることができる。
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【課題】基板と能動層との間に導電性半導体層を挿入した構成をもつＧａＮ系デバイスにおいて、導電性半導体層中のドーパントの悪影響を抑制する。
【解決手段】このＨＥＭＴ素子１０においては、基板１１としてｎ−ＧａＮ（ｎ型のＧａＮウェハ）が用いられる。この上に、リーク電流の低減及び電流コラプス抑制等のためにｐ型ＧａＮ層（導電性半導体層）１２が形成される。ｐ型ＧａＮ層１２の上に、ノンドープＡｌＮ層（半絶縁性半導体層）１３が形成され、その上に、半絶縁性ＧａＮからなる電子走行層（能動層）１４、ｎ−ＡｌＧａＮからなる電子供給層（能動層）１５が、ＭＢＥ法、ＭＯＶＰＥ法等によって順次形成される。 （もっと読む）

ガリウム及び窒素含有材料の高速成長のための方法が記載される。本方法は、バルクガリウム及び窒素含有基板を提供することを含んでいる。第１の厚さの第１のエピタキシャル材料が、好ましくは擬似形態的プロセスによって、基板上に形成される。本方法は、第１の層上に第２のエピタキシャル層をも形成し、これによってスタック構造がもたらされる。スタック構造は、約２ミクロン未満の全体厚さで構成される。 （もっと読む）

【課題】表面が（１１１）面以外であるシリコン層と、表面が（０００１）面である窒化物半導体層とを基板に設け、かつシリコンと窒化物半導体の線膨張係数の違いに起因した応力を小さくする。
【解決手段】まずＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を準備する。ＳＯＩ基板は、表面が（１１１）面であるシリコン基板１００上に絶縁層１２０及びシリコン層２００を積層した基板である。シリコン層２００は、表面が（１１１）面以外の面方位である。次いで、絶縁層１２０及びシリコン層２００に、底面にシリコン基板１００が露出している開口部２０１を形成する。次いで、開口部２０１内にＩＩＩ族の窒化物半導体層３００を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流分散層としてＧａＰを用いた場合であっても、順方向電圧の上昇を抑制し、電流分散層からの添加物の拡散を抑制し、高輝度及び高信頼性の半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子１は、第１導電型の第１クラッド層と、活性層２４と、Ｍｇが添加されたＡｌＧａＩｎＰ系の半導体材料からなり、第１導電型と異なる第２導電型の第２クラッド層と、Ｍｇが添加されたＧａＰからなる第２導電型の電流分散層２８とをこの順に有する半導体積層部２０を備え、半導体積層部２０は、第２クラッド層と電流分散層２８との間に形成され、第２クラッド層及び電流分散層２８の間のバンドギャップエネルギーを有する介在層２６と、介在層２６と電流分散層２８との間に形成され、Ｃ原子の濃度が５×１０^１６ｃｍ^−３以下で、厚さが２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の拡散抑制アンドープ層２７とを有する。 （もっと読む）

【課題】発光層の材料としてＡｌＧａＩｎＮ系の材料、特に、ＡｌＧａＮ系の材料を用いつつ、深紫外光の発光強度を高めるための要素技術を提供する。
【解決手段】まず、サファイア面上にＡｌＮ層を成長する。このＡｌＮ層はＮＨ_３リッチな条件下で成長を行う。ＴＭＡｌのパルス供給のシーケンスは、ＡｌＧａＮ層の成長を１０秒間行った後に、ＮＨ_３を除くために５秒の成長中断を行い、その後にＴＭＡｌを１ｓｃｃｍ、５秒間導入した。その後は、再び５秒の成長中断を行った。以上のシーケンスを１周期として合計で５周期分だけ成長を行った。このように成長を行うことにより、Ａｌがリッチの極性を持たせることができる。尚、上記シーケンスは例示であり、種々の変形が可能であるが、基本的に、成長中断と、Ａｌソースの供給とを繰り返す工程により、Ａｌ極性を実現することができる。 （もっと読む）