【課題】ガス供給ノズル内でのＳｉ原料ガスの分解や、ガス供給ノズルの内壁面等へのＳｉの析出を抑制することが可能な基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のガス供給部６０ａから少なくともシリコン含有ガス及び塩素含有ガス、若しくは、シリコン及び塩素含有ガスを反応室４４内へ供給し、第２のガス供給部６０ｂから少なくとも還元ガスを反応室内へ供給し、第１のガス供給部又は第２のガス供給部から少なくとも炭素含有ガスを前記反応室内へ供給する。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャルウェハ上への異物パーティクルの付着を抑制し、それによって表面欠陥の少ない高品質な化合物半導体エピタキシャルウェハを製造する方法を提供する。
【解決手段】トランジスタ用エピタキシャルウェハの製造方法は、化学気相成長法によるIII-Ｖ族化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法であって、複数枚の基板１を設置する成長室内において、同心円状に分割された加熱用ゾーンヒータ１１によって基板サセプタの内周側から外周側にかけて温度が高くなるような温度勾配を設け、前記成長室内で加熱された前記基板上にIII族原料、Ｖ族原料、ドーパント原料および希釈用ガスを供給してIII-Ｖ族化合物半導体層を成長させる。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比の溝又は穴を有するワーク表面に表面処理する装置を提供する。
【解決手段】ワーク１の表面に反応ガスを化学反応させる処理室３と、反応ガスの導入経路を通じて前記処理室に前記反応ガスを供給する反応ガス供給部６と、前記反応ガスの導入経路とは別に、前記処理室に導入ガスを供給することにより前記処理室の圧力を変動させる圧力変動部８とを具備する表面処理装置において、６６６６Ｐａ〜１０１３２５Ｐａの範囲内で高圧と低圧に周期的に前記導入ガスの圧力を変動させて、前記導入ガスを、前記圧力変動部８から導入ガス供給部７を経由して前記処理室に供給することにより、前記処理室内の圧力を変動させて前記反応ガスを穴又は溝２に流入出させるようにした表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板を配置し、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを前記処理容器内に導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜するＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法であって、気体状のＧｅ原料および気体状のＳｂ原料を処理容器内に導入して基板上に第１段階の成膜を行う工程（工程２）と、気体状のＳｂ原料および気体状のＴｅ原料を処理容器内に導入して第１段階の成膜で得られた膜の上に第２段階の成膜を行う工程（工程３）とを有し、工程２により得られた膜と、工程３により得られた膜により、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得る。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ処理装置において、カソード電極の反りや歪みを防止する。
【解決手段】処理ガスをプラズマ化して基板を処理するプラズマＣＶＤ装置１００は、基板を収容する処理容器１０３と、処理容器１０３内に配置された複数組のカソード電極１０１およびアノード電極１０２とを備えている。カソード電極１０１は、バッキングプレート３およびシャワープレート２から構成される。シャワープレート２には、バッキングプレート３と接する中間締結部６が形成されている。このため、シャワープレート２に加えられたプラズマの熱は、中間締結部６を介してバッキングプレート３に伝達され、カソード電極１０１の温度の均一性は向上する。よって、カソード電極１０１の反りや歪みは防止される。 （もっと読む）

【課題】導電性SiC単結晶基板上のIII族窒化物電子デバイスにおいて、縦方向耐圧を向上させることができる電子デバイス用エピタキシャル基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電性SiC単結晶基板２と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファ３と、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体４とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、B_a1Al_b1Ga_c1In_d1N(0≦a₁≦1,0＜b₁≦1,0≦c₁≦1,0≦d₁≦1,a₁+b₁+c₁+d₁=1)材料からなり、初期成長層５と、バンドギャップの異なる２層を交互に積層した超格子多層構造からなる。超格子積層体６、または、前記主積層体の前記バッファ側の部分の少なくとも一方は、Ｃ濃度が１×10¹⁸/cm³以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤにより平滑性の高いＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を得ることができるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内に基板が存在しない状態で処理容器内をＣｌおよびＦの少なくとも一方を含むガスに曝露させる前処理工程（工程１）と、その後、処理容器内に基板を搬入する工程（工程２）と、基板が搬入された処理容器内に、気体状のＧｅ原料と、気体状のＳｂ原料と、気体状のＴｅ原料とを導入してＣＶＤにより基板上にＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５となるＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ膜を成膜する工程（工程３）とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に良好なステップカバレッジを得ることができるシリコン酸化膜用成膜原料およびそれを用いたシリコン酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜するにあたり、カルボニル基を有するシロキサン系化合物からなり、エネルギーが与えられることにより分解してＣＯが脱離し、ＣＯが脱離して生成された成膜に寄与する生成物が化学構造上ダングリングボンドが存在しないシリコン酸化膜用成膜原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】低温で高ストレスのシリコン窒化膜を形成することができるシリコン窒化膜の形成方法、シリコン窒化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にジクロロシランを供給し、半導体ウエハＷにジクロロシランと反応した反応物を形成する。次に、反応管２内に水素ラジカルを供給してこの反応物と反応させ、反応物に含まれる塩素を除去する。続いて、反応管２内を４０Ｐａ〜１００Ｐａに設定し、この設定した反応管２内にアンモニアラジカルを供給する。これにより、アンモニアラジカルと反応物とが反応して、半導体ウエハＷにシリコン窒化膜が形成される。この処理を複数回繰り返すことにより所望のシリコン窒化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜のダメージ回復処理を行う際に、回復処理に寄与する処理ガスの量を十分に確保しつつ、処理ガスの使用量を減少させることができる処理方法を提供すること。
【解決手段】表面部分にダメージ層が形成された低誘電率膜を有する被処理基板が収容された処理容器内にメチル基を有する処理ガスを導入して低誘電率膜に形成されたダメージ層に回復処理を施す処理方法であって、減圧状態にされた処理容器内に希釈ガスを導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力よりも低圧の第１の圧力まで上昇させ（工程３）、その後、希釈ガスを停止し、処理ガスを処理容器内の被処理基板の存在領域に導入して、処理容器内の圧力を回復処理の際の処理圧力である第２の圧力まで上昇させ（工程４）、この処理圧力を維持し、被処理基板に対して回復処理を行う（工程５）。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する結晶性の高い大面積III族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】オフ角を有する複数のシードを準備する工程と、シードの主面が略同一方向に向くようにしてシードを配置する工程と、シードの主面上に、III族窒化物結晶を成長させる工程と、を含むIII族窒化物結晶の製造方法であって、前記配置工程において、前記複数のシードのオフ角の方向がほぼ同一方向となるように配置する。 （もっと読む）

