【課題】 長尺な基板をドラムに巻き掛けて長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、基板の加熱に起因するドラムからの基板の浮きを防止し、ドラムからの浮きに起因する基板の熱ダメージを抑制した機能性フィルムを安定して製造できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 ドラムに巻きかかっている基板の非製品領域に当接して、基板と共に搬送されつつ、基板を幅方向の外側に付勢する付勢手段を有することにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 熱酸化膜と同等以上の膜質を有するシリコン酸化膜を形成できるプラズマ酸化処理方法を提供する。
【解決手段】 処理容器１内を排気装置２４により減圧排気しながら、ガス供給装置１８の不活性ガス供給源１９ａおよびオゾンガス供給源１９ｂから、不活性ガスおよびＯ_２とＯ_３との合計に対するＯ_３の体積比率が５０％以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部１５を介して処理容器１内に導入する。マイクロ波発生装置３９で発生させた所定周波数例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を、平面アンテナ３１から透過板２８を経て処理容器１に放射し、不活性ガスおよびオゾンガスをプラズマ化する。このマイクロ波励起プラズマによりウエハＷ表面にシリコン酸化膜を形成する。プラズマ酸化処理の間、載置台２に高周波電源４４から所定の周波数およびパワーの高周波電力を供給してもよい。 （もっと読む）

【課題】従来の薄膜形成装置に比べて、薄膜を均一に形成することができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、基板に薄膜を形成するための減圧した成膜空間を形成する成膜容器と、原料ガスおよび反応ガスを前記成膜容器に供給するガス供給ユニットと、を有する。ガス供給ユニットは、原料ガスおよび反応ガスの導入口から前記成膜空間に向けて流れるガス流路を屈曲させる少なくとも１つの衝立板が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 長尺な基板を長手方向に搬送しつつ成膜行なう成膜装置であって、不要な領域にプラズマが生成されることを防止し、この不要なプラズマに起因する基板の損傷等の無い高品質な製品を安定して作製できる成膜装置を提供する。
【解決手段】 第１ユニットと、基板の搬送系を有する第２ユニットとを組み合わせて構成され、かつ、成膜中に、前記第１ユニットと第２ユニットとの間に電位差を生じないことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 原料の反応性を高め、効率的に酸化亜鉛薄膜を成膜することができる成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】 少なくとも有機原料ガスと酸素源ガスとを含む成膜ガスを、反応容器１６０の側面に配列されたシャワーヘッド１５０から個別に供給し、有機金属気相堆積成長法により、反応容器１６０に載置された基板Ｓ上に酸化亜鉛薄膜を成膜する成膜方法において、酸素源ガスとしてオゾンガスを用い、かつ、有機原料の分解を促進する水素ガスを前記成膜ガスに添加するとともに、オゾンガスと水素ガスとを異なるガス導入孔から反応容器内に供給する。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノウォールの選択成長方法を提供すること。
【解決手段】ＳｉＯ₂ からなる基板１００上に、正方形が三角格子状に配列されたパターンのＴｉ膜１０１を形成した。次に、ＳｉＯ₂ 基板１００上にカーボンナノウォールを成長させた。そして、Ｔｉからのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも長く、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間よりも短い時間で成長を終了させた。ここで、ＳｉＯ₂ からのカーボンナノウォールの成長開始時間は、Ｔｉからの成長開始時間よりも長い。その結果、ＳｉＯ₂ 基板１００上のうち、Ｔｉ膜１０１が形成されずにＳｉＯ₂ が露出している領域にはカーボンナノウォールが成長せず、Ｔｉ膜１０１上にのみ、カーボンナノウォール１０２が形成された。 （もっと読む）

