【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

基板を取り扱う特にコーティングする装置において、プロセスチャンバ1と、その中で処理される基板12を格納するべく搭載開口6,7を介してプロセスチャンバ1に接続された、又は、処理プロセスで用いるマスク10,10'、10"、10'"を格納する少なくとも１つの格納チャンバ2,3と、搭載開口6,7を通して基板又はマスクをプロセスチャンバ1に搭載し又は取り出す搬送装置13と、開始物質をキャリアガスとともにプロセスチャンバ1に導入するべく温度制御可能なガス入口要素4と、処理される基板12を受容するべくガス入口要素4に対向して位置するサセプタ5と、遮蔽位置にあるときガス入口要素4とサセプタ5又はマスク10の間に位置して基板12又はマスク10をガス入口要素4からの熱の影響から遮蔽する遮蔽プレート11と、遮蔽プレート11を基板12の処理前にガス入口要素4に相対する遮蔽位置から格納位置へ移動させ基板12の処理後に格納位置から遮蔽位置に戻す遮蔽プレート移動装置15,16と、を有する。格納位置では遮蔽プレート11が格納チャンバの内部にある。
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【課題】プラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて低い温度で無機ＳｉＯ₂膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内でプラズマ化学気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を用いて２５０℃よりも下の温度で無機ＳｉＯ2膜を堆積する方法であって、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）及びＯ2を前駆体として１５：１と２５：１との間のＯ2／ＴＥＯＳ比で供給し、前記前駆体を、ＲＦ駆動シャワーヘッドを用いて堆積し、前記ＲＦ駆動シャワーヘッドを、高周波成分及び低周波成分を用いて駆動する。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、強度が高く、かつプラズマダメージ耐性が高い低誘電率絶縁膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯ構造を含む基本分子１の複数個を直鎖状に結合した直鎖状分子２，３，４と、この直鎖状分子２，３，４の複数個を、間にＳｉＯ構造を含むバインダー分子５を介在させて結合してなり、Ｓｉ原子、Ｏ原子、Ｃ原子、及びＨ原子を含む重合体からなる低誘電率絶縁膜であって、該膜のフーリエ変換赤外分光法により分析して得たスペクトルのピーク信号のうち、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号、ネットワーク型ＳｉＯ構造を示す信号、及びケージ型ＳｉＯ構造を示す信号の３種の信号面積の総和を１００％としたとき、リニア型ＳｉＯ構造を示す信号の面積比が４９％以上であり、かつスペクトルのピーク信号のうち、Ｓｉ（ＣＨ_３）を示す信号量と、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量の総和を１００％としたとき、Ｓｉ（ＣＨ_３）_２を示す信号量が６６％以上である。 （もっと読む）

【課題】効率的に薄膜形成装置を洗浄することができる薄膜形成装置の洗浄方法等を提供する。
【解決手段】まず、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して、装置内部に付着した付着物を除去する。次に、反応管２に酸素ラジカルを供給して装置内部に付着した珪フッ化物を酸化する酸化工程を実行する。続いて、反応管２にフッ化水素を含むクリーニングガスを供給して酸化された珪フッ化物を除去する酸化物除去工程を実行する。そして、この酸化工程と酸化物除去工程とを複数回繰り返す。これにより、効率的に薄膜形成装置１が洗浄される。 （もっと読む）

半導体基板上に酸化物層を形成するための方法及び装置を開示する。１つ又は複数の実施形態では、半導体基板の温度を約１００℃未満に制御することによって、プラズマ酸化を使用して、共形酸化物層を形成することができる。１つ又は複数の実施形態による半導体基板の温度を制御するための方法は、静電チャックならびに冷却剤及びガス対流を利用することを含む。
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【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】大きな表面積を覆い、薄く、一様な厚さの重合パラキシリレンの膜を堆積させる。
【解決手段】本発明の堆積装置は、固体または液体の出発原料を蒸発させるための蒸発器（１）を備える。搬送ガスのためのガスライン（１１）が蒸発器（１）に延びる。搬送ガスは、蒸発した出発原料を分解チャンバー（２）に運び、その中で出発原料が分解される。この堆積装置は、更に、プロセスチャンバー（８）を備える。プロセスチャンバー（８）は、搬送ガスによって運ばれる分解生成物が入るガス注入部（３）と、重合させられる分解生成物で覆われることになる基板（７）を支持するためにガス注入部（３）に対向して支持面（４’）を持つサセプタ（４）と、ガス排出口（５）とを有する。ガス注入部（３）は、支持面（４’）と平行に広がるガス放出面（３’）を有する平面ガス分配器を形成し、ガス放出面（３’）全体に渡って複数のガス放出ポート（６）が分布する。 （もっと読む）

