【課題】縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、各ウエハに対応するように複数のガス供給孔が設けられた第１ノズルを介してＤＣＳ（ジクロロシラン＝ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガスを供給して各ウエハに成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】ピットの拡大を防ぎかつクラスターの発生を抑制して高品質の窒化物半導体を得ることを可能にする。
【解決手段】不活性ガスからなる第１キャリアガスを用いて基板上にＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＮ（０＜ｘ≦１）を含む第１半導体層を第１成長温度で成長させる工程と、前記不活性ガスと、この不活性ガスよりも少量の水素とを含む第２キャリアガスを用いて、前記第１半導体層上に、前記第１成長温度よりも高い第２成長温度でＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＮ（０≦ｙ＜１、ｙ＜ｘ）を含む第２半導体層を成長させる工程と、
前記第２キャリアガスよりも水素の含有量の少ない第３キャリアガスを用いて、前記第２半導体層上に、前記第２成長温度で、Ｉｎ_ｚＧａ_１−ｚＮ（０≦ｚ＜１、ｚ＜ｘ）を含む第３半導体層を成長させる工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 窒化物半導体結晶膜を均一成長させることが出来る窒化物半導体結晶膜成長装置を提供する。
【解決手段】 窒化物半導体結晶膜成長装置は、内部の温度及び圧力を制御可能なチャンバと、前記チャンバ内において回転軸で支持され、成長基板を設置するためのサセプターと、前記サセプター上の成長基板に対して、前記成長基板表面と水平方向に原材料ガスを噴射する原材料ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記原材料ガスの噴射方向と同一面内方向に向けて、前記原材料ガスを押圧する第１の押圧ガスを噴射する第１の押圧ガス供給手段と、前記サセプター上の成長基板の上方から、前記成長基板表面に対して三次元方向４５°〜９０°の傾斜角度で、前記成長基板端部における前記原材料ガスを除去する第２の押圧ガスを噴射する第２の押圧ガス供給手段と、前記チャンバ内から排気ガスを搬出する排気手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】工程増を最小限とした簡便な手法で、基板に反りを生ぜしめることなく、また基板上方の化合物半導体層の結晶性を損なうことなく確実な素子分離を実現し、信頼性の高い装置構成を得る。
【解決手段】ＳｉＣ基板１上の素子分離領域に相当する部位にマスク２を形成し、マスク２を覆うようにＳｉＣ基板１上に緩衝層３を第１の温度で形成し、第１の温度より高い第２の温度で加熱処理して緩衝層３のうちＳｉＣ基板１上の部位を結晶化し、緩衝層３の上方に化合物半導体層１０を形成して、化合物半導体層１０のマスク２の上方に相当する部位を素子分離領域とする。 （もっと読む）

【課題】表面の平坦性の優れたシリコン膜を形成する成膜方法、半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】基体上にジシラン及びトリシランの少なくともいずれかを用いて第１温度で第１膜を形成する第１膜形成工程と、前記基体及び前記第１膜を、水素を含む雰囲気中において、前記第１温度から、前記第１温度よりも高い第２温度に向けて昇温する昇温工程と、前記昇温の後に、前記第１膜の上に、シランを用いて前記第２温度で第２膜を形成する第２膜形成工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】面内均一性の高い膜を形成する。
【解決手段】石英材で構成された複数のリング状プレートを、少なくとも表面が炭化珪素材で構成された複数本の支柱にて支持したボートにて、各リング状プレートの内周側に基板周縁が配置されるように複数の基板を保持しつつ処理室に搬入する工程と、前記処理室にシリコン含有ガスと酸素含有ガスを供給し、前記ボートに保持された前記複数の基板上及び前記複数のリング状プレートに酸化シリコン膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を得ることのできる基板処理装置を提供する、あるいは、高いエッチング耐性を有し、誘電率の低い窒化ホウ素膜を形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】処理室２１内に基板１６を搬入する工程と、前記処理室２１内に少なくともホウ素含有ガス３１ａを供給し、前記基板１６上にホウ素膜を形成するホウ素膜形成工程と、処理室内に少なくとも窒素含有ガス３１ｃを供給し、ホウ素膜形成工程で形成したホウ素膜を窒化する窒化処理工程とを有し、ホウ素膜形成工程と窒化処理工程とから構成される一連の処理工程を、２回以上繰り返すことにより、所定膜厚の窒化ホウ素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】原料ガスをあらゆる角度に対して均等な流量で噴出でき、サセプタの対面においては原料ガスの分解、結晶化を抑制できる気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ２の対面が内部に冷媒を流通する手段を有し、原料ガス導入部が円板状の仕切り１２，１２”により上下方向に仕切られた構成からなる複数のガス噴出口１３を備え、該ガス噴出口１３の少なくとも１つが複数の柱状の仕切り１４により円周方向に仕切られた構成を備えてなる気相成長装置とする。 （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】高周波ノイズによる影響を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ヒータ２０７に電力を供給するヒータ用電源線２０８に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２１２を接続し、ヒータ用電源線２０８の導電性配線２０９を被覆した絶縁性の配線被覆部材２１０の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２１１をヒータ２０７とノイズ除去フィルタ２１２との間に組み込む。熱電対２６３の補償導線２６４に高周波ノイズを除去するノイズ除去フィルタ２６２を接続し、補償導線２６４の導電性配線２６５を被覆した絶縁性の配線被覆部材２６６の内部には、高周波ノイズをシールドするシールド部材２６８を熱電対２６３とノイズ除去フィルタ２６２との間に組み込む。 （もっと読む）

