【課題】稼働率を向上させる基板の製造方法、半導体装置の製造方法、基板処理方法、クリーニング方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】基板の製造方法は、反応管に設けられたガス導入ノズルにより、前記反応管内に酸化性ガスを導入して支持具により支持した基板に酸化膜を形成する工程と、酸化膜形成後の基板を前記反応管内から搬出して、前記反応管内をクリーニングする工程とを有し、前記反応管内をクリーニングする工程は、前記反応管内を所定の温度に維持した状態で、前記反応管内にフッ化水素ガス、フッ化水素ガスと水素ガス、または、フッ化水素ガスと水蒸気を少なくとも含むガスを供給することにより、前記反応管、前記支持具及び前記ガス導入ノズルのうちの少なくとも何れかの部材に形成された酸化膜を除去する工程と、前記所定の温度を維持した状態で前記反応管内に不活性ガスを供給する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な埋込特性が得られるバッチ式の成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】凹部を含むパターンが形成された複数の基板を多段にして反応管に搭載するステップと、シリコン含有ガス及び酸素含有ガスを前記反応管へ供給することにより、前記複数の基板上に酸化シリコン膜を成膜する成膜ステップと、フッ酸ガス及びアンモニアガスを前記反応管へ供給することにより、前記成膜ステップにおいて成膜された前記酸化シリコン膜をエッチングするエッチングステップと、を含み、前記成膜ステップと前記エッチングステップとが交互に繰り返される成膜方法が開示される。 （もっと読む）

【課題】効率的に高品質な膜を成膜することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置は、処理容器内に配置され、その上に被処理基板Ｗを支持する支持台３４と、支持台３４の上方側を覆って支持台３４との間に小容積領域Ｓを形成可能な第一の位置および第一の位置と異なる第二の位置に移動可能であって、成膜ガスを供給する第一のガス供給孔６８が一方面側に開口するように設けられている板状のヘッド部６２を有し、成膜ガス等の供給を行うガス供給機構６１と、支持台３４上に支持された被処理基板Ｗの外方側に設けられたガス排気孔７０を有し、ガスの排気を行うガス排気機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行うことができるマイクロ波照射装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗに対してマイクロ波を照射して処理をするマイクロ波照射装置２において、真空排気が可能になされた処理容器４と、被処理体を支持する支持台６と、処理ガスを導入する処理ガス導入手段１０６と、マイクロ波を導入するマイクロ波導入手段７２と、被処理体を加熱する加熱手段１６と、被処理体を冷却ガスにより冷却するガス冷却手段１０４と、被処理体の温度を測定する放射温度計６４と、放射温度計の測定値に基づいて加熱手段とガス冷却手段とを制御することにより被処理体の温度を調整する温度制御部７０とを備える。これにより、被処理体に対してマイクロ波を照射しながら、これとは別個独立して被処理体の温度制御を行う。 （もっと読む）

【課題】得られる膜の品質を向上できると共にプラズマ処理が基板に及ぼす影響を低減できるプラズマ処理方法、膜形成方法、半導体デバイスの製造方法及びプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のプラズマ処理方法は、基板Ｗ上に吸着された第１層Ａ１に対して、第１圧力Ｐ１下で第１プラズマ処理を施す工程と、第１プラズマ処理を施された第１層Ｌ１上に吸着された第２層Ａ２に対して、第１圧力Ｐ１より低い第２圧力Ｐ２下で第２プラズマ処理を施す工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】モニタデータの解析を要する異常（例えば、成膜異常）について監視するために、最適なコンテンツを作成する仕組みを提供する。
【解決手段】基板処理システムは、基板を処理する基板処理装置と、前記基板処理装置から送信される測定データを蓄積する蓄積手段と、前記基板処理装置の稼動状態に関する前記測定データの項目、前記測定データに適用する統計量の種類、及び前記統計量の判定に用いる条件をそれぞれ個別に記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された前記測定データの項目、前記統計量、及び前記条件からなる組み合わせについて、前記蓄積手段に蓄積された前記測定データが異常と判断される組み合わせを抽出する抽出手段と、を備えた管理装置と、を含む。 （もっと読む）

