【課題】結晶性を良好に維持するとともに、成長させる結晶の面積を大きくする結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイスを提供する。
【解決手段】結晶成長方法によれば、複数の種基板１０を、種基板１０の成長する面が{００１}面となるように種基板１０の側部１１側にずらして配置する配置工程と、ハイドライド気相成長法により、複数の種基板１０の各々の表面１２上にＡｌ_xＩｎ_yＧａ_(1-x-y)Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）結晶２０を成長させる成長工程とを備えている。そして、成長工程では、複数の種基板１０の各々の表面１２上に成長した結晶２０の各々が一体化するように１１００℃を超えて１３００℃以下の温度で成長させることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】異種材料の基板上で平坦かつ剥離が容易なＧａＮ基板を低コストで製造することを可能にする製造方法を提供するとともに、そのＧａＮ基板を用いて製造するＬＥＤやレーザダイオード等の半導体デバイスの低コスト化、性能向上や長寿命化を実現することである。
【解決手段】本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体層における応力を緩和し低動作電圧で高発光効率の半導体発光素子を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含むｎ型半導体層と、窒化物半導体を含むｐ型半導体層と、ｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の障壁層と、複数の障壁層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む井戸層と、を有する発光部と、ｎ型半導体層と発光部との間に設けられ、互いに積層され、ＧａＮを含む複数の第１層と、複数の第１層のそれぞれの間に設けられ、第１Ｉｎ組成比の０．６倍以上で第１Ｉｎ組成比よりも低い第２Ｉｎ組成比のＩｎＧａＮを含む第２層と、を有する多層構造体と、多層構造体と発光部との間に設けられ、Ａｌ_ｙ１Ｇａ_１−ｙ１Ｎ（０＜ｙ１≦０．０１）を含む第３層を含むｎ側中間層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子が提供される。 （もっと読む）

【課題】膜質及びバリア性を改善する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置１０は、第１成膜ロール２０Ａ及び該第１成膜ロールに対して平行に対向配置された第２成膜ロール２０Ｂを含む成膜ロール２０と、第１対称面１８Ａが設定され、成膜ゾーン２２が設定され、第２対称面１８Ｂが設定されており、第１対称面内に配列される１本又は２本以上のガス供給管３２であって、成膜ゾーンと対向し、かつ第２対称面に対して鏡面対称に配列される１個又は２個以上のガス供給口を有するガス供給管を備えるガス供給部とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分な導電性を付与したIII族窒化物結晶を短時間で成長可能とする。
【解決手段】III族のハロゲン化物ガスとＮＨ_３ガスを用いてIII族窒化物結晶を下地基板上に４５０μｍ／ｈｏｕｒよりも大きく２ｍｍ／ｈｏｕｒ以下の範囲の成長速度で成長する場合において、ドーピング原料としてＧｅＣｌ_４を用いることによりIII族窒化物結晶
中にＧｅをドーピングし、III族窒化物結晶の比抵抗が１×１０^−３Ωｃｍ以上１×１０
^−２Ωｃｍ以下となるようにする。 （もっと読む）

ハンドルウェハ、シリコン層、及び上記ハンドルウェハと上記シリコン層との間の誘電体層を含むシリコン−オン−インシュレータ構造上においてエピタキシャル層をエッチング及び／又は析出させる方法を提供する。当該シリコン層は、当該構造の外表面を規定する劈開された表面を有する。その後、エッチング反応が速度論的に制限されるように炉の温度を制御しつつ上記劈開された表面をエッチングする。その後、上記劈開された表面の析出速度が速度論的に制限されるように炉の温度を制御しつつ上記ウェハ上にエピタキシャル層を析出させる。
（もっと読む）

【課題】本発明の目的は、優れたエピタキシャル層の特性やデバイス特性を得ることができるように窒化物系化合物半導体の状態が制御された複合基板を提供することにある。
【解決手段】本発明の複合基板は、窒化物系化合物半導体からなる第１の基板と、該第１の基板を構成する窒化物系化合物半導体以外の物質からなる第２の基板とを貼り合わせてなるエピタキシャル層成長用の複合基板であって、該窒化物系化合物半導体は、六方晶の結晶構造を有し、該第１の基板に対して＜０００１＞方向からレーザ光を入射させることにより後方散乱配置Ｚ（Ｘ，Ｘ）−Ｚ＋Ｚ（Ｘ，Ｙ）−Ｚにて得られるバックグラウンドを除いたラマン散乱スペクトルのＥ₂^Hモードのピーク強度をＩ１とし、３７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1または６７０ｃｍ^-1±１５ｃｍ^-1のピーク強度をＩ２とする場合、下記式（Ｉ）を満たすことを特徴とする。
０≦Ｉ２／Ｉ１≦０．３５ ・・・（Ｉ） （もっと読む）