【課題】CVD装置においてチャンバー内の基板周囲のガス流を安定化し、堆積する膜の成分及び厚みの均質化を図ることによって、高品質な成膜を行うCVD装置を提供する。
【解決手段】排気ガス流速を均等化するための隔壁１１を加熱ステージ及びガスヘッドと排気ポート７，８との間に設置することによって、原料ガスの流れがガスヘッドから基板へ揺らぐことなく噴霧される。これにより、均質な成膜が可能なCVD装置を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板上に形成する膜の表面が平坦になるまでの成長時間を短縮することが可能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】 コランダム構造のｃ面基板の表面に複数の凸部が形成されている。この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。下地膜の上に、Ｇａ及びＮを含む発光構造が配置されている。下地膜のａ軸方向とのなす角度が１５°未満の方向を第１方向とし、それと直交する方向を第２方向とする。凸部は、第１方向及び第２方向に規則的に配列している。凸部の各々は、ｍ軸方向とのなす角度が１５°未満の第１の辺と、ａ軸方向とのなす角度が１５°未満の第２の辺とを有する。第１方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第１の辺は平行であり、第２方向に隣り合う２つの凸部の相互に対向する第２の辺は平行である。対向する第２の辺のｍ軸方向の間隔は、対向する第１の辺のａ軸方向の間隔よりも広い。 （もっと読む）

【課題】反り返りがなく、面内のオフ角のばらつきが小さな窒化物系化合物半導体層を再現性よく成長させることができる窒化物系化合物半導体基板の製造方法、及び半導体デバイスの作製に好適な窒化物系化合物半導体自立基板を提供する。
【解決手段】成長用基板上に窒化物系化合物半導体層をエピタキシャル成長させる窒化物系化合物半導体基板の製造方法において、成長用基板として、（０１１）面を≒［０１０］方向に０〜２°（０°を除く）のオフ角で傾斜させた主面を有する希土類ペロブスカイト基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】 積層された基板へ供給されるガスの流量と流速とを均一化することで、前記積載された基板に対してガスを均一に供給する。
【解決手段】 複数の基板を収容する反応室を形成する反応管と、反応管の内部に設けられたバッファ室と、反応室内に第１の処理ガスを導入する第１のガス導入部と、バッファ室内に第２の処理ガスを導入する第２のガス導入部と、を備え、第１のガス導入部は第１のガス供給口を有し、第２のガス導入部はガス導入口を有し、バッファ室は、第２の処理ガスを反応室内に供給する複数の第２のガス供給口を有し、第２のガス導入部にリモートプラズマユニットが設けられ、第２の処理ガスが活性化され、活性化された第２の処理ガスが複数の第２のガス供給口から反応室内に供給され、第１の処理ガスと活性化された第２の処理ガスとが交互に複数回供給されて基板の表面に薄膜が形成される。 （もっと読む）

本発明の実施例として、半導体装置上のエピタキシャル領域を示した。ある実施例では、エピタキシャル領域は、成膜−エッチングプロセスを経て基板に成膜される。周期的な成膜−エッチングプロセスの間に、スペーサの下側に形成されるキャビティは、エピタキシャルキャップ層によって埋め戻される。エピタキシャル領域およびエピタキシャルキャップ層は、チャネル領域での電子移動度を改善し、短チャネル効果が抑制され、寄生抵抗が低下する。
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酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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【課題】反りの少ないエピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】エピタキシャルウェハは、基板１と窒化物半導体４，５，６の間に形成されたアルミニウム層２と、アルミニウムを陽極酸化して形成したアルミニウムの陽極酸化（陽極酸化Ａｌ）層３によって、熱膨張係数差に起因した応力を緩和することで、ウェハのそりを押さえることが可能となる。 （もっと読む）

炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオード及び炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオードの形成方法を開示する。炭素／トンネル障壁／炭素はメモリアレイ内でステアリング素子として用いられてもよい。メモリアレイ内の各メモリセルは可逆的抵抗性スイッチング素子、及びステアリング素子として炭素／トンネル障壁／炭素・ダイオードを含んでいてもよい。トンネル障壁は半導体又は絶縁体を含んでいてもよい。従って、ダイオードは炭素／半導体／炭素・ダイオードであってもよい。ダイオード内の半導体は真性であってもよいし、ドープされていてもよい。ダイオードが平衡状態にある場合は、半導体が空乏化されることがある。例えば、空乏領域が半導体領域の一端から他端まで延びるように、半導体が低濃度にドープされてもよい。ダイオードは炭素／絶縁体／炭素・ダイオードであってもよい。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、クリーニング時間を短縮し、生産性を向上させることのできる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理容器内の下部から上部まで立ち上がった第１ノズル部、第２ノズル部を介して、それ単独で膜を堆積させることのできる第１ガス、それ単独で膜を堆積させることのできない第２ガスをそれぞれ処理容器内に供給してその下方に向けて流し、処理容器の下部に設けられた排気口より排気して、基板上に薄膜を形成する処理を繰り返した後、処理容器の天井壁に設けられた第３ノズル部を介してハロゲン系ガスに第２ガスの少なくとも一部を添加したガスを処理容器内に供給すると共に第１ノズル部を介してハロゲン系ガスを処理容器内に供給してその下方に向けて流し、排気口より排気して処理容器内および第１ノズル部内に付着した堆積物を除去するようにした。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤにより従来よりも膜質の良好なシリコン窒化膜を形成することができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体（ウエハ）を搬入し、Ｓｉソースとしてのモノクロロシランガスを処理容器内へ供給する工程Ｓ１と、窒化ガスとしての窒素含有ガス（ＮＨ_３ガス）を処理容器内へ供給する工程Ｓ２とを、パージガスを供給して処理容器内に残留するガスを除去する工程Ｓ３ａ、Ｓ３ｂを挟んで交互に実施する。 （もっと読む）