【課題】成膜に寄与するガスを効率よく使用することができる基板処理技術を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部が設けられた処理室と、前記基板支持部の上方から前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給部と、前記処理室内に供給された処理ガスを励起するプラズマ生成部と、前記基板支持部の下方に設けられ前記処理室内のガスを排気するガス排気部と、前記基板支持部の端部に設けられ、前記基板支持部の上方で生成される励起された処理ガスを前記基板支持部の下方への流れを抑制し、前記処理ガスを失活させるガス流抑制流路と、少なくとも前記基板支持部の基板載置面より下方の前記処理室の内壁に設けられた保護部材と、を有する基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】高周波電極の基板が載置されている側の空間におけるプラズマ生成密度の均等化を図ることができる基板支持部材を提供する。
【解決手段】高周波電極１２には孔１２１またはスリット１２２が設けられている。高周波電極１２はそのα倍（０．２５≦α≦０．７５）の半径αｒを有する同心円Ｃにより複数の範囲に区分されている。当該範囲のそれぞれにおける孔１２１またはスリット１２２の分布または配置態様が差別化されている。 （もっと読む）

【課題】インジェクター本体の長さ方向に均一な濃度のガスを供給することの可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】真空容器内の基板に２種類の反応ガスを順番に供給して薄膜を形成する成膜装置は、基板を載置するために設けられ、回転テーブルの回転方向に互いに離れて配置された基板載置領域と、分離ガス供給手段を備えた分離領域とを備える。真空容器に反応ガスを供給するガスインジェクターは、ガス流路を構成するインジェクター本体の壁部に、その長さ方向に沿って配列された複数のガス流出孔と、前記インジェクター本体の外面との間にスリット状のガス吐出口を形成するように設けられ、ガス流出孔から流出したガスをガス吐出口に案内する案内部材と、を備える。このガスインジェクターは前記回転テーブルの移動路と交差する方向に伸び、且つ前記ガス吐出口を当該回転テーブルに対向させて配置されている。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマトーチユニットＴにおいて、全体としてコイルをなす銅棒３が、石英ブロック４に設けられた銅棒挿入穴１２内に配置され、石英ブロック４は、銅棒挿入穴１２及び冷却水配管１５内を流れる水によって冷却される。トーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、銅棒３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されるギャップ内に誘電体層を堆積させる方法を提供する。
【解決手段】方法は、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップを含む。有機シリコン前駆物質のＣ：Ｓｉ原子比は、８未満であり、酸素前駆物質は、堆積チャンバの外で生成される原子状酸素を含む。前駆物質が反応して、ギャップ内に誘電体層を形成する。ギャップを誘電材料で充填する方法も記載する。これらの方法は、Ｃ：Ｓｉ原子比が８未満の有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を供給するステップと、前駆物質からプラズマを生成させて、ギャップ内に誘電材料の第一部分を堆積させるステップとを含んでいる。誘電材料がエッチングされてもよく、誘電材料の第二部分がギャップ内に形成されてもよい。誘電材料の第一部分と第二部分がアニールされてもよい。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑制し、装置内に収納する基板を増加することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は基板処理装置本体とポッドを搬送する搬送機構２２を備え、基板処理装置本体にポッドを搬入出する搬入出部と、基板処理装置本体内においてウエハを収容するポッドを移送するポッド移送装置と、この搬入出部とポッド移送装置とを離間させるようにして設けられ、基板処理装置本体内に搬入されたポッドを収納するバッファ棚とを有し、搬送機構２２はポッド移送装置に向けて伸縮する伸縮部２０２と、伸縮部２０２の伸縮動作に伴って伸縮部２０２の伸縮する長さよりも大きくなるようにポッドを移動させる移動部２１０・２２０とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ウェーハが導入される反応室と、反応室にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、ウェーハを載置するウェーハ支持部材と、ウェーハを所定の温度に加熱するためのヒータと、ウェーハを回転させるための回転駆動制御機構と、反応室よりガスを排出する排気口を含むガス排出機構と、反応室の前記排気口上に、ウェーハ支持部材の水平位置より下方から酸化性ガスを供給する酸化性ガス供給機構と、を備える。 （もっと読む）

