【目的】
電流密度分布を均一化し、均一な発光強度分布及び高い発光効率の得られる、量産性に優れた高性能な半導体発光素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
サファイア（Ａｌ_２Ｏ_３）単結晶の基板上に成長したＺｎＯ系結晶層は、基板との界面にアルミニウム（Ａｌ）が８×１０^２０個／ｃｍ^３以上の濃度で固溶した固溶層、及びＡｌの濃度が１×１０^１９ｃｍ^３以上である高濃度拡散層を有している。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体基板から窒化物半導体エピタキシャル層を分離する際に窒化物半導体エピタキシャル層に与えるダメージが低く高品質な窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法を提供する。
【解決手段】本窒化物半導体エピタキシャル層の形成方法は、転位密度が１×１０⁷ｃｍ^-2以下の窒化物半導体基板１０上に、ガスおよび電解液の少なくともいずれかにより化学的に分解する化学的分解層２０を介在させて、少なくとも１層の窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程と、窒化物半導体エピタキシャル層３０を成長させる工程中およびこの工程後の少なくともいずれかにおいて、ガスおよび電解液の少なくともいずれかを用いて化学的分解層２０を分解させることにより、窒化物半導体基板１０から窒化物半導体エピタキシャル層３０を分離する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】立方晶炭化珪素（３Ｃ−ＳｉＣ）に対してより格子ミスマッチの少ないバッファ層を形成することで、高品位（高品質）な炭化珪素単結晶膜を形成した半導体基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有するシリコン基板１と、単結晶シリコン上に設けられた、コバルトシリサイドを主に含んでなるコバルトシリサイド層（２ａ、２ｂ、２ｃ）を一層以上有したバッファ層２と、バッファ層２上に設けられた、炭化珪素単結晶膜３と、を含む半導体基板１０。 （もっと読む）

【課題】処理容器内で生成するプラズマの分布を簡易な手段で制御できるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】遅波板３３は、内側に配置される小径部材１０１と、小径部材１０１を囲む大径部材１０３とから構成されている。小径部材１０１と大径部材１０３は、誘電率が同じ材質か、異なる材質で構成される。小径部材１０１と大径部材１０３とは、間隔をあけて配置され、間には空気層（エアギャップＡＧ）が介在している。小径部材１０１及び大径部材１０３の材質と、エアギャップＡＧにより、平面アンテナ板３１とカバー部材３４との間の領域の誘電率を制御できる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により良質な結晶性珪素膜を高い成膜レートで成膜する方法を提供する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ＋２（ここで、ｎは２以上の数を意味する）で表される珪素化合物を含む成膜ガスを前記マイクロ波により励起してプラズマを生成させ、該プラズマを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより被処理体の表面に結晶性珪素膜を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜中への不純物の取り込みを抑制し、膜質を向上させる。
【解決手段】基板を処理する処理室内にハロゲン含有ガスを供給するハロゲン含有ガス供給工程と、処理室内にハロゲン含有ガスとは異なる原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で原料ガスの活性種を生成する原料ガス活性種生成工程と、を有し、原料ガスの活性種とハロゲン含有ガスとを反応させて基板上に薄膜を形成する薄膜形成工程と、処理室内に水素含有ガスを供給する水素含有ガス工程と、処理室内に電子ビームを供給して基板近傍で水素含有ガスの活性種を生成する水素活性種生成工程と、を有し、水素含有ガスの活性種と、基板上に形成した薄膜中のハロゲン元素と、を反応させて基板上に形成した薄膜を改質する薄膜改質工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】特殊な高価な高温用の熱交換器を不要にして、耐熱性の低い汎用の安価な熱交換器を用いることができるようにした熱処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の被処理体Ｗに対して同時に熱処理を施す熱処理装置において、筒体状に形成された処理容器４と、処理容器内へ挿脱可能に収容される支持手段１８と、被処理体を加熱するために処理容器の外周側に、冷却空間２８を介して囲むようにして設けられた加熱炉３０と、押込用送風機が接続された気体導入通路４２を有し、冷却空間に熱処理後の降温時に冷却気体を導入する冷却気体導入手段３６と、熱交換器５４と吸出用送風機５６とが順次設けられた気体排出通路５２を有し、冷却空間から昇温した冷却気体を排出する冷却気体排出手段３８と、熱交換器の上流側にて気体排出通路に設けられて、昇温した冷却気体に降温用気体を導入して降温させる降温用気体導入手段４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に均一な膜厚の薄膜を簡便な方法で高品質に形成することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】ガス導入口１７から導入されて基板２０と天板部１５の間に向かう原料ガスをリング部材１３によって天板部１５側に誘導する。これにより、原料ガスは基板２０と天板部１５の間では天板部１５の基板側の面に沿って流れる。このとき、その流れから原料ガスの一部が基板２０側に拡散し基板２０表面に到達する。これにより、基板２０表面の近傍に原料ガスの均一な濃度分布が生じ、基板２０表面に均一な膜厚の薄膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】例えば５００℃以上７００℃以下の低温において、原子状酸素Ｏの濃度をウエハ積層方向に渡りコントロールし、酸化膜の膜厚分布をウエハ積層方向に渡り均等化する。
【解決手段】処理室内の複数枚の基板が配列される基板配列領域の一端側から酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合部を介して供給してその他端側に向かって流すと共に、処理室内の基板配列領域に対応する途中の複数箇所から水素含有ガスを供給して他端側に向かって流すことで複数枚の基板を酸化処理する工程を有し、混合部内で酸素含有ガスと水素含有ガスとを反応させて原子状酸素を含む酸化種を生成させ、酸化種を混合部内から処理室内に噴出させる噴出口の位置にて酸化種の濃度が最大となるようにする。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】表面ラフネスが良好な金属酸化膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハを収容した処理容器内に金属原子を含む原料を供給し排気する工程と、処理容器内に反応ガスを供給し排気する工程と、を１サイクルとしてこのサイクルを所定回数行うことでウエハ上に金属膜を形成する工程（Ｓ５）と、処理容器内に酸化ガスを供給し排気することで金属膜を酸化させる工程（Ｓ６）と、を１セットとして、このセットを所定回数行う（Ｓ７）ことによりウエハ上に所定膜厚の金属酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】選択性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を複数ウェハの面間で均一性よく成長させることができる半導体装置の製造技術を提供する。
【解決手段】表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜若しくはシリコン窒化膜の露出面とを備えるウェハ３０４を処理室３０１内に搬入する。まず、処理ガスを第１のガス供給系３０６から第１のガス供給管３０９を介して、処理室３０１の上部から導入する。そして、第１のガス排気管３１１と第１のガス排気系３０８を用いてガス排気を行う。その後、処理ガスを第２のガス供給系３０７から第２のガス供給管３１０を介して、処理室３０１の下部から導入する。この処理室３０１の上部と下部からのガス供給工程を１回以上実行し、ウェハ表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器内の下部から天井壁付近まで立ち上がりその天井壁に向けてガスを吹き付けるように設けられた第３ノズル部および第１ノズル部を介して、クリーニングガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ−Ｖ族半導体から成る暗電流の低減された半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる基板３ａ上にＳｂ元素を含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第１の半導体層２ａを形成する工程と、第１の半導体層２ａを形成した後に、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる第２の半導体層１０ａを第１の半導体層２ａ上に形成する工程とを備え、第１の半導体層２ａを形成する工程は、第１の半導体層２ａに含まれており基板３ａとの界面から所定の厚みを有する第１の層の形成を第１の温度のもとで行った後に、第１の半導体層２ａのうち第１の層を除いた第２の層の形成を第１の温度よりも高い第２の温度のもとで行い、第２の半導体層１０ａを形成する工程は、第２の半導体層１０ａに含まれており第１の半導体層２ａとの界面から所定の厚みを有する第３の層の形成を第２の温度のもとで行う。 （もっと読む）

