【課題】処理室内の圧力が一定に保たれないことを原因とする基板処理不良を生じにくくし、より良好な基板処理を可能とする。
【解決手段】基板を処理室内に搬入する工程と、基板が搬入された処理室内に反応ガスを供給し、処理室内を排気して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程とを有する半導体処理方法において、基板を処理する工程では、処理室内部の圧力を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力を所定の圧力に保つようにすると共に、処理室内部の圧力と処理室外部の圧力との差圧を測定し、その測定値に基づき処理室内部の圧力が処理室外部の圧力よりも小さい場合に、反応ガスを前記処理室内へ供給するようにする。 （もっと読む）

【課題】基板の温度均一性を向上させつつ、基板を高速に昇温する。
【解決手段】処理室内に設けられた第２基板支持部の上方に、処理室内に搬入された前記基板を第１基板支持部により第２基板支持部から離して支持させ、ガス供給部により処理室内にガスを供給させ、処理室内の圧力を基板の搬入時の圧力より高めさせた状態で、加熱部により基板を昇温させ、所定時間経過した後に、第１基板支持部から第２基板支持部へと基板を移載させ、加熱部により基板を加熱させながら基板を処理させる。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を大幅に削減し、冷却効率も向上させることが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗを複数枚保持した基板保持具５６を処理容器４６に対して昇降させるローディングユニット１６において、ローディング用筐体６８と、基板保持具を昇降させる昇降エレベータ機構６６と、処理容器の開口部を閉じるシャッタ部８６と、基板の移載を行うための基板移載機構７２と、昇降エレベータ機構を囲み、この移動範囲を囲むようにして設けられた第１の区画箱９０と、第１の区画箱に連結され、基板移載機構とこの移動範囲を囲むようにして設けられた第２の区画箱９２と、第１の区画箱に連結され、シャッタ部を囲むようにして設けられた第３の区画箱９４とを備え、第１の区画箱には、第１の区画箱の内側に対して冷却ガスを噴射する冷却ガス噴射手段９６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】構成が簡単なプラズマ成膜方法及び装置、より具体的には、危険な原料ガスを用いる必要がなく、高速に成膜が可能なプラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、螺旋形の導体棒３が、シリコンを表面にコーティングした石英管４の内部に配置され、その周囲に真鍮ブロック５が配置されている。筒状チャンバ内にガスを供給しつつ、導体棒３に高周波電力を供給して、筒状チャンバ内にプラズマを発生させ、基材２に照射することで解決できる。 （もっと読む）

【課題】 低温下においても成膜速度を向上させ、生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 処理室内に収容され、第１の温度に加熱された基板に対して、原料ガスを供給することで、基板上にシリコン含有層を形成する工程と、第１の温度よりも高い第２の温度に加熱された大気圧未満の圧力下にある反応予備室内で、酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて酸素を含む反応種を生成し、その反応種を大気圧未満の圧力雰囲気下にある処理室内の第１の温度に加熱された基板に対して供給することで、基板上に形成されたシリコン含有層を酸化してシリコン酸化層に変化させる工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。シリコン含有層をシリコン酸化層に変化させる工程では、水素含有ガスリッチな条件下でシリコン含有層の酸化を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に形成する膜の厚さの均一性を制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的としている。
【解決手段】基板を処理するアウタチューブと、前記アウタチューブ内に収容された基板を基板の外周側から光加熱する加熱装置と、前記加熱装置が光加熱する基板の外周近傍に流体を流すことにより、基板の外周側を冷却する冷却装置と、前記アウタチューブ内の温度を検出する温度検出部と、前記温度検出部が検出する温度に基づいて、前記加熱装置により前記基板を光加熱すると共に前記冷却装置により前記基板の外周側を冷却することで前記基板の中心側の温度を所定温度に維持しつつ該基板の中心側と前記基板の外周側とに温度差を設けるように前記加熱装置および前記冷却装置を制御する制御部と、を有する （もっと読む）