【課題】窒化物系化合物半導体において埋め込み電極として利用可能な特定のパターン形状の導電性材料を埋め込んだ構造を実現し、ＳＩＴ等のデバイスを作製可能にする。
【解決手段】（１）一般式Ｉｎ_xＧａ_yＡｌ_zＮ（ただし、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１）で表される第１の３−５族化合物半導体と、（２）これに接して該第１の３−５族化合物半導体表面の一部を特定のパターン形状で被覆するＳｉＯ_２と、（３）該ＳｉＯ_２に接して積層された導電性材料と、（４）該ＳｉＯ_２と該導電性材料との積層体で被覆されてない該第１の３−５族化合物半導体表面の露出部と該導電性材料とを共に被覆する一般式Ｉｎ_uＧａ_vＡｌ_wＮ（ただし、ｕ＋ｖ＋ｗ＝１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１）で表される第２の３−５族化合物半導体と、からなり、該導電性材料の層厚が５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることを特徴とする３−５族化合物半導体。 （もっと読む）

【目的】
ＺｎＯ単結晶基板上に、平坦性及び配向性に優れ、優れたバッファ機能を有するバッファ層と、当該バッファ層上に、平坦性・配向性に優れるとともに、欠陥・転位密度の低い完全性の高い熱安定状態のＺｎＯ単結晶を形成する成長方法を提供する。また、高性能かつ高信頼性の半導体素子、特に、発光効率及び素子寿命に優れた高性能な半導体発光素子を提供する。
【解決手段】
ＭＯＣＶＤ法により、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、基板上に２５０℃ないし４５０℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶のバッファ層を成長する低温成長工程と、バッファ層の熱処理を行ってバッファ層を熱安定状態の単結晶層に遷移させる工程と、酸素を含まない有機金属化合物と極性酸素材料とを用い、上記熱安定状態の単結晶層上に６００℃ないし９００℃の範囲内の成長温度でＺｎＯ系単結晶を成長する高温成長工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウェハの面内温度分布があることを前提にし、しかもスリップの発生を抑制できる化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に、ドーパント原料、ＩＩＩ族原料、Ｖ族原料及び希釈用ガスを供給してエピタキシャル層を順次形成する化合物半導体エピタキシャルウェハの製造方法において、基板１１上に形成する最下層のエピタキシャル層の成長時のウェハ中心部とウェハエッジ部の温度分布の差を５０℃未満にして最下層をエピタキシャル成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】良好な二次元電子ガス特性を有し、かつコンタクト特性の良好なエピタキシャル基板を提供する。
【解決手段】下地基板の上にＧａＮにてチャネル層を形成し、チャネル層の上にＡｌＮにてスペーサ層を形成し、スペーサ層の上に、障壁層を、少なくともＩｎとＡｌとＧａを含む、Ｉｎ_xＡｌ_yＧａ_zＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）なる組成のIII族窒化物であって、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＧａＮを頂点とする三元状態図上において、該III族窒化物の組成に応じて定まる４つの直線にて囲まれる範囲内にあるようにする。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥密度が低減され、表面が平滑な窒化アルミニウム単結晶層を有する積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】ベース基板１上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００以上７０００以下となるように原料ガスを供給し、第一の窒化アルミニウム単結晶層２を形成する第一成長工程、並びに、前記第一の窒化アルミニウム単結晶層２上に、アルミニウム原子に対する窒素原子のモル比が３０００未満となるように原料ガスを供給し、第二の窒化アルミニウム単結晶層３を形成する第二成長工程とを含むことを特徴とする積層体の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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【課題】 基板上での酸化物形成方法。
【解決手段】 本発明の方法によると、基板をチャンバに置く。次いで、酸素含有ガス及び水素含有ガスをチャンバに供給する。次いで、酸素含有ガスと水素含有ガスを相互に反応させてチャンバ内に水蒸気を形成する。次いで、水蒸気が基板を酸化する。 （もっと読む）

【課題】第１半導体層上へのそれとは異なる第２半導体層を形成する新規な半導体発光素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体発光素子Ｌの製造方法は、主面１２ａがｃ面であり且つ該主面１２ａとは異なる結晶成長面１２ｂが露出した第１半導体層１２を有する基板１０を用い、基板１０の第１半導体層１２の露出した結晶成長面１２ｂを起点として、第１半導体層１２を構成する半導体とは異なる半導体を結晶成長させることにより、第１半導体層１２上に第２半導体層１４を形成する。 （もっと読む）