【課題】
薄膜シリコン太陽電池の微結晶シリコン膜及び多結晶シリコン太陽電池のパッシベーション膜等を製造するプラズマＣＶＤ装置の応用分野においては、生産性向上及び低コスト化を図るために、大面積基板を対象に高速、高品質のシリコン系膜の形成が可能なプラズマＣＶＤ装置及びその装置を用いたシリコン系膜の製造法が求められている。特に、微結晶シリコン膜を高品質で高速製膜可能なプラズマＣＶＤ技術が強く求められている。
【解決手段】
一対の平行平板電極を備えたプラズマＣＶＤ装置において、ガス噴出孔を有する電極に、多数の穴または溝を設け、該穴または溝の底面に希釈ガスのみを噴出する希釈ガス噴出孔を配置し、該穴または溝の開口部の縁の近傍に原料ガスのみを噴出する複数の原料ガス噴出孔を配置するという構成を有することを特徴とする。本装置を用いることにより、高品質の微結晶シリコン膜を高速で製膜することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】（０００１）面以外の任意に特定される主面を有する、クラックの少ないＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚以上のシード基板を隣接して配置し、それらシード基板上にＩＩＩ族窒化物結晶を成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法において、シード基板の境界線と成長させるＩＩＩ族窒化物結晶の＜０００１＞軸を主面に投影した直線とがなす角度をθとした場合、１以上の境界線が以下の（１）又は（２）を満たす。（１）０°＜θ＜９０°である。（２）θ＝０°である境界線（ｌ）が２本以上存在し、隣り合う境界線（ｌ）が同一直線上にない。 （もっと読む）

【課題】確実にオートドープ及びポリシリコン生成物の発生を抑制し、抵抗率のウェーハ面内均一性が高く、ＬＰＤ密度の低減が図られたエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【解決手段】エピタキシャル成長工程に先立って、前記シリコン基板１０の裏面１０ａに酸化膜２０を形成する裏面酸化膜形成工程と、前記裏面酸化膜を所定の幅のウェーハ周縁部分だけ除去する裏面酸化膜除去工程とを有し、前記裏面酸化膜２０の除去は、前記所定の除去幅をｙ（μm）とし、所望のエピタキシャル膜の抵抗率をｘ（Ω・cm）としたとき、ｙとｘが、
ｙ≦−909.01 ln（ｘ）＋2044.8・・・（１）
の関係を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】窒化インジウム（InN）を基としたバンドギャップEgが0.7〜1.05eVをもつIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN（x≧0、y≧0、かつx+y≦0.35）単結晶薄膜と良好に格子整合する単結晶基板、その製造方法、当該単結晶基板上に形成してなる半導体薄膜、および半導体構造を提供する。
【解決手段】窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO₅（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。前記単結晶基板は、1000℃以上に加熱して形成した焼結体を原料として溶融し、必要に応じて、酸素雰囲気下あるいは不活性ガス雰囲気下で融液から単結晶を育成した後、結晶学的方位{0001}を基板面として切り出すことにより製造される。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム単結晶基板の表面にエピタキシャル成長させる際に裏面に成長させない。
【解決手段】窒化ガリウム単結晶基板１０は、ガリウム極性面１０_Gaが凹となり、−ｃ面である窒素極性面１０_Nが凸となる向きに反っている（１．Ａ）。窒素極性面１０_Nを、ＳｉＯ₂から成る被膜３０で覆う（１．Ｂ）。エピタキシャル成長装置（有機金属気相成長装置）に搬入し、ガリウム極性面１０_Gaに窒化ガリウムエピタキシャル層を形成する。原料ガスであるＴＭＧとＮＨ₃は、ＳｉＯ₂から成る被膜３０の表面３０ｆ全体に到達しうるが、表面３０ｆにはIII族窒化物系化合物半導体はエピタキシャル成長せず、表面３０ｆは清浄なままとなる（１．Ｃ、１．Ｄ）。ＳｉＯ₂から成る被膜３０をフッ酸で除去すると、清浄な窒素極性面１０_Nが露出する（１．Ｅ）。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを用いた半導体装置を効率よく製造するための半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の裏面Ｂ１を有する第１の炭化珪素基板１１と、第２の裏面Ｂ２を有する第２の炭化珪素基板１２とが準備される。第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２の各々が一の方向に露出するように第１および第２の炭化珪素基板１１、１２が配置される。炭化珪素からなり、かつ第１および第２の裏面Ｂ１、Ｂ２を互いにつなぐ成長層３０が化学気相成長法によって形成される。 （もっと読む）