【課題】異常放電を抑制し、発生するパーティクルが膜に混入することを防ぎ、均一で高品質な薄膜を形成できるプラズマＣＶＤ装置および方法を提供する。
【解決手段】真空容器内に、メインロール６と、プラズマ発生電極７とを備え、長尺基材を前記メインロールの表面に沿わせて搬送しながら前記長尺基材の表面に薄膜を形成する真空成膜装置であって、前記メインロールと前記プラズマ発生電極とで挟まれる成膜空間を囲むように、前記成膜空間を挟んで前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側に、前記長尺基材の幅方向に延在する少なくとも１枚ずつの側壁８を設け、前記側壁は前記プラズマ発生電極とは電気的に絶縁されており、前記長尺基材の搬送方向の上流側および下流側のいずれか一方の側壁に、前記長尺基材の幅方向に一列に並んだ複数のガス供給孔が形成するガス供給孔列９を１列以上備えるプラズマＣＶＤ装置。 （もっと読む）

【課題】 基板の裏面への異物の付着及び基板の横滑りを抑制する。
【解決手段】 基板を処理する処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部は、基板の縁側を下方から支持する凸領域と、凸領域により支持された基板に接触しないように凸部の内側に設けられた凹領域と、凹領域に設けられ、凸領域よりも低く形成された補助凸領域と、を上面に有し、凹領域内に連通し、基板と、基板支持部との間の気体を凹領域側から逃す流路を有する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製品の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法、製造システムおよび調整装置を提供すること。
【解決手段】実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、成膜工程と、加工工程と、イオン注入工程と、アニール工程と、調整工程とを含む。成膜工程では、基板上に半導体の薄膜を成膜する。加工工程では、薄膜を所定の形状に加工する。イオン注入工程では、所定の形状に加工された薄膜に対してイオン注入処理を行う。アニール工程では、イオン注入処理が行われた薄膜をアニール処理して抵抗素子を生成する。調整工程では、成膜工程における薄膜の成膜条件および成膜結果と加工工程における薄膜の加工結果とのうち、少なくともいずれか１つに基づき、イオン注入工程におけるイオン注入処理の処理条件およびアニール工程におけるアニール処理の処理条件の双方または一方を調整する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン酸化物膜とシリコン窒化物膜との積層数を増やしても、これらの膜を積層した積層構造が形成される基板の反りの増大を抑制することが可能なシリコン酸化物膜及びシリコン窒化物膜の積層方法を提供すること。
【解決手段】 基板Ｗ上に、シリコン酸化物膜１−１とシリコン窒化物膜２−１とを積層するシリコン酸化物膜１−１及びシリコン窒化物膜２−１の積層方法であって、シリコン窒化物膜２を成膜するガス中に、ボロンを添加する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質管理作業の負担を低減し、基板品質を継続して安定化させる。
【解決手段】基板処理装置及び測定器と通信回線を介して接続した自動品質管理装置によりレシピデータに基づいて基板処理を実行させ、測定器から得られた処理結果としての膜厚データに基づいて基板処理装置で処理される基板の品質を管理する。管理装置は、測定器から測定データを通信手段２２で受信し、当該基板の処理を行ったレシピデータに対応付けてファイル４２に蓄積する。複数の測定データからレシピデータと基板の膜厚との関係を回帰式決定手段３１で算出し、入力手段５１から入力した品質管理ルール及び目標値に基づき、統計解析手段３２が受信した測定データが当該ルールから外れる場合には、当該目標値を用いて回帰式を逆算し、当該目標値を満たすレシピデータを算出し、このレシピデータを通信手段２１からダウンロードして基板処理装置に処理を実行させる。 （もっと読む）

