【課題】
基板上に成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供することを目的とする。
【解決手段】
気相成長装置は、気相成長装置は、基板を保持し、かつ、基板を加熱および回転させるサセプタと、基板の上面に材料ガス流を供給するノズルと、を含み、ノズルは、その内部のガス放射中心から放射状に材料ガス流を基板の全面に沿って噴出する。 （もっと読む）

【課題】中間層としてＧｅ結晶を用いる場合の化合物半導体へのＧｅ原子の混入を抑制する。
【解決手段】ベース基板と、ベース基板上に形成された第１結晶層と、第１結晶層を被覆する第２結晶層と、第２結晶層に接して形成された第３結晶層とを備え、第１結晶層が、ベース基板における第１結晶層と接する面と面方位が等しい第１結晶面、及び、第１結晶面と異なる面方位を有する第２結晶面を有し、第２結晶層が、第１結晶面と面方位が等しい第３結晶面、及び、第２結晶面と面方位が等しい第４結晶面を有し、第３結晶層が、第３結晶面及び第４結晶面のそれぞれの少なくとも一部に接しており、第１結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みに対する第２結晶面に接する領域における第２結晶層の厚みの比が、第３結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みに対する第４結晶面に接する領域における第３結晶層の厚みの比よりも大きい半導体基板を提供する。 （もっと読む）

【課題】デッドスペースを増加させることなく、基板の面内均一性を向上させることができる基板処理装置及び基板保持体及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の基板２を保持する基板保持体と、複数の基板２を前記基板保持体で保持しつつ処理する処理室とを備え、前記基板保持体は、基板２を載置可能に構成される基板載置部と、該基板載置部に載置された基板２の周縁一部のガス流れを規制する第１規制部材３５とを複数鉛直方向に第１間隙を成して備える固定支柱２６、底板３１と、前記基板載置部に載置された基板２の周縁他部のガス流れを規制する第２規制部材３６を複数鉛直方向に前記第１間隙を成して備え、前記第２規制部材３６を前記周縁他部のガス流れを規制する第１位置から前記第１規制部材３５と鉛直方向に於いて少なくとも一部が重なりあう第２位置迄退避可能に構成されている可動支柱２７、支柱支持腕３３とを有する。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】ＧａＮ系などの成長結晶層の膜厚均一性を向上させることができ、歩留まりが高い気相成長装置を提供する。
【解決手段】基板２１５を保持し、加熱および回転させるサセプタ２１６と、複数のチャネルを含み、基板の上面に沿って平行な方向に流れる材料ガス流を供給するノズル２１３と、複数のガス供給系統１８０と、該ガス供給系統のいずれの一系統にもガスの供給または停止を制御する開閉弁を有して材料ガスを前記複数のチャネルへ供給するマニホールド２１１と、開閉弁駆動制御部３００と、を含む気相成長装置において、開閉弁駆動制御部３００は、各ガス系統毎にガスを時間的に分割して、かつ、該ガスを時間的に途切れなく複数のチャネルの各々に対して分散して、供給することで複数のチャネルの各々の材料ガスの流れを連続的とするように開閉弁を駆動制御する。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）

【課題】 成長用基板の上に形成する半導体層が薄くても、再現性よく半導体層から成長用基板を分離する方法が望まれる。
【解決手段】 表面に凹凸が形成された成長用基板の、該表面の凸部の上面に離散的に分布し、化合物半導体からなる複数の支柱を形成する。支柱によって成長用基板の上に支えられ、化合物半導体からなる半導体層を形成する。半導体層の上に、支持基板を接着する。成長用基板を半導体層から分離する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】高移動度と高耐圧を両立し、かつ大電流動作が可能なIII族窒化物半導体を用い
た半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体素子は、III族窒化物系化合物半導体からなり、シートキャリア密度
が、１×１０^１２ｃｍ^−２以上５×１０^１３ｃｍ^−２以下である半導体動作層と、前記半
導体動作層上に形成された第1の電極及び第２の電極とを備え、前記半導体動作層におけ
る転位密度が１×１０^８ｃｍ^−２以上、５×１０^８ｃｍ^−２以下であることを特徴とする
。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤマスクとして用いられるＳｉＯ２層は熱的損傷を受けやすく、熱的損傷を受けると、その構成要素であるＳｉやＯが窒化物半導体膜に悪影響をもたらし、発光効率の低下と発光効率という問題があった。この、ＳｉＯ2層を用いたマスクパターンの熱的損傷に依る問題点を解決する構造，方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体構造は、第１の基板、第１の窒化物半導体膜及び第２の窒化物半導体膜を備えた窒化物半導体構造であって、前記第１の基板は、前記第１の窒化物半導体膜とは異なる材料からなり、前記第１の窒化物半導体膜は前記第１の基板上に成長され、前記第１の窒化物半導体膜上面は、凹部及び凸部が同一材料で形成されており、前記第２の窒化物半導体膜は、前記第１の窒化物半導体膜上面の前記凹部及び凸部上に成長する構造、及びその構造の製造方法により解決する。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素半導体装置の製造方法において、アニール処理の際の珪素および炭素の蒸発を防止する保護膜の膜厚測定を精度良く、かつ、低コストで行うことが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】基板保持具３５にウエハＷＦを搭載して成膜炉３２内に置き、成膜炉３２内を真空ポンプによりガス排気部３３を介して真空排気し、残存する酸素を極力除去した後、Ａｒやヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスをガス導入部３１を介して導入しながら、減圧下で成膜炉３２内の温度を８００℃〜９５０℃の範囲に加熱する。この温度に達したら、不活性ガスの流入を停止し、成膜炉３２内にソースガスとして気化したエタノールをガス導入部３１を介して導入することで、ウエハＷＦの全表面にグラファイト膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室２０３と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理ガス供給部から供給される処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極２６９，２７０とを有し、前記一対の電極は、それぞれ基板の中心位置から異なる距離に配置されることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に高品質なＩＩＩ族窒化物を結晶成長させ、高品質な半導体装置を得ることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】直接窒化されたサファイア基板２上のＡｌＮ層にラジカル源５から窒素ラジカル又は窒素イオンを含む気体を所定時間照射する。その後、成長させるＩＩＩ族窒化物の構成元素からなるターゲット３ａに窒素雰囲気中でパルスレーザ光を照射するＰＬＤ(パルスレーザ堆積)法によってＩＩＩ族窒化物を結晶成長させることにより、極めて高品質なＮ極性結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に均一な結晶を成長させる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】凹凸が設けられた主面を有する基板の前記主面に窒化物半導体の結晶を成長させる結晶成長方法であって、前記主面に、Ｇａ_ｘＡｌ_１−ｘＮ（０．１≦ｘ＜０．５）を含み、厚さが２０ナノメートル以上５０ナノメートル以下のバッファ層を、０．１マイクロメートル／時以下の速度で堆積し、前記バッファ層の上に、前記バッファ層の堆積における前記基板の温度よりも高い温度で、窒化物半導体を含む結晶を成長させる。このように、バッファ層の堆積レートＲｔとバッファ層の平均の厚さＴを適切に管理することにより、バッファ層の上に形成された窒化物半導体結晶の表面モフォロジーの良好な平坦性が実現できるとともに、結晶欠陥であるピット発生数Ｎｐをきわめて小さくすることができる。 （もっと読む）