【課題】優れた結晶性を有する窒化物層をその上方に再現性良く形成することができるアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ｃｏｎｔｉｎｕｏｕｓ方式により電圧を印加するＤＣマグネトロンスパッタ法によるアルミニウム含有窒化物中間層２の積層時に、（ｉ）ターゲットの表面の中心と基板の成長面との間の最短距離を１００ｍｍ以上２５０ｍｍ以下とすること、（ｉｉ）ＤＣマグネトロンスパッタ装置に供給されるガスに窒素ガスを用いること、（ｉｉｉ）基板の成長面に対してターゲットを傾けて配置することの少なくとも１つの条件を採用しているアルミニウム含有窒化物中間層の製造方法、その窒化物層の製造方法およびその窒化物層を用いた窒化物半導体素子の製造方法である。 （もっと読む）

（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される、小さい機械的応力を有する半導体構造、および、（０００１）配向された別の基板（１）上の第ＩＩＩ属金属窒化物から形成される半導体構造における内部機械応力を減少させる方法。方法は、第１の窒化物層（２）を形成するために別の基板（１）上に窒化物を成長させるステップ、取り除かれる体積間の層の残りの部分における機械的応力の緩和を提供するための、第１の窒化物層（２）の上側面から予め定められた深さまでその体積を選択的に取り除くことによって第１の窒化物層（２）をパターン化するステップ、および、第１の窒化物層（２）上に連続した第２の窒化物層（８）（第２の窒化物層（８）は、半導体構造の内部の第２の窒化物層（８）の下で取り除かれる体積から空所（７）を囲む）が形成されるまで追加的な窒化物を成長させるステップ、を含む。 （もっと読む）

基板ウェーハの裏側及び縁部断面をシールするためのシステム及び方法である。第１の方法の実施例によれば、第１導電型のシリコンウェーハにアクセスする。第１導電型のエピタキシャル層をシリコンウェーハの前面上で成長する。エピタキシャル層をインプラントし、逆の導電型の領域を形成する。成長及びインプラントを繰り返し、逆の導電型の垂直カラムを形成する。ウェーハに更にインプラントを行い、垂直カラムと垂直方向で整合した逆の導電型の領域を形成する。
（もっと読む）

【課題】クラックの発生が防止されるとともに、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成される窒化物半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体素子の製造方法は、凹部からなる掘り込み領域を備えた加工基板に窒化物半導体薄膜を積層し、凹部の断面積に対して、凹部に埋め込まれた窒化物半導体薄膜の占める断面積の割合を０．８以下とする。このことにより、クラックを防止し、表面平坦性が良好な窒化物半導体成長層が形成できる。 （もっと読む）

【課題】格子不整合系基板を使用しながら、高品質な単結晶窒化物半導体の結晶成長を実現する半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の表面にグラフェン層１１０を設ける工程と、グラフェン層１１０の炭素原子の配列を示すハニカム構造の中心に、単結晶半導体層の結晶を構成する一の元素を吸着させる工程と、この一の元素に前記結晶を構成する当該元素とは異なる他の元素を結合させ、前記結晶の第１層１１４を形成する工程と、前記第１層の表面にさらに所定の層数の前記結晶半導体層を結晶成長する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】素子特性および歩留まりを向上させることが可能な窒化物半導体発光素子を提供する。
【解決手段】この窒化物半導体レーザ素子１５０（窒化物半導体発光素子）は、結晶成長面１ａを有し、結晶成長面１ａから厚み方向に掘り込まれた掘り込み領域３と、掘り込まれていない領域である非掘り込み領域４とを含むｎ型ＧａＮ基板１と、掘り込み領域３に形成され、窒化物半導体の結晶成長を抑制する成長抑制膜５と、ｎ型ＧａＮ基板１の結晶成長面１ａ上に形成されたｎ型クラッド層１１を含む半導体素子層１０とを備えている。上記掘り込み領域３は、凹部２を含んでおり、上記成長抑制膜５は、凹部２内における結晶成長面１ａより低い位置に形成されている。 （もっと読む）