【課題】処理室内に炉内温度傾斜を設定しなくても、縦型被処理体ボートの上段に積まれた被処理体ウエハへの成膜量と、下段に積まれた被処理体への成膜量とのバラツキを抑制することが可能な縦型バッチ式成膜装置を提供すること。
【解決手段】複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う処理室１０１と、被処理体Ｗを加熱する加熱装置１３１と、処理室１０１の内部を排気する排気機構１３０と、処理室１０１を収容する収容容器１０２と、収容容器１０２の内部に、処理に使用されるガスを供給するガス供給機構１２０と、処理室１０１の側壁に設けられた複数のガス導入孔１０１ａとを備え、処理に使用されるガスを、複数のガス導入孔１０１ａを介して、処理室１０１の内部に複数の被処理体Ｗの処理面に対して平行な流れで供給しつつ、処理室１０１内に炉内温度傾斜を設定せずに、複数の被処理体Ｗに対して一括して成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】基板に形成される凹部をボイドの形成を低減しつつ、高スループットで埋め込むことが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】基板が載置される基板載置部を含み真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルと、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して第１の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給部と、第１の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと反応する第２の反応ガスを供給する第２の反応ガス供給部と、第１及び第２の反応ガス供給部から回転テーブルの周方向に離間して設けられ、回転テーブルにおける基板載置部が形成される面に対して、第１の反応ガスと第２の反応ガスとの反応性生成物を改質する改質ガス及びエッチングするエッチングガスを活性化して供給する活性化ガス供給部とを含む成膜装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

【課題】床面側に設けた凹部内に基板保持具の下端部を収容できるようにし、実質的な高さを抑制することが可能なローディングユニットを提供する。
【解決手段】基板Ｗに熱処理を施す処理ユニットの下方に設けられて、基板が保持された基板保持具５８を処理ユニットに対してロード及びアンロードさせると共に基板保持具に対して基板の移載を行うローディングユニットにおいて、処理ユニットに連設されて全体を囲むようになされたローディング用筐体７２と、基板保持具の下部を保持する保持アーム８２を有すると共に基板保持具５８を処理ユニット内に対して昇降させる昇降エレベータ機構６８と、基板保持具に対して基板の移載を行う基板移載機構７４と、基板保持具の下方に対応するローディング用筐体の底部に設けられて、基板保持具の下端部を収容できるようにするために下方へ突出させて形成された基板保持具収容凹部９０とを備える。 （もっと読む）

【課題】形成されるシリコン酸化膜の誘電率、又は成膜レートを、成膜条件を変更することにより制御することができる基板処理装置や半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理する処理室と、非シロキサン材料ガスを処理室内へ供給する材料ガス供給部と、酸素含有ガスを処理室内へ供給する酸素含有ガス供給部と、処理室内へ供給されたガスを励起する励起部と、制御部とを備え、材料ガス供給部及び酸素含有ガス供給部から処理室内へ、それぞれ非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスを供給する際に、非シロキサン材料ガスと酸素含有ガスの合計流量に対する酸素含有ガスの流量比を、非シロキサン材料ガス分子中のシリコン原子と酸素含有ガス分子中の酸素原子の合計数に対する酸素含有ガス分子中の酸素原子の比が、０．３以上で０．８以下とするとともに、処理室内へ供給されたガスを励起するよう基板処理装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】光ＣＶＤ法を用いて、基板上に電気絶縁性の高い緻密なシリコン酸化膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを前記処理室内に供給し、前記直鎖状無機シリコンガスと酸素含有ガスとを供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する成膜工程と、前記直鎖状無機シリコンガスの供給を停止し、前記酸素含有ガスを前記処理室内に供給している状態で、前記処理室内に励起エネルギーを供給する改質工程と、前記処理室内の雰囲気を排気する工程と、前記基板を前記処理室から搬出する工程と、から半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】膜中の有機成分の脱離による大きな体積収縮を抑制し、クラックなどの構造破壊を抑制することのできる光薄膜形成技術を提供する。
【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記処理室に有機シリコン系ガスを供給し、前記有機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、前記処理室に無機シリコン系ガスを供給し、前記無機シリコン系ガスに紫外光を照射してシリコン酸化膜を形成する工程と、を備えるように半導体装置の製造方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。 （もっと読む）