【課題】 多くのペア数を有する多重量子井戸構造を、良好な結晶品質を確保しながら能率よく成長することができる、半導体素子の製造方法および当該半導体素子を得る。
【解決手段】 本発明の半導体素子の製造方法は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の量子井戸を５０ペア以上有する多重量子井戸構造３を形成する工程を備え、その多重量子井戸構造３の形成工程では、全有機金属気相成長法（全有機ＭＯＶＰＥ法）により、多重量子井戸構造を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】大口径で主面の面方位が（０００１）および（０００−１）以外で主面内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一であるＧａＮ単結晶基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ単結晶基板２０ｐは、主面２０ｐｍの面積が１０ｃｍ²以上であり、主面２０ｐｍの面方位が（０００１）面または（０００−１）面２０ｃに対して６５°以上８５°以下で傾斜しており、主面２０ｐｍ内におけるキャリア濃度の分布が実質的に均一、たとえば主面２０ｐｍ内において平均キャリア濃度に対するキャリア濃度のばらつきが±５０％以内である。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体結晶中への亜鉛の取り込み量を増やすことができる化合物半導体膜の製造方法、化合物半導体膜及び当該化合物半導体膜を用いた半導体デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】亜鉛をドープするｐ型化合物半導体膜のエピタキシャル成長時に、亜鉛含有原料（例えば、ジエチル亜鉛；ＤＥＺｎ）と共に所定範囲の供給量のＳｂ含有原料（例えば、トリスジメチルアミノアンチモン；ＴＤＭＡＳｂ）を供給することにより、化合物半導体膜（例えば、ＩｎＧａＡｓ膜）中への亜鉛の取り込み量を増やす。 （もっと読む）

【課題】異種基板から良質のＧａＮ系半導体層が得られる窒化物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による窒化物系半導体装置の製造方法は、基板上にＡｌＮ核生成層を成長させる段階と、上記ＡｌＮ核生成層上にＧａＮバッファ層を成長させる段階と、上記基板をアニーリングする段階とを含み、上記ＡｌＮ核生成層はＡｌＮの結晶核の臨界半径より大きくＡｌＮの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記ＧａＮバッファ層はＧａＮの結晶核の臨界半径より大きくＧａＮの臨界弾性厚さより薄い厚さを有するように形成され、上記アニーリング時間はＬ^２/Ｄ_Ｇａ(Ｌ；Ｇａの拡散距離、Ｄ_Ｇａ；上記ＡｌＮ核生成層におけるＧａの拡散係数)より大きい。 （もっと読む）

【課題】途中でガス排出エレメントを交換またはクリーニングすることなしに、連続するプロセスステップにおいてサセプタに支持される１つ以上の基板の上に汚染のない半導体層を堆積させる。
【解決手段】プロセスガスは、ガス注入エレメント（８）の流路を通ってプロセスチャンバー（１）の中にキャリアガスとともに導入される。キャリアガスは、実質的にサセプタ（２）に並行にプロセスチャンバー（１）を通って流れて、ガス排出エレメント（７）を通って排出される。分解生成物が、少なくとも基板（２１）の表面上と、サセプタ（２）の下流の端（２’）から間隔（Ｄ）でサセプタ（２）の下流に配置されたガス排出エレメント（７）の表面上との領域において被膜を形成するために成長する。間隔（Ｄ）は、ガス排出エレメント（７）の被膜から第２のプロセス温度で蒸発する分解生成物が対向流拡散によって基板（２１）に到達することを防ぐために十分に大きい。 （もっと読む）