【課題】トラップを起因とするパーティクルの逆拡散を防止する。
【解決手段】処理室２０１内を排気する排気装置２４０のガス排気管２３１に設けられた真空ポンプ２４６とトラップ２５０間に第一バルブ２５１を設け、トラップ２５０の二次側に第二バルブ２５２を設け、第一バルブ２５１の一次側とガス排気管２３１を接続するバイパス管２４２に第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を設ける。成膜時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を開き、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を閉じ、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたガスの反応副生成物をトラップ２５０によってトラップする。クリーニング時には第一バルブ２５１と第二バルブ２５２を閉じ、第三バルブ２５３と第四バルブ２５４を開き、真空ポンプ２４６によって処理室２０１から排気されたクリーニングガスをトラップ２５０を迂回して流す。 （もっと読む）

【課題】 被処理体の表面に露出したメタル材料の酸化を極力抑制しながら、高い酸化レートでシリコン表面を選択的に酸化することが可能な選択酸化プロセスを提供する。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００では、ｔ１で第１の不活性ガス供給源１９ａ，第２の不活性ガス供給源１９ｃから、それぞれＡｒガスの供給を開始する。次に、ｔ２でＨ_２ガスの供給を開始し、さらにｔ３でＯ_２ガスの供給を開始する。Ｏ_２ガスは、酸素含有ガス供給源１９ｄから、ガスライン２０ｄ、２０ｆ、２０ｇを介して供給され、ガスライン２０ｆ、２０ｇにおいて第２の不活性ガス供給源１９ｃからのＡｒガスと混合され、処理容器１内に導入される。次に、ｔ４でマイクロ波パワーをオンにしてマイクロ波の供給を開始してプラズマを着火する。Ｏ_２ガスの供給開始（ｔ３）からプラズマ着火（ｔ４）までの時間は、５秒以上１５秒以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来よりも面内均一性の高いマイクロ波プラズマ処理を行うことができるマイクロ波プラズマ処理装置およびマイクロ波プラズマ処理方法を提供すること。
【解決手段】マイクロ波プラズマによって被処理体であるウエハＷにプラズマ処理を施すマイクロ波プラズマ処理装置１００は、ウエハＷを収容するチャンバー１と、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生源３９と、マイクロ波発生源で発生されたマイクロ波をチャンバー１に向けて導く導波手段３７ａ，３７ｂ，３１，２８と、チャンバー１内に、プラズマ処理を行うためのガスを供給するガス供給手段１６と、処理条件を制御する制御部５０とを具備し、制御部５０は、プラズマのモードが周期的に変化するように、処理条件を変化させる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜の配向率を改善し、強誘電体膜を有するデバイスの不良品発生率を小さくすること。
【解決手段】
基板上に強誘電体材料膜を形成する第１の工程と、前記強誘電体材料膜を形成した前記基板を熱処理炉内に配置し、前記熱処理炉内に熱処理雰囲気ガスを第１の流量で供給すると共に、前記第１の流量に対応する第２の流量で前記熱処理炉内を排気しながら、前記強誘電体材料膜を加熱して強誘電体膜を形成する第２の工程とを有すること。 （もっと読む）

【課題】 単結晶シリコン膜のリフトオフが良好であり、かつ高純度の太陽電池用単結晶シリコン膜を得ることができる単結晶薄膜の製造方法及びその単結晶薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】 単結晶シリコン基板７１を用意し、この単結晶シリコン基板７１上に同一の物質で結晶欠陥を含んだ単結晶シリコン犠牲層７２を形成し、この単結晶シリコン犠牲層７２上に同一の物質でこの単結晶シリコン犠牲層７２より結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を形成し、前記単結晶シリコン犠牲層７２を溶解し、結晶欠陥の少ない単結晶シリコン薄膜７３を製造する。 （もっと読む）