【課題】半導体材料の構造的及び化学量論的特性を保ったまま、窒化物本体を横方向及び縦方向で空間的に規定された選択ドーピングを達成しうるインシチュドーパント注入及び成長を提供する。
【解決手段】窒化物半導体本体の成長中にインシチュドーパント注入を可能にする方法は、ドーパント注入装置及び成長室を有する複合窒化物室中に、窒化物半導体本体に対する成長環境を確立するステップと、成長室内で窒化物半導体本体を成長させる成長ステップと、ドーパント注入装置を用いて成長室内で窒化物半導体本体にインシチュ状態でドーパント注入を行う注入ステップとを具える。この方法を用いて形成する半導体デバイスは、サポート基板上に形成した第１導電型の窒化物半導体本体と、窒化物半導体本体の成長中にこの窒化物半導体本体のインシチュドーパント注入により形成され、第２導電型を有する少なくとも１つのドープ領域とを具える。 （もっと読む）

【課題】酸化処理の面内均一性を向上させる。
【解決手段】 基板の側方に設けられたノズルから酸素含有ガスを第１の流量にて基板に向けて供給し、その際、そのノズルと同じノズルから、酸素含有ガスと一緒に不活性ガスを第１の流量よりも大きな第２の流量にて供給することで、基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速を、酸素含有ガスを第１の流量にて単独で流す場合における基板の表面と平行方向に流れる酸素含有ガスの流速よりも大きくする （もっと読む）

【課題】処理室に供給する液体原料を効率よく気化する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室１６内にウエハ１４を搬入する工程と、処理室１６内に液体原料スプレーノズル７０より金属化合物を含む液体原料を供給しつつ液体原料スプレーノズル７０と支持台１８にバイアス電圧を印加することで、液体原料を気化させた原料ガスを帯電した状態で噴霧させてウエハ１４に供給し、ウエハ１４上に原料ガスを吸着させる工程と、処理室１６内に酸化剤を供給することで、ウエハ１４上に吸着させた原料ガスと酸化剤とを反応させて金属含有層を形成する工程と、を交互に繰り返すことで、ウエハ１４上に所定膜厚の金属含有膜を形成する処理を行う工程と、処理室１６内から処理済みのウエハ１４を搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】処理ガス供給配管の置換容積を最小限とし、反応室内に供給する処理ガスの切替え速度を向上できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室５２と、該処理室内に複数の処理ガスを供給する複数の処理ガス供給手段と、前記処理室内にキャリアガスを供給するキャリアガス供給手段と、前記処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、前記複数の処理ガス供給手段と前記キャリアガス供給手段と前記排気手段とを制御する制御手段とを具備し、前記複数の処理ガス供給手段は、処理ガス配管部に上流側から順に設けられた上流側バルブ５６，６３と流量制御手段５７，５８，６４と下流側第１バルブ５９，６５と下流側第２バルブ６２，６７とを有し、前記キャリアガス供給手段は、キャリアガス配管部に設けられたバルブ７９，８３の下流側で前記下流側第２バルブ６２，６７と前記処理室５２との間にもそれぞれ接続される基板処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムで形成されたガス供給電極に堆積した成膜物を除去する際に、ガス供給電極が腐食することなく、また、これにより、ガス供給穴の径が変化し、プラズマ形成が不安定になることを防止でき、薬品での洗浄が可能なガス供給電極およびガス供給電極の洗浄方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムで形成された中空の筐体と、前記筐体のガス供給面２０ａに形成された複数のガス供給穴２６ａとを有し、少なくとも前記ガス供給面および前記ガス供給穴の表面に耐薬品性の皮膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】低温での酸化膜形成において、ウエハ面内の膜厚均一性を向上させた基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数枚の基板を収容して処理する反応管と、前記反応管内を加熱するヒータと、前記反応管内で前記複数枚の基板を所定の間隔で積層し配列させて保持する基板保持具と、前記反応管内の前記複数枚の基板が配列される基板配列領域に対応する領域に配置され、該領域の基板配列方向における複数箇所から前記反応管内に、酸素含有ガスと水素含有ガスとを混合させて供給するガス供給ノズルと、前記反応管内を排気する排気口と、前記反応管内の圧力が大気圧よりも低い所定の圧力となるように制御する圧力制御部と、を有することを特徴とする基板処理装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも一対の電極とを有する基板処理装置において、該電極間を通過する処理ガスのプラズマ励起効率を向上させ、成膜速度を向上させることのできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置を次のように構成する。すなわち、複数の基板を積層して収容し、前記複数の基板に対し処理を行う処理室２０３と、前記処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給部と、前記処理室内に設けられ、電力が印加されることにより前記処理ガス供給部から供給される処理ガスを励起するプラズマを生成する少なくとも一対の電極２６９，２７０とを有し、前記一対の電極は、それぞれ基板の中心位置から異なる距離に配置されることを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ＡＬＤ（原子層成長法）により膜を形成する際、従来の薄膜形成装置のように排気部に反応生成物が形成されることが殆ど無く、メンテナンスのし易い薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】薄膜形成装置１０は、原料ガスおよび反応ガスが別々のタイミングで交互に供給されて、減圧状態の成膜空間を形成する成膜容器１２と、前記原料ガスおよび前記反応ガスを排気する排気管１８ａを備えるガス排気部１８と、を有する。前記ガス排気部１８には、前記排気管１８ａの長手方向に平行な細孔が複数設けられた、多孔質材からなるガスフィルター１８ｄが設けられる。 （もっと読む）