【課題】低温下で、良質な薄膜を形成することができる薄膜形成方法、薄膜形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、室温下の反応管２内にジイソプロピルアミノシランを供給し、半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、室温下の反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。そして、この処理を複数回繰り返す。これにより、半導体ウエハＷに所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

本発明は、結晶表面を有する結晶ベース基板の上に結晶ゲルマニウム層を形成する方法を提供する。この方法は、ベース基板を洗浄して表面から汚染物および／または自然酸化物を除去する工程と、水素プラズマ、Ｈ_２フラックス、またはＧｅＨ_４の分解で得られる水素のような水素源および／またはＮ_２、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎ、またはそれらの混合物のような非反応性ガス源にベース基板を露出させながら、ベース基板の表面上にアモルファスゲルマニウム層を形成する工程と、ベース基板をアニールしてアモルファスゲルマニウム層を結晶化して、結晶ゲルマニウム層を形成する工程と、を含む。また、この方法は、本発明の具体例にかかる方法を用いて光起電セルまたは光分解セルを形成する方法、またはＣＭＯＳデバイスを形成する方法、および本発明の具体例にかかる方法で形成した結晶ゲルマニウム層を含む基板を提供する。
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【課題】 内部に流体を流すための流路を有するウエハ保持体について、長期にわたって使用しても液漏れのない、信頼性の高い接続構造を提供する。
【解決手段】 内部に流体を流すための流路が形成されたウエハ保持体であり、流路に接続して外部から流体を供給し排出するためのパイプ部材と、流路の両端部付近の内周面に形成された雌ネジ部と、パイプ部材の先端部付近に形成された雄ネジ部と、雄ネジ部のパイプ部材先端と反対側の端部に設けたフランジ部と、パイプ部材の先端から挿入されてフランジ部に当接するＯ−リングとを有する。ウエハ保持体及びフランジ部のＯ−リングと接触する各接触面の表面粗さは、Ｒａで２.０μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 常温以下の温度でのウエハの処理に適用することができ、特にＣＶＤ装置での使用に適したウエハ保持体を提供する。
【解決手段】 ウエハ載置面を有するウエハ保持体１であって、セラミックスからなり、その内部にウエハ保持体１を冷却するための冷媒を流す流路３を有し、好ましくは更に高周波発生用電極２を備えている。このウエハ保持体１は、１枚のセラミックス基板上に流路３を形成し、その流路３を覆うようにセラミックス基板に別の少なくとも１枚のセラミックス基板を接合し、好ましくは高周波発生用電極２を形成したセラミックス基板を更に接合して、製造することができる。 （もっと読む）

誘電前駆物質のプラズマから基板上に誘電体層を形成するシステムを記載する。システムには、堆積チャンバと、基板を保持する堆積チャンバ内の基板台と、堆積チャンバに結合した遠隔プラズマ生成システムであって、プラズマ生成システムが、一つ以上の反応性ラジカルを有する誘電前駆物質を生成するために用いられる、前記遠隔プラズマ生成システムとが含まれるのがよい。システムには、また、基板台の上に位置決めされたデュアルチャネルシャワーヘッドを備える前駆物質分配システムが含まれてもよい。シャワーヘッドは、反応性ラジカル前駆物質が堆積チャンバに入る第一組の開口部と、第二誘電前駆物質が堆積チャンバに入る第二組の開口部を有するフェースプレートを備えるのがよい。堆積チャンバに供給される誘電前駆物質から堆積チャンバ内でプラズマを生成させるインサイチュプラズマ生成システムが含まれてもよい。 （もっと読む）

【課題】
ＴｉＮバッファ層を用いて、結晶性が良好で表面が平坦なIII族窒化物系化合物半導体からなる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体素子において、基板と、前記基板の上に形成された窒化チタンからなるバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたIII族窒化物系化合物半導体層とを備え、前記III族窒化物系化合物半導体層の膜厚を４μｍ以上、１０μｍ以下、前記バッファ層の膜厚を２０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】低温プロセスで高品位かつ大面積の薄膜を形成する。
【解決手段】真空減圧雰囲気下にて、原料ガスを基板８に照射して、半導体薄膜、金属薄膜または絶縁性薄膜を基板８上に形成する。基板８の温度を、基板８に照射する原料ガスの付着確率が脱離確率を上回る温度以下に保持した状態で、原料ガスを基板８に付着させるとともに、基板８に付着した薄膜形成用ガスおよび薄膜に対して、電子等の反応促進粒子を照射することにより、原料ガス分子の分解および分解物質の重合反応を生じさせ、基板８上に薄膜を形成する。 （もっと読む）