【課題】電流利得がサブコレクタ層のキャリア濃度により大きく依存しないようにしたＨＢＴ用化合物半導体ウェーハの製造方法及びこれを利用した半導体素子を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２上にサブコレクタ層４１、コレクタ層４２、ベース層４３、及びエミッタ層４４をＭＯＣＶＤ法を用いて気相成長させてＨＢＴ製造用の半導体ウェーハ１を製造する場合、サブコレクタ層４１として、ｎ型ＧａＡｓ層をＧａＡｓ基板２上にＶ／ＩＩＩ比を１．０を超え５以下の範囲として成長させるようにした。成長温度を６２０℃〜５５０℃の比較的低い温度で成長させるようにしてもよい。これによりサブコレクタ層４１の結晶性を良好なものとし、サブコレクタ層４１のキャリア濃度によって電流増幅率βが大きく変化するのを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの裏面の定義されたかつ有利な特性を有する半導体ウェハを提供すること
【解決手段】ａ） シリコン棒をウェハに切断することにより半導体ウェハを準備する工程、ｂ） 前記半導体ウェハのエッジを丸めることで、前記半導体ウェハは前面及び裏面が平坦な面とエッジ領域で丸められかつ傾斜する面とを有する工程、ｃ） 前記半導体ウェハの前面及び裏面を研磨し、前記前面の研磨は、研磨パッド中に固定された砥粒を有していない研磨パッドを使用する化学機械的研磨を有し、前記半導体ウェハの裏面の研磨は、それぞれ研磨パッド中に結合された研磨材料を有する研磨パッドを使用してかつ前記半導体ウェハの裏面に研磨圧力を加える３つの工程で行い、第１の工程では、固体を有していない研磨剤を前記研磨パッドと前記半導体ウェハの裏面との間に導入し、第２及び第３の工程では研磨材料を有する研磨剤を導入し、第１の及び第２の工程の８〜１５ｐｓｉの研磨圧力を、第３の工程では０．５〜５ｐｓｉに低下させる工程を有する半導体ウェハの製造方法 （もっと読む）

【課題】コストを低減させ、生産性を向上させるプラズマを用いる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１２と、処理室１２内に設けられた第１のプラズマ生成室３３と、第１のプラズマ生成室３３内に反応性ガスを供給する第１反応性ガス供給手段３０１と、プラズマを生成し、第１の反応性ガスを励起して第１の反応性ガスの活性種を生成する一対の第１放電用電極２７と、第１のプラズマ生成室の側壁に設けられた第１の反応性ガスの活性種を噴出する第１ガス噴出口３５と、処理室１２内に設けられた第２のプラズマ生成室３３Ｂと、第２のプラズマ生成室３３Ｂ内に反応性ガスを供給する第２反応性ガス供給手段３０２と、プラズマを生成し、第２の反応性ガスを励起して第２の反応性ガスの活性種を生成する一対の第２放電用電極２７Ｂと、第２のプラズマ生成室の側壁に設けられた第２の反応性ガスの活性種を噴出する第２ガス噴出口３５Ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】膜質の向上や膜質の均一化を可能とし、さらに、基板の大面積化にも対応可能なプラズマ製膜方法を提供する。
【解決手段】プラズマ発生源１０Ａは、水素ガス流路３０が形成された中空箱形の正電極３１と、内部空間にプラズマ生成領域を形成するとともに正電極３１を収納設置して基板３と対向配置された中空箱形の負電極３２と、負電極３２の外部に形成されて原料ガスを基板３上に供給するガス出口３３ａを備えている原料ガス流路３３と、正電極３１の面に設けた水素ガスのガス出口３１ａと、負電極３２の面に設けた水素ラジカルの出口開口３２ａとを具備し、正電極３１内に導入した水素ガスに高周波電界を印加して水素ガスがプラズマ状態に励起された水素ラジカルを生成し、原料ガスと出口開口３２ａから供給される水素ラジカルとを負電極３２外のプラズマのない空間で反応させて基板３上に製膜する。 （もっと読む）