【課題】液体原料の利用効率を向上させ、原料ガスを安定してパルス的に供給することができる原子層堆積装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層堆積装置１０であって、原料ガスと反応ガスとが供給される成膜容器２０と、原料ガス供給管を介して原料ガスを供給する原料ガス供給部６０と、反応ガスを供給する反応ガス供給部９０と、原料ガスと反応ガスとが交互に供給されるように、原料ガス供給部と反応ガス供給部とを制御する制御部５２と、を備え、原料ガス供給部は、薄膜の原料である液体原料を貯蔵する液体原料貯蔵部６２と、原料ガスを生成するために、液体原料を加振する超音波振動部６６と、液体原料貯蔵部に接続され、かつ、原料ガス供給管を通して成膜容器と接続される原料ガス供給バルブと、原料ガス供給バルブから成膜容器までの原料ガス供給管の温度を調節する温度調節部８６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、スループットを低下させることなく、オイリーシランの安全な除去が可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、ガス供給口およびガス排出口を有し、ウェーハが導入される反応室と、反応室のガス供給口から反応室内にプロセスガスを供給するプロセスガス供給機構と、反応室内に設けられ、ウェーハを保持するウェーハ保持部材と、反応室内に設けられ、ウェーハ保持部材で保持されたウェーハを所定の温度に加熱するヒータと、ウェーハ保持部材をウェーハと共に回転させる回転駆動制御機構と、反応室のガス排出口から反応室内のガスを排出するガス排出機構と、反応室の底部に壁面近傍で設置され、壁面から滴下するオイリーシランを収集して排出するドレインと、を備える。 （もっと読む）

【課題】プラズマを発生させて成膜する際に膜厚の測定精度を高めることを目的とする。
【解決手段】成膜装置１は、真空チャンバ２と成膜基体支持体２１とを備える。成膜基体支持体２１に支持された成膜基体７とスパッタリングターゲット４との間にはプラズマ３が発生する。また、真空チャンバ２内には、成膜基体７と成膜レートが異なる位置にモニタ基板３０が配置される。モニタ基板３０には、モニタ光照射器２５からモニタ光が照射される。モニタ光がモニタ基板３０の表面に形成されたモニタ膜で反射した反射光およびプラズマ３が発光してモニタ膜を透過した透過光は受光器２６で受光される。制御器９は、プラズマ光測定器８が測定したプラズマ３の発光強度に基づいて、受光器２６が受光した光のうち反射光の強度を補正して求める。反射光の強度に基づいて、モニタ膜の厚さ、およびそれに比例する成膜基体７上の膜厚が求められる。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体を用いたパワーダイオード、パワーＭＯＳＦＥＴ等のパワー
半導体素子について、クラックフリーで形成されて従来よりも厚い窒化物化合物半導体層
を使用して耐圧を向上することである。
【解決手段】シリコン基板１上に厚さ１０μｍ以上の凸状に選択成長された窒化物化合物
半導体からなるキャリア移動層３と、キャリア移動層３上に形成された電極４とを有し、
１つのパワー半導体素子は１つのキャリア移動層３から構成されている。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ成膜装置内に堆積した堆積物を除去してクリーニングする際に、チャンバー内部品のダメージを低減しつつ、短時間での処理が可能なクリーニング方法を得る。
【解決手段】窒素ガスを主成分として１０〜２０体積％のフッ素ガスを含むフッ素含有ガスに、流量比で１：０．１〜１：１の範囲となるようにヘリウムガスが添加された混合ガスを用い、混合ガス中のフッ素ガスをプラズマ化してクリーニングを実施する。 （もっと読む）

【課題】ガス排出路の下流端に堆積した材料の逆流の問題が克服または軽減される熱処理炉と、この逆流の問題を克服または軽減するように従来の熱処理炉に（場合によっては本来設置されていたライナーの交換品として）設置されうるライナーとを提供する。
【解決手段】中心軸を有する略ベルジャー形の外側反応管と、複数の基板を保持したウェーハボートを収容するための開端式内側反応管とを備える熱処理炉であって、内側反応管は外側反応管内にほぼ同軸に配設され、これにより内側反応管の外壁と外側反応管の内壁との間にガス流路が画成され、内側反応管の外壁と外側反応管の内壁の少なくとも一方に、当該壁からガス流路内に半径方向に突出する流れデフレクタが設けられる熱処理炉。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮを有する窒化物の上にマイクロ波プラズマを用いてゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ層１３，ＡｌＧａＮ層１４ａが積層されたＦＥＴ構造と、フィールド酸化膜１５とゲート電極２０との間にかけて、形成されたゲート絶縁膜１９ｂを備える。ゲート絶縁膜１９ｂは、アルミナ２４ａとシリコン酸化膜２４ｂから構成される二層構造とする。 （もっと読む）