【課題】 下地層とアモルファスカーボン膜との密着性を向上させることが可能な方法を提供すること。
【解決手段】 アモルファスカーボン膜を含む積層構造を下地層上に形成する方法は、前記下地層上に有機系シリコンガスを供給し、前記下地層の表面にＳｉ−Ｃ結合を含む初期層を形成する工程（ｔ４）と、前記初期層が表面に形成された前記下地層上に炭化水素化合物ガスを含む成膜ガスを供給し、前記下地層上に前記アモルファスカーボン膜を熱成膜で形成する工程（ｔ６）と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いゲート酸化膜をＳｉＣ基板の熱酸化によって得ることができる酸化膜形成方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ基板１上に水素および酸素を同時に導入する工程と、前記ＳｉＣ基板１上において、１０００℃以上の温度かつ減圧の条件下で前記水素および前記酸素を燃焼反応させ、該燃焼反応により前記ＳｉＣ基板１表面にシリコン酸化膜であるゲート酸化膜４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】
レジスト層あるいはアモルファスカーボン層を表面に有する基板に、低温で良質の膜を形成する。
【解決手段】
レジスト層もしくはアモルファスカーボン層を表面に有する基板にＨＭＤＳガスを曝すＨＭＤＳガス暴露工程と、基板に酸素含有ガスを曝す酸素含有ガス暴露工程と、を行うことにより、少なくともレジスト層もしくはアモルファスカーボン層の上にシリコン酸化膜を形成する。これにより、基板の表面のレジストあるいはＡＣＬにダメージを与えることのない低い処理温度で、不純物が少なく、ウェットエッチングレートが低い膜をレジストあるいはＡＣＬの上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】縦型チューブＡＬＤ（原子層堆積）装置を用いる成膜方法において、スループットや膜質の変化を回避しながら面内膜厚分布均一性を向上させる。
【解決手段】複数枚のウエハを水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容した処理室内に、各ウエハに対応するように複数のガス供給孔が設けられた第１ノズルを介してＤＣＳ（ジクロロシラン＝ＳｉＨ_２Ｃｌ_２）ガスを供給して各ウエハに成膜する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも上方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも厚い分布となるように制御するか、もしくは、前記ガス供給孔の位置を隣接する前記ウエハ間の中心位置よりも下方に対応する位置に配置することで、ウエハ面内膜厚分布をウエハ中央部膜厚がウエハ周辺部膜厚よりも薄い分布となるように制御する。 （もっと読む）