【課題】弾性シール部材を透過して処理容器内に侵入する酸素や水素成分を減らすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板２００を処理する処理容器２０３と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理容器内を排気する排気部と、前記処理容器内でプラズマを生成させるプラズマ生成部と、を有し、前記処理容器は複数の部材で構成されると共に、前記各部材間は弾性シール部材３０２で密閉されており、前記処理容器の外部には、前記弾性シール部材による密閉部の外周側を不活性ガス２７６雰囲気に保つ不活性ガス雰囲気形成部２７５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】メタルゲート電極の酸化を抑制しつつ、ＭＯＳＦＥＴの寄生容量の増大を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０と、前記半導体基板上に形成されたシリコンと酸素とを含む第１絶縁膜１２ａと、前記第１絶縁膜上に形成された前記第１絶縁膜よりも誘電率が高く、高融点金属と酸素とを主成分とする第２絶縁膜１２ｂと、で構成されるゲート絶縁膜１２と、前記ゲート絶縁膜上に形成された金属層１３を含むゲート電極１５と、前記ゲート電極の前記金属層の側面、および前記ゲート絶縁膜の前記第２絶縁膜の側面に形成されたシリコンと窒素を含む第１側壁絶縁膜１６と、前記第１側壁絶縁膜の側面、および前記第１絶縁膜の前記第１絶縁膜の側面に形成されたシリコンと酸素とを含む第２側壁絶縁膜１７と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】微細孔内にヘテロ構造を形成することができるヘテロ構造の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上にナノサイズの金属微粒子を形成し、次いで、該金属微粒子上に第一の物質をＶＬＳ成長法により選択的に成長させることによりナノワイヤである柱状構造を形成し、引き続き、前記柱状構造の高さよりも下まで前記基板１上に第二の物質４を充填した後、前記第一の物質と前記第二の物質４の反応性の違いを利用した選択エッチングにより前記第一の物質である柱状構造を除去して、微細孔４ａを形成し、微細孔４ａ内に、前記第一の物質を成長させた温度より高い温度で、ヘテロ構造の結晶（７、８、９）を成長させる。 （もっと読む）

【課題】実用的な発光効率を有する緑色発光デバイスを実現可能な立方晶型窒化物半導体ウェハ及びその製造方法、並びに立方晶型窒化物半導体自立基板の製造方法を提供する。
【解決手段】立方晶の種結晶基板１の表面に、窒化物半導体２が成長しにくい材料で覆い且つ周期的に又はランダムに種結晶基板１の表面が露出した開口部４を有するマスク３を形成し、マスク３の開口部４から窒化物半導体２を成長し、種結晶基板１と局所的に接触した連続膜とした窒化物半導体２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ウェハ面内の輝度ムラを低減することができ、しかも順方向電圧の上昇を抑制することが可能なＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】加熱されたｎ型基板１上に、必要とするIII族原料ガス、Ｖ族原料ガス、キ
ャリアガス、ドーパント原料ガスを供給して、ｎ型基板１上に、少なくともＡｌＧａＩｎＰ系材料からなるｎ型クラッド層３，活性層４，ｐ型クラッド層５を有する発光部７と、ｐ型ＧａＰ電流分散層６とを成長させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法であって、ｐ型クラッド層５の成長後、成長温度を、ｐ型クラッド層５の成長温度より昇温しつつ、供給ガス中のＧａ原料ガスの供給量を次第に増加させながら下部ｐ型ＧａＰ電流分散層６ａを成長する。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】リアクタの金属汚染を低減し、歩留まりを向上させる半導体基板処理方法を提供する。
【解決手段】リアクタ２、その内部に設けられた支持体４、及び支持体４と対向して平行に設けられたシャワープレート６を備える基板処理装置１を用いて、半導体基板３を処理する方法は、リアクタ２の内壁面、支持体４の露出面及びシャワープレート６の露出面にプリコート膜を形成する工程と、プリコートした支持体４上に半導体基板３を載置する工程と、半導体基板上に低誘電率の薄膜を形成する工程とを含み、プリコート膜の弾性係数は少なくとも３０ＧＰａである。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ドーパント原料、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板１１上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を５０℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に平坦性と配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度が低く、不純物の界面蓄積やＺｎＯ系成長層への拡散が抑制されたＺｎＯ系単結晶の成長方法を提供することにある。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供することにある。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と水蒸気とを用い、ＺｎＯ単結晶基板上に６００℃以上９００℃未満の成長温度で熱安定状態のＺｎＯ系単結